SENSOR REFLEXIVO CON QRD1114 A 5MM

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 Prctica 1-Sensor Reflexivo con QRD1114 a 5mm
NDICE
Objetivo general .................................................................................................................................................................. 3
Objetivo particular3

Introduccin ..................................................................................................................................................................... 4
Desarrollo ............................................................................................................................................................................ 6
Conclusiones generales del equipo .................................................................................................................................... 14
Bibliografa y/o Cibergrafa ................................................................................................................................................ 15
Anexos ............................................................................................................................................................................... 16
 Prctica 1-Sensor Reflexivo con QRD1114 a 5mm

OBJETIVO GENERAL
Para la realizacin de esta prctica se remontan los conceptos diodo infrarrojo y fototransistor, los
cuales se utilizan como emisor y receptor de la seal infrarroja respectivamente, la cual se muestra a
travs de una seal analgica en el receptor como un voltaje de salida.

OBJETIVO PARTICULAR
Utilizando en nuestro caso el sensor QRD1114 del fabricante Fairchild, con el cual se pretende realizar
un sensor reflexivo el cual funciona con una seal infrarroja enviada por el emisor (diodo infrarrojo) y
recibida por un receptor (fototransistor) de forma tal que la seal rebote en un objeto y se refleje la
seal.
Se calcularn las resistencias de polarizacin de emisor y receptor de forma tal que podamos limitar
la corriente que pasa por ambos y as lograr el que el sensor funcione en condiciones ptimas de
operatividad, garantizando no quemar nuestro circuito.
En concreto, el clculo de la resistencia de polarizacin del receptor influye de tal forma que gracias a
esto en las mediciones del voltaje, podemos llegar al 0 lgico y al 1 lgico de acuerdo a los 2 estados.
(Activo en alto y Activo en bajo).
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INTRODUCCIN
Primeramente destacamos un breve contenido acerca de los leds infrarrojos.
LED de infrarrojos (IRLED)
El diodo IRLED (del ingls lnfrared Light Emitting Diode), es un emisor de rayos infrarrojos que son
una radiacin electromagntica situada en el espectro electromagntico, en el intervalo que va desde
la luz visible a las microondas. Estos diodos se diferencian de los LED por el color de la cpsula que
los envuelve que es de color azul o gris. El dimetro de sta es generalmente de 5 mm.

Los rayos infrarrojos se caracterizan por ser portadores de calor radiante. Estos rayos son producidos
en mayor o menor intensidad por cualquier objeto a temperatura superior al cero absoluto.
Fototransistor
El fototransistor es un fotodetector que trabaja como un transistor clsico, pero normalmente no tiene
conexin base.

En estos transistores la base est reemplazada por un cristal fotosensible que cuando recibe luz,
produce una corriente y desbloquea el transistor. En el fototransistor la corriente circula slo en un
sentido y el bloqueo del transistor depende de la luz; cuanta ms luz hay ms conduce.
El principio del fototransistor es aparentemente el mismo que el del transistor clsico. Pero si
observamos el componente se ve que slo posee dos patas, un emisor y un colector, pero le falta la
base. La base de hecho es sustituida por una capa de silicio fotosensible. Si esta capa est iluminada
aparece en la base una corriente que crece con la luz, lo que pone en
marcha al transistor.
El fototransistor reacciona con la luz visible y tambin con los rayos
infrarrojos que son invisibles. Para distinguirlo del LED su cpsula es
transparente. En el fototransistor, al igual que en los LED, la polaridad
viene dada por la longitud de sus patas pero con una diferencia muy
importante; en el fototransistor la pata larga es el negativo (-), al revs
que en los LED, que es el positivo (+).
He aqu un claro ejemplo de ello:
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Sensores reflexivos
Este tipo de sensor presenta una cara frontal en la que encontramos tanto al LED como al
fototransistor. Debido a esta configuracin el sistema tiene que medir la radiacin proveniente del
reflejo de la luz emitida por el LED.
Se tiene que tener presente que esta configuracin es sensible a la luma del ambiente perjudicando
las medidas, pueden dar lugar a errores, es necesario la incorporacin de circuitos de filtrado en
trminos de longitud de onda, as pues ser importante que trabajen en ambientes de luz controlada.
Otro aspecto a tener en cuenta es el coeficiente de reflectividad del objeto, el funcionamiento del
sensor ser diferente segn el tipo de superficie.
Qu aplicaciones tiene un sensor Infrarrojo?
Estn diseados especialmente para la deteccin,
clasificacin y posicionado de objetos; la deteccin
de formas, colores y diferencias de superficie, incluso
bajo condiciones ambientales extremas.
Este componente puede tener la apariencia de un
LED normal, la diferencia radica en que la luz emitida
por l no es visible para el ojo humano, nicamente
puede ser percibida por otros dispositivos
electrnicos.
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DESARROLLO
CONSIDERACIONES DE DISEO Y DIAGRAMAS DE CONEXIONES
A continuacin se muestran los diagramas hechos en ISIS de Proteus con el fin de dar a conocer las
resistencias de polarizacin colocadas en este sensor, tanto en el emisor como el receptor.
Cabe sealar que para garantizar que el LED tuviera la suficiente corriente para brindar una buena
intensidad luminosa, y que a su vez, esta se regulara evitando que este se queme por algn efecto de
sobrecorriente, se utiliz un amplificador operacional.
Para esto se utiliz un amplificador LM358P, el cual funciona como un amplificador operacional de
una ganancia muy alta que compensa la frecuencia de un ciclo de trabajo y contiene un regulador de
corriente de hasta 100A que nos ayud, como ya mencionamos a mantener nuestro LED en la
intensidad lumnica adecuada sin comprometer a este a una corriente muy alta que superemos sus
lmites y condiciones de trabajo.

Por otro lado, se eligi este amplificador operacional debido a que cuenta con la ventaja de solo
necesitar 1 sola entrada de Vcc, en vez de 2 como algunos otros modelos.
Ahora mostramos el diagrama de conexin de nuestro sensor reflexivo hecho con el sensor QRD1114
en la configuracin de activo en alto.
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Se destacan D1 (diodo infrarrojo emisor) de nuestro sensor y Q1 (fototransistor receptor), dado que
este sensor no se encuentra en libreras.
Del mismo modo, ilustramos a continuacin el diagrama de conexin de nuestro sensor reflexivo en la
configuracin de activo en bajo.

CONSIDERACIONES TERICAS DE OPERATIVIDAD DEL SENSOR CLCULOS PREVIOS

Primeramente definiendo lo que significa un estado activo en alto y activo en bajo, debemos tener en
cuenta lo siguiente.
ACTIVO EN BAJO
Es importante mencionar que
para esta configuracin, la
resistencia de polarizacin (o
tambin llamada de pull-up)
RC se encuentra antes del
pin de conexin del
fototransistor conocido como
colector.
El voltaje que arroja la seal
del receptor se le conoce como
Vo y podemos localizarla en
el mismo nodo de conexin entre la alimentacin de 5v, RC y el colector.
Para ello se utiliz el multmetro para verificar que el voltaje en ese nodo sin el sensor activo sea mayor
a 2.8v y al activar el sensor colocando un objeto arriba del QRD1114 fuera menor a 0.7v con el objetivo
de que esto sea considerado como un 0 lgico (activo en bajo).
Por otro lado la resistencia de polarizacin RL presente antes del nodo de nuestro diodo infrarrojo se
caracteriza por ayudarnos a proteger el emisor limitando la corriente suministrada por nuestra fuente,
en este caso 5v.
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ACTIVO EN ALTO
Es importante mencionar que para
esta configuracin, la resistencia
de polarizacin (o tambin
llamada de pull-up) RC se
encuentra despus del pin de
conexin del fototransistor
conocido como emisor.
El voltaje que arroja la seal del
receptor se le conoce como Vo y
podemos localizarla en el mismo
nodo de conexin entre la salida del colector, RC y tierra.
Para ello se utiliz el multmetro para verificar que el voltaje en ese nodo sin el sensor activo sea
menor a 0.7v y al activar el sensor colocando un objeto arriba del QRD1114 fuera mayor a 2.8v con el
objetivo de que esto sea considerado como un 1 lgico (activo en alto).
Por otro lado la resistencia de polarizacin RL presente antes del nodo de nuestro diodo infrarrojo se
caracteriza por ayudarnos a proteger el emisor limitando la corriente suministrada por nuestra fuente,
en este caso 5v.
Respecto a los clculos realizados en la resistencia RC y RL de nuestro sensor, primeramente
consideramos que para el QRD1114 contamos con las siguientes caractersticas elctricas y pticas
de operatividad que se muestran en la siguiente tabla:
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Por otro lado, este sensor lo utilizamos de manera tal que superara la distancia de la superficie
reflectiva, pasando de un estado ideal de deteccin de 3mm a uno de 5mm. A continuacin se muestra
la grfica del fabricante en la que se ilustra la corriente de colector normalizada dada en (mA)
suministrada al fototransistor respecto a esa distancia. Teniendo como datos principales la corriente
directa (If=20mA) y un voltaje de colector-emisor (VCE=5v).

CLCULOS PREVIOS
Para obtener el valor de la resistencia de polarizacin (RL) del emisor, aplicamos ley de ohm, teniendo
en cuenta que nuestro voltaje Vcc=5v.
0.7 0.7
= = = 215
20
Donde: es nuestra corriente directa de emisor con valor de 20mA
Cabe mencionar que se realiza la resta de Vcc-0.7 dado que ese valor de la barrera potencial mnima
del diodo.
Por otro lado, el valor ms cercano de RL utilizado en nuestro circuito fue de 220, como se muestra
en el diagrama de conexin. (Tanto para activo en alto como para activo en bajo).
Del mismo modo, se manejaron los mismos datos para una resistencia de
proteccin en el led que nos muestra la salida de nuestro Vo grficamente,
teniendo el circuito en fsico.
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Para obtener el valor de la resistencia de polarizacin (RC) del receptor o emisora
de nuestro fototransistor, aplicamos ley de ohm, teniendo en cuenta que nuestro
voltaje Vcc=5v.
0.7 0.7
= = = 8.6
0.5
Donde: es nuestra corriente de emisor en el fototransistor con valor de 0.5mA
Cabe mencionar que se realiza la resta de Vcc-0.7 dado que ese valor de la barrera
potencial mnima del diodo.
Por otro lado, el valor ms cercano de RC utilizado en nuestro circuito fue de 10K,
como se muestra en el diagrama de conexin. (Tanto para activo en alto como para
activo en bajo).
Adicional a esto se us un potencimetro el cual regula
la corriente de las terminales inversora y no inversora
de nuestro amplificador operacional como se muestra
en el diagrama. El valor de la resistencia de esta
resistencia variable qued en 8.5k dado que as
logramos respetar el lmite de operatividad del
amplificador.

FUNCIONAMIENTO DEL CIRCUITO EN FSICO

Activo en alto
Primeramente mostramos el circuito en funcionamiento armado en protoboard en activo en alto.
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Midiendo el voltaje Vo que corresponde a la salida de nuestra seal analgica que arroja nuestro
sensor. Se tuvo el valor inicial de 0.22v que est por debajo del rango de 0.7v de operatividad para
ser considerado un 0 lgico.
Posteriormente, se llev acabo la activacin del
mismo colocando un objeto a una distancia de
5mm, en este caso, uno de nuestros dedos.

Por otro lado, midiendo el voltaje Vo que corresponde a la salida de nuestra seal analgica que arroja
nuestro sensor. Se tuvo el valor final durante la activacin de 3.69v que est por arriba del rango de
2.8v de operatividad para ser considerado un 1 lgico.
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Activo en bajo
Primeramente mostramos el circuito en funcionamiento armado en protoboard en activo en bajo,
nicamente cambiando la resistencia de pull-up de lugar.

Midiendo el voltaje Vo que corresponde a la salida de nuestra seal analgica que arroja nuestro
sensor. Se tuvo el valor inicial de 5.10v que est por arriba de 2.8v de operatividad para ser
considerado un 1 lgico.
Cabe aclarar que la lectura del multmetro arroja un
voltaje negativo porque como se puede apreciar en
la imagen, se midi con las puntas del multmetro de
manera inversa.

Posteriormente, se llev acabo la activacin del

mismo colocando un objeto a una distancia de
5mm, en este caso, uno de nuestros dedos.
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Por otro lado, midiendo el voltaje Vo que corresponde a la salida de nuestra seal analgica que arroja
nuestro sensor. Se tuvo el valor final durante la activacin de 0.18v que est por debajo del rango de
0.7v de operatividad para ser considerado un 0 lgico.
Cabe aclarar que la lectura del multmetro arroja un
voltaje negativo porque como se puede apreciar en la
imagen, se midi con las puntas del multmetro de
manera inversa.
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CONCLUSIONES GENERALES DEL EQUIPO

Mediante la realizacin de este sensor logramos identificar el comportamiento de un sensor reflexivo
ya fabricado, en ese caso el QRD1114 de Fairchild, el cual bajo sus condiciones de operatividad,
realizamos los clculos necesarios para obtener las resistencias de polarizacin y de pull-up para
mantenerlo en una curva de trabajo definida.
Para lograr llegar a sensar un objeto a 5mm siendo que este nicamente en condiciones normales y
recomendadas del fabricante lo realiza a no ms de 3mm, tuvimos que emplear nuestros
conocimientos adquiridos en clase respecto a la zona de corte y saturacin del fototransistor. En este
caso para que exista una conmutacin y se pueda ver fsicamente el voltaje Vo arrojado de acuerdo a
los parmetros de activo en alto y activo en bajo, se logr mantener un ciclo estable, regulando la
corriente que circulaba por el emisor y el receptor.
Al principio se tuvieron problemas dado que el consumo de corriente del puro sensor es tal que aunque
se utiliz una fuente de alimentacin que ajusta la corriente de acuerdo a la demanda de nuestro
circuito, no llegaba la suficiente para notar el voltaje Vo y mucho menos la luminosidad de nuestro
LED indicador de estado (0 lgico=LED apagado y 1 lgico=LED encendido).
Posteriormente, arreglamos ese detalle usando el amplificador operacional para mantener en un rango
aceptable la corriente y el voltaje provenientes de la seal Vo e Io de nuestro sensor con el fin de tener
a nuestro el LED en condiciones ptimas de trabajo as como el clculo de su resistencia de proteccin,
como se mencion anteriormente.
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BIBLIOGRAFA Y CIBERGRAFA
[1] http://www.ifm.com/ifmmx/web/pinfo010_050_040.htm
[2] https://catorcepi.wikispaces.com/file/view/3678453-SENSOR-INFRARROJO-Teoria-y-practica.pdf
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ANEXOS
Dentro de la carpeta de esta prctica, se incluyen las hojas de especificaciones de los
componentes utilizados a destacar en esta prctica en PDF, as como diagramas de conexin
y/o simulaciones de los circuitos presentados. (En este caso hechos en Proteus 8 Professional)