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FUENTES DE LUZ
LUZ
OBJETIVO
Objetivo General
CARLOS BIANCHI 2
FOTOEMISORES
CARACTERISTICAS DE LOS MATERIALES
Los tomos al unirse en un slido producen
una subdivisin en niveles de energa donde
se mueven los electrones: Bandas de Energa
del Material. E
BC
Si un electrn se mueve dentro de una misma
EC
banda no emite ni absorbe energa, siempre
ha de situarse en una banda.
Banda
Las bandas ms interesantes son las ms Eg Prohibida
externas que caracterizan qumica, elctrica y Eg= EC- EV
pticamente a los materiales:
EV
Banda Valencia (BV): Se sitan los electrones
BV
ms lejanos al ncleo y en ausencia de
excitacin permanecen en ella
Banda Conduccin(BC): Exterior a la anterior.
Se disponen los electrones libres que
producen corriente elctrica
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FOTOEMISORES
CARACTERISTICAS DE LOS MATERIALES (Cont)
Entre BV y BC existe una llamada Banda Prohibida cuyo salto de energa,
determina las caractersticas conductivas del material
Para que un electrn pase de BV a BC debe suministrarse una energa
> Eg. Rompindose un enlace covalente creando un par electrn-hueco
(con movilidad para crear corriente elctrica)
Dependiendo de la magnitud de Eg se dice que un material es aislante (Eg
con valores muy altos) o es conductor (Eg = 0, bandas superpuestas)
Un semiconductor es un material que a bajas temperaturas se comporta
como aislante y que a temperaturas mayores se convierte en conductor
Un semiconductor dopado es aqul que se le ha aadido a su estructura
molecular impurezas que agregan portadores (electrones o huecos)
dbilmente ligados al ncleo (que a temperaturas ambientes estn en BC)
Un semiconductor dopado ser mejor conductor conductor que un
semiconductor puro (intrnseco)
Se llama Nivel de Fermi de un material al mximo nivel de energa que
cualquier electrn de dicho material puede poseer a 0K, puede que est
en la banda prohibida
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FOTOEMISORES
Bc
Bv
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DIODOS LEDs
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
Los diodos electroluminiscentes (LEDs) bsicamente consisten en una
unin semiconductora P-N polarizada en directo, lo que proporciona
energa para que se produzca el fenmeno de emisin espontnea.
El nivel de potencia lumnica generada (PL) es proporcional a la corriente
que fluye por el diodo (I) y depende de varios factores:
LED de Superfcie
Aprovecha, para el acople con la fibra, la radiacin que sale de un
plano perpendicular al de la unin
La mayor parte de la radiacin es producida por la zona P de la
unin. Radianza de 2W/st cm2
La eficiencia de generacin aumenta mientras ms dopada est la
zona P respecto a la zona N
Existe absorcin producida por
atravesar la zona N -
Las prdidas por refraccin quedan
reducidas porque la zona N N
presenta menor ndice de
Zona activa
refraccin que la P (Eg N > P ya + P
que Eg inversamente proporcional
a n)
Carcaza Metlica
El disipador se pone en contacto
con capa P porque es all donde se
libera la mayor parte de la energa
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DIODOS LEDs
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DIODOS LEDs
100-150 mm
P+
Substrato
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DIODOS LEDs
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LASER
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LASER
DEFINICION
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LASER
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LASER
Confinamiento P
heteroestructura empotrada Capa
Confinamiento N
paredes de confinamiento debe ser
menor que el de la zona activa
Substrato
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LASER
dispositivo
Utilizan cubrimientos anti-
DBR
reflectivos en los extremos
Capa
Activa
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LASER
Ventajas
Potencia ptica una dcada mayor
lbulo de emisin ms agudo
Mayor velocidad de respuesta
Espectro de radiacin mas estrecho (1-5 nm)
Desventajas:
Envejecimiento (altas densidades de corrientes)
Dependencia con la temperatura
Redes de alimentacin ms complejas
Costo
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PARAMETROS CARACTERISTICOS
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PARAMETROS CARACTERISTICOS
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EJEMPLOS COMERCIALES
LED DE DOBLE HETEROESTRUCTURA
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EJEMPLOS COMERCIALES
LASER GUIADO POR INDICE
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EJEMPLOS COMERCIALES
LASER GUIADO POR GANANCIA
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