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FUENTES DE

FUENTES DE LUZ
LUZ
OBJETIVO

Objetivo General

Especificar el principio de funcionamiento de emisin de luz,


conocer los distintos dispositivos, sus caractersticas y ejemplos
comerciales

CARLOS BIANCHI 2
FOTOEMISORES
CARACTERISTICAS DE LOS MATERIALES
Los tomos al unirse en un slido producen
una subdivisin en niveles de energa donde
se mueven los electrones: Bandas de Energa
del Material. E
BC
Si un electrn se mueve dentro de una misma
EC
banda no emite ni absorbe energa, siempre
ha de situarse en una banda.
Banda
Las bandas ms interesantes son las ms Eg Prohibida
externas que caracterizan qumica, elctrica y Eg= EC- EV
pticamente a los materiales:
EV
Banda Valencia (BV): Se sitan los electrones
BV
ms lejanos al ncleo y en ausencia de
excitacin permanecen en ella
Banda Conduccin(BC): Exterior a la anterior.
Se disponen los electrones libres que
producen corriente elctrica

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FOTOEMISORES
CARACTERISTICAS DE LOS MATERIALES (Cont)
Entre BV y BC existe una llamada Banda Prohibida cuyo salto de energa,
determina las caractersticas conductivas del material
Para que un electrn pase de BV a BC debe suministrarse una energa
> Eg. Rompindose un enlace covalente creando un par electrn-hueco
(con movilidad para crear corriente elctrica)
Dependiendo de la magnitud de Eg se dice que un material es aislante (Eg
con valores muy altos) o es conductor (Eg = 0, bandas superpuestas)
Un semiconductor es un material que a bajas temperaturas se comporta
como aislante y que a temperaturas mayores se convierte en conductor
Un semiconductor dopado es aqul que se le ha aadido a su estructura
molecular impurezas que agregan portadores (electrones o huecos)
dbilmente ligados al ncleo (que a temperaturas ambientes estn en BC)
Un semiconductor dopado ser mejor conductor conductor que un
semiconductor puro (intrnseco)
Se llama Nivel de Fermi de un material al mximo nivel de energa que
cualquier electrn de dicho material puede poseer a 0K, puede que est
en la banda prohibida

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FOTOEMISORES

PRINCIPIO DE EMISION ESPONTANEA


Los electrones de un material tienden a permanecer en su estado
de mnima energa
Cuando a un material se le suministra energa (calor, luz) los
electrones puede que la absorban pasando de un nivel E1 a otro E2,
para luego volver a su estado de energa inicial E1 (recombinacin),
devolviendo la energa en forma de radiacin:
E2 -E1 = hf (Ley de Plank):
h= constante de Plank
f= frecuencia de la radiacin
Este fenmeno es dinmico y ocurre a T>0K, pero no todas las
radiaciones de bandas dan como resultado radiaciones luminosas
Si un electrn puede pasar de BV a BC slo variando su energa
potencia, sto ser breve, luego caer de BC a BV recombinndose
y liberando energa en forma de luz (Emisin Espontnea)
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FOTOEMISORES

PRINCIPIO DE EMISION ESPONTANEA

Bc

Bv

Absorcin Emisin Emisin


Espontnea Estimulada
Electrn
|
Hueco

Interaccin Electro-ptica en un Semiconductor

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DIODOS LEDs
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
Los diodos electroluminiscentes (LEDs) bsicamente consisten en una
unin semiconductora P-N polarizada en directo, lo que proporciona
energa para que se produzca el fenmeno de emisin espontnea.
El nivel de potencia lumnica generada (PL) es proporcional a la corriente
que fluye por el diodo (I) y depende de varios factores:

PL = I r p h f /q p = probabilidad escape del fotn


r= eficiencia cuntica material
q = carga del electrn
Si se quiere saber la eficiencia del dispositivo (D) definida como la relacin
entre la potencia elctrica (PE) consumida y la potencia ptica generada
(PL), se tiene que:
D = PL/PE = r p h f /(q V)
Donde V es la tensin aplicada al LED que se rige por la ecuacin del
diodo:
I=IS(exp(qV/KT) 1) K = constante de Boltzman
T = temperatura, K
IS = corriente inversa saturacin
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DIODOS LEDs

LED de Superfcie
Aprovecha, para el acople con la fibra, la radiacin que sale de un
plano perpendicular al de la unin
La mayor parte de la radiacin es producida por la zona P de la
unin. Radianza de 2W/st cm2
La eficiencia de generacin aumenta mientras ms dopada est la
zona P respecto a la zona N
Existe absorcin producida por
atravesar la zona N -
Las prdidas por refraccin quedan
reducidas porque la zona N N
presenta menor ndice de
Zona activa
refraccin que la P (Eg N > P ya + P
que Eg inversamente proporcional
a n)
Carcaza Metlica
El disipador se pone en contacto
con capa P porque es all donde se
libera la mayor parte de la energa
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DIODOS LEDs

LED Burrus Simple


Eleva la radiacin ptica concentrando las corrientes (en un rea
comparable a la fibra) y mejorando la disipacin calrica en la zona
Disminuye absorcin producida por atravesar la zona N mediante la
talla de una abertura cncava en la zona N
Se elabora sobre un substrato N
(donde posteriormente se tallar la
Fibra ptica
abertura cncava se crece una -
regin P y sobre ste se forma una
delgada pelcula de aislante a la N
cual se perfora circularmente y Zona activa
+
metaliza P
Metalizacin

Son considerados dispositivos de SiO2

alta radianza 50W/st cm2 Carcaza Metlica

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DIODOS LEDs

LED Burrus con Heterounin


Utiliza la estructura de doble heterounin para mejorar sus
prestaciones
La doble heterounin consiste en tres regiones, las dos extremas de
tipo opuesto tienen igual Eg y mayor que la central
La doble heterounin (al igual las
heterouniones simples) logran Fibra ptica
represar los portadores a -
recombinarse en la zona central,
debido a las barreras de
potenciales creadas. Adems se N
+
aade otro efecto de confinamiento P+
P
Zona de
Emisin
SiO2
por el menor n de las regiones
Carcaza Metlica
laterales
Metalizacin
Lbulo de emisin lambertiano:
P= P Cos
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DIODOS LEDs

LED de Borde ELED


Recoge la radiacin emitida por una de las caras perpendiculares al
plano de la unin
Se logra un guiado y confinamiento de la luz utilizando la tcnica de
doble heteroestructura y disponiendo convenientemente los ndices
de refraccin de las capas

100-150 mm

P+

Substrato

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DIODOS LEDs

LED de Borde ELED


Los modos de propagacin de la propia capa activa son
fuertemente absorbidos, mientras que las capas vecinas (por sus
ndices de refraccin) actan unas como medio de transmisin y
otras como paredes de un recinto
La anchura de la zona activa es muy pequea (dcimas de m) en
cambio las regiones de confinamiento se dimensionan de acuerdo
con el tamao del ncleo de la fibra
La forma del lbulo emitido no es lambertiano, sino lbulo de
seccin transversal elptica
La cara del dispositivo donde se irradia se cubre con una pelcula
antirefractante de espesor /4, elevando notablemente la potencia
ptica de salida
Se pueden encontrar radianzas encima de 100 W/st cm2 a 100 mA
y potencias entre 1-5 mW
Menor D por filtrado de resonancia y guiado (20-30nm)

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LASER

PRINCIPIO DE EMISION ESTIMULADA


Inversin de poblacin: se logra inyectando
E
electrones sobre la barrera de potencial de
una heterounin
Debido a que igual nmero de huecos se
p generan (en la banda de valencia) los niveles
en BV estn libres hasta FV. Como la banda
de conduccin est llena hasta FC los
fotones de energa > Eg y menor que FC-FV
E
Fc no pueden ser reabsorbidos, pero si pueden
estimular transiciones de BC a BV,
recombinndose con los huecos (Emisin
p Estimulada)
Adems la tasa de generacin fotones > tasa
Fv
de absorcin de fotones

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LASER

DEFINICION

Consiste en una unin P-N polarizada en directo suministrando una


corriente de excitacin (de bombeo) suficiente como para crear la
inversin de poblacin
Se requiere existencia de fotones primarios que al moverse en el
recinto activo desencadenen la transicin en masa
Los fotones secundarios o generados poseen la misma frecuencia y
fase que el fotn primario (emisin coherente)
La seleccin de la direccin de los rayos se hace utilizando tcnicas
de cavidades resonantes con semi-espejos. La onda va y viene y
cuando alcanza cierto nivel emerge por uno de los semi-espejos

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LASER

Lser Guiado por Ganancia


Pueden ser de homouniones pero con las heterouniones se tienen
mejores prestaciones, se baja la corriente umbral
La concentracin de portadores
inyectados en la capa activa crea
un ndice de refraccin virtual, con
Metal
un perfil lateral que realiza el Capa de
xido
SiO2
confinamiento en ese plano Contacto
Confinamiento P

Los espejos que delimitan la Capa


Activa
cavidad transversalmente estn
Confinamiento N
formados por dos planos de
exfoliacin con tratamiento
superficial Substrato

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LASER

Lser Guiado por Indice


Es un dispositivo de tecnologa de cinta, con estructura ms
complicada y por lo tanto ms costosos
Adems del confinamiento debido
a la heteroestructura fuerza otro
confinamiento lateral restringiendo Capa de Contacto

la extensin de la capa activa


Tambin llamados con Metal

Confinamiento P
heteroestructura empotrada Capa

El ndice de refraccin de las


Activa

Confinamiento N
paredes de confinamiento debe ser
menor que el de la zona activa
Substrato

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LASER

Lser de Realimentacin Distribuida (DFB)


Ampliamente utilizados, es similar en lo que a capas de
confinamiento se refiere, pero no posee espejos, en su lugar una red
de difraccin de Bragg o variaciones peridicas del ndice de
refraccin
Consiste en aadir una red de
difraccin en la capa activa
elevando la selectividad del Capa
Activa
DFB

dispositivo
Utilizan cubrimientos anti-
DBR
reflectivos en los extremos
Capa
Activa

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LASER

Comparacin del LASER vs LED

Ventajas
Potencia ptica una dcada mayor
lbulo de emisin ms agudo
Mayor velocidad de respuesta
Espectro de radiacin mas estrecho (1-5 nm)

Desventajas:
Envejecimiento (altas densidades de corrientes)
Dependencia con la temperatura
Redes de alimentacin ms complejas
Costo

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PARAMETROS CARACTERISTICOS

Longitud de Onda de emisin (g): Longitud de onda de mxima


potencia emitida
Anchura espectral (): Ancho de banda espectral al 50% del pico
de mxima potencia emitida
Lbulo de emisin: magnitud relativa a la potencia radiada en
funcin de la direccin, a partir del eje ptico previsto por el
fabricante
Potencia ptica de emisin (PL): Potencia de radiacin ptica
emitida para un valor de corriente inyectada (W)
Area radiante: Superficie radiante sobre la unin semiconductora
(cm2)
Emitancia radiante: Potencia ptica emitida por unida de rea
radiante (W/cm2)

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PARAMETROS CARACTERISTICOS

Intensidad radiante: Potencia ptica emitida por ngulo slido


radiante (W/st)
Radianza: Potencia ptica emitida por unida de rea y ngulo slido
radiante (W/cm2.st)
Corriente Umbral (Ith): Intensidad de corriente de inyeccin sobre la
cual se produce el fenmeno de emisin de luz
Tiempo de Subida (tr): Tiempo de respuesta a un escaln en que la
seal fotoemitida pasa del 10% al 90% de su valor final
Tiempo de Bajada (tf): Tiempo de respuesta a un escaln inverso
en que la seal fotoemitida pasa del 90% al 10% de su valor inicial
Tiempo de retardo (td): Diferencia de tiempo entre los instantes en
que la seal elctrica de entrada y la ptica de salida alcanzan el
50% de la mxima amplitud

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EJEMPLOS COMERCIALES
LED DE DOBLE HETEROESTRUCTURA

CARLOS BIANCHI 21
EJEMPLOS COMERCIALES
LASER GUIADO POR INDICE

CARLOS BIANCHI 22
EJEMPLOS COMERCIALES
LASER GUIADO POR GANANCIA

CARLOS BIANCHI 23

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