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ELECTRONICA DE POTENCIA
Trabajo grupal No 01
RIOBAMBA ECUADOR
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ELECTRNICA DE POTENCIA ESPOCH
Estructura
El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN)
que son controlados por un metal-xido-semiconductor (MOS), estructura de la
puerta sin una accin regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
celular se construye de manera similar a un MOSFET de canal n vertical de poder
de la construccin, excepto la n se sustituye con un drenaje + p + capa de
colector, formando una lnea vertical del transistor de unin bipolar de PNP.
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ELECTRNICA DE POTENCIA ESPOCH
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ELECTRNICA DE POTENCIA ESPOCH
Caractersticas bsicas
Caractersticas electricas
Caractersticas trmicas
Caractersticas dinmicas
Al contrario que en el MOSFET, los tiempos de conmutacin del IGBT no dan
informacin sobre las prdidas de conmutacin.
Aplicaciones
El IGBT es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de
potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta
tensin. Se usan en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones
en mquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada
da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso:
Automvil
Tren
Metro
Autobs
Avin
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Barco
Ascensor
Electrodomstico
televisin
Domtica,
Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.
CONCLUSIONES
Bibliografa:
http://ccpot.galeon.com/enlaces1737117.html
https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/IGBT/Par%C3%
A1metros_caracter%C3%ADsticos_de_funcionamiento
https://www.slideshare.net/alfredoafg/2-tipos-y-pruebas-de-estado
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_IGBT
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