UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE CIENCIAS FSICAS

E.A.P. DE FSICA

Produccin y caracterizacin ptica de pelculas

delgadas amorfas de SiC y SiC:H mediante
pulverizacin catdica de radiofrecuencia

TESIS
Para optar el Ttulo Profesional de Licenciada en Fsica

AUTOR
Liz Margarita Montaez Huamn

ASESORES
Bram Leo Willems
Roland Weingrtner

Lima - Per

2012
 Dedicatoria
A mis padres Basilio y Rufina y a mis hermanos Edith, Nancy, Kevin y Geraldine con mucho
cario dedico cada da de esfuerzo empleado es este trabajo de investigacin

II
 Agradecimientos

Quiero agradecer en primer lugar a mis dos asesores: El Dr. Roland Weingrtner de la Pontificia
Universidad Catlica del Per director de este trabajo de investigacin y al Dr. Bram Leo
Willems de la Universidad Mayor de San Marcos. Por el apoyo y confianza que han depositado
en mi persona, para emprender la elaboracin de esta tesis.

Me gustara expresar mi agradecimiento al Mg. Andrs Guerra Torres por los conocimientos que
me ha transmitido, por brindarme su amistad y por su paciencia en la revisin de este trabajo. Al
Mg. Francisco De Zela por su apoyo en mi formacin cientfica y personal.

A la facultad de fsica de la Universidad Nacional Mayor de San Marcos, institucin que me

brind los primeros conocimientos para el desenvolvimiento en mi carrera, por medio de sus
excelentes profesores de pregrado.

A la Pontificia Universidad Catlica del Per por haberme formado en el mbito cientfico y por
el apoyo econmico a travs del fondo de investigacin entregado por la Direccin y Gestin de
Investigacin (DGI).

A los laboratorio de la Pontificia Universidad Catlica del Per: Ciencia de los Materiales #4
(Seccin Fsica), que me permiti usar del equipo de pulverizacin catdica y su sistema de
tratamiento trmico. A Milka Cajahuanca, encargada del Laboratorio de anlisis instrumental
(Seccin Qumica) por darme el acceso al equipo de transmitancia UV/VIS/NIR.

Doy gracias a mi familia y amigos que me han animado en todo este tiempo.

III
Resumen
En este trabajo de investigacin se presenta un estudio sistemtico de las propiedades pticas de
pelculas delgadas de a-SiC y a-SiC:H, crecidas en una atmsfera de argn e hidrgeno con la
tcnica pulverizacin catdica de radiofrecuencia. La caracterizacin ptica fue realizada a
travs de medidas espectroscpicas de transmisin UV/VIS/NIR en incidencia normal. El
espesor, ndice de refraccin y coeficiente de absorcin de las pelculas fueron calculados a partir
de estos espectros de transmitancia. El ancho de banda fue determinado usando diferentes
modelos del coeficiente de absorcin. Asimismo, se reporta la existencia del foco de Urbach de
las pelculas estudiadas. Se ha encontrado dos caminos para mejorar las propiedades pticas de
las pelculas: la saturacin de los enlaces libres con la incorporacin de hidrgeno y una
temperatura ptima del tratamiento trmico a 400 C.

Abstract
In this work we present a systematic study of the optical properties of a-SiC and a-SiC:H thin
films grown in an argon-hydrogen mixture by reactive radio frequency magnetron sputtering .
The optical characterization was performed through the UV/VIS/NIR spectroscopy technique
measured at normal incidence. The film thickness, refractive index, and absorption coefficient
were calculated from the transmittance spectrum. The optical bandgap was determined using
different models of the absorption coefficient. Furthermore, the existence of the Urbach focus is
reported. We found two ways to improve the optical properties. The incorporation of hydrogen
passivates effectively the dangling bonds. An optimal annealing temperature at 400 C is
observed leading to a maximum value of the bandgap.

IV
Contenido
Dedicatoria .II
Agradecimientos ...III
Resumen ...IV
ndice ...1
Lista de figuras ................................................................................................................................ 3

Lista de Tablas ................................................................................................................................ 6

CAPTULO I ................................................................................................................................. 7

1. Introduccin. ....................................................................................................................... 7

1.1. Carburo de silicio (SiC). .................................................................................................. 9

1.1.1. Propiedades fundamentales del carburo de silicio. ................................................... 9

1.1.2. Aplicaciones del carburo de silicio. ........................................................................ 11

1.2. Objetivos. ....................................................................................................................... 12

1.2.1. Objetivo general. ..................................................................................................... 12

1.2.2. Objetivos especficos. ............................................................................................. 12

CAPTULO II ............................................................................................................................. 13

2. Fundamento terico. ......................................................................................................... 13

2.1. Teora de bandas de energa y ancho de banda. ............................................................. 13

2.2. Densidad de estados electrnicos conjunta. ................................................................... 17

2.3. Probabilidad de transicin y derivacin del coeficiente de absorcin. .......................... 18

2.4. Absorcin fundamental en cristales. .............................................................................. 21

2.4.1. Absorcin directa. ................................................................................................... 21

2.4.2. Absorcin indirecta. ................................................................................................ 25

2.5. Absorcin fundamental en slidos amorfos. .................................................................. 26

2.5.1. Absorcin de Tauc. ................................................................................................. 27

2.5.2. Absorcin de Urbach. ............................................................................................. 27

1
CAPTULO III ............................................................................................................................ 29

3. Tcnicas experimentales y determinacin de las constantes pticas. ............................... 29

3.1. Preparacin de las muestras. .......................................................................................... 29

3.1.1. Pulverizacin catdica (sputtering)......................................................................... 29

3.1.2. Descripcin general del equipo de pulverizacin catdica. .................................... 32

3.1.3. Pelculas delgadas amorfas de SiC y SiC:H. .......................................................... 33

3.2. Tratamiento trmico de las muestras. ............................................................................ 35

3.3. Medidas espectroscpicas de transmisin. .................................................................... 36

3.3.1. Fundamentos de la tcnica de transmisin UV/VIS/NIR. ...................................... 36

3.3.2. Medidas de transmisin UV/VIS/NIR. ................................................................... 38

3.4. Determinacin de las constantes pticas........................................................................ 38

3.4.1. Mtodo de Swanepoel. ............................................................................................ 38

3.4.2. Refinamiento del mtodo Swanepoel (Mtodo de Guerra). ................................... 43

CAPTULO IV ............................................................................................................................ 46

4. Resultados y discusin. ..................................................................................................... 46

4.1. Clculo de las constantes pticas (espesor, ndice de refraccin y coeficiente de

absorcin). ............................................................................................................................. 46

4.2. Estudio de la influencia de hidrgeno. ........................................................................... 48

4.3. Estudio de la influencia del tratamiento trmico. .......................................................... 50

CAPTULO V.............................................................................................................................. 57

5. Conclusiones. .................................................................................................................... 57

CAPTULO VI ............................................................................................................................ 59

6. Referencias. ....................................................................................................................... 59

6.1 Artculos publicados en revistas arbitradas..................................................................... 59

6.2 Artculos relacionados al trabajo de tesis presentado. .................................................... 59

2
 Lista de figuras
Figura 1.1 Representacin esquemtica del sistema a-SiC:H integrado con una celda
fotovoltaica de a-Si:H (Zhu, et al., 2010). Este dispositivo fue usado como fotoctodo
para producir hidrgeno mediante el principio de electrolisis de las molculas de
agua. El a-SiC:H utilizado en este fotoctodo posee alta fotocorriente y muestra una
excelente durabilidad al ser inmersa en la solucin electroltica. .............................. 7
Figura 1.2 Estructura atmica del SiC: Enlace tetradrico del Si-C a), formada por cuatro
tomos de carbn y un tomo de silicio en el centro, Estructura del 3C-SiC b),
Estructura del 4H-SiC c) y Estructura del 6H SiC d), las imgenes se encuentran en
el libro de Wijesundara (Wijesundara & Azevedo, 2011). .......................................... 9
Figura 2.1 Espectros de energa para una cadena lineal de tomos iguales............................... 16
Figura 2.2 Coeficiente de absorcin en escala logartmica en funcin de la energa,
correspondiente a una pelcula amorfa de a-SiC:H depositada en un flujo de 15sccm
de H2.En la figura se distinguen tres regiones I, II y III con distinta dependencia de
energa. La regin I es conocida como la absorcin de Tauc (zona de absorcin
fundamental), la regin II como el borde de Urbach (zona de absorcin
exponencial) y la regin III es la zona de los defectos. ............................................. 28
Figura 3.1 Imagen del interior de la cmara durante un proceso de deposicin. Se puede
observar dos de tres magnetrones del sistema as como el brillo del plasma y el
porta-muestra con los substratos donde crecen las pelculas delgadas. ................... 29
Figura 3.2 La pulverizacin catdica se origina por la colisin entre los iones incidentes y los
tomos de la superficie del objetivo. Este proceso se puede dividir en tres regmenes,
dependiendo de la energa empleada. a) Very low energy (30-50 eV): El in llega
con energa despreciable y es reflejado sin interactuar con el objetivo. b) Knock-on
energy regime ( 40-1000 eV): El in transfiere parte de su energa al blanco y el
resto de energa hace que se desprendan tomos de la superficie del tomo. c) High
energy implantation ( 10-60 keV): El in llega con una energa elevada y se
implanta en el banco. En este caso puede o no ocurrir la pulverizacin de los
tomos, ya que, el ion transfiere su energa despus de quedar atrapado (Seshan,
2002). ......................................................................................................................... 30

3
Figura 3.3 Representacin esquemtica del sistema de pulverizacin catdica. ........................ 31
Figura 3.4 Imagen del equipo de pulverizacin catdica utilizada para la deposicin de las
pelculas delgadas de a-SiC y a-SiC:H a). Imagen de la cmara de vaco por dentro
b). Este equipo pertenece al Laboratorio de ciencia de los materiales #4 de la
Pontificia Universidad Catlica del Per.................................................................. 32
Figura 3.5 Imagen del horno usado para el calentamiento de las pelculas. Este equipo
pertenece al Departamento de Ciencias, Seccin Fsica, de la Pontificia Universidad
Catlica del Per y est ubicado en el Laboratorio de ciencia de los materiales #4
del pabelln de fsica. ................................................................................................ 35
Figura 3.6 Esquema de los componentes bsicos de un espectrofotmetro................................. 36
Figura 3.7 Reflexin, propagacin y transmisin de la luz a travs de un medio ptico. ........... 37
Figura 3.8 Espectrofotmetro usado para la medicin de los espectros de transmisin
UV/VIS/NIR de las pelculas delgadas de a-SiC y a-SiC:H. Este equipo pertenece al
Departamento de Ciencias, Seccin Qumica, de la Pontificia Universidad Catlica
del Per y est ubicado en el Laboratorio de anlisis instrumental de la facultad de
qumica. ...................................................................................................................... 38
Figura 3.9 Bosquejo del comportamiento de la luz que pasa a travs de una pelcula delgada
depositada sobre un substrato transparente, en la cual se observa el fenmeno de
mltiples reflexiones en el sistema aire/pelcula/substrato. ...................................... 39
Figura 3.10 Ejemplo del espectro de transmisin de una pelcula de a-SiC:H preparada con un
flujo de 15 sccm de H2. La figura muestra las 4 regiones de absorcin estudiadas por
Swanepoel. ................................................................................................................. 40
Figura 3.11 Ajuste del espectro de transmitancia de la figura 3.10. ........................................... 43
Figura 3.12 Coeficiente de absorcin y espesores calculados a), ndice de refraccin b). Los
parmetros fueron calculados con el mtodo de Guerra y de Swanepoel. Los
espectros pertenecen a una pelcula de a-SiC:H preparada con un flujo de hidrogeno
de 15 sccm y tratada trmicamente a 400C. ............................................................ 44
Figura 4.1 Espectros de transmitancia ptica UV/VIS/NIR medidos a temperatura ambiente de
pelculas depositadas sobre substratos de CaF2 utilizando diferentes valores de flujo
de hidrgeno durante el proceso de crecimiento 0, 5 y 15 sccm a), ndice de

4
 refraccin b) y coeficiente de absorcin c) en funcin de la longitud de onda,
calculados con el mtodo de Guerra (Guerra et al, 2013). ....................................... 47
Figura 4.2 Coeficiente de absorcin en escala logartmica en funcin de la energa de los
fotones, de las pelculas depositadas sobre substratos de CaF2 y crecidas con flujos
de 0, 5 y 15 sccm de hidrgeno, E04 es el ancho de banda a), ajuste de Tauc
mostrando una buena relacin lineal b). ................................................................... 49
Figura 4.3 Espectros de transmitancia a), coeficiente de absorcin b), e ndice de refraccin c),
en funcin de la longitud de onda de las pelculas depositadas sobre substratos de
CaF2 y crecidas con flujos de 0, 5 y 15 sccm de hidrgeno. Las pelculas fueron
tratadas trmicamente de 300 a 700 C en pasos de 100 C..................................... 50
Figura 4.4 Coeficiente de absorcin en escala logartmica en funcin de la energa de los
fotones de las pelculas depositadas sobre substratos de CaF2 y crecidas con
concentraciones de 0sccm a), 5sccm b) y 15 sccm c) de hidrgeno. Los espectros
fueron tratados trmicamente de 300 C a 700 C en pasos de 100C por 15 minutos
cada uno. El foco de Urbach fue determinado a partir de un ajuste global realizado
con todos los espectros de absorcin de cada pelcula. En las grficas insertas se
muestra el cambio de la energa de Urbach en funcin de la temperatura del
tratamiento trmico. ................................................................................................... 52
Figura 4.5 Dependencia del valor E04 en funcin de la energa de Urbach EU de las pelculas
crecidas con de 0, 5 y 15 sccm de flujo de hidrgeno mostrando una buena
dependencia lineal. .................................................................................................... 54
Figura 4.6 Ancho de banda en funcin de la temperatura del tratamiento trmico de las
pelculas depositadas sobre substratos de CaF2 y crecidas con de 0, 5 y 15 sccm de
flujo de hidrgeno. El ancho de banda fue determinado por el modelo de Tauc,
usando los parmetros obtenidos a partir del modelo de Cauchy-Urbach y el valor
E04............................................................................................................................... 55

5
 Lista de Tablas
Tabla 1.1 Propiedades fundamentales del SiC, Si, GaAs y del diamante (Gerhardt, 2005; Jayant,
2011; Wijesundara & Azevedo, 2011) ....................................................................... 10
Tabla 2.1 Condiciones y parmetros usados durante la deposicin de las pelculas de a-SiC y
a-SiC:H. La presin bsica antes de iniciar cada proceso fue de 410-6 mbar. ... 34
Tabla 4.1 Valores de los parmetros A y B de la expansin de Cauchy ( ) del
ndice de refraccin de las pelculas crecidas con flujos de 0, 5 y 15 sccm de
hidrgeno. .................................................................................................................. 46
Tabla 4.2 Valores del ancho de banda de las pelculas segn el modelo de Tauc y el valor E04. 49
Tabla 4.3 Comparacin de los valores del del foco de Urbach y el valor . ........................... 55

6
CAPTULO I
1. Introduccin.
Los materiales semiconductores con un amplio ancho de banda como por ejemplo el carburo de
silicio (SiC), son de creciente inters por sus potenciales aplicaciones tecnolgicas en
dispositivos opto-electrnicos y foto-electroqumicos, tales como: sensores pticos, dispositivos
que emiten luz, fotodiodos, celdas solares, circuitos diseados para operar a altas temperaturas,
potencias y frecuencias (Zhu, et al., 2010; Gerhardt, 2011).

Los semiconductores amorfos presentan estados localizados en el interior de la banda prohibida

y defectos de diversos orgenes tales como los enlaces libres. Las propiedades de estas pelculas
amorfas pueden ser mejoradas al dopar el material con el fin de reducir los estados localizados
presentes en estos sistemas. Particularmente, en el caso del SiC la incorporacin de hidrgeno
inhibe la formacin de enlaces libres, como es bien conocido en el caso de silicio amorfo
hidrogenado (Street, et al., 1991). De esta manera se reducen estados localizados en la banda
prohibida, resultando en el incremento del ancho de banda. En el caso del carburo de silicio
amorfo (a-SiC), se ha observado un aumento del ancho de banda con la incorporacin de
hidrgeno de 1.8 a 2 eV (ancho de banda de Tauc). Dichas caractersticas hacen de este material
un buen candidato para el diseo de dispositivos foto- electroqumicos (ver figura 1.1, Zhu, et al.,
2010). Desde el punto de vista tcnico, el estudio de sistemas amorfos es ventajoso en vista de
que involucra procedimientos de preparacin sencillos y de bajo costo. Adems, los
semiconductores amorfos presentan un comportamiento semejante al de sus contrapartes
cristalinas (Singh & Shimakawa, 2003).

Figura 1.1 Representacin esquemtica del sistema a-SiC:H integrado con una celda fotovoltaica de
a-Si:H (Zhu, et al., 2010). Este dispositivo fue usado como fotoctodo para producir hidrgeno
mediante el principio de electrolisis de las molculas de agua. El a-SiC:H utilizado en este fotoctodo
posee alta fotocorriente y muestra una excelente durabilidad al ser inmersa en la solucin
electroltica.

7
El presente trabajo est enfocado al estudio de la influencia del hidrgeno en la matriz del
carburo de silicio amorfo. Las pelculas delgadas han sido depositadas por la tcnica
pulverizacin catdica de radiofrecuencia usando un objetivo de SiC cristalino de alta pureza
para preservar la estequiometria del material. La caracterizacin ptica ha sido realizada
mediante medidas espectroscpicas de transmisin ptica en incidencia normal. A partir del
espectro de transmitancia medido y usando el mtodo propuesto por Guerra et al (Guerra, et al.,
2013), se calcula el coeficiente de absorcin, ndice de refraccin y espesor de las pelculas. En
la literatura existen diferentes representaciones del coeficiente de absorcin para determinar el
ancho de banda de pelculas amorfas. Estos modelos estn descritos por parmetros que dan
informacin del grado de desorden estructural y ancho de banda del material. En el presente
trabajo, se utilizan tres representaciones distintas de la absorcin fundamental. Adicionalmente,
se ha estudiado los cambios inducidos en estos parmetros cuando las pelculas son sometidas a
tratamientos trmicos controlados.

Tpicamente las pelculas de carburo de silicio amorfo hidrogenado (a-SiC:H) son preparadas
mediante la tcnica deposicin qumica en fase de vapor activada por plasma (PECVD).
Diversos trabajos aseguran que con esta tcnica es posible controlar el contenido de carbn y por
ende el ancho de banda (Gerhardt, 2011; Conde, et al., 1999; Pereyra, et al., 2000; Zhu, et al.,
2010). En el presente trabajo de tesis se han obtenido resultados similares con pelculas delgadas
depositadas por pulverizacin catdica de radiofrecuencia, logrndose controlar las constantes
pticas y el ancho de banda a travs de la variacin del flujo de gas de hidrgeno. Los clculos
de los espesores de las pelculas estudiadas indican valores del orden de 400 nm (pelculas
suficientemente delgadas), lo que se ve reflejado en el bajo patrn de interferencia presente en el
espectro de transmitancia. Esta informacin permite asegurar que el ancho de banda se obtiene
de la regin fundamental del coeficiente de absorcin (Guerra, et al., 2011).

Una de las constantes pticas importantes en pelculas amorfas es el foco de Urbach, el cual es
considerado como una representacin de la energa de la banda prohibida del material en
ausencia de desorden (Guerra, et al., 2011; Zhang, et al., 1992). En el cuarto captulo (resultados
y discusin) se reporta y evala las implicancias del foco de Urbach de las muestras producidas
de SiC amorfo y dopado con diferentes flujos de gas de hidrgeno.

8
1.1. Carburo de silicio (SiC).
El SiC, conocido tambin con el nombre de carborundo, es un semiconductor que tiene la
propiedad del polimorfismo; es decir, se encuentra en una variedad de formas cristalinas
polimrficas. El SiC es un compuesto que pertenece al grupo IV-IV y presenta principalmente
enlaces covalentes (covalente 88 % e inico 22 %) (Yoon, 1998).

1.1.1. Propiedades fundamentales del carburo de silicio.

El carburo de silicio cristalino (c-SiC) existe aproximadamente en 250 formas llamados
politipos. La estructura del SiC es una capa tetradrica de carbn (C) y silicio (Si), la diferencia
entre los politipos es la orientacin en la que estn apiladas las capas de los tetraedros. Los
principales politipos son: 6H -SiC, 4H-SiC y 3C -SiC. (Wijesundara & Azevedo, 2011).
La estequiometria del SiC depende fuertemente del mtodo y los parmetros de deposicin
(Pereyra, et al, 2000).

a)

b) 3C-SiC c) 4H-SiC d) 6H-SiC

Figura 1.2 Estructura atmica del SiC: Enlace tetradrico del Si-C a), formada por cuatro tomos de
carbn y un tomo de silicio en el centro, Estructura del 3C-SiC b), Estructura del 4H-SiC c) y
Estructura del 6H SiC d), las imgenes se encuentran en el libro de Wijesundara (Wijesundara &
Azevedo, 2011).

En la figura 1.2 se muestran los principales politipos del SiC. Notar que cada tomo de Si y C
tiene un enlace tetradrico (cada Si tiene cuatro enlaces C y viceversa).

9
El SiC un semiconductor que tiene excelentes propiedades mecnicas, qumicas, pticas y
elctricas. Posee alta dureza la cual es superada solo por tres elementos: el diamante, el nitruro
de boro y el carburo de boro. Tiene un alto punto de sublimacin, elevada estabilidad trmica
con una descomposicin que empieza a la temperatura de 2000 C, resistencia a la corrosin y a
la oxidacin, entre otros. El ancho de banda depende del politipo, pudiendo variar entre 2.39 eV
(3C-SiC) y 3.33 eV (2H SiC), caracterstica que hace de este material un candidato para
aplicaciones pticas a temperaturas altas. Este ltimo constituye un lmite al silicio (Si) o
arseniuro de galio (GaAs), ya que estos materiales poseen un ancho de banda menor a 1.5 eV.
(Yoon, 1998; Wijesundara & Azevedo, 2011).
Tabla 1.1 Propiedades fundamentales del SiC, Si, GaAs y del diamante (Gerhardt, 2005; Jayant, 2011;
Wijesundara & Azevedo, 2011)
SiC-3C SiC-4H SiC-6H Si GaAs Diamante

estructura cristalina cbica hexagonal hexagonal cbica cbica cbica

Estructura de la banda indirecta indirecta indirecta indirecta directo indirecta

Estabilidad fsica excelente excelente excelente buena razonable

Banda prohibida (eV) 2.36 3.23 3.05 1.12 1.43 5.5

ndice de refraccin 2.55 2.55 2.55 - - -

Constante dielctrica 9.7 9.7 9.7 11.8 12.8 -

Movilidad del electrn 750 800 400 1200 6500 -

16 2
ND=10 (cm /V.s)
Movilidad del hueco 40 115 90 420 320 -
16 2
ND=10 (cm /V.s)
3
Densidad (g/cm ) 3.17 - 3.21 2.3 5.32 3.5

Conductividad trmica 3.9 3.7 4.9 1.48 0.54 6-10

(W/cm.k)
Punto de sublimacin 2830 2830 2830 1420 1240 4000
(C)
Campo de ruptura (MV 2.12 2.2 2.5 0.25 0.3 -
-1
cm )
Voltaje de 2 3.3 3.0 0.3 0.4 10
6
ruptura(10 /V.s)
Dureza Mohs 9 9 9 - - 10

Modulo de Yung (GPa) 370 370 370 179 - -

10
En la tabla 1.1. se muestran las propiedades fundamentales de los principales politipos del c-SiC,
del Si, del GaAs y del diamante. Los semiconductores comnmente usados y comerciales son el
Si y el GaAs, debido a que poseen propiedades elctricas, mecnicas y pticas favorables. El Si y
el GaAs son semiconductores que pueden ser dopados con relativa facilidad, haciendo que sus
propiedades electrnicas tiendan a mejorar, lo que les convierte en buenos candidatos para el
diseo de diversos dispositivos electrnicos (Street, 1991). Sin embargo, a altas temperaturas, los
dopantes se difunden alterando su comportamiento elctrico. El c-SiC es una alternativa a estos
materiales, al presentar en gran medida un comportamiento similar y adems sus propiedades
superan por mucho al Si y al GaAs como se muestra en la tabla 1.1.

1.1.2. Aplicaciones del carburo de silicio.

Las bondadosas propiedades del SiC como el amplio ancho de banda y la alta conductividad
trmica hacen de este material un candidato prometedor para el diseo de dispositivos opto-
electrnicos de alta temperatura, potencia y frecuencia. El SiC conserva la resistencia mecnica a
elevadas temperaturas por ello es ideal en motores trmicos. Sus propiedades pticas permiten el
diseo de diodos de emisin de luz y foto-detectores. Su alta dureza lo convierte en uno de los
abrasivos ms efectivos. Debido a su alta resistencia al desgaste, es empleado en sellos
automotrices. Asimismo sus propiedades refractivas hacen que sea empleado como revestimiento
para los hornos, calderas o en frenos de alto rendimiento como los usados en los automviles de
carrera o aviones (Yoon, 1998; Jayant, 2011; Wijesundara & Azevedo, 2011).

El SiC es usado tambin como detector de neutrones, rayos beta o gamma, los cuales estn
basados en el diodo de schottky o diodos p-n. Lo interesante de usar SiC en detectores de
radiacin nuclear es que este material opera a elevadas temperaturas y resiste el dao inducido
por la radiacin mejor que otros semiconductores convencionales como el Si o Ge. Adems el
SiC tiene una excelente densidad por ello es til en aplicaciones biomdicas como biosensores o
biomenbranas. Las propiedades que hacen que este material sea importante para aplicaciones
biomdicas son su inercia qumica que sugiere la resistencia del material a la corrosin, la alta
dureza, el alto modulo elstico y el bajo coeficiente de friccin (Gerhardt, 2005).

11
1.2. Objetivos.
Los objetivos de este trabajo de investigacin se resumen en los siguientes tems.

1.2.1. Objetivo general.

Produccin y caracterizacin de las pelculas delgadas amorfas de SiC y SiC:H a travs
de la tcnica pulverizacin catdica de radio frecuencia (RF sputtering).

1.2.2. Objetivos especficos.

Encontrar los parmetros adecuados (flujo de argn, potencia de RF, presin de trabajo y
tiempo de deposicin) para el crecimiento de las pelculas delgadas con el espesor
deseado.

Producir pelculas de a-SiC:H controlando el contenido de hidrgeno.

Caracterizar las constantes pticas de las pelculas, tales como el espesor, ndice de
refraccin, coeficiente de absorcin y el foco de Urbach.

Establecer relaciones entre las constantes pticas y flujos de hidrgeno empleados

durante la sntesis de las pelculas delgadas de a-SiC:H.

Establecer los cambios producidos en el ancho de banda y la estructura molecular de las

pelculas como consecuencia de los tratamientos trmicos sobre ellas a diferentes
temperaturas.

12
CAPTULO II
2. Fundamento terico.
En esta seccin se dar una explicacin detallada de los conceptos fundamentales necesarios para
el entendimiento de las propiedades pticas de pelculas delgadas amorfas. Se empezar con una
descripcin fsica y matemtica de la formacin de bandas de energa de una estructura cristalina
peridica. Asimismo, se estudiar la interaccin de la radiacin con la materia utilizando la
formulacin semiclsica y la teora de perturbacin dependiente del tiempo. Luego se calcular
la probabilidad de transicin de un electrn entre las bandas de valencia y conduccin inducidas
por la absorcin o emisin de fotones y/o fonones. Finalmente, se estudiar el coeficiente de
absorcin en slidos cristalinos cerca de la absorcin fundamental y se explicar la aproximacin
del coeficiente de absorcin de slidos amorfos.

2.1. Teora de bandas de energa y ancho de banda.

Inicialmente se discutir el caso ms sencillo, el electrn en el tomo de hidrgeno, el cual se
encuentra en el estado fundamental 1s. Luego, se ampliar la discusin para el caso de N tomos
de hidrgeno acomodados en una cadena lineal, en el cual se calcularn las energas bonding
(enlazante) y antibonding (antienlazante). Finalmente, se deducir de manera cualitativa, la
formacin de las bandas de energa en un slido amorfo. Una descripcin detallada del tema
puede encontrarse en el libro de Sutton (Sutton, 1993).

Consideremos una molcula de hidrgeno en el estado fundamental, en la cual hay interaccin

coulombiana entre los electrones de cada tomo. Cuando los tomos estn muy alejados entre s
la interaccin es muy despreciable, por lo que sus niveles energticos pueden considerarse como,
los correspondientes a tomos aislados.

| | y | | (2.1.1)

Los vectores de estado | | | de ambos tomos son conocidos, siendo | el estado del
electrn en el primer tomo, mientras | es el estado del electrn en el segundo tomo. De otro
lado y son los respectivos hamiltonianos y es la energa de ionizacin del tomo de
hidrgeno cuyo valor es de -13.6 eV.
13
Cuando los tomos se aproximan mutuamente, las interacciones electrn-electrn y electrn-
ncleo se vuelven significativas. Para simplificar clculos se desprecia la interaccin electrn-
electrn, de manera que, el vector de estado | (orbital molecular) del electrn en la molcula
pueda ser expresada como la combinacin lineal de los estados atmicos | | (orbitales
atmicos).

| | | (2.1.2)

Donde son constantes de contribucin de los orbitales atmicos | | al orbital

molecular | . Para determinar las constantes, se reemplaza | en la ecuacin del valor propio:
| | , se asume que los estados | y | son ortonormales y se desprecia el
sobrelapamiento de los orbitales de manera que, | | y | | . Se
expresa y como . Asimismo, como el hamiltoniano es hermtico ( ) el
elemento de matriz es real, . Con estas aproximaciones se encuentran dos
energas correspondientes a los estados de enlazamiento y antienlazamiento .

(2.1.3)

En estas ecuaciones se observan dos trminos: la energa de sitio y la energa hooping . La

energa de sitio de la molcula corresponde al tomo aislado y la energa hopping cuya
contribucin es negativa es la interaccin entre los ncleos.

Para desarrollar el caso de un gran nmero de tomos (N), usamos la teora de combinacin
lineal de orbitales atmicos (LCAO), en la cual se asocia a cada tomo de hidrgeno un orbital
atmico s y se asume que estos tomos forman una base completa, lo que permite expandir |
como:

| | (2.1.4)

14
Nuevamente la tarea es encontrar los valores de las constantes y las energas. Para ello se
remplaza el estado molecular | en la ecuacin del valor propio y se multiplica a la expresin
por |, donde p es uno de los sitios de los N tomos; es decir,

| | | (2.1.5)

Esta es la ecuacin secular de N tomos en una cadena lineal. Para resolver la ecuacin 2.1.5 se
considera solo la interaccin entre primeros vecinos (Tight Binding model), este modelo permite
elegir la funcin de onda del sistema como una combinacin de orbitales atmicos. Con estas
aproximaciones las energas quedan determinadas por:

(2.1.6)

Esta es la ecuacin de las energas que puede tomar el electrn en un arreglo de tomos
distribuidos regularmente en una cadena lineal. En esta expresin los valores de m son positivos,
el grfico de esta funcin se muestra en la figura 2.1.

En resumen, un electrn en un tomo individual de hidrgeno slo posee un estado con energa
, llamada tambin energa de sitio. Cuando el nmero de tomos N empieza a aumentar se
observa energas discretas separadas por regiones en donde no existen orbitales electrnicos. En
el caso de un gran nmero de tomos los niveles de energa se van acumulando en los bordes del
espectro. Finalmente, cuando el nmero de tomos tienden a infinito los niveles de energa
tienden a una banda continua con un ancho de 4| |, centrada en la energa de sitio .

Hemos visto que las energas de un gran nmero de tomos, todos iguales y distribuidos en una
cadena lineal forman una sola banda continua. Si volvemos a realizar los clculos, pero ahora
para el caso de una cadena lineal con dos tipos de tomos, en su espectro de energa se
observaran dos bandas separadas por una regin en las que no existen orbitales electrnicos
permitidos. A esta regin no permitida se le conoce como la banda prohibida.

15
 Cadena lineal de N tomos
2.6

2.4

2.2
Energa (eV)

2.0

1.8

1.6

1.4
3 5 10 30 50 100 1000
Nmero de tomos (N)
Figura 2.1 Espectros de energa para una cadena lineal de tomos iguales.

Un slido posee una gran cantidad de tomos (del orden de 6.022 1023tomos). Por ello la
estructura de bandas en un slido es compleja ya que los tomos estn densamente agrupados e
influencian a los tomos vecinos en forma significativa. En el espectro de energa de un slido se
forman bandas permitidas y bandas prohibidas de energa.

En un cristal perfecto, tpicamente se observa una banda prohibida bien definida, mientras que en
un slido amorfo el modelo de las bandas de energa en funcin del vector pierde sentido, ya
que el teorema de Bloch slo es aplicable a sistemas con orden a largo alcance. Un concepto que
si es vlido para ambas estructuras es la densidad de estados electrnicos.

16
2.2. Densidad de estados electrnicos conjunta.
La densidad de estados electrnicos determina el nmero de estados cuya energa est
comprendida en un intervalo de energas definido. Para encontrar se necesita conocer el
nmero de estados cunticos en un intervalo .
Asociemos el volumen de una esfera como y el volumen de un estado en el espacio como
. As,

(2.2.1)

El nmero total de estados contenidos en la esfera ser:

( ) (2.2.2)

El nmero 2 se ha introducido en la ecuacin ya que se est considerando la degeneracin del

espn. es el nmero de estados por unidad de volumen, .

Las bandas de energa de valencia ( ) y conduccin ( ) pueden ser modeladas con formas
parablicas siguiendo la aproximacin del electrn libre, quedando expresadas como:

(2.2.3)

(2.2.4)

Donde y son la energa y la masa efectiva del electrn en la banda de

conduccin. y son la energa y la masa efectiva de los huecos en el lmite de la
banda de valencia. es la masa efectiva reducida.

17
La densidad de estados electrnicos conjunta de las bandas de valencia y conduccin puede ser
escrita como:

( ) (2.2.5)

Esta expresin es vlida para estados cerca de la energa extrema, es decir, en los bordes de las
bandas.

2.3. Probabilidad de transicin y derivacin del coeficiente de absorcin.

En este apartado se va a derivar la probabilidad de transicin entre diferentes estados cunticos
de un sistema. Una revisin amplia de este tema se encuentra desarrollada en los libros Cohen y
Cardona (Cohen & Tannoudji, 1977; Yu, 2004).

Hemos de partir de la ecuacin de Schrodinger dependiente del tiempo de un sistema que

evoluciona entre los tiempos 0 y t.

| | (2.3.1)

es el hamiltoniano completo del sistema y | es el conjunto de auto estados

de H. y representan las partes del hamiltoniano del sistema independiente y dependiente
del tiempo respectivamente. Las soluciones estacionarias del sistema sin perturbacin son:

| | (2.3.2)

Donde el subndice son todos los nmeros cunticos, son los auto valores de y {| } es
una base del sistema sin perturbacin.

La funcin de onda | del hamiltoniano total puede ser expresada como:

| | (2.3.3)

18
 | |

Las contantes son las componentes del ket | en la base | . Al insertar | en la

ecuacin 2.3.1 y multiplicarla por | se obtiene:

(2.3.4)

Si no hay perturbacin, es cero y la ecuacin 2.3.4 se reduce a una ecuacin diferencial

de primer grado cuya solucin est dada por:

(2.3.5)

Donde es una constante que no depende del tiempo. Si la solucin de la ecuacin

2.3.4 es:
(2.3.6)

Las soluciones 2.3.5 y 2.3.6 son muy cercanas siempre que consideremos que el efecto de
es muy pequeo. Substituyendo 2.3.6 en 2.3.4:

(2.3.7)

Al considerar que tal que . Los coeficientes se pueden expandir

en funcin de .
(2.3.8)

( )
[ ] (2.3.9)

19
 ( )
[ ]

( )
[ ]

El superndice en parntesis de indica el orden de perturbacin. Para el orden 0 la ecuacin

2.3.9 se convierte en . Para un orden la ecuacin 2.3.9 se convierte en:

( )
(2.3.10)

En el tiempo el sistema est en el estado | , todos los coeficientes son cero

excepto . Al normalizar el estado | se obtiene , y las ecuaciones de orden
0 y 1 quedan expresadas como:

(2.3.11)

La probabilidad de transicin esta dada por la expresin | | . Como el mdulo de

y son iguales la probabilidad de transicin ser:

| | (2.3.12)

Esta probabilidad de transicin se calcula integrando con respecto al tiempo el producto del
trmino que acopla el estado inicial y final a partir de la perturbacin.

20
2.4. Absorcin fundamental en cristales.
Cuando la radiacin electromagntica incide sobre una pelcula delgada con suficiente energa,
excita un electrn de la banda de valencia a la banda de conduccin mediante la absorcin de un
fotn, a este proceso se le denomina absorcin fundamental o conductividad ptica asistida por
un fotn. Tpicamente en un cristal perfecto existen dos tipos de transiciones: directa e indirecta,
estas sern descritas en las siguientes secciones.

2.4.1. Absorcin directa.

En el proceso de absorcin directa el valor del vector de onda correspondiente a un estado inicial
en la banda de valencia y un estado final en la banda de conduccin es igual, de manera que las
transiciones electrnicas verticales son ms probables. Para determinar el coeficiente de
absorcin, primero se va a derivar el hamiltoniano que describe la interaccin entre un campo
elctrico y los electrones de Bloch. Consideremos el Hamiltoniano de un electrn no perturbado
dado por:

(2.4.1)

Siendo la energa potencial. El campo electromagntico ser descrito por el potencial

vectorial y el potencial escalar , con lo cual el hamiltoniano total esta dado por:

(2.4.2)

Usaremos el gauge de Coulomb en el cual se considera y . Aplicando estas

condiciones en la ecuacin 2.4.2 y despreciando los efectos no lineales obtenemos:

(2.4.3)

El segundo trmino representa la interaccin entre el electrn y la radiacin electromagntica.

Consideraremos una onda plana de frecuencia descrita por el siguiente vector potencial:

21
 (2.4.4)

Sean: | y| las funciones de onda de Bloch de

las bandas de valencia y conduccin respectivamente. La probabilidad de transicin del electrn
por unidad de volumen entre las bandas est dada por:

( ) |
(2.4.5)
|

Donde:

Siendo y elementos de matriz. Podemos hacer donde: es el vector de

red y permanece en la celda primitiva.

(2.4.6)

El primer trmino es una suma sobre los vectores , este asegura la conservacin del vector de
onda en el proceso de absorcin .El primer trmino de la ecuacin 2.4.6 es la
representacin de la funcin delta de Dirac, mientras el segundo trmino es resuelto a partir de la
aproximacin del dipolo elctrico, en la cual se hace una expansin de los coeficientes de

considerando que el valor de q es muy pequeo ( ) se tiene:

(2.4.7)

22
Siguiendo el mismo procedimiento obtenemos que , como
estamos en el caso de absorcin directa podemos hacer la aproximacin de que , con
lo cual obtendramos:

(2.4.8)

Insertando en la ecuacin 2.4.5 obtenemos:

( ) | | | | (2.4.9)

Despreciaremos los trminos cruzados ya que no inducen transiciones.

( ) | | [ ] (2.4.10)

Hemos obtenido que la probabilidad de transicin electrnica est dada por funciones
sinusoidales con periodos y .

[ ] [ ]
( ) | | (2.4.11)

La ecuacin 2.4.11 tendr dos patrones de interferencia centrados en , la altura de los picos
centrales es proporcional a y , de manera que la probabilidad de transicin crece
linealmente con el tiempo. En el lmite de t grande la probabilidad de transicin toma la forma de
una funcin delta.

[ ] (2.4.12)

23
La taza de transicin es proporcional a la probabilidad de transicin por unidad de tiempo.

( ) | | (2.4.13)

La sumatoria que aparece en la ecuacin 2.4.13 indica que se est sumando sobre todos estados
iniciales en la banda de valencia y los estados finales en la banda de conduccin. La relacin
entre el coeficiente de absorcin y la tasa de transicin est dada por (Singh & Shimakawa,
2003).

( ) | | (2.4.14)

La suma discreta (ecuacin 2.4.14) puede ser transformada en una suma continua al usar la
densidad de estados. .

( ) | | (2.4.15)

Donde es la densidad de estados conjunta para las transiciones directas en slidos

cristalinos.

( ) ( ) (2.4.16)

Reemplazando la ecuacin 2.3.16 en 2.4.15, obtenemos:

( ) ( ) | | ( ) (2.4.17)

El coeficiente de absorcin para transiciones directas resulta ser proporcional a la relacin

( ) .

24
2.4.2. Absorcin indirecta.
En el proceso de absorcin indirecta participan tres partculas: el electrn, el fotn y el fonn
(quasi-partcula). Los fotones aportan poco momento pero la mayor parte de la energa. Los
fonones aportan el momento pero muy poca energa. El valor mnimo en la banda de valencia y
el mximo en la banda de conduccin en este tipo de estructura se encuentran en diferentes
valores del vector k. Esta diferencia de momento es aportada por el fonn. El clculo de la
probabilidad de transicin se realiza usando la teora de perturbacin de segundo orden,
considerando que las interacciones electrn-fotn y electrn-fonn sean lo suficientemente
dbiles para que la teora de perturbaciones sea vlida. Bajo estas suposiciones la regla de oro de
Fermi queda expresada como:

| | | |
| | (2.4.2.1)

Donde | es el estado inicial, | es un estado virtual y | es el estado final. El elemento de

matriz incluye diferentes formas para completar la transicin indirecta. El estado | representa el
estado inicial en el cual la banda de valencia se encuentra llena y la banda de conduccin vaca.
El trmino de interaccin induce la transicin del electrn del estado inicial | a un estado
intermedio | , luego el fonn completa la transicin tomando al electrn del estado intermedio
| al estado final | (Grosso & Pastori, 2000; Yu, 2004; Singh, 2006).

Asumiendo que el ndice de refraccin y el elemento de matriz cambian muy lentamente con la
energa y remplazando en la ecuacin 2.4.13 obtenemos:

(2.4.2.2)
| | | |
| |

La doble sumatoria de la ecuacin 2.4.2.1 puede ser remplazada por una integral doble.

25
 (2.4.2.3)

En la ecuacin 2.4.2.3 y son la densidad de estados en la banda de valencia y en

la banda de conduccin respectivamente.

(2.4.2.4)

Resolviendo obtenemos:

( ) (2.4.2.5)

Donde es una constante independiente de la energa y la temperatura, el signo indica que

las transiciones indirectas pueden ocurrir con la emisin y la absorcin de un fonn.

2.5. Absorcin fundamental en slidos amorfos.

La absorcin de fotones o fonones que ocurren en los semiconductores cristalinos es observada
tambin en semiconductores amorfos (Weaire, 1971). Sin embargo en la estructura de un slido
amorfo no existe periodicidad de largo alcance y por ende no podemos usar las funciones de
onda de Bloch para derivar la expresin del coeficiente de absorcin, pero si algunas
aproximaciones, como se discutir en esta seccin. El coeficiente de absorcin de un slido
amorfo puede ser escrito por el modelo de Davis y Mott (Mott & Davis, 1971) por la siguiente
expresin matemtica:

| | | | (2.5.1)

Siendo una funcin de onda diferente a la funcin de onda de Bloch, H es el hamiltoniano de

interaccin luz - electrn, D es la densidad de estados y E es la energa de los electrones y los
subndice i y f denotan los estados inicial y final.

26
2.5.1. Absorcin de Tauc.
La expresin del coeficiente de absorcin de slidos amorfos segn este modelo se obtiene
haciendo ciertas modificaciones al clculo en el caso cristalino. Se hacen dos suposiciones:
primero se relaja la conservacin del momento, permitiendo que todos los estados entre las
bandas de valencia y conduccin sean accesibles y segundo se considera constante el elemento
de matriz sobre todo el rango de energa de inters. Bajo estas suposiciones el coeficiente de
absorcin de la ecuacin 2.5.1.queda expresado como:

( ) (2.5.1.1)

Donde es el coeficiente de absorcin, es la energa de los fotones absorbidos, es el

ancho de banda y B una constante que depende de la probabilidad de transicin electrnica. Esta
ecuacin conocida tambin como la ecuacin de Tauc, describe la absorcin fundamental, es
decir, cuando la energa de los fotones absorbidos es mayor o igual a la energa de la banda
prohibida. La relacin de Tauc describe la absorcin de muchos materiales amorfos como el de
silicio amorfo (a-Si) o germanio amorfo (a-Ge) (Tauc, 1968).

2.5.2. Absorcin de Urbach.

Por debajo de la absorcin de Tauc el coeficiente de absorcin empieza a decaer
exponencialmente con la energa. En esta regin la energa de los fotones absorbidos es menor a
la banda prohibida. El coeficiente de absorcin ptica en una variedad de semiconductores
amorfos incrementa de manera exponencial con la energa del fotn. Este comportamiento fue
observado experimentalmente por Urbach en alkali halides en 1953 (Mott & Davis, 1971) y es
conocido como la cola de Urbach o el borde de Urbach. Esta relacin netamente emprica est
dada por:

(2.5.2.1)

Donde es el coeficiente de absorcin, es la energa de los fotones absorbidos, es un

parmetro casi independiente de la energa y la energa de Urbach.

27
Hemos visto que el coeficiente de absorcin de estructuras amorfas puede ser descrito por una
dependencia potencial como el modelo de Tauc o una ley exponencial como el modelo de
Urbach. A partir de estas representaciones del coeficiente de absorcin, el ancho de banda puede
ser calculado.

a-SiC:H
10 15 sccm H
2 exp Regin I
absorcin de Tauc
Urbach (1953 Phys. Rev. 92 1324)
Ln() x10 (cm )
-1

1
4

Tauc (1968 Res. Bull. 3 37)

Regin II
borde de Urbach

Regin III
0.1 Defectos a-SiC:H
15 H2sccm

1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0

Energa(eV)

Figura 2.2 Coeficiente de absorcin en escala logartmica en funcin de la energa, correspondiente a

una pelcula amorfa de a-SiC:H depositada en un flujo de 15sccm de H2.En la figura se distinguen tres
regiones I, II y III con distinta dependencia de energa. La regin I es conocida como la absorcin de
Tauc (zona de absorcin fundamental), la regin II como el borde de Urbach (zona de absorcin
exponencial) y la regin III es la zona de los defectos.

La regin I de la figura 2.2 es la regin de absorcin fundamental, conocida tambin como la

regin de Tauc. Esta regin es una zona de absorcin fuerte, en la cual se considera que el
electrn realiza transiciones banda a banda, ya que, la ecuacin de Tauc proviene de una
aproximacin de bandas parablicas. En la regin II el coeficiente de absorcin incrementa
exponencialmente con la energa de los fotones incidentes obedeciendo la regla de Urbach, en
esta zona se realizan las transiciones electrnicas banda-cola. La regin III puede ser descrita
tambin por una ecuacin exponencial, esta zona corresponde a las transiciones defecto-defecto.

28
CAPTULO III
3. Tcnicas experimentales y determinacin de las constantes pticas.
En el presente captulo se presenta la metodologa experimental empleada para la sntesis de
pelculas delgadas de a-SiC y a-SiC:H y la caracterizacin ptica de estas. Se dar una
descripcin general de la tcnica pulverizacin catdica utilizada para el crecimiento de las
pelculas y la descripcin del sistema de tratamiento trmico empleado. Luego se detallar la
tcnica espectroscpica de transmisin ultravioleta visible e infrarrojo cercano usada para la
caracterizacin ptica y finalmente se explicar el mtodo empleado para el clculo de los
parmetros pticos a partir de dichas medidas.

3.1. Preparacin de las muestras.

3.1.1. Pulverizacin catdica (sputtering).
La pulverizacin catdica de radiofrecuencia es una tcnica que permite depositar todo tipo de
materiales simples o compuestos, sin importar que los elementos tengan propiedades diferentes
(Wassa, 2004). Esta tcnica consiste en la extraccin de tomos de la superficie de un material
(objetivo o target), mediante el bombardeo con partculas ionizadas de un gas que transfieren
momento a los tomos de la superficie del objetivo. En caso que el gas utilizado no sea inerte
(i. e. los iones del gas forman enlaces con los tomos liberados producto del bombardeo), el
proceso se conoce como pulverizacin catdica reactiva.
El proceso de pulverizacin catdica
implica tres pasos importantes: la
Magnetrones
preparacin del gas de proceso, la
ionizacin del gas y la deposicin. Para
preparar el gas de proceso, primero se
realiza un vaco lo ms bajo posible (del
orden de 10-6 mbar), con el fin de
Figura 3.1 Imagen del interior de la cmara durante un asegurar la pureza de la atmsfera del
proceso de deposicin. Se puede observar dos de tres
magnetrones del sistema as como el brillo del plasma y proceso de deposicin y evitar el
el porta-muestra con los substratos donde crecen las
crecimiento de compuestos no deseados
pelculas delgadas.
como el oxgeno. La calidad en la
composicin del material puede ser evaluada a travs de medidas con la tcnica de

29
espectroscopia infrarroja por transformada de Fourier (FTIR) (Bullot & Schmidt, 1987). Cuando
el vaco es el adecuado se llena la cmara con un gas inerte y en estas condiciones se aplica un
campo elctrico intenso a travs del magnetrn (ver figura 3.1). Por medio del campo elctrico
intenso se produce parcialmente la ionizacin del gas neutro formando un plasma. Este es
formado y mantenido principalmente de dos formas: a partir de la separacin de los electrones
del tomo neutro y por medio de la aceleracin de los electrones libres. Los iones generados
golpean el ctodo (donde se sita el objetivo) y transfieren parte de su energa a los tomos que
lo conforman. Aquellos tomos que adquieren la energa suficiente para abandonar la superficie
del objetivo, son expulsados por efectos del choque y parte de ellos son dirigidos hacia el
substrato en donde se depositan.

Ion incidente

Ion reflejado
a) Superficie del objetivo

tomos pulverizados

b) Superficie del objetivo

c) Superficie del objetivo

Ion implantado

Figura 3.2 La pulverizacin catdica se origina por la colisin entre los iones incidentes y los tomos
de la superficie del objetivo. Este proceso se puede dividir en tres regmenes, dependiendo de la
energa empleada. a) Very low energy (30-50 eV): El in llega con energa despreciable y es reflejado
sin interactuar con el objetivo. b) Knock-on energy regime ( 40-1000 eV): El in transfiere parte de
su energa al blanco y el resto de energa hace que se desprendan tomos de la superficie del tomo.
c) High energy implantation ( 10-60 keV): El in llega con una energa elevada y se implanta en el
banco. En este caso puede o no ocurrir la pulverizacin de los tomos, ya que, el ion transfiere su
energa despus de quedar atrapado (Seshan, 2002).

30
La extraccin de los tomos del blanco depende principalmente de tres factores: la energa, el
ngulo de los iones incidentes y el tipo de material que conforma el objetivo. En la figura 3.2. se
puede apreciar de manera esquemtica los tipos de choque dependiendo del voltaje (energa)
aplicado.

La deposicin se realiza utilizando una fuente de voltaje de radiofrecuencia, el cual neutraliza la

carga formada sobre el objetivo, a travs de un cambio de polaridad realizado de manera
alternada. El tipo de tcnica que se emple para el presente trabajo es el de pulverizacin
catdica con magnetrones (figura 3.3.). Con el empleo de magnetrones el recorrido de los
electrones se da en trayectorias helicoidales alrededor de las lneas de campo magntico,
aumentando considerablemente la probabilidad de ionizacin. Este efecto garantiza una alta tasa
de deposicin.

Substrato nodo
Flujo de gas

Plasma Vaco

Objetivo -
+ +
- + -

Ctodo

Potencia RF

electrn tomo neutro de argn

material a depositar tomo ionizado de argn
lnea de campo magntico
Figura 3.3 Representacin esquemtica del sistema de pulverizacin catdica.

31
3.1.2. Descripcin general del equipo de pulverizacin catdica.
En la figura 3.4 a) se muestra el equipo de pulverizacin catdica del Laboratorio de Ciencia de
los Materiales de la Pontificia Universidad Catlica del Per (PUCP), el cual fue empleado para
la produccin de las pelculas delgadas de a-SiC y a-SiC:H.

Controladores del
flujo de gases y de Sensor del
los magnetrones espectrmetro de
masas

Cmara de vaco Vlvulas y

entrada de los
gases

Vlvula de la
bomba
Mangueras de mecnica.
refrigeracin de
los magnetrones Vlvula de la
bomba turbo
molecular.
a)

Mangueras de Porta-muestras
refrigeracin del (Substrato)
porta-substrato Obturador
(substrato)
Magnetrones con
(target)

b)
Figura 3.4 Imagen del equipo de pulverizacin catdica utilizada para la deposicin de las pelculas
delgadas de a-SiC y a-SiC:H a). Imagen de la cmara de vaco por dentro b). Este equipo pertenece al
Laboratorio de ciencia de los materiales #4 de la Pontificia Universidad Catlica del Per.

32
El equipo de pulverizacin catdica consta de una cmara de vaco equipada para la deposicin
(figura 3.4 b), un sistema de refrigeracin con agua fra a 12 C, un grupo de bombeo constituido
por una bomba mecnica 100 LX4/F75-Uneleca, con la cual se logra un pre-vaco de hasta
710-2 mbar, y una bomba turbo molecular Turbovac 450-Pfeiffer capaz de llegar a presiones del
orden de 10-7 mbar. La cmara de vaco tiene como dimensiones acondicionadas 505049 cm.
En la base se encuentran ubicados tres magnetrones con objetivos circulares de 51 mm de
dimetro (2 pulgadas). Asimismo hay varios orificios que permiten la conexin al sistema de
bombeo, ingreso de los gases y mangueras del sistema de enfriamiento. Se cuenta con una fuente
de alimentacin de radiofrecuencia Cesar 133-Dressler e instrumentos de medicin como
sensores de presin Pirani que mide presiones en el rango de 1.1310-0 a 310-3 mbar y un
sensor TP6 261-Pfeiffer que mide desde presin atmosfrica a 510-9 mbar

Se emplea un sistema de refrigeracin para mantener enfriado a los substratos, promoviendo la

amorfisidad de las pelculas. Asimismo, los magnetrones son enfriados para evitar su
sobrecalentamiento, y que los imanes pierdan sus propiedades magnticas. El substrato se coloca
en el porta-muestra y luego es introducido en el interior de la cmara a una altura de 5 cm por
encima de los magnetrones. El vaco se realiza en dos etapas, primero se prepara un pre-vaco
con la bomba mecnica hasta alcanzar una presin del orden de 10-2 mbar. Luego producimos un
alto-vaco empleando la bomba turbo molecular hasta llegar a la presin de 410-6 mbar. La
cmara tiene dos vas de entrada para los gases: argn (pureza 5N) e hidrgeno (pureza 5N). El
argn se utiliza para alcanzar la presin de trabajo y formar el plasma, mientras que el hidrgeno
es introducido para provocar la reaccin y dopaje de la pelcula.

3.1.3. Pelculas delgadas amorfas de SiC y SiC:H.

Los substratos utilizados para la deposicin de las pelculas fueron vidrio comn (soda lime
silica glass) y fluoruro de calcio (CaF2). El vidrio fue utilizado para realizar las primeras pruebas
por ser estos muy econmicos. Sin embargo, en vista de que la absorcin del vidrio comn
ocurre a 400 nm y es mayor an a longitudes de ondas menores, la absorcin fundamental del
SiC puede encontrarse enmascarada, lo cual constituye una desventaja. Con miras a eliminar
estos efectos, se emplearon substratos de CaF2 de dimensiones de 10101 mm. Este material es
completamente transparente en el rango longitudes de onda de 150-7500 nm. Adems para poder

33
aplicar el mtodo con el cual se extraen las constantes pticas, el ndice de refraccin no debe ser
similar al del a-SiC y su ancho de banda mayor. El CaF2 posee un ndice de refraccin de 1.43 y
una banda prohibida de 10 eV, valores diferentes al a-SiC.

La limpieza de los substratos debe de ser minuciosa para garantizar una buena adherencia de la
pelcula. Con dicho fin los substratos son limpiados en alcohol dentro de un sistema de limpieza
por vibraciones ultrasnicas durante un minuto. El proceso es repetido varias veces. Luego se
colocan las muestras en el interior del sistema de deposicin. A continuacin se evacua la cmara
de manera que la presin interna sea la ms baja posible para asegurar un buen vaco y evitar la
formacin de dopantes o gases residuales en la estructura de las pelculas. La presin bsica
antes de cada proceso tpicamente es menor a 510-6 mbar. Luego de obtener el vaco adecuado
se introducen los gases que se usarn en el proceso de ionizacin, el flujo de los gases se mide en
centmetros cbicos estndares por minuto (sccm) con un controlador Micromix 4000. El gas es
ionizado con una potencia de 50 Watts entregado por un generador de radiofrecuencia. Un
matching network asegura que toda la potencia sea entregada (el reflejo es menor a 0.1W). La
presin de trabajo para la ionizacin tpica del gas de Ar es de 410-2 mbar. Luego de generar el
plasma se realiza un pre-sputtering durante 20 minutos para limpiar el objetivo.

El objetivo usado es un disco de (51 mm de dimetro) carburo de silicio cristalino c-SiC de alta
pureza. La impureza dominante del objetivo es nitrgeno con una concentracin menor a
10 ppm. Finalmente se hace la deposicin con una potencia de 100 W y una presin de trabajo de
910-3 mbar. El tiempo de deposicin vara segn los tipos de gases utilizados en el proceso.

Tabla 3.1 Condiciones y parmetros usados durante la deposicin de las pelculas de a-SiC y a-SiC:H.
La presin bsica antes de iniciar cada proceso fue de 410-6 mbar.

Muestra Flujo de Ar Flujo de H2 Tiempo Presin de

(sccm) (sccm) (min) trabajo (mbar)
1 50 0 143 1.510-2
2 50 5 270 910-3
3 35 15 300 910-3

34
Tres pelculas diferentes fueron producidas, una sin flujo de hidrgeno y dos con diferentes
flujos de hidrgeno. La pelcula a-SiC fue preparada en una atmsfera solo de argn y las
pelculas de a-SiC:H fueron preparadas con 5 y 15 sccm de hidrgeno, el cual fue aadido
durante el proceso deposicin. El tiempo empleado para el crecimiento de la pelcula de SiC fue
de 143 minutos y el de las pelculas de a-SiC:H fueron de 270 minutos (5 sccm) y 300 minutos
(15 sccm). El tiempo empleado para el crecimiento de las pelculas con hidrgeno es mayor,
debido a que los tomos de hidrgeno son menos pesados que los de argn y por tanto
disminuyen la tasa de deposicin. Las condiciones de deposicin estn resumidas en la tabla 3.1.

3.2. Tratamiento trmico de las muestras.

Con el fin de estudiar los efectos de las pelculas con temperatura, estas han sido sometidas a
procesos de tratamientos trmicos controlados. Para ello se emple un horno que posee tres
zonas de calefaccin para asegurar el calentamiento uniforme de las muestras.

Figura 3.5 Imagen del horno usado para el calentamiento de las pelculas. Este equipo pertenece al
Departamento de Ciencias, Seccin Fsica, de la Pontificia Universidad Catlica del Per y est
ubicado en el Laboratorio de ciencia de los materiales #4 del pabelln de fsica.

El tratamiento trmico de las pelculas, se realiza de la siguiente forma: primero se precalienta el

horno hasta la temperatura deseada. Despus, se colocan las pelculas dentro de un tubo de
cuarzo, el cual es mantenido a baja presin para evitar la reaccin del material con gases no
deseados, como el oxgeno, por ejemplo. El vaco es generado mediante una bomba mecnica
DUO 10M-Pfeiffer hasta una presin 810-2 mbar y una bomba Turbovac 150- Leybold-
Heraeus hasta 410-5 mbar. Luego se introduce un flujo de argn a una presin de
2.610-2 mbar. El sistema de intercambio de gases dentro del tubo de cuarzo est conectado a un
sistema de refrigeracin para evitar daos. A continuacin, se colocan las muestras en el tubo de

35
cuarzo, luego son ingresadas dentro del horno y calentadas durante 15 minutos. Paso seguido,
estas son retiradas del horno y dejadas enfriar. Luego, se realiza la medida de transmisin y se
extraen las constantes pticas. Por ltimo se comparan los resultados obtenidos con los
anteriores. Este proceso se realiza repetidas veces para la misma pelcula, el tratamiento trmico
realizado fue de 300 a 700 C en pasos de 100 C.

3.3. Medidas espectroscpicas de transmisin.

3.3.1. Fundamentos de la tcnica de transmisin UV/VIS/NIR.
La Espectroscopia de transmisin en el rango ultravioleta visible e infrarrojo cercano
(UV/VIS/NIR) es ampliamente empleada para determinar parmetros pticos de materiales en la
forma tanto de pelcula delgada como volmenes mayores (Swanepoel, 1987; Faraldos, 2002).
Esta tcnica se basa en el anlisis de la cantidad de radiacin electromagntica que puede
absorber o transmitir una pelcula en funcin de la longitud de onda. La radiacin absorbida por
los electrones de valencia en esta regin del espectro provoca transiciones electrnicas de un
estado fundamental a un estado excitado dependiendo del ancho de banda del material estudiado.

Los espectros de transmisin son recogidos con ayuda de un espectrofotmetro, cuyos

componentes bsicos son: una fuente de radiacin, un monocromador que selecciona una banda
estrecha de longitudes de onda, una celda de muestras, un detector de radiacin y un sistema de
lectura para la seal detectada.

Espejo
Celda de de rejilla
referencia Amplificador
P0
Detector
Foto-
detector
Monocromador
P
Fuente Celda de la
Espejo
de sector muestra

Figura 3.6 Esquema de los componentes bsicos de un espectrofotmetro.

36
El experimento consiste en traspasar un haz de luz hacia la muestra de inters. La radiacin es
generada por dos fuentes, una de tungsteno y otra de deuterio, para hacer un barrido en el rango
espectral deseado. La luz pasa por un monocromador que produce un haz de radiacin de cierta
pureza espectral, el cual consta de una rendija de entrada que selecciona la radiacin
policromtica entrante, una rejilla de difraccin que difracta la radiacin en longitudes de onda
individuales con cierto ancho espectral y una rendija de salida que asla la banda espectral
deseada. Tras salir la radiacin, esta incide en un espejo de sector que dirige el haz de manera
alternada hacia la celda de referencia y la celda de la muestra. La radiacin se vuelve a combinar
mediante un espejo que refleja el haz de la muestra y otro que transmite el haz de referencia. De
esta manera la luz monocromtica de transmisin de la muestra y de referencia llegan al foto-
detector. La transmitancia queda definida como la fraccin entre la radiacin transmitida P a
travs de la muestra y la radiacin incidente P0 o de referencia (Skoog, 2007).

Luz reflejada Luz incidente

Absorcin de la luz

Dispersin de la luz

Pelcula delgada

Substrato

Luz transmitida

Figura 3.7 Reflexin, propagacin y transmisin de la luz a travs de un medio ptico.

Cuando la luz interacciona con la pelcula suceden varios fenmenos importantes. La luz puede
ser transmitida, reflejada, dispersada y absorbida por el material (ver figura 3.7).La luz incidente
y la reflejada dan origen al fenmeno de interferencia debido a la diferencia de camino ptico,
por ello es posible observar mximos y mnimos en los espectros de transmisin de las pelculas
delgadas. La luz absorbida causa la conduccin ptica, en este fenmeno fsico los fotones
absorbidos que poseen energa mayor o igual a la banda prohibida excitan electrones de la banda
de valencia a la banda de conduccin.

37
3.3.2. Medidas de transmisin UV/VIS/NIR.
Los espectros de transmisin de las pelculas delgadas depositadas sobre substratos de CaF2
fueron obtenidos con un espectrofotmetro de la compaa Perkin Elmer de doble haz modelo
Lambda 2 UV/VIS/NIR. Las medidas se realizaron a temperatura ambiente en un rango espectral
comprendido entre 190 a 1100 nm y con paso de 1 nm entre cada medida.

Figura 3.8 Espectrofotmetro usado para la medicin de los espectros de transmisin UV/VIS/NIR de
las pelculas delgadas de a-SiC y a-SiC:H. Este equipo pertenece al Departamento de Ciencias, Seccin
Qumica, de la Pontificia Universidad Catlica del Per y est ubicado en el Laboratorio de anlisis
instrumental de la facultad de qumica.

3.4. Determinacin de las constantes pticas.

Swanepoel propuso en el ao 1983 un algoritmo para el clculo de las constantes pticas de
pelculas delgadas empleando nicamente resultados de medidas de trasmisin. Este trabajo
sirvi como base para el desarrollo de aproximadamente 850 temas de investigacin (Swanepoel,
1987). El trabajo de Swanepoel presenta algunos problemas y limitaciones, razn por la cual en
las ltimas dcadas se han desarrollado otras extensiones del mtodo, (Poelman, et al, 2003). Sin
embargo, muchas de estas extensiones funcionan bajo el supuesto de que el espectro de
transmisin presente varias franjas de interferencia. Este inconveniente fue superado por
(Chamboeleyron, et al, 1997; Guerra, et al, 2013). A continuacin se dar una explicacin
detallada para la obtencin del espesor, del ndice de refraccin y del coeficiente de absorcin,
en el cual abordaremos el mtodo Swanepoel y las contribuciones del trabajo de Guerra.

3.4.1. Mtodo de Swanepoel.

Swanepoel hace uso de la ecuacin de transmisin compleja, en la cual asume que el coeficiente
de extincin es mucho menor al ndice de refraccin n en la mayor parte del espectro. El
sistema ptico en estudio consiste en una pelcula delgada depositada sobre un substrato
38
transparente, presentando as tres interfaces: aire-pelcula, pelcula-substrato, substrato-aire
(figura 3.9.).

Aire

Pelcula delgada

Substrato

Aire

Figura 3.9 Bosquejo del comportamiento de la luz que pasa a travs de una pelcula delgada
depositada sobre un substrato transparente, en la cual se observa el fenmeno de mltiples
reflexiones en el sistema aire/pelcula/substrato.

El ndice de refraccin del aire es aproximadamente . La pelcula tiene un espesor d y un

ndice de refraccin complejo , donde es el coeficiente de extincin el cual est
relacionado con el coeficiente de absorcin por . El substrato tiene un ndice de
refraccin s y un espesor varios rdenes superiores al espesor de la pelcula, bajo estas
condiciones la transmisin de este sistema puede ser aproximada por la siguiente expresin
(Swanepoel siguiendo el mtodo de Macleod, 2001):

(3.4.1)

Donde:

exp

39
Al considerar en la ecuacin (3.1.1) se obtienen las expresiones correspondientes a
los mnimos y mximos observados en el espectro de la figura 3.10, con los cuales se puede
construir envolventes ( y .

(3.4.2)

(3.4.3)

Swanepoel dividi el espectro de transmisin en tres regiones: regin transparente, regin de

absorcin dbil y media, y regin de absorcin fuerte (figura 3.10.). Las regiones I, II y III del
espectro de transmisin de la figura 3.10. Estn caracterizadas por la presencia de franjas de
interferencia bien definidas, que surgen por el fenmeno de mltiples reflexiones dentro de la
pelcula.

100

80

60
Transmisin (%)

TExperimental
40
Envolventes

Regin II Regin IV
20
Absorcin media Regin transparente
Regin I Regin III
Absorcin fuerte Absorcin debil
0
200 400 600 800 1000
Longitud de onda (nm)

Figura 3.10 Ejemplo del espectro de transmisin de una pelcula de a-SiC:H preparada con un flujo de
15 sccm de H2. La figura muestra las 4 regiones de absorcin estudiadas por Swanepoel.

40
El ndice de refraccin del substrato es calculado a partir de su espectro de transmisin (sin
pelcula) para el caso de un substrato no absorbente, el ndice de refraccin s es:

(3.4.4)

En la regin de absorcin dbil y media se asume que , bajo estas suposiciones y

conocido el ndice de refraccin del substrato y las envolventes superior e inferior ,
el ndice de refraccin de la pelcula es calculado a partir de la expresin:

(3.4.5)

Donde:

(3.4.6)

Con el ndice de refraccin de la pelcula correspondiente a dos mnimos o mximos

consecutivos y la ecuacin bsica de interferencia de ondas se puede calcular el espesor. Sin
embargo, este valor calculado es muy sensible a errores.

(3.4.7 a)

(3.4.7 b)

Siendo m el orden interferencial. Una vez obtenidos los valores de n y el valor medio de los ,
podemos utilizar la ecuacin 3.4.7 a) para determinar el orden interferencial m correspondiente al
primer extremo.

(3.4.8)

El intercepto de esta ecuacin nos proporciona el valor del orden interferencia y la pendiente
(2d) nos da un nuevo valor mejorado del espesor de la pelcula.
41
La absorbancia es calculada a partir de la envolvente superior mediante la expresin:

(3.4.9)

Deducido , se puede calcular el coeficiente de absorcin .

(3.4.10)

En la regin de absorcin fuerte las franjas de interferencia desaparecen. En esta zona el ndice
de refraccin es calculado extrapolando los valores obtenidos en otras regiones del espectro y la
absorbancia es determinada a partir de la ecuacin 3.4.1 por las curvas . Donde la
curva es obtenida integrando la ecuacin de interferencias entre un mnimo y un mximo
adyacente.

(3.4.11)

En resumen, las constantes pticas con el mtodo de Swanepoel son obtenidas a partir de las
franjas de interferencia presentes en el espectro de transmisin. Primero se generan las
envolventes, a partir de las envolventes el ndice de refraccin de la pelcula es calculado,
conocido el ndice de refraccin y con el corrimiento de fase se obtiene el espesor, y a partir de
del ndice de refraccin y del espesor el coeficiente de absorcin es determinado.

Una de las constantes pticas ms importantes que se calcula en este trabajo es el ancho de
banda. Este se obtiene de la regin de absorcin fundamental del coeficiente de absorcin. A su
vez, el coeficiente de absorcin no depende del espesor, pero existe un compromiso entre estos
dos parmetros. Cuando las pelculas son lo suficientemente delgadas (el espectro de transmisin
posee pocas franjas de interferencia), es posible obtener informacin de la regin fundamental
del coeficiente de absorcin. Cuando las pelculas son demasiado gruesas (el espectro de
transmisin posee varias franjas de interferencia), se tienen pocos datos del coeficiente de

42
absorcin y nos alejamos de la regin de absorcin fundamental (Guerra, 2010). El mtodo de
Swanepoel depende de la existencia de varias franjas de interferencia en el espectro de
transmisin para dar resultados precisos. Este es un gran problema, ya que, se pierde informacin
de la regin de absorcin fundamental y por ende del ancho de banda del material.

3.4.2. Refinamiento del mtodo Swanepoel (Mtodo de Guerra).

Guerra en propone una mejora al mtodo de Swanepoel (Guerra et al, 2013), la cual, a diferencia
del mtodo tradicional, permite extraer las contantes pticas de pelculas que no presentan un
suficiente nmero de franjas en el espectro de transmitancia. El algoritmo propuesto fue
implementado en el software Wolfram Mathematica.

En este algoritmo, primero se construyen las envolventes de manera simple ubicando los
mnimos y mximos en el espectro de transmisin y con un algoritmo de interpolacin spline.
Las envolventes solo son usadas para calcular la curva , que es la transmisin en ausencia de
del efecto de interferencia (ver figura 3.11).
100

80
Transmitancia (%)

60

TExperimental
40 Tm
TM
TAjuste
20

a-SiC:H 15 sccm H2

0
200 400 600 800 1000
Longitud de onda (nm)

Figura 3.11 Ajuste del espectro de transmitancia de la figura 3.10.

43
El ndice de refraccin es modelado con la frmula de dispersin de Cauchy dada por la
siguiente expresin:

(3.4.1)

Aqu A, B y C son constantes.

16

14
dSwanepoel = 467
12

10
dGuerra = 447
x 10 cm
-1

8
4

2.1
a-SiC:H - 15sccm
T=400C
2.0
n

1.9

Guerra
1.8 Swanepoel

1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0

Energa (eV)

Figura 3.12 Coeficiente de absorcin y espesores calculados a), ndice de refraccin b). Los parmetros
fueron calculados con el mtodo de Guerra y de Swanepoel. Los espectros pertenecen a una pelcula
de a-SiC:H preparada con un flujo de hidrogeno de 15 sccm y tratada trmicamente a 400C.

44
Con el espectro de transmisin, la curva y tomando encuentra el espesor y los parmetros del
modelo del ndice de refraccin utilizado, se hace un ajuste de curva tomando como restriccin la
curva con el fin de fijar el borde de absorcin y evitar cualquier variacin de los cuatro
parmetros fuera de esta restriccin. Del ajuste son obtenidos los parmetros d, A, B y C.
Conocidos estos parmetros y con la ecuacin 3.4.10, el coeficiente de absorcin es determinado.

El mtodo propuesto por Guerra fue aplicado a 47 simulaciones para comprobar su precisin
frente al mtodo de Swanepoel y el software Puma. As mismo, fue usado en varias medidas
reales con diferentes propiedades pticas. Los resultados obtenidos muestran una mejora
considerable del mtodo de Swanepoel (Guerra, et al). Como ejemplo en la figura 3.12 se
muestra una comparacin del mtodo Guerra con el de Swanepoel.

45
CAPTULO IV
4. Resultados y discusin.
En este captulo se presentan los resultados del anlisis de los espectros de transmitancia
ultravioleta visible de pelculas delgadas de a-SiC y a-SiC:H sintetizadas sobre substratos de
CaF2 por la tcnica pulverizacin catdica de radiofrecuencia reactiva. La deposicin de las
pelculas delgadas se realiz con diferentes proporciones de flujo de gas de argn e hidrgeno
(ver seccin 3.1). Los experimentos realizados tuvieron por objetivo el estudio de la influencia
de hidrgeno durante el proceso de deposicin y el tratamiento trmico sobre los parmetros
pticos de las pelculas de a-SiC y a-SiC:H.

4.1. Clculo de las constantes pticas (espesor, ndice de refraccin y coeficiente de

absorcin).
Como primer paso, para estudiar las propiedades pticas de las pelculas delgadas de a-SiC y
a-SiC:H se buscaron los parmetros adecuados de deposicin tal que, los espectros de
transmisin ptica presenten suficientes franjas de interferencia (ver figura 4.1 a). Esta es una
caracterstica imprescindible para poder aplicar el mtodo numrico con el cual se extrae el
espesor, ndice de refraccin y coeficiente de absorcin de las pelculas delgadas (Guerra, 2010).

Tabla 4.1 Valores de los parmetros A y B de la expansin de Cauchy ( ) del ndice de

refraccin de las pelculas crecidas con flujos de 0, 5 y 15 sccm de hidrgeno.

Pelculas A B
0 sccm H2 1.764 0.001 (3.56 0.03) 104
5 sccm H2 1.827 0.001 (3.25 0.03) 104
15 sccm H2 1.816 0.001 (1.72 0.01) 104

En la figura 4.1 a) se muestran los espectros de transmisin ptica UV/VIS/NIR de las pelculas
de a-SiC y a-SiC:H medidas en incidencia normal y en el rango de longitudes de onda de 190 a
1100 nm. Las franjas de interferencia presentes en el espectro de transmitancia son producto de
la interferencia debido a la diferencia de camino ptico por las mltiples reflexiones entre las
interfaces aire/pelcula y pelcula/substrato. Los espesores calculados de las pelculas preparadas
con 0, 5 y 15 sccm de H2 fueron de 652, 411 y 435 nm, respectivamente.

46
 100
a)

80

Transmisin (%)
60

40 Flujo de H2 Espesor
0 sccm 652 nm
20 5 sccm 411 nm
15 sccm 435 nm

2.8
b)
2.6
Flujo de H2 ndice de refracin
4 2
2.4 0 sccm 1.764 + 3.5610 /
4 2
1.827 + 3.2510 /
n

5 sscm
4 2
2.2 15 sccm 1.816 + 1.7210 /

2.0

1.8

25 c)

20
x 10 ( cm )
-1

15
4

10

0
200 400 600 800 1000
Longitud de onda (nm)

Figura 4.1 Espectros de transmitancia ptica UV/VIS/NIR medidos a temperatura ambiente de

pelculas depositadas sobre substratos de CaF2 utilizando diferentes valores de flujo de hidrgeno
durante el proceso de crecimiento 0, 5 y 15 sccm a), ndice de refraccin b) y coeficiente de absorcin
c) en funcin de la longitud de onda, calculados con el mtodo de Guerra (Guerra et al, 2013).

El ndice de refraccin (figura 4.1 b), se obtuvo con el mtodo propuesto por Guerra (Guerra et
al, 2013), el cual emplea la frmula de dispersin de Cauchy . La tabla 4.1

47
muestra los valores calculados para los parmetros A y B. En la figura 4.1 c) se presenta una
grfica comparativa de los espectros del coeficiente de absorcin de las tres pelculas en estudio.
Como se puede apreciar, estos manifiestan una disminucin de absorcin en la regin de Urbach
con el incremento del flujo de hidrgeno en la matriz. Esto se atribuye a una disminucin de
estados localizados dentro de la banda prohibida (Brodsky et al., 1970; Kalomiros et al., 1994).

4.2. Estudio de la influencia de hidrgeno.

En materiales amorfos existen varias formas de determinar valores representativos del ancho de
banda a partir del coeficiente de absorcin. Es importante recalcar que estos modelos y
representaciones son solo aplicables a la regin de la absorcin fundamental y que la
informacin de la absorcin fundamental en la mayora de casos solo se puede obtener en
pelculas lo suficientemente delgadas (Guerra, 2010). Los modelos y representaciones del
coeficiente de absorcin usados para el clculo del ancho de banda son: el valor E04, el modelo
de Tauc (Tauc, 1968) y el ancho de banda ECU (Guerra, et al., 2011).

Primero, el valor de energa para el cual el coeficiente de absorcin es 10 4 cm-1 corresponde al

ancho de banda E04 (ver figura 4.2 a). Luego, para calcular el valor del ancho de banda segn el

modelo de Tauc se despeja en la siguiente ecuacin ( ) :

(4.2.1)

Aqu, es el coeficiente de absorcin, es la energa de los fotones absorbidos, es la energa

del ancho de banda y una constante que depende de la probabilidad de transicin electrnica.
El mtodo de Tauc es aplicable solo a espectros que presenten una relacin lineal en la regin de
absorcin fundamental en la grfica en funcin de .

En la figura 4.2 b) se muestra el ajuste de Tauc, en el cual se ha graficado la expresin en

funcin de y donde se ha realizado una extrapolacin en la regin lineal de los espectros. La
interseccin con el eje de energa proporciona el valor del ancho de banda segn el modelo de
Tauc (ETauc).

48
 E04
10

Log() x10 (cm )

-1
4 Corrimiento
1

0.1 a)

10
Ajuste de Tauc
8
)
-1/2
cm

6
1/2
(10 eV

4
1/2
(E)

2
b)
0
1 2 3 4 5
Energa del fotn (eV)

Figura 4.2 Coeficiente de absorcin en escala logartmica en funcin de la energa de los fotones, de
las pelculas depositadas sobre substratos de CaF2 y crecidas con flujos de 0, 5 y 15 sccm de
hidrgeno, E04 es el ancho de banda a), ajuste de Tauc mostrando una buena relacin lineal b).

En la tabla 4.2 se presentan los valores del ancho de banda obtenidos con las representaciones de
Tauc y E04. Las pelculas preparadas con hidrgeno presentan valores de ancho de banda
superiores a la pelcula sin hidrgeno, caracterstica que se atribuye a una saturacin de los
enlaces libres (Kalomiros, et al, 1994).

Tabla 4.2 Valores del ancho de banda de las pelculas segn el modelo de Tauc y el valor E04.
Pelculas ETauc (eV) E04 (eV)
0 sccm H2 1.891 0.012 2.199
5 sccm H2 2.422 0.017 2.55
15 sccm H2 2.597 0.023 2.796

49
4.3. Estudio de la influencia del tratamiento trmico.
Las pelculas de a-SiC y a-SiC:H fueron tratadas trmicamente dentro de un tubo de cuarzo
mantenido a baja presin. Las temperaturas de trabajo fueron de 300 a 700 C en pasos de
100 C durante 15 minutos cada uno. En las grficas usaremos la notacin AG (as grown) para
las pelculas sin tratamiento trmico.
10 10

8 8
Transmitancia (%)

6 6

4 4

2 2
a)
0 0
8 8
0 sccm 5 sccm 15 sccm

6 AG 6
300C
10 (cm )
-1

400C
4 500C 4
4

600C
700C
2 2

b)
0 0

2.1 2.1

2.0 2.0
n

1.9 1.9
c)

1.8 1.8

300 450 600 750 900 300 450 600 750 900 300 450 600 750 900
Longitud de onda (nm)
Figura 4.3 Espectros de transmitancia a), coeficiente de absorcin b), e ndice de refraccin c), en
funcin de la longitud de onda de las pelculas depositadas sobre substratos de CaF 2 y crecidas con
flujos de 0, 5 y 15 sccm de hidrgeno. Las pelculas fueron tratadas trmicamente de 300 a 700 C en
pasos de 100 C.

50
La figura 4.3 a) rene todos los espectros de transmisin en funcin de la longitud de onda de las
muestras preparadas con flujo de 0, 5 y 15 sccm de hidrgeno, las cuales posteriormente fueron
sometidas a tratamientos trmicos controlados hasta temperaturas de 700 C. A partir de estos
espectros se han encontrado los coeficientes de absorcin (figura 4.3 b). Los espectros del
coeficiente de absorcin muestran una disminucin en el borde de absorcin cuando la pelcula
es tratada trmicamente. Este comportamiento se observa hasta los 500 C para la pelcula sin
hidrgeno y 400C para las pelculas hidrogenadas, a partir de esta temperatura los bordes de
absorcin vuelven a aumentar. Los ndices de refraccin de las pelculas en estudio se muestran
en la figura 4.3 c). El ndice de refraccin de la pelcula sin hidrgeno tiene un comportamiento
aleatorio, mientras que para el caso de las pelculas hidrogenadas, este disminuye con el
tratamiento trmico hasta los 600C y para temperaturas mayores empieza a incrementar.

Por debajo de la regin de Tauc el coeficiente de absorcin obedece la regla emprica de Urbach
( exp ). Para los fines de este trabajo utilizaremos una variante conocida como
el modelo de Cauchy-Urbach.
exp 4.3.1

Aqu, , son casi independientes de la energa por lo cual son consideradas como constantes,
y es la pendiente de Urbach, parmetro que contiene informacin del grado de desorden
inducido por la ausencia de simetra, as como de defectos y otros estados localizados dentro de
la banda prohibida (Morigaki, 1999). Si rescribimos est ecuacin en escala logartmica y
definimos y se obtiene:

4.3.2

Aqu tenemos la ecuacin de una curva de intercepto y pendiente . En esta

ecuacin no es posible hacer un ajuste ya que los valores y estn relacionados por la
constante , por lo tanto, pueden tomar cualquier valor. Sin embargo, si dos o ms curvas que
cumplen con la ecuacin 4.3.2 comparten el punto ( ), entonces el ajuste de curva sera
posible. Siguiendo este procedimiento se ha realizado un ajuste de todos los espectros del
coeficiente de absorcin de las pelculas, las cuales han sido calentadas a diferentes temperaturas

51
 0.9
11.2

1/(eV)
0.8
0.7
3.26 eV
0.6
10.4 0.5
400 600
Temperatura (C)

9.6

8.8

8.0 0 sccm a)

11.2 0.8
0.7 3.59 eV
1/(eV)

0.6
10.4 0.5
0.4
25 400 600
log (cm )

9.6 Temperatura (C)

-1

8.8

8.0

b)
7.2 5 sccm
11.2
0.8
0.7 3.63 eV
1/(eV)

0.6
10.4 0.5
0.4
25 400 600
9.6 Temperatura (C)

8.8

8.0

c)
7.2 15 sccm
2.0 2.4 2.8 3.2 3.6
Energa del fotn (eV)

Figura 4.4 Coeficiente de absorcin en escala logartmica en funcin de la energa de los fotones de
las pelculas depositadas sobre substratos de CaF2 y crecidas con concentraciones de 0sccm a), 5sccm
b) y 15 sccm c) de hidrgeno. Los espectros fueron tratados trmicamente de 300 C a 700 C en
pasos de 100C por 15 minutos cada uno. El foco de Urbach fue determinado a partir de un ajuste
global realizado con todos los espectros de absorcin de cada pelcula. En las grficas insertas se
muestra el cambio de la energa de Urbach en funcin de la temperatura del tratamiento trmico.

52
Al graficar versus de todas las medidas calentadas de 300 a 700 C (ver figura 4.4), se
nota que estos espectros convergen en el punto , donde es llamado el foco de
Urbach, el cual ha sido observado experimentalmente y es considerado como una constante
(Zhang, et al., 1992), para calcular los valores de los parmetros , y se realiza un ajuste a
la grfica versus de las medidas a diferentes temperaturas. En este ajuste los parmetros
y se asumen constantes del material, por lo que no deberan cambiar por el tratamiento
trmico, pero si con el flujo de hidrgeno. El ancho de banda ECU es determinado restando la
energa de Urbach al parmetro en cada medida.

En la figura 4.4 a) se muestra el ajuste global de la pelcula de a-SiC, en la cual no se ha

considerado el espectro de absorcin medido a temperatura ambiente, debido a que se observa
que aparentemente no contiene el foco. El punto de convergencia encontrado fue de (E0,0)=
(3.260.02 eV, 1.21 104 1.03 cm-1). En la grfica inserta en la figura 4.4 a), se muestra
versus la temperatura del tratamiento trmico. Se observa una disminucin de cuando la
pelcula es calentada, este comportamiento se observa hasta los 500 C.

En los ajustes de las pelculas con 5 sccm (figura 4.4 b) y 15 sccm (figura 4.4 c) flujo de
hidrgeno se han considerado todos los espectros. Los puntos de convergencia obtenidos fueron:
(E0,0)= (3.590.01 eV, 1.58 104 1.03 cm-1) y (E0,0)= (3.630.01 eV, 1.12 104 1.02 cm-1).
En ambos casos la energa de Urbach disminuye con la temperatura de tratamiento trmico hasta
los 400 C. El foco de Urbach calculado es mayor para la pelcula que fue preparada con mayor
flujo de hidrgeno. En general las pendientes del coeficiente de absorcin de la figura 4.4
disminuyen con el tratamiento trmico y al mismo tiempo lo hacen las colas de Urbach. Este
comportamiento sucede hasta los 400 500 C de tratamiento trmico, lo cual sugiere que el
desorden disminuye hasta esta temperatura.

Por ltimo, se ha encontrado el foco de Urbach para todas las pelculas estudiadas, cuyos valores
son. 3.260.02 eV (0 sccm de H2), 3.590.01 eV (5 sccm de H2), 3.630.01 eV (15 sccm de H2)
Comparando estos valores, es posible apreciar que la energa del foco de Urbach aumenta con el
incremento de flujo del gas hidrgeno durante el proceso de deposicin

53
Ahora se va analizar las implicancias del foco de Urbach, para ello se reemplaza el valor E04 en
la ecuacin Urbach.

exp 4.3.3

En escala logartmica se obtiene lo siguiente:

4.3.4

En esta ecuacin los parmetros y estn relacionados linealmente, siempre que que
caiga dentro de la regin de Urbach. El la figura 4.5 se ha realizado las graficas de la ecuacin
4.3.4 de las tres pelculas estudiadas. Se observa una buena dependencia lineal en los tres casos.

3.2

E04 = 3.53 - 1.04EU

E04 = 3.39 - 1.14EU
3.0
E04 = 3.08 - 0.84EU

2.8
E04 (eV)

2.6

0 sccm H2
2.4
5 sccm H2
15 sccm H2

0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

EU (eV)

Figura 4.5 Dependencia del valor E04 en funcin de la energa de Urbach EU de las pelculas crecidas
con de 0, 5 y 15 sccm de flujo de hidrgeno mostrando una buena dependencia lineal.

54
Es importante recalcar que los valores de intercepto son parecidos a los valores del los focos de
Urbach encontrados (ver tabla 4.3), con una diferencia de 0.2 eV el cual puede ser atribuido
debido a que el ajuste se realizo con pocos puntos.

Tabla 4.3 Comparacin de los valores del del foco de Urbach y el valor .
Pelculas Foco de Urbach (eV) (eV)
0 sccm H2
5 sccm H2
15 sccm H2

En la figura 4.6 se ha graficado el ancho de banda versus la temperatura del tratamiento trmico,
correspondiente a las pelculas de a-SiC y a-SiC:H. El ancho de banda fue calculado por tres
caminos diferentes, el modelo de Tauc, el modelo ECU y el valor E04, obtenindose valores
diferentes en cada caso. En principio los modelos pueden no dar el valor del ancho de banda
absoluto pero si una representacin de l.

0 sccm 5 sccm 15 sccm

3.2 4H-SiC

6H()-SiC
Ancho de Banda (eV)

2.8

2.4 3C()-SiC

ETauc
E04
2.0
ECU

AG 400 600 AG 400 600 AG 400 600

Temperatura (C)

Figura 4.6 Ancho de banda en funcin de la temperatura del tratamiento trmico de las pelculas
depositadas sobre substratos de CaF2 y crecidas con de 0, 5 y 15 sccm de flujo de hidrgeno. El ancho
de banda fue determinado por el modelo de Tauc, usando los parmetros obtenidos a partir del
modelo de Cauchy-Urbach y el valor E04.

55
El ancho de banda se incrementa con la incorporacin de hidrgeno en la matriz amorfa de SiC.
Se observa un ancho de banda mayor cuando el material es producido con un flujo mayor de
hidrgeno. En este caso el ancho de banda incrementa mediante la saturacin de los enlaces
libres por los tomos de hidrgeno.

El ancho de banda tambin aumenta con el tratamiento trmico hasta los 400 500 C. Esto se
debe al reordenamiento de los tomos en la matriz amorfa de las pelculas. Asimismo, se observa
que el cambio del ancho de banda versus la temperatura de tratamiento trmico presentan un
comportamiento similar en los tres modelos utilizados para su clculo: un aumento hasta los 400
500C y una reduccin para mayores temperaturas. Diversos trabajos de investigacin han
estudiado el comportamiento solo de pelculas de a-SiC:H y estos aseguran que la disminucin
del ancho de banda se debe a la difusin de hidrogeno en la pelcula (Zhu F, et al., 2010; Kim, et
al., 2002). Deacuerdo a la figura 4.6 se observa que la cada del ancho de banda sucede en ambos
materiales, a-SiC y a-SiC:H. por lo que se puede concluir que la cada del ancho de banda no
solo se debe a la difusin de hidrogeno fuera del material, sino tambin es una caracterstica
propia del SiC amorfo.

56
CAPTULO V
5. Conclusiones.
En la presente tesis se ha realizado un estudio sistemtico de las propiedades pticas de pelculas
delgadas de a-SiC y a-SiC:H. El trabajo est centrado bsicamente en entender los efectos de la
influencia del hidrgeno en la matriz amorfa del SiC, controlando el flujo de hidrgeno durante
el proceso de deposicin. Luego se han analizado los cambios producidos en las constantes
pticas de las pelculas cuando estas son sometidas a tratamientos trmicos controlados,
especficamente el ancho de banda. As mismo, se reporta la existencia del foco de Urbach y la
dependencia de este con el flujo de hidrgeno incorporado en la matriz amorfa de SiC.

Preparacin de las pelculas: Se ha logrado preparar pelculas delgadas de a-SiC y a-SiC:H

mediante la tcnica pulverizacin catdica de radiofrecuencia reactiva en una atmsfera de
argn-hidrgeno, en la cual se ha variado el flujo de gas de hidrgeno y el tiempo de deposicin.
Las pelculas hidrogenadas requieren mayor tiempo de deposicin, ya que los tomos de
hidrgeno son muy livianos. Con el fin de mantener condiciones similares de deposicin la
presin total se mantiene disminuyendo el flujo de argn. Debido a esto la tasa de deposicin es
menor al incrementar la presin parcial de hidrgeno en la atmsfera durante el proceso de
deposicin por lo que el tiempo de deposicin se incrementa con el fin de obtener pelculas
delgadas con espesores similares.

Caracterizacin y determinacin de las constantes pticas: Se han encontrado los parmetros

pticos de las pelculas de a-SiC y a-SiC:H mediante medidas de transmitancia ptica en
incidencia normal. A travs del espectro obtenido y usando el mtodo propuesto por Guerra, se
ha calculado el espesor, ndice de refraccin y coeficiente de absorcin de las pelculas. Luego, a
partir de la regin fundamental del coeficiente de absorcin se determin el ancho de banda.

Estudio del ancho de banda: Se ha determinado el ancho de banda ptico de las pelculas de
a-SiC y a-SiC:H empleando diferentes representaciones del coeficiente de absorcin. Se ha
calculado el ancho de banda de Tauc, el valor E04, el foco de Urbach y el ancho de banda ECU. Es
importante resaltar que el clculo del ancho de banda con el modelo de Tauc fue posible ya que

57
el coeficiente de absorcin de las muestras en la representacin de Tauc presentan una relacin
lineal (ver figura 4.2).

Estudio del ancho de banda en funcin del contenido de hidrgeno: Se ha encontrado que la
incorporacin de hidrgeno en la matriz del SiC amorfo, induce el incremento del ancho de
banda a travs de la pasivacin de los enlaces libres por los tomos de hidrgeno. Los valores del
ancho de banda aumentan de 1.9 a 2.4 eV segn el modelo de Tauc con la incorporacin de
hidrgeno (ver tabla 4.2).

Estudio del ancho de banda en funcin de la temperatura del tratamiento trmico: El

tratamiento trmico induce el incremento de ancho de banda a partir del reordenamiento de los
tomos en la matriz amorfa. Se aprecia que el ancho de banda de las pelculas de a-SiC y
a-SiC:H en funcin de la temperatura presenta el mismo comportamiento aumento del ancho de
banda hasta 500 C (para la pelcula de a-SiC) y 400 C (para las pelculas de a-SiC:H), lo cual
sugiere que estas son las temperaturas ptimas del tratamiento trmico. A partir de estas
temperaturas, el ancho de banda disminuye independientemente del modelo usado para su
clculo.

Por ltimo, se ha encontrado el foco de Urbach para todas las pelculas estudiadas, cuyos valores
son de 3.260.02 eV (0 sccm de H2), 3.590.01 eV (5 sccm de H2), 3.630.01 eV (15 sccm de
H2). Comparando estos valores, es posible apreciar que la energa del foco de Urbach aumenta
con el incremento de flujo del gas de hidrgeno durante el proceso de deposicin.

58
CAPTULO VI
6. Referencias.
6.1 Artculos publicados en revistas arbitradas.
Guerra J. A., Montaez L., Erlenbach O., Galvez G., De Zela F., Winnacker A., Determination
of the optical bandgap and disorder energies of thin amorphous SiC and AlN films
produced by radio frequency magnetron sputtering, J. of Phys. Conf. Ser. 274 (2011) 1.
Montaez L., Guerra J. A., Kreppel S., De Zela F., Winnacker A., Weingrtner R., The effect of
the annealing temperature on the optical and vibrational properties of a-SiC and
a-SiC:H. Adv. Mater. (Artculo en proceso de publicacin).
Guerra J. A., Tucto K., Montaez L., Steidl M., Weingrtner R., De Zela F., Winnacker A.,
Optical constants and thickness determination of dielectric thin films from single optical
transmission measurements: an enhancement of the envelope method and a confidence
analysis, J. of Phys. D: Appl. Phys. (Artculo en proceso de publicacin).

6.2 Artculos relacionados al trabajo de tesis presentado.

Brodsky M. H., Title R. S., Weiser K., Pettit G. D., Structural, optical, and electrical
properties of amorphous silicon films, Phys. Rev. 1 (1970) 2632.
Bullot J., Schmidt M. P., Physics of Amorphous Silicon-Carbon Alloys Phys. Stat. Sol. (b) 143
(1987) 345.
Chambouleyron I, Martnez J. M, Moretti A. C., Mulaton, Retrieval of optical constants and
thickness of thin films from transmission spectra, Appl. Opt. 36 (1997) 8238.
Cohen & Tannoudji, Vol 2 1977, Quantum Mechanics, (John Wiley & Sons).
Conde J. P., Chu V., Da Silva M. F., Kling A., Dai Z., Soares J. C., Arekat S., Fedorov A.,
Berberan M. N., Giorgis F., Pirri C. F., Optoelectronic and structural properties of
amorphous silicon-carbon alloys deposited by low-power electron-cyclotron resonance
plasma-enhanced chemical-vapor deposition, J. Appl. Phys. 85 (1999) 3327.
Faraldos M., 2002 Tcnicas de anlisis y caracterizacin de materiales, (Madrid: Consejo
superior de investigaciones cientficas).
Gerhardt R., 2011 Properties and applications of silicon carbide, (Published by InTech).
Guerra J. A., 2010 Determination of the Optical Bandgap of thin amorphous (SiC)1-x(AlN)x
films (Lima: Tesis Pontificia Universidad Catlica del Per).

59
Grosso & Pastori, 2000, Solid State Physics, (Academic Press).
Jayant B., 2005, Silicon carbide power devices, (Word scientific publishing).
Kalomiros J. A., Papadopoulos A., Logothetidis S.,Optical properties of -SiC:H thin films
grown by rf sputtering, Phys. Rev. B 49 (1994) 8191.
Kim Y., Cho S., Hong B., Suh S., Jang G., Yoon D., Annealing effects on the optical properties
of a-SiC:H films deposited by PECVD Mat Transac. 8 (2002) 2058.
Macleod H. A., 2001, Thin Film Optical Filters, (Bristol: Adam Hilger).
Morigaki K., 1999, Physics of amorphous semiconductors, (London: World Scientific
Publishing Company).
Mott & Davis, 1971, Electronic processes in non-crystalline materials, (Clarendon press
Oxford).
Pereyra I. Villacorta C. A., Carreo M. N. P., Prado R. J., Fantini M. C. A., Braz. Highly
ordered amorphous silicon-carbon alloys obtained by RF PECVD, J. Phys. 30 (2000)
533.
Petrich M. A., Gleason K. K., Reimer J. A., Structure and properties of amorphous
hydrogenated silicon carbide, Phys. Rev. B 36 (1987) 9722.
Poelman D. & Smet P. F., Methods for the determination of the optical constants of thin films
from single transmission measurements: a critical review, J. Phys. D: Appl. Phys. 36
(2003) 1850.
Seshan K, 2002, Handbook of thin-film deposition processes and techniques, (William
Andrew publishing).
Singh J., 2006, Optical properties of condensed matter and applications, (John Wiley & Sons,
Ltd).
Singh J. & Shimakawa k., 2003, Advances in amorphous semiconductors, (Taylor & Francis)
Skoog D. A., Holler F. J., Crouch S. R., 2007, Principles of instrumental analysis, (Thomson).
Street R. A., 1991 Hydrogenated silicon carbide, (Cambridge solid state science series).
Sutton A., 1993, Electronic Structure of Materials, (Oxford University Press).
Swanepoel R., Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon, J.
Phys E. Sci. Instrum. 16 (1983) 1214.
Tauc J., Optical properties and electronic structure of amorphous Ge and Si, Res. Bull. 3
(1968) 37.

60
Urbach F.,The Long-Wavelength Edge of Photographic Sensitivity and of the Electronic
Absorption of Solids Phys. Rev. 92 (1953) 1324.
Wassa K., Kitabatake M. Adachi H., 2004 Thin Film Materials Technology, (William Andrew
publishing).
Weaire, Existence of a gap in the electronic density of state a tetrahedrally bonded solid
arbitrary structure, Phys. Rev. Lett. 26 (1971) 1541.
Wijesundara M. & Azevedo R., 2011, Silicon carbide Microsystems for harsh environments,
(Springer).
Yoon Soo Park, 1998, SiC Materials and Devises, Vol. 52 (Academic Press).
Yu Y, 2004, Fundamentals of Semiconductors Physics and Materials Properties (Springer,
3rd Ed.).
Zhang F., Xue H., Song Z., Guo y., Chen G., Effect of high-temperature annealing on the
optical-absorption edge of hydrogenated amorphous silicon-carbon films, Phys. Rev. B
46 (1992) 4590.
Zhu F., Hu J., Matulionis I., Deutsch T., Gaillard N., Miller E., Madan A., Amorphous silicon
carbide photoelectrode for hydrogen production from water using sunlight, Solar
Energy Book. (2010) 353.

61