05/10/2013

Université Abdelmalek Essaâdi

Ecole Nationale des Sciences Appliquées - Tanger Sommaire

Chapitre 1 : Transistor bipolaire (TB)

Chapitre 2 : Transistor à effet du champ (TEC)

Chapitre 3 : Amplificateur opérationnel (AOP)

Chapitre 4 : Oscillateurs

Pr. Ahmed EL OUALKADI

ahmed.eloualkadi@ieee.org

1ière année du cycle d’ingénieur

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Année universitaire : 2013/2014

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Généralités sur les transistors bipolaires

Sommaire
Structure et constitution
Les transistors bipolaires sont constitués par deux jonctions PN assemblées.

Description de la structure du transistor NPN

Chapitre 1 : Transistor bipolaire (TB)
La structure du transistor est divisée en 3 régions :

Chapitre 2 : Transistor à effet du champ (TEC) La région I : est constituée de semi-conducteur

extrinsèque de type N fortement dopé. C’est
l’émetteur (E).
Chapitre 3 : Amplificateur opérationnel (AOP)
Transistor NPN La région II : est constituée de semi-conducteur
extrinsèque de type P faiblement dopée et de surface
Chapitre 4 : Oscillateurs mince. C’est la base (B).

La région III : est constitué de semi-conducteur

extrinsèque de type N moyennement dopé et de
surface très étendue. C’est le collecteur (C).

3 Transistor PNP 4

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Généralités sur les transistors bipolaires Généralités sur les transistors bipolaires

Symbole du transistor bipolaire L’effet transistor :

Il aura lieu en fonctionnement normal, c'est-à-dire lorsque la jonction JBE est
polarisée en direct et la jonction JBC est polarisée en inverse par les
générateurs de polarisation UBE et UBC
Diffusion des charges
majoritaires de E vers C :
Transistor NPN Transistor PNP Effet transistor

Fonctionnement du transistor bipolaire

La polarisation du transistor et régimes de fonctionnement :
Polariser le transistor c’est de polariser les deux jonctions JBE et JBC par deux
générateurs de tension continue, soit respectivement UBE et UBC suivant la polarisation
des deux jonctions, on définie quatre régimes de fonctionnement du transistor :
Fonctionnement :
Fonctionnement Transistor bloqué :
On obtient ce fonctionnement lorsqu’on polarise JBE et JBC en inverse.
UBE polarise la jonction JBE en direct (courant IB), il y a diffusion des charges
Fonctionnement Transistor saturé : majoritaires de l’émetteur (les électrons libres pour le NPN, les trous libres pour
On l’obtient lorsqu’on polarise JBE et JBC en direct. le PNP) vers la base, trouvant peu de trous dans celle-ci, il y a peu de
Fonctionnement inversé : recombinaisons (courant IB). La majorité des charges de l’émetteur se trouvant
Lorsqu’on polarise, la jonction JBE en inverse et JBC en direct. au niveau de la jonction JBC polarisée en inverse et ou règne un champ
Fonctionnement normal (linéaire) : électrique EBC dirigé vers la base qui attire ces charges dans le collecteur. Il y a
On obtient ce fonctionnement lorsque la jonction JBE est polarisée en direct et la jonction naissance d’un courant de collecteur IC dirigé vers le collecteur (sens contraire
JBC est polarisée en inverse.
5 du mouvement des électrons). 6

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Généralités sur les transistors bipolaires

Réseau de caractéristiques d’un transistor bipolaire
L’effet transistor :
Il résulte de ce fonctionnement les relations suivantes : Ces caractéristiques paramétriques sont relevées avec le transistor monté en
émetteur commun par le montage suivant :
VCE=VBE+VCB

IE=IC+IB

Le gain de courant en émetteur commun

Le gain de courant en base commune

Relations entre α et β :

Dépendance du courant IC de la température T :

Le courant de fuite ICB0 (Emetteur en l’air) dépend de la température T. Il double
tous les 10°C pour le Germanium et tous les 6°C pour le Silicium. Le courant IC
dépend de la température par la relation :
IC = β IB + (β+1) ICB0
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On relève le réseau de caractéristiques C1, C2, C3 et C4 :

C1 : réseau de caractéristique de sortie IC=F(VCE, IB=cte) Réseau de caractéristiques d’un transistor bipolaire
C2 : réseau de caractéristique d’entrée VBE=F(IB, VCE=cte)
C3 : réseau de caractéristique de transfert de courant IC=F(IB, VCE=cte)
C4 : réseau de caractéristique de transfert de tension VBE=F(VCE, IB=cte)
Remarque :

D’après les courbes des caractéristiques (C1, C2, C3 et C4) du transistor,

on peut dire que le transistor est un élément actif non linéaire hors son
utilisation nécessite un fonctionnement linéaire.

C’est le rôle de la polarisation du transistor qui fixe un point de

fonctionnement au tour du quel le transistor sera considéré comme un
élément actif linéaire.

Le choix des valeurs de IC et VCE ne doit jamais dépasser la courbe de

puissance PMAX du transistor. Si cela arrive le transistor s’échauffe et se
détériore.

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Polarisation et point de fonctionnement d’un transistor bipolaire

Polarisation et point de fonctionnement d’un transistor bipolaire

Le transistor est un élément actif non linéaire, pour fonctionner en élément

(quadripôle) linéaire, il est nécessaire de définir et réaliser un point de
fonctionnement défini par des grandeurs continus (ou statiques) (IC0, VCE0, IB0
et VBE0) autour du quel le transistor peut évoluer dynamiquement suivant des
petites variations des grandeurs (tensions, courants) qui le caractérisent.

Point de fonctionnement
Polarisation à deux sources continues
- La source continue VCC polarise la sortie du transistor
Il est fixé par une ou plusieurs sources de signaux continus et des résistances - La résistance RC fixe et limite le courant IC de sortie du transistor
permettant de donner à VCE, IC, IB et VBE des valeurs constantes et fixes soit : - La maille de sortie du transistor est constituée du transistor T de la source à courant
IC0, VCE0, IB0 et VBE0 continu VCC et de la résistance RC. cette maille de sortie définie la droite de charge
statique du transistor tel que IC=F(VCE, RC, et VCC)
- La source continue VBB polarise l’entrée du transistor
- La résistance RB fixe et limite le courant IB d’entrée du transistor
- La maille d’entrée du transistor est constituée du transistor T de la source à courant
continu VBB et de la résistance RB. cette maille d’entrée définie la droite d’attaque
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statique du transistor tel que VBE=F(IB, RB et VBB)

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Polarisation et point de fonctionnement d’un transistor bipolaire Polarisation et point de fonctionnement d’un transistor bipolaire

Détermination du point de fonctionnement (PF) du transistor : IC0, VCE0, IB0 et VBE0

On dispose du réseau de caractéristiques du transistor et des droites de charge
et d’attaque du transistor le point de fonctionnement est déterminé
graphiquement par le tracé des deux droites sur le réseau de caractéristiques.

Calcul et détermination du point de fonctionnement du transistor

Droite de charge (maille de sortie) : IC = (VCC - VCE) / RC

Droite d’attaque (maile d’entrée) : VBE = VBB - RB IB

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Polarisation et point de fonctionnement d’un transistor bipolaire Polarisation automatique à une source

Le but est d’utiliser une seule source de polarisation en l’occurrence VCC qui
fournira l’énergie à l’entrée et à la sortie du transistor et de ce fait on
économisera la source VBB.
Remarque :
Les différents schémas de polarisation automatique sont :
Si on dispose par du réseau de caractéristiques du transistor et c’est - Polarisation automatique avec résistance à la base
généralement le cas alors on fixe deux paramètres (exemple : VCE0= et - Polarisation automatique avec pont de résistances
VBE0=) et on calcul IC0 et IB0 en utilisant les droites d’attaque et de charge. - Polarisation automatique avec résistance au collecteur
C’est la méthode algébrique.
Remarques :
Quelque soit le schéma de polarisation automatique, on peut toujours retrouver le
schéma de polarisation à deux sources par application du théorème de
Thevenin.
Il existe d’autres variantes des différentes polarisations automatiques obtenues
par l’ajout d’une résistance RE à l’émetteur E et qui jouera différents rôles en plus
de la polarisation..

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Polarisation automatique avec résistance à la base Polarisation automatique avec pont de résistances

Equations du circuit :

Maille de sortie : VCC = VCE + RC IC

Equations du circuit :
Droite de charge :IC = (VCC - VCE) / RC
Maille de sortie : VCC = VCE + RC IC
Maille d’entrée : VBE=VRB2=RB2I2
Droite de charge :IC = (VCC - VCE) / RC
VRB1=VCC - RB2I2= RB1I1
I1=I2+IB
Maile d’entrée : VBE=VCC-RBIB I2=10 IB
IC=βIB=αIE IC=βIB=αIE
IE=IC+IB IE=IC+IB
Droite d’attaque : VBE=VCC-RBIB Droite d’attaque : VBE=K VCC-RBIB
avec K=RB2/(RB2+RB1), RB=k RB1

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Fonctionnement du transistor bipolaire en régime variable ou dynamique

Polarisation automatique avec résistance au collecteur
Le fonctionnement du transistor bipolaire en régime variable ou dynamique,
suppose que le transistor est polarisé en un point de fonctionnement PF défini
par les valeurs de IC0, VCE0, IB0 et VBE0. C’est le régime statique du transistor.
Equations du circuit :
Pour superposer le régime dynamique au régime statique, on applique à l’entrée
Maille de sortie : VCC = VCE + RC I du montage un générateur de signaux variables.
VCE = VCC - RC I = VCC – (β+1) RC IB
I=IE=IC+IB
Droite de charge :IC = α (VCC - VCE) / RC

Maile d’entrée : VRB=VCE – VBE= RBIB

IC=βIB=αIE
IE=IC+IB
Droite d’attaque : VBE=VCC - ((β+1) RC + RB) IB

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Fonctionnement du transistor bipolaire en régime variable ou dynamique Fonctionnement du transistor bipolaire en régime variable ou dynamique

iB(t), vBE(t), vCE(t) et iC(t) sont des grandeurs instantanées (grandeurs continues + Droite d’attaque dynamique
grandeurs variables). C’est une droite qui se déplace parallèlement (pente 1/RB) entre deux limites
IC0, VCE0, IB0 et VBE0 sont des grandeurs continues de polarisation. fixées par les valeurs max et min de eb(t). Elle est déterminée par la maille
ib(t), vbe(t), vce(t) et ic(t) sont des grandeurs dynamiques qui varient autour des d’entrée du montage
grandeurs continues correspondantes : VBE(t)=VBB+eb(t)-RB iB(t)
ib(t)=(∆iB(t)/∆t) lorsque IB0=cte iC(t)=IC0+ic(t)
ic(t)=(∆iC(t)/∆t) lorsque IC0=cte iB(t)=IB0+ib(t) Droite de charge dynamique
vbe(t)=(∆vBE(t)/∆t) lorsque VBE0=cte vCE(t)=VCE0+vce(t) Cette droite de charge dynamique se détermine à partir de l’étude des schémas
vce(t)=(∆vCE(t)/∆t) lorsque VCE0=cte vBE(t)=VBE0+vbe(t) en régime dynamique des montages à base du transistor bipolaire.
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Différents types de schémas d’un montage à transistor
Un schéma de montage à transistor se décompose en deux schémas qui se
superposent :
Un schéma statique de polarisation du
transistor: On l’obtient en éliminant le
générateur de signaux dynamiques eb(t) du
montage (on court-circuite un générateur
de tension et on ouvre un générateur de
courant).
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Comportement dynamique du transistor : schéma équivalent du transistor
Dans le schéma dynamique équivalent on remarque que le transistor est utilisé
comme un quadripôle. Dans les montages électroniques le transistor sera utilisé
Un schéma dynamique
suivant trois montages fondamentaux :
équivalent: On l’obtient en court-
circuitant les générateurs de Le montage base
Le montage émetteur Le montage collecteur
polarisation du montage commune (BC) : ou
commun (EC) : ou l’entrée commun (CC) : ou
l’entrée du transistor est
du transistor est la base l’entrée du transistor
l’émetteur par rapport à
par rapport à l’émetteur et est la base par rapport
la sortie est le collecteur au collecteur et la la base et la sortie est le
par rapport à l’émetteur. sortie est l’émetteur par collecteur par rapport à la
rapport au collecteur. base.
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Schéma électrique équivalent du transistor bipolaire Schéma électrique équivalent du transistor bipolaire

Dans les montages précédentes le transistor est considéré comme un quadripôle

et suite à l’étude des quadripôles différents schémas et matrices associées
peuvent représenter le comportement électrique de ces quadripôles.

Pour le transistor, on utilisera le schéma équivalent hybride et la matrice hybride

associée.

Pour le montage EC dont le schéma et les paramètres hij sont les plus utilisés :
D’après le schéma de la figure, on a: vbe=h11e ib+ h12e vce
ic=h21e ib + h22e vce

h11e=(vbe/ib) pour vce=0 h11e est l’impédance d’entrée du transistor en ohm (Ω)
h21e=(ic/ib) pour vce=0 h21e est le gain en courant du transistor (sans unité)
h12e=(vbe/vce) pour ib=0 h12e est le taux de réaction de la sortie sur l’entrée (sans unité)
h22e=(ic/vce) pour ib=0 h22e est l’admittance de sortie du transistor en siemens.

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Schémas équivalents simplifiés

Remarques importantes :
L’influence du paramètres h12e sur le comportement dynamique du transistor est
Les paramètres hij sont ainsi définis ci-dessus dépendent du point de négligeable cela se traduit par la première simplification du schéma équivalent,
fonctionnement statique du transistor puisque : qui devient :

vbe=∆VBE varie autour de VBE0 h11e=(∆VBE/∆IB) pour VCE0=cte

vce=∆VCE varie autour de VCE0 h21e=(∆IC/∆IB) pour VCE0=cte
ic=∆IC varie autour de IC0 h12e=(∆VBE/∆VCE) pour IB0=cte
ib=∆IB varie autour de IB0 h22e=(∆IC/∆VCE) pour IB0=cte D’après le schéma de la figure, on a: vbe=h11e ib , ic=h21e ib + h22e vce

Pour les montages CC et BC, on définit respectivement les hijc et les hijb de la Le paramètre h22e, l’admittance de sortie est très faible ce qui correspond à une
même façon. impédance de sortie très grande et de ce faite l’influence de h22e sur le
comportement dynamique est négligeable et de ce fait on peut opérer une
Il existe des relations de passage entre les différentes hij. simplification du schéma équivalent du transistor et dans ce cas le schéma
équivalent du transistor devient :
Dans les fiches techniques qui sont en anglais les hij sont appelés :
h11e hie(input) ordre de grandeur: 500Ω à 5KΩ D’après le schéma de la figure
h21e hfe(forward) ordre de grandeur 100 à 500 on a:
h12e hre(reverse) ordre de grandeur 4 10-4 à 5 10-5
vbe=h11e ib
h22e hoe(output) ordre de grandeur 4 10-4 à 5 10-5 siemens
27 ic=h21e ib 28

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Amplificateurs à transistors Les paramètres dynamiques d’un amplificateur

Un amplificateur à transistor est un montage électronique qui amplifie les
amplitudes d’un signal appliqué à son entrée et fourni par un générateur de
signaux.
L’amplificateur ne modifie ni la forme ni les fréquences utiles du signal d’entrée.
On dira que l’amplificateur est linéaire : la structure d’un amplificateur est
donnée par le schéma synoptique de la figure suivante:
Différents paramètres dynamiques caractérisent le comportement dynamique
de l’amplificateur. Leurs connaissances est primordiale pour l’utilisation de
l’amplificateur. Ils sont définis à partir des signaux d’entrée et de sorties
dynamiques de l’amplificateur.

L’amplification en tension (le gain en tension) : AV, AVc

L’amplification en tension de l’amplificateur à vide (AV) ou en charge (AVc) est
définie par le rapport de la tension de sortie vs sur la tension d’entrée ve de
l’amplificateur :
AV=(vs/ve) pour ZL=∞
AVc=(vs/ve) pour ZL finie (connue)
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Les paramètres dynamiques d’un amplificateur Les paramètres dynamiques d’un amplificateur

L’impédance de sortie : Zs
L’amplification en courant (ou gain en courant) : Ai L’impédance de sortie de l’amplificateur Zs est définie par le rapport de la
L’amplification en courant de l’amplificateur est définie par le rapport du courant tension de sortie vs sur le courant de sortie is.
de sortie is sur le courant d’entrée ie de l’amplificateur : Zs=(vs/is) pour eg=0
Ai=(is/ie) Zs est l’impédance vue par la charge ZL

L’amplification de puissance (ou gain en puissance) : AP La bande passante fréquentielle de l’amplificateur : BP

L’amplification de puissance de l’amplificateur est définie par le rapport de la Quelque soit l’amplificateur considéré, il sera toujours défini par sa bande
puissance de sortie Ps fournie à la charge sur la puissance fournie à l’entrée de passante fréquentielle qui représente l’ensemble des fréquences utiles du
l’amplificateur : Pe signal d’entrée ve et pour les quelles les différents paramètres définis en sus
Ps=vsis restent constants. Dans ce cas l’amplificateur joue le rôle d’un filtre caractérisé
Pe=veie par deux fréquences de coupure FCB (fréquence de coupure basse) et FCH
AP=(Ps/Pe)= (vs is/ve ie)= (vs /ve) (is/ie) = AV Ai (fréquence de coupure haute).
D’après la figure, on a :
L’impédance d’entrée : Ze
L’impédance d’entrée de l’amplificateur Ze est définie par le rapport de la
tension d’entrée ve sur le courant d’entrée ie. AV(FCB)dB=AV(FCH)dB=(AV0)dB - 3 dB
Ze=(ve/ie)
La bande passante BP est :
BP= FCH - FCB
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Etude dynamique des amplificateurs à transistor bipolaire

Schéma équivalent de l’amplificateur

Amplificateur émetteur commun (EC)

Le schéma de l’amplificateur est donné par :
Connaissant les paramètres dynamiques AV, Ai, Ze et Zs, on peut représenter
l’amplificateur par un schéma équivalent utilisant ces paramètres.

Le schéma le plus utilisé est celui utilisant les paramètres : AV, Ze et Zs.

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Etude dynamique des amplificateurs à transistor bipolaire Etude dynamique des amplificateurs à transistor bipolaire

Amplificateur émetteur commun (EC) Amplificateur émetteur commun (EC)

Le schéma équivalent dynamique de l’amplificateur est obtenu en arrangeant le

schéma dynamique précédent et en replaçant le transistor par son schéma
simplifié.

Schéma statique de l’amplificateur Schéma dynamique de l’amplificateur

Pour les petits signaux et dans la bande passante, les condensateurs ont des
impédances négligeables devant celles du circuit. 35 36

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Etude dynamique des amplificateurs à transistor bipolaire Etude dynamique des amplificateurs à transistor bipolaire

Amplificateur émetteur commun (EC) Amplificateur émetteur commun (EC)

Les relations du montage sont :

Pour le transistor on a :
vbe=h11e ib (1) Calcul du gain en tension AV
ic=h21e ib (h21e=β) (2)
Les autres relations du montage sont : On utilise les relations : [1], [2], [4], [5] et on trouve :
ie=i’+ib (3)
ve=vbe=RP i’ (RP=Rb1//Rb2) (4) AV=-h21e(RC/h11e)=-β(RC/h11e) pour RL=∞
RL=∞ l’amplificateur n’est pas chargé
eg=Rgie+ve (6) AVc=-h21e((RC//RL) / h11e)=-β ((RC//RL) / h11e) pour RL finie
ib = ie (RP / (Rp + h11e) (7)
is = - ic (RC / (RC + RL) (8)
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Etude dynamique des amplificateurs à transistor bipolaire Etude dynamique des amplificateurs à transistor bipolaire

Amplificateur émetteur commun (EC) Amplificateur émetteur commun (EC)

Calcul du gain en courant AI

Calcul de l’impédance d’entrée Ze
D’après les relations [2], [7] et [8] :
On utilise les relations : [2], [3], [4], et on trouve :
Le gain AI en charge :
Ze = ve/ie
AI=is/ie=(is/ic) (ic/ib) (ib/ie)
Ze = RP//h11e
-
Puisque RP>>h11e donc, Ze = h11e
Pour RP>>h11e AI = - h21e (RC / (RC + RL)
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Etude dynamique des amplificateurs à transistor bipolaire Etude dynamique des amplificateurs à transistor bipolaire

Amplificateur émetteur commun (EC) Amplificateur émetteur commun (EC)

Calcul de l’impédance de sortie Zs Conclusion

On considère le schéma dynamique équivalent alimentée par le générateur (eg,
Rg). on court-circuite le générateur eg (eg=0, générateur de tension, si L’amplificateur émetteur commun est :
générateur de courant en laisser ouvert). On remplace la charge RL par un
générateur qui fournie le courant is, sous la tension vs. On dira que le Un amplificateur inverseur (signe moins du gain AV)
générateur (vs, is) voit entre A et B la résistance Rs (impédance de sortie).
A Un amplificateur de tension AV >> 1

Un amplificateur avec une faible impédance d’entrée : Re ≈ h11e

Un amplificateur avec une grande impédance de sortie : Rs ≈ RC

B
D’après ces conditions :
eg = 0 ie = 0 ib = 0 ic = 0
is = ic + i0
vs = RC i0 = RC is Donc, Rs = RC

41 42

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