UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL, FACULTAD REGIONAL CÓRDOBA – ARGENTINA 1

Análisis de Topologías de Redes Snubber para Transistores de

Potencia en Fuentes Conmutadas
Juan Ignacio Morales
Estudiante Universidad Tecnológica Nacional, Facultad Regional Córdoba
morales.juan.ignacio@gmail.com

Resumen – El propósito de este trabajo es demostrar las

ventajas proporcionadas por las redes snubber aplicadas a
los dispositivos de conmutación de fuentes conmutadas. Se
abordarán distintas topologías que desempeñan diferentes
funciones y las ecuaciones que determinan el valor de los
componentes que conforman las redes, respaldadas por
circuitos prácticos y simulación de los mismos,
demostrando una mejora sustancial en el rendimiento de
los dispositivos de conmutación, posibilitando un aumento
de eficiencia de la fuente.
Abstract – The purpose of this paper is to demonstrate
the advantages provided by the snubber networks
implemented in the switching devices of switching power
supplies. Will approach different topologies that perform
different functions and the equations that determine the
value of the components that make up the networks,
supported by practical circuits and simulation of the same,
showing a substantial improvement in the performance of
switching devices, allowing an increased efficiency of the
power supply.
II. CLASIFICACIÓN DE REDES SNUBBER Y DISEÑO
Existen diversas clasificaciones para las redes snubbers, la
que utilizaremos en este documento será disipativas y no
disipativas. Una red snubber disipativa transferirá la energía a
una resistencia, lo que no es una alternativa eficiente desde el
punto de vista energético, pero proporciona otro camino para
la energía. Por otro lado, cuando la energía se mueve hacia la
entrada o hacia la salida se le llama red snubber no disipativa,
a pesar de que puede haber algunas pequeñas pérdidas.
La Fig. 1 muestra los circuitos convertidores básicos
(buck, boost y buck-boost) elaborados de manera que el
transistor está siempre conectado a tierra. En este enfoque, el
interruptor y la red snubber formarán una sola unidad, un
interruptor amortiguado, que se puede aplicar a la mayoría de
las topologías [2].
D0 C0 RL
C0 RL D0
L0 L0
V
0

Index Terms – Snubber Networks Design, Converters. V

0 0
I. INTRODUCCIÓN 0
(a) (b)

L AS redes snubbers son circuitos pequeños pero esen-

ciales en las fuentes conmutadas para controlar la
reactancia del circuito. Las redes snubbers mejoran el
D0
L0
C0 RL

rendimiento de los transistores de potencia proporcionando

mayor eficiencia y menor interferencia EMI, posibilidad de
funcionamiento a una frecuencia de conmutación más elevada, V
menor tamaño y peso del semiconductor.
Básicamente, una red snubber puede absorber la energía de 0 0

los elementos reactivos del circuito. Los beneficios son (c)

amortiguación del circuito, control de las tasas de cambio de
Fig. 1. Circuitos convertidores buck (a), boost (b) y
voltaje (dv/dt) o corriente y (di/dt), o protección de sobreten-
buck-boost (c).
siones. Una snubber limita el estrés que debe soportar el
interruptor, manteniéndolo dentro de su área de operación No todas las snubber son aplicables a un problema
segura, aumentando la fiabilidad del mismo. El uso de una particular. Básicamente existen redes para control de tasas de
snubber reduce el total de pérdidas de conmutación del cambio de tensión y corriente, y para control de resonancias.
circuito, pero quizás lo más importante es que reduce las
perdidas en el transistor y por lo tanto las necesidades de
A. Snubber Disipativas
refrigeración del circuito [1]. Cuando está bien diseñada, el
1) Snubber RC de Tensión: La Fig. 2a muestra una
dispositivo interruptor tiene menor disipación de potencia
snubber RC que proporciona amortiguación de resonancias
promedio y una disipación de potencia máxima mucho menor.
parásitas en la etapa de potencia y se utiliza comúnmente en el
Las snubber pueden ser combinadas y una aplicación
secundario de transformadores, inductores de salida, y a través
determinada puede tener 2 o 3 redes fusionadas para controlar
de diodos y transistores. Es aplicable también para reducir la
tanto la corriente como el voltaje del dispositivo interruptor.
disipación de potencia en el interruptor. La Fig. 2b muestra su
Este tipo de redes pueden ser pasivas o activas. En este
aplicación en el dispositivo de conmutación en un convertidor.
trabajo nos enfocaremos en las pasivas, cuyos elementos se
limitan a resistencias, condensadores, inductores y diodos. Las
redes activas incluyen transistores y circuitos adicionales.

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1 L
R (2)
CS
2 C

CS Una amortiguación razonable se produce con ζ=0.5.

RS RS Reemplazando en la fórmula obtenemos el valor de la
resistencia snubber RS:

0 Lp
(a) (b) RS  (3)
Cp
Fig. 2. Red snubber RC (a), y su aplicación en un mosfet (b).
Se puede aumentar el valor de ζ y minimizar aún más las
En la Fig. 3 se representa un convertidor flyback aislado, oscilaciones a costa de incrementar la potencia disipada en la
donde al conmutar el interruptor la energía almacenada en la resistencia RS. Valores más pequeños de ζ también disminu-
inductancia de dispersión del primario del transformador yen las oscilaciones, aunque en menor medida. Para la
resuena con la capacidad de salida del mosfet (Coss), si no hay selección del capacitor CS, se elige una frecuencia de corte del
una red snubber. Como el circuito resonante tiene pérdidas, la filtro RC (Ec. 4) aproximadamente 10 veces menor que la
oscilación será máxima en la conmutación e irá disminuyendo frecuencia de oscilación, para que ésta sea fuertemente
en los siguientes ciclos (Fig. 4). atenuada y no afectar en gran medida la forma de onda (Ec. 5).
COUPLING = 0.99
1 (4)
L1_VALUE = 45uH
L2_VALUE = 2uH D fS 
TX2 2R S C S
V2 MUR140
50V C RL
10 10 LP C P
300uF 2
CS   (5)
2RS f P RS
0 R2
1meg
V1 = 0 CS Siguiendo estos lineamientos, se diseñó la red snubber con
V2 = 10
TD = 0 V 0 RS=78Ω y CS=1.5nF, eliminando en su totalidad la oscilación
TR = 0 RS
TF = 0 IRF840 causada por los elementos parásitos (Fig. 5). Para eliminar el
PW = 2u pico máximo de tensión en la conmutación, se puede
PER = 5u
disminuir el valor de la resistencia RS y aumentar el valor de
0
CS manteniendo la constante de tiempo. Con RS=35Ω y
Fig. 3. Convertidor flyback con red RC. CS=3.3nF (Fig. 6), la sobretensión es sólo del 15% de VDS.
200V

200V

100V

100V

0V

3.501ms 3.502ms 3.503ms 3.504ms 3.505ms 3.506ms 3.507ms 3.508ms 3.509ms 3.510ms
V(TX1:2) 0V
Time
3.506ms 3.507ms 3.508ms 3.509ms 3.510ms 3.511ms 3.512ms 3.513ms 3.514ms 3.515ms 3.516ms

Fig. 4. Oscilación en la tensión drenador surtidor (VDS), graficada en

V(TX1:2)
Time

un intervalo de 10us. Fig. 5. Forma de onda de VDS amortiguada, graficada en un intervalo

de 10us, para RS=78Ω y CS=1.5nF.
La frecuencia de oscilación está dada por: 200V

1
fP  (1)
2 LpCp 100V

donde:
Lp – Inductancia parásita 0V

Cp – Capacidad parásita 3.511ms 3.512ms

V(TX1:2)
3.513ms 3.514ms 3.515ms 3.516ms 3.517ms 3.518ms 3.519ms 3.520ms 3.521ms

Time

Fig. 6. Forma de onda de VDS amortiguada, graficada en un intervalo

Para el mosfet IRF840, un valor típico de capacitancia de de 10us, para RS=35Ω y CS=3.3nF.
salida es Coss=140pF. A partir de la simulación se observa
una frecuencia de oscilación de fP=14.3MHz, entonces despe- 2) Snubber RCD de Tensión: La Fig. 7a presenta una
jando se obtiene una Lp=885nH. En un circuito RLC, el valor snubber RCD aplicable al control de subida de tensión. Las
de la resistencia puede ser determinado en función de la redes RCD se suelen utilizar para controlar la tasa de aumento
amortiguación del sistema [3]: de tensión en el colector o drenador de un transistor de
conmutación en un convertidor forward, flyback o boost (Fig.

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7b). En el apagado, la snubber deriva la mayor parte de la donde:

corriente del transistor y la potencia disipada se traslada a la
red amortiguadora. Esto aumenta la fiabilidad del interruptor,
ya que la disipación de potencia pico se reduce y se controla la
subida de tensión, además de disminuir la EMI de alta
frecuencia (generada por una conmutación sin control).
DS RS
DS
Δt – Tiempo de subida de la tensión
ΔV – Tensión a la que se carga el capacitor CS
I – Corriente máxima del inductor L
El tiempo de subida se elige de acuerdo a las características
del semiconductor y se calcula CS. Luego se adopta una
constante de tiempo RC aproximadamente 10 veces menor
que el semiperíodo de conmutación, para asegurar la correcta
carga y descarga del capacitor en cada ciclo. Despejando RS:
RS

t CONM
CS 2  1 (7)
CS
RS 
10C S C S 20 f CONM
(a) 0 (b)
donde:
Fig. 7. Red snubber RCD (a), y su aplicación en un mosfet (b).
fCONM – Frecuencia de conmutación del convertidor
En la Fig. 8 se muestra un convertidor boost y una red
snubber RCD diseñada como en la Fig.7a, la cual sólo actúa Para el convertidor boost planteado, I=6.0A y ΔV=35.8V.
durante la conmutación. Cuando el transistor se apaga, la Eligiendo un Δt=400ns, el valor del capacitor snubber es
corriente del inductor se deriva a través de diodo DS y el CS=67nF y el de la resistencia snubber RS=15Ω.
capacitor CS hasta que el mismo se carga a la tensión del En la Fig. 10 puede observarse el efecto de la red snubber
punto. Luego el diodo principal D entra en conducción. RCD aplicada, minimizando la potencia disipada en el
Cuando el transistor se enciende, CS se descarga a través de RS transistor en el instante de la conmutación.
y el transistor. CS debe ser completamente descargado en cada 40

ciclo para ser efectivo el control de la tasa dv/dt.

D
20
C RL MUR140
200u 15 L
200uH

V2
0
0

20Vdc
3.5099ms 3.5100ms 3.5101ms 3.5102ms 3.5103ms 3.5104ms 3.5105ms 3.5106ms 3.5107ms 3.5108ms
V(M2:D) I(M2:D)*2

V1 = 0 DS RS Time

V2 = 10 V Fig. 10. VDS amortiguada e IDS (magnificada 2 veces), graficadas

TD = 0 0 en un intervalo de 1000ns. El tiempo de subida de VDS es 400ns.
TR = 0 IRF840
TF = 0 CS
PW = 10u 3) Snubber RLD de corriente: La Fig. 11 muestra una
PER = 20u 0
0 snubber RLD utilizada para controlar la tasa de crecimiento de
la corriente en el transistor. La inductancia en serie permite
Fig. 8. Convertidor boost con red RCD.
retardar el momento en que la corriente del interruptor alcanza
En la Fig. 9 se representa la forma de onda de VDS en su su valor operativo. Esto reduce la disipación de potencia
flanco ascendente, y la forma de onda de la corriente drenador promedio y potencia pico, aumentando la fiabilidad. La
surtidor (IDS) en su flanco descendente para el circuito de la adición de un diodo en serie con una resistencia reduce
Fig. 8 sin red RCD. efectivamente la disipación de la energía, y la convierte en una
red snubber polarizada.
40

20
RS RS

LS DS
LS
DS
0

3.51000ms 3.51001ms 3.51002ms 3.51003ms 3.51004ms 3.51005ms 3.51006ms 3.51007ms 3.51008ms 3.51009ms
V(M2:D) I(M2:D)*2
Time

Fig. 9. VDS sin amortiguar e IDS (magnificada 2 veces), graficadas en

un intervalo de 100ns. El tiempo de subida de VDS es 15ns. (a) 0 (b)
Fig. 11. Red snubber RLD (a), y su aplicación en un mosfet (b).
La elección de los componentes de la red snubber
comienza por el valor de capacidad. Utilizando la fórmula: El inductor funciona normalmente luego de encendido el
transistor, y la corriente fluye a través del diodo y la resisten-
It cia cuando es necesario disipar la energía almacenada en el
CS  (6) inductor, en el apagado del transistor.
V

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40

D MUR140 L

200uH
C RL V2
200u 15 RS 20Vdc 20

LS

DS
0 0
0

3.5198ms 3.5199ms 3.5200ms 3.5201ms 3.5202ms 3.5203ms 3.5204ms 3.5205ms 3.5206ms 3.5207ms

V1 = 0 V(L3:1) I(M3:D)*2
Time
V2 = 10
TD = 0 V1 IRF840 Fig. 14. VDS e IDS amortiguada (magnificada 2 veces), graficadas en
TR = 0 un intervalo de 1000ns. El tiempo de subida de IDS es 420ns.
TF = 0
PW = 10u
PER = 20u
B. Snubber No Disipativas
0 Los principios básicos de las snubbers no disipativas son
Fig. 12. Convertidor boost con red RLD. los mismos que los de las disipativas, diferenciándose de éstas
por el hecho de no proporcionar amortiguación.
La elección de los componentes de la red snubber RLD 1) Snubber 3D-2C-1L de tensión: Una red snubber de
comienza por el valor de inductancia. Utilizando la fórmula: tensión controla la tensión mediante la transferencia de
energía a un condensador; cuando la snubber es no disipativa
Vt esa energía se recicla de nuevo hacia la fuente o hacia la carga.
LS  (8) Existen pocos tipos básicos de snubbers de tensión no
I disipativas, que operan en un solo flanco de la forma de onda
donde: de conmutación y se restablecen en el otro extremo. Todas las
Δt – Tiempo de subida de la corriente snubbers no disipativas son polarizadas y en algunas aplica-
V – Tensión a la que está sometido el inductor ciones el diseño se vuelve muy complejo cuando se combina
ΔI – Corriente máxima que atraviesa el inductor con redes snubbers de corriente.
La Fig. 15 presenta la aplicación de una red 3D-2C-1L en
El tiempo de subida se elige de acuerdo a las caracteríticas un circuito convertidor genérico, con función de controlar la
del semiconductor y se calcula LS. Se adopta una constante de dv/dt. En general, los capacitores C1 y C2 son iguales en
tiempo L/R aproximadamente 10 veces menor que el semipe- valor y la frecuencia de resonancia de la snubber (2C+1L) es
ríodo de conmutación, para garantizar la correcta descarga de mucho mayor que la frecuencia de conmutación.
la energía almacenada en el inductor en cada ciclo.
Despejando RS: C1 D2

10LS D
RS   LS 20 f CONM (9) LS
t CONM D1
D3 C2
L
2
donde:
fCONM – Frecuencia de conmutación del convertidor

Para el convertidor boost analizado, ΔI=6.0A y V=35.8V.

0
Eligiendo un Δt=400ns, el valor del inductor snubber es
LS=2.4uH y el de la resistencia snubber RS=2.4Ω. En la Fig. Fig. 15. Red snubber 3D-2C-1L aplicada en un convertidor típico.
13 puede verse la forma de onda de VDS en su flanco descen-
dente y la forma de onda de IDS en su flanco ascendente, para El funcionamiento del circuito de la Fig. 15 es el siguiente:
el circuito de la Fig. 12 sin red RLD. suponemos que el transistor está apagado y el inductor L está
40
conduciendo a través del diodo principal D, mientras que C1 y
C2 están descargados.
Cuando el transistor se enciende, la snubber se debe
20
restablecer. D1 y D2 no conducen y los condensadores C1 y
C2 se cargarán a ΔV a través del camino formado por C1, LS,
D3 y C2. La corriente fluirá a través de LS y resonará con C1 y
0 C2 hasta que la corriente llegue a cero y D3 se apague.
3.51990ms 3.51995ms
V(M3:D)
3.52000ms
I(M3:D)
3.52005ms 3.52010ms 3.52015ms 3.52020ms 3.52025ms 3.52030ms 3.52035ms En este punto, ambos condensadores están cargados a ΔV y
Time

Fig. 13. VDS e IDS sin red snubber RLD, graficadas en un intervalo de la snubber está lista para funcionar durante el apagado del
200ns. El pico de IDS alcanza los 27A en un tiempo de 60ns. interruptor. Cuando esto suceda, la corriente del inductor
principal fluirá a través de C1 y C2. D1 y D2 están en serie
En la Fig. 14 puede observarse el efecto de la red snubber con los capacitores y ahora conducen, de modo que C1 y C2
RLD aplicada, minimizando la potencia disipada en el están en paralelo. Los capacitores controlan la tasa de cambio
transistor en el instante de la conmutación. del voltaje del transistor, y la disipación en el apagado del
mismo es muy pequeña ya que los capacitores toman toda la
corriente del inductor. El diodo principal D enclava la tensión

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de snubber cuando C1 y C2 están totalmente descargados y el donde:

ciclo está listo para comenzar de nuevo.
ILS – Corriente pico del inductor LS

Es importante tener en cuenta que cuando el interruptor se

R2 C1
C3 15 LS D2 enciende, el impulso de corriente debe fluir a través del mismo
200u
para restablecer la snubber. El transistor debe ser capaz de
D D3 manejar esta corriente, además de la corriente de carga. El
MUR140 D1 C2
inductor LS puede ser una espiral grabada en el circuito
0
impreso, dado su pequeño valor de inductancia y de corriente
L en la mayoría de los casos, ahorrando así espacio en el diseño
200uH
[4].
V2
V1 = 0
V2 = 10 20Vdc Para el convertidor boost analizado, I=6.0A y V=35.8V.
TD = 0
TR = 0
V1 IRF840 Eligiendo un Δt=400ns, el valor de los capacitores snubber es
TF = 0 CS=33.5nF. Eligiendo un tiempo de restablecimiento tR=1us,
PW = 10u
PER = 20u 0 el valor del inductor snubber es LS=6.05uHΩ. El inductor
0 debe ser diseñado para soportar una corriente máxima de
Fig. 12. Convertidor boost con red 3D-2C-1L. ILS=1.8A.
40V

La elección de los componentes de la red snubber

comienza por determinar algunos parámetros de trabajo en el 30V

transistor:
- Corriente máxima 20V

- ΔV máxima
- Tiempo de subida deseado
10V

0V

El valor de los capacitores de la red snubber se calcula a

3.5099ms 3.5100ms 3.5101ms 3.5102ms 3.5103ms 3.5104ms 3.5105ms 3.5106ms 3.5107ms 3.5108ms
V(L2:1)
Time

partir de la ecuación: (a)

It
40V

CS  (10)
2V
20V

donde:
C – Valor de cada uno de los capacitores
Δt – Tiempo de subida de la tensión
0V

ΔV – Tensión máxima en el transistor 3.5099ms 3.5100ms

V(D5:1,C4:1)
3.5101ms 3.5102ms 3.5103ms 3.5104ms

Time
3.5105ms 3.5106ms 3.5107ms 3.5108ms

I – Corriente máxima en el transistor (b)

El tiempo para la carga de C1 y C2 es la mitad del período 40V

de resonancia (C1 y C2 en serie con LS). El período de

resonancia deberá ser inferior al mínimo tiempo de encendido
del transistor para que la red snubber pueda restablecerse 20V

plenamente y la disipación de energía en el interruptor sea

mínima.
Una vez fijado el tiempo de restablecimiento (o tiempo de 0V

reset), el valor de inductancia LS puede calcularse a partir de: 3.5099ms

I(D5)
3.5100ms 3.5101ms 3.5102ms 3.5103ms 3.5104ms 3.5105ms 3.5106ms 3.5107ms 3.5108ms

Time

2t R2 (c)
LS  (11)
CS  2 Fig. 16. Tensión VDS (a), tensión en los capacitores snubber VCS
(b), corriente a través de los capacitores ICS (c). Formas de onda
donde: durante el flanco de subida de VDS, en un intervalo de 1us.

tR – Tiempo de restablecimiento
40V

30V

Es necesario encontrar la corriente pico del inductor LS

para poder dimensionarlo, valor que también es útil para la 20V

elección del diodo D3. La corriente pico se calcula igualando

la energía inductiva y capacitiva, cuando cada una está en su 10V

punto máximo durante el ciclo. Despejando: 0V

3.5180ms 3.5185ms 3.5190ms 3.5195ms 3.5200ms 3.5205ms 3.5210ms 3.5215ms 3.5220ms 3.5225ms
V(M1:D)
Time

C S (V ) 2
(a)
I LS  (12)
2 LS

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DATOS BIOGRÁFICOS
40V

Juan Ignacio Morales, nacido en Chacabuco, Buenos

Aires, el 12/07/1988. Estudiante de Ingeniería en Electrónica,
20V
Universidad Tecnológica Nacional, Facultad Regional
Córdoba, Argentina. Actualmente es becario de servicios en el
Laboratorio de Comunicaciones del Dpto. de Ingeniería
0V
Electrónica, UTN-FRC. Sus intereses son: electroacústica,
3.5180ms 3.5185ms
V(D5:1,C4:1)
3.5190ms 3.5195ms 3.5200ms 3.5205ms 3.5210ms 3.5215ms 3.5220ms 3.5225ms procesamiento de señales, telecomunicaciones y microcontro-
ladores. E-mail: 51836@electronica.frc.utn.edu.ar.
Time

(b)
40V

20V

0V

3.5180ms 3.5185ms 3.5190ms 3.5195ms 3.5200ms 3.5205ms 3.5210ms 3.5215ms 3.5220ms 3.5225ms
-I(C6)
Time

(c)
Fig. 17. Tensión VDS (a), tensión en los capacitores snubber VCS (b),
corriente a través de los capacitores ICS (c). Formas de onda durante el
flanco de bajada de VDS, en un intervalo de 5us.

En la Fig. 16a se puede observar como la red snubber controla

la tasa de subida de tensión, que se realiza en un tiempo
Δt=400ns como fue calculado. La Fig. 16c muestra como la
corriente del inductor L es absorbida por la red y no causa
disipación de potencia en el transistor. La Fig. 17 exhibe cómo
durante el encendido del transistor éste tiene que soportar un
incremento de la corriente (17a), durante un tiempo tR=1us
mientras la red snubber se restablece (17b y 17c).

III. CONCLUSIONES

En este trabajo fue presentada una recopilación de las

topologías más utilizadas de redes snubber aplicadas en
fuentes conmutadas, y las ecuaciones necesarias para el diseño
de las mismas. Las simulaciones realizadas demostraron la
importancia del correcto diseño de las redes para eliminar
resonancias parásitas y sobrepicos de tensión y corriente,
resultando en una disminución de la disipación de potencia en
los dispositivos de conmutación. Es preciso destacar, que la
implementación de snubbers está ampliamente difundida y sin
embargo el diseño de las mismas generalmente se realiza de
forma empírica, por lo que el presente trabajo intenta brindar
información fehaciente para mejorar el rendimiento de los
convertidores DC/DC.

BIBLIOGRAFÍA

[1] Daniel W. Hart, Electrónica de Potencia, Pearson

Educación, 1era Edición en español, Madrid, 2001.
[2] Philip C. Todd, “Snubber Circuits: Theory, Design &
Application”, TI Application Note: SLUP100, May 93.
[3] Jim Hagerman, “Calculating Optimum Snubbers”,
Hagerman Technology, December 12, 1994.
[4] Marty Brown, Power Supply Cookbook, Newnes, 2nd
Edition, Woburn, MA, 2001.

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