Problemas de Aplicación

Dispositivos Electrónicos

1) Se tiene un semiconductor de Germanio con las dimensiones

indicadas en la figura

Luego se produce una difusión a 250 ºC y durante 5 minutos, con

material de As (tipo n) lo que produce una penetración de 10mm
uniforme de impurezas que ingresan por la cara superior del
semiconductor (la cantidad de impurezas de As es de 1 átomo por cada
100 millones de átomos de Germanio).

Luego se repite el mismo proceso pero con impurezas de Al (tipo p) por

la cara inferior (la cantidad de Al es de 1 átomo por cada 100 millones
de átomos de Germanio).

Se pide:

a) Calcular RST cuando el semiconductor es intrínseco.

b) Calcular RAB y RCD a temperatura ambiente (27ºC).
c) Calcular RST en estas mismas condiciones.
d) Calcular RAB, RCD y RST si la temperatura sube a 400ºC.
Solución

a) Al ser un semiconductor intrínseco, se entiende que la concentración

de huecos será equivalente a la concentración de electrones (pi = ni)

Aplicando la fórmula:

1 L
RST   
e  (  e   h ) ni  A 

Tenemos:

L = 2cm; A = 20mm x 1mm = 20mm2; e  1.6  10 19 C

cm 2 cm 2
 e  3900 ; h  1900 ; ni (T0 )  2.4  1013
s s

ni (T )  ni (T0 )  e 0.06(T T0 )  2.4  1013  e 0.06( 250 27 )  1.55  1019

Entonces, reemplazando:

1  2  10 2 1000mm  2 
RST       6.95  10  2 

e  (3900  1900)  1.55  1019  20mm
2
1m  2 
 b) Para el caso de RAB (tipo n) se sabe que no habrán impurezas
aceptantes, es decir NA = 0.

Entonces:

1 L
R AB    ; N Ge  Concentración de Germanio
e  ( e ) N D  A 
ND  Concentración de impurezas donantes

atomos
Densidad del Germanio: 4.4  10 28
m3

Volumen con impurezas donantes: 2  10 7 m 3

 N Ge  4.4  10 28  2  10 7  8.8  10 21

N Ge 8.8  10 21
ND    8.8  1013 ;  e  3900
10 8 10 8

Reemplazando en la fórmula:

1  2  10 2 (1000mm) 2 
R AB       3.64  10 4 
e  (3900)  8.8  1013  10mm
2
1m 2 

Para el caso de RCD (tipo p) en cambio, no habrán impurezas donantes, es

decir ND = 0.
Entonces:

1 L
RCD    ; Donde: NA= Concentración de impurezas aceptantes
e  ( h ) N A  A 

La concentración de Germanio para las impurezas aceptantes será:

N Ge 8.8  10 21
NA  9
 9
 8.8  1012 ;
10 10

 h  1900

Reemplazando en la fórmula:

1  2  10 2 (1000mm) 2 
RCD       7.48  10 5 
e  (1900)  8.8  1012  10mm
2
1m 2 

c)
De acuerdo a la interpretación mostrada, deducimos RST:

R AB  RCD 6.64  10 4  7.48  10 5

RST    6.09  10 4 
R AB  RCD 6.64  10 4  7.48  10 5

d) Para t = 400ºC:

ni (T )  ni (T0 )  e 0.06(T T0 )  2.4  1013  e 0.06( 400 27)  1.26  10 23

N Ge 8.8  10 21
De la parte b) tenemos: N D  8  8
 8.8  1013
10 10

Además: ni(T) = 2.4*1013 …. 5*ni(T) = 12*1013 > 8.8*1013

 ND = nn - pn
 nn * pn = ni(T)2 = 5.76*1026

1 L
R AB   
e  (  e )n n  A