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El transistor bipolar.
Verificación de transistores.
Circuito autopolarizado.
Consejos de estudio
VERIFICACIÓN DE TRANSMISORES
EL TRANSISTOR
COMO
AMPLIFIADOR
CIRCUITO AUTOPOLARIZADO
Ganancia de tensión.
Ganancia de corriente.
AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN Impedancia de entrada.
Impedancia de salida.
Condensadores.
Las dos uniones están muy cercanas, de tal modo que haya inte-
ración entre ellas. Para conseguirlo, la zona del medio, denomi-
nada base, se hace muy fina (ha de ser más delgada que la dis-
tancia media de difusión de los portadores de carga) y se dopa
ligeramente. Por el contrario, la zona de emisor está fuertemente
dopada y se encarga de suministrar o inyectar los portadores de
carga. La zona de colector está medianamente dopada y recoge
los portadores de carga.
Relación de corrientes: IE = IC + IB
2. Zonas de funcionamiento
A. Saturación
C. Corte
ACTIVIDAD 1
ACTIVIDAD 2
Circuito autopolarizado
Podemos observar por las curvas que, a medida que la corriente
de base se va haciendo mayor, la pendiente aumenta; esto quiere
decir que b no es constante. Además b varía con la temperatura.
Por otra parte, la temperatura también influye sobre VBE, que varía
aproximadamente 2 mV/°C.
Calculamos:
VCC
VCC -
RC = 2
IC
RC
El valor de RE se suele hacer RE £ ,
10
dado que IE » IC
VE = IC . RE
siendo
VB = VBE + VE
VB
R1 =
10 × I B
VCC -VB
R2 =
10 × I B
Date cuenta de que los cálculos los hemos realizado con aproxima-
ciones, con lo cual las condiciones en las que va a trabajar el circuito
presentará desviaciones con respecto a las previstas inicialmente.
Impedancia de entrada AV
Impedancia de salida Ai
DV BE v
re = = be
DI E ie
Fig. 14
y aunque no es constante se suele tomar Circuito equivalente del tran-
sistor para señal.
25 mv
re =
IE
v0 = RC . ic
v = re . ie
pero como ic = ie
RC
AV =
re
2. Ganancia de corriente
por tanto,
v 0 × Zi
Ai =
v i .Z 0
i e » hfe × i b
v be
Z i = hfe = hfe × re
ie
Z i = R1 R 2 hfe × re
El proceso es el siguiente:
y para el circuito:
Z 0 = Z OT R
c
Z0= Rc
El procedimiento es el siguiente:
Z 0 ³ 10 × X C1
1
X C1 =
2 × p × f min ×C1
con lo cual,
1
C1 ³
Z
2 × p × f min × i
10
Z 0 ³ 10 × X C 2
1
XC2 =
2 × p × f min ×C 2
por tanto,
1
C2 ³
Z0
2 × p × f min ×
10
RE ³ 10 . XCE
R ACTIVIDAD 1
a.
b.
R ACTIVIDAD 2
a. Falso: en saturación el transistor es como un interruptor cerrado.
c. Verdadero.
Emisor común.
Base común.
Colector común.
Zona activa.
Zona de corte.
Zona de saturación.
IC
b=
IB
Punto de trabajo La recta de carga nos permite visualizar el punto de trabajo Q del
transistor.
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