TRABAJO DE DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRONICOS

1. Explicar por qué un semiconductor actúa como un aislante a 0 °K y por qué su conductividad
aumenta con la temperatura.

En cero absoluto no hay vibración de los átomos que conforman el semiconductor.

Cuando dicha temperatura es mayor que el cero absoluto (-273 "C), la energía térmica del
aire circundante hace que los átomos en un cristal de semiconductor (sea el silicio) vibren
dentro del cristal. Cuanto mayor sea la temperatura, más intensas serán las vibraciones
mecánicas de estos átomos. Si se toca un objeto, el calor que transmite proviene de la
vibración de los átomos.
Una importante e interesante diferencia entre semiconductores y conductores es su
reacción ante la aplicación de calor. En el caso de los conductores, la resistencia se incrementa
con un aumento de calor. Esto se debe a que el número de portadores presentes en un
conductor no se incrementan de manera significativa con la temperatura, aunque su patrón de
vibración con respecto a un lugar relativamente fijo dificulta cada vez más el flujo continuo de
portadores a través del material. Se dice que los materiales que reaccionan de esta manera
tienen un coeficiente de temperatura positivo.

Los materiales semiconductores, sin embargo, presentan un nivel incrementado de

conductividad con la aplicación de calor. Conforme se eleva la temperatura, un mayor número
de electrones de valencia absorben suficiente energía térmica para romper el enlace covalente y
así contribuir al número de portadores libres1. Por consiguiente: “Los materiales
semiconductores tienen un coeficiente de temperatura negativo”.

2. Si una barra de germanio se dopa con indio (grupo IIIA de la tabla periódica) en una
concentración de 2x1012 at/cm3 a una temperatura de 300 °K, calcular la concentración de
electrones y huecos en el semiconductor en estas circunstancias. Datos: ni(300 °K)=2,36x1013 cm-3

El indio es un elemento del grupo IIIA de la tabla periódica (3 electrones de valencia) y por lo
tanto es una impureza aceptora.
Entonces: NA = 2 x1012 cm-3 y ND = 0.

A 300 °K la concentración intrínseca del germanio es ni = 2,36x1013 cm-3, se tiene que la

concentración de impurezas aceptoras es menor que la concentración intrínseca (NA < ni).

1
Los electrones libres y los “huecos” reciben a menudo la denominación común de portadores debido a
que transportan la carga eléctrica de un lugar a otro.
En cualquier semiconductor se cumple las siguientes leyes:

Ley de cuasi-neutralidad eléctrica:

ND  p  N A  n
Ley de acción de masas:
n p  ni2
Hallando la concentración de huecos:
ni2 n2
n  p  NA  i
p p
p 2  N A p  ni2  p 2  N A p  ni2  0
p 2  2 1012 p  (2,36 1013 )2  0
Resolviendo la ecuación de 2do grado:
p  2, 46211013 cm3
p  2, 26211013 cm3
Tomamos el valor positivo del resultado para la concentración de huecos.

Hallando la concentración de electrones:

ni2 (2,36 1013 cm3 )2
n   n  2, 26211013 cm3
p 2, 4621 1013 cm3
Por lo tanto, las concentraciones de electrones y huecos son:

n  2, 26211013 cm-3
p  2, 46211013 cm-3
3. Niveles de resistencia:
a. (P.25) Determine la resistencia estática o de cd del diodo comercialmente disponible
de la figura 1.15 con una corriente en directa de 2 mA.

b. (P.27) Determine la resistencia estática o de cd del diodo comercialmente disponible

de la figura 1.15 con un voltaje en inversa de -10 V. ¿Cómo se compara con el valor
determinado con un voltaje en inversa de -30 V?

c. (P.29) Calcule las resistencias de cd y ca del diodo de la figura 1.27 con una corriente
en directa de 10 mA y compare sus magnitudes.