UNIVERSIDAD TÉCNICA DE COTOPAXI

UNIDAD ACADÉMICA DE LAS CIENCIAS DE LA

INGENIERÍA Y APLICADAS

ELECTRONICA I

Tema:
EJERCICIOS

Alumno:
Boris Toapanta
Curso:
Tercero “B” Eléctrica

Octubre 2016 – Febrero 2017

LATACUNGA – ECUADOR
 PROBLEMAS

CIRCUITO DE POLARIZACIÓN FIJA

1. Para la configuración de polarización fija de la figura 4.75. Determine:
a. IBQ
b. ICQ
c. VCEQ
d. VC
e. VB
f. VE
ß = 90

𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸 16𝑉−0.7𝑉 15.3𝑉

a) 𝐼𝐵𝑄 = = = 470𝐾Ω = 32.55µ𝐴
𝑅𝐵 470𝐾Ω
b) 𝐼𝐶𝑄 = 𝛽 ∗ 𝐼 = (90)(32.55µ𝐴) = 2.93𝑚𝐴
c) 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 ∗ 𝑅𝐶 = 16𝑉 − (2.93𝑚𝐴)(2.7𝐾Ω) = 8.09𝑉
d) 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 8.09𝑉
e) 𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 = 0.7𝑉
f) 𝑉𝐸 = 0𝑉

2. Dada la información que aparece en la figura 4.76. calcule:

a. IC
b. RC
c. RB
d. VCE

ß = 80

a) 𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 = (80)(40µ𝐴) = 3.2𝑚𝐴
𝑉 𝑉 −𝑉 12𝑉−6𝑉 6𝑉
b) 𝑅𝐶 = 𝐼 𝑅 = 𝐶𝐶𝐼 𝐶 = 3.2𝑚𝐴 = 3.2𝑚𝐴 = 1.8𝑘Ω
𝐶 𝐶
𝑉𝑅 12𝑉−0.7𝑉 11.3𝑉
c) 𝑅𝐵 = = = = 282.5𝑘Ω
𝐼𝐵 40µ𝐴 40µ𝐴
d) 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 = 6𝑉
 3. Dada la información que aparece en la figura 4.77. determine:

a. IC
b. VCC
c. RB

a) 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 − 𝐼𝐵 = 4𝑚𝐴 − 2𝑂µ𝐴 = 3.98𝑚𝐴 ≈ 4𝑚𝐴

b) 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = 7.2𝑉 + (3.98𝑚𝐴)(2.2𝐾Ω) = 15.96𝑉 ≈ 16𝑉
𝐼 3.98𝑚𝐴
c) 𝛽 = 𝐼 𝐶 = 20µ𝐴 = 199 ≈ 200
𝐵
𝑉𝑅 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸 15.96𝑉−0.7𝑉
d) 𝑅𝐵 = = = = 763𝑘Ω
𝐼𝐵 𝐼𝐵 20µ𝐴

4. Encuentre la corriente de saturación (ICsat ) para la configuración de polarización fija de la figura

4.75.

𝑉𝐶𝐶 16𝑉
𝐼𝐶𝑆𝐴𝑇 = = = 5.93𝑚𝐴
𝑅𝐶 2.7𝑘Ω

5. Dadas las características del transistor BJT de la figura 4.78:

a. Dibuje una recta de carga sobre las características determinada por E = 21 V y RC = 3 K? para
una configuración de polarización fija.
b. Escoja un punto de operación a la mitad entre el corte y la saturación. Determine el valor de R B
para establecer el punto de operación resultante.
c. ¿Cuáles son los valores resultantes de ICQ y de V C EQ?
d. ¿Cuáles el valor de ß en el punto de operación?
e. ¿Cuáles el valor de a definido para el punto de operación?
f. ¿Cuál es la corriente de saturación (ICSAT) para el diseño?
g. Dibuje la configuración resultante de polarización fija.
h. ¿Cuál es la potencia dc disipada por el dispositivo en el punto de operación'1
i. ¿Cuál es la potencia proporcionada por VCC?
Determine la potencia que los elementos resistivos disiparon al tomar la diferencia entre los resultados
de los incisos h e
21𝑉
a) 𝐼𝐶 = 3𝐾Ω = 7𝑚𝐴𝑉𝐶𝐸 = 21𝑉
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸 21𝑉−0.7𝑉
b) 𝐼𝐵 = 25µ𝐴𝑅𝐵 = = = 812𝑘Ω
𝐼𝐵 25µ𝐴
c) 𝐼𝐶𝑄 = 3.4𝑚𝐴𝑉𝐶𝐸𝑄 = 10.75𝑉
𝐼 3.4𝑚𝐴
d) 𝛽 = 𝐼 𝐶 = = 136
𝐵 25µ𝐴
𝛽 136 136
e) 𝛼 = = = = 0.992
𝛽+1 136+1 137
𝑉𝐶𝐶 21𝑉
f) 𝐼𝐶𝑆𝐴𝑇 = = 3𝑘Ω = 7𝑚𝐴
𝑅𝐶
g) –
h) 𝑃𝐷 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 ∗ 𝐼𝐶𝑄 = (10.75𝑉)(3.4𝑚𝐴) = 36.55𝑚𝑊
i) 𝑃𝑠 = 𝑉𝑐𝑐 (𝐼𝐶 +𝐼𝐵 ) = 21𝑉(3.4𝑚𝐴 + 25µ𝐴) = 71.92𝑚𝑊
j) 𝑃𝑅 = 𝑃𝑠 − 𝑃𝐷 = 71.92𝑚𝑊 − 36.55𝑚𝑊 = 35.37𝑚𝑊

CIRCUITO DE POLARIZACIÓN ESTABILIZADO EN EMISOR

6. Para el circuito de polarización con emisor estabilizado de la figura 4.79, determine:
a. IBQ
b. ICQ
c. VCEQ
d. VC
e. VB
f. VE

ß = 100
 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸 20𝑉−0.7𝑉 19.3𝑉
a) 𝐼𝐵𝑄 = = 510𝐾Ω+(101)∗1.5𝐾Ω = 661.5𝐾Ω = 29.18µ𝐴
𝑅𝐵 +(𝛽+1)𝑅𝐸
b) 𝐼𝐶𝑄 = 𝛽𝐼𝐵𝑄 = (100)(29.18µ𝐴) = 2.92𝑚𝐴
c) 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 20𝑉 − (2.92𝑚𝐴)(2.4𝐾Ω + 1.5𝐾Ω) = 20𝑉 −
11.338𝑉 = 8.61𝑉
d) 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = 20𝑉 − (2.92𝑚𝐴)(2.4𝑘Ω) = 20𝑉 − 7.008𝑉 = 13𝑉
e) 𝑉𝐵 = 𝑉𝐶 − 𝐼𝐵 𝑅𝐵 = 20𝑉 − (29.18µ𝐴)(510𝑘Ω) = 20𝑉 − 14.882𝑉 = 5.12𝑉
f) 𝑉𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 13𝑉 − 8.61𝑉 = 4.39𝑉

7. Con la información que proporciona la figura 4.80, calcule:

a. RC
b. RE
c. RB
d. VCE
e. VB

ß = 80

𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶 12𝑉−7.6𝑉 4.4𝑉

a) 𝑅𝐶 = = = 2𝑚𝐴 = 2.2𝑘Ω
𝐼𝐶 2𝑚𝐴
𝑉𝐸 2.4𝑉
b) 𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶 𝑅𝐸 = = = 1.2𝑘Ω
𝐼𝐸 2𝑚𝐴
𝑉𝑅𝐵 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸 −𝑉𝐸 12𝑉−0.7𝑉−2.4𝑉 8.9𝑉
c) 𝑅𝐵 = = = = 25µ𝐴 = 356𝑘Ω
𝐼𝐵 𝐼𝐵 2𝑚𝐴/80
d) 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 7.6𝑉 − 2.4𝑉 = 5.2𝑉
e) 𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 = 0.7𝑉 + 2.4𝑉 = 3.1𝑉

8. Con la información que ofrece la figura 4.81, determine.

a. ß
b. VCC
c. RB

𝑉𝐸 2.1𝑉 𝐼 3.09𝑚𝐴
a) 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 = = 0.68𝐾Ω = 3.09𝑚𝐴 ; 𝛽 = 𝐼𝐶 = = 154.5
𝑅𝐸 𝐵 20µ𝐴
 b) 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐶𝐸 = (3.09𝑚𝐴)(2.7𝐾Ω) + 7.3𝑉 + 2.1𝑉 = 8.34𝑉 − 7.3𝑉 + 2.1 =
17.74𝑉
𝑉𝑅𝐵 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸 −𝑉𝐸 17.74𝑉−0.7𝑉−2.1𝑉 14.94𝑉
c) 𝑅𝐵 = = = = = 747𝑘Ω
𝐼𝐵 𝐼𝐵 20µ𝐴 20µ𝐴

9. Calcule la corriente de saturación para la red de la figura 4.79

𝑉𝐶𝐶 20𝑉 20𝑉

a) 𝐼𝐶𝑆𝐴𝑇 = 𝑅 = 2.4𝑘Ω+1.5𝑘Ω = 3.9𝑘Ω = 5.13𝑚𝐴
𝐶 +𝑅𝐸

10. Usando las características de la figura 4.78, determine lo siguiente para una configuración de
polarización en emisor si se define un punto Q en ICQ = 4 roA y VCEQ = 10 V.
a. RC si VCC = 24 V y RE = 1.2k?
b. ß en el punto de operación
c. RB.
d. La potencia disipada por el transistor
e. La potencia disipada por el resistor RC

𝑉𝐶𝐶 24𝑉 24𝑉

a) 𝐼𝐶𝑆𝐴𝑇 = 6.8𝑚𝐴 = 𝑅 =𝑅 ; 𝑅𝐶 + 1.2𝑘Ω = = 3.529𝑘Ω
𝐶 +𝑅𝐸 𝐶 +1.2𝑘Ω 6.8𝑚𝐴
𝑅𝐶 = 3.529𝑘Ω − 1.2𝑘Ω = 2.33𝑘Ω
𝐼𝐶 4𝑚𝐴
b) 𝛽 = 𝐼 = 30µ𝐴 = 133.33
𝐵
𝑉𝑅𝐵 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸 −𝑉𝐸 24𝑉−0.7𝑉−(4𝑚𝐴)(1.2𝐾Ω) 18.5𝑉
c) 𝑅𝐵 = = = = = 616.67𝑘Ω
𝐼𝐵 𝐼𝐵 30µ𝐴 30µ𝐴
d) 𝑃𝐷 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 . 𝐼𝐶𝑄 = (10𝑉)(4𝑚𝐴) = 40𝑚𝑊
e) 𝑃 = 𝐼 2 𝐶 ∗ 𝑅𝐶 = (4𝑚𝐴)2 (2.33𝑘Ω) = 37.28𝑚𝑊

11.

a. Determine IC Y VCE para la red de la figura 4.75.

b. Cambie ß a 135 y calcule el nuevo valor de IC y VCE para la red de la figura 4.75.
c. Determine la magnitud del porcentaje de cambio en IC y VCE utilizando las siguientes
ecuaciones

I C( parte b ) IC ( VCE ( parte b ) VCE

parte a ) ( parte a)
I *100% V *100%
C
C E
I C ( parte a) VCE ( parte a )

d. Determine IC y VCE para la red de la figura 4.79.

e. Cambie ß a 150 y determine el nuevo valor de lc y V CE para la red de la figura 4.79.
f. Determine la magnitud del porcentaje de cambio en IC y VCE utilizando las siguientes
ecuaciones
 I C( parte b ) IC ( VCE ( parte b ) VCE

parte a ) ( parte a)
I *100% V *100%
C
C E
I C ( parte a) VCE ( parte a )

a) 𝐼𝐶𝑄 = 2.93𝑚𝐴 ; 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 8.09𝑉

b) 𝐼𝐵𝑄 = 32.55µ𝐴
𝐼𝐶𝑄 = 𝛽. 𝐼𝐵𝑄 = (135)
𝐼𝐶𝑄 = 𝛽. 𝐼𝐵𝑄 = (135)(32.55µ𝐴) = 4.39𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝐶 = 16𝑉 − (4.39𝑚𝐴)(2.7𝐾Ω) = 4.15𝑉

4.39𝑚𝐴−2.93𝑚𝐴
c) 𝐼𝑐 = ⎢ ⎢ ∗ 100% = 49.83%
2.93𝑚𝐴
4.15𝑉 − 8.09𝑉
𝑉𝐶𝐸 = ⎢ ⎢ ∗ 100% = 48.70%
8.09𝑉
d) 𝐼𝐶𝑄 = 2.92𝑚𝐴 ; 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 8.61𝑉(𝐼𝐵𝑄 = 29.18µ𝐴)
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸 20𝑉−0.7𝑉
e) 𝐼𝐵𝑄 = = 510𝐾Ω+(150+1)(1.5𝐾Ω) = 26.21µ𝐴
𝑅𝐵 +(𝛽+1)𝑅𝐸

𝐼𝐶𝑄 = 𝛽𝐼𝐵𝑄 = (150)(26.21µ𝐴) = 3.93𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 20𝑉 − (3.93𝑚𝐴)(2.4𝑘Ω + 1.5𝑘Ω) = 4.67𝑉
3.93𝑚𝐴−2.92𝑚𝐴
f) 𝐼𝑐 = ⎢ ⎢ ∗ 100% = 34.59%
2.92𝑚𝐴
4.67𝑉 − 8.61𝑉
𝑉𝐶𝐸 =⎢ ⎢ ∗ 100% = 46.76%
8.61𝑉

g. En cada una de las ecuaciones anteriores, la magnitud de ß se incrementa en un 50%

.Compare el porcentaje de cambio en IC y VCE para cada configuración y comente
sobre cuál parece ser menos sensible a los cambios en ß.

Tanto para IC como para VCE, el% de cambio es menor para el emisor estabilizado.

POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE VOLTAJE

12. Para la configuración de polarización por divisor de voltaje de la figura 4.82, determine:
a. IBQ
b. ICQ
c. VCEQ
d. VC
e. VE
f. VB
 a) 𝑅𝑇ℎ = 𝑅1‖𝑅2 = 62𝐾Ω‖9.1𝐾Ω = 7.94𝐾Ω
𝑅2 𝑉𝐶𝐶 (9.1𝐾Ω)(16𝑉)
𝑉𝑇ℎ = = = 2.05𝑉
𝑅1 + 𝑅2 9.1𝐾Ω + 62𝐾Ω
𝑉𝑇ℎ − 𝑉𝐵𝐸 2.05𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝐵𝑄 = = = 21.42µ𝐴
𝑅𝑇ℎ + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 7.94𝐾Ω + (81)(0.68𝐾Ω)
b) 𝐼𝐶𝑄 = 𝛽𝐼𝐵𝑄 = (80)(21.42 µA) = 1.71 mA
c) 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 16 V − (1.71 mA)(3.9 kΩ + 0.68 kΩ) = 8.17V
d) 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = 16 V − (1.71 mA)(3.9 kΩ) = 9.33V
e) 𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 ≅ 𝐼𝐶 . 𝑅𝐸 = (1.71 mA)(0.68 kΩ) = 1.16V
f) 𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 +𝑉𝐵𝐸 = 1.16 V + 0.7 V = 1.86V

13. Con la información que ofrece la figura 4.83, determine:

a. IC
b. VE
c. VB
d. R1

𝑉𝐶𝐶− 𝑉𝐶𝐶 18𝑉−12𝑉

a) 𝐼𝐶 = = = 1.28𝑚𝐴
𝑅𝐶 4.7𝑘Ω
b) 𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸 ≅ 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐸 = (1.28 mA)(1.2 kΩ) = 1.54V
c) 𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 +𝑉𝐵𝐸 = 1.54 V + 0.7 V = 2.24V
𝑉𝑅
d) 𝑅1 = 𝐼 1 ; 𝑉𝑅1 = 𝑉𝐶𝐶− 𝑉𝐵 = 18𝑉 − 2.24𝑉 = 15.76𝑉
𝑅1
𝑉𝐵 2.24𝑉
𝐼𝑅1 = 𝐼𝑅2 = = = 0.4𝑚𝐴
𝑅2 5.6𝐾Ω
𝑉𝑅 15.76𝑉
𝑅1 = 1 = = 39.4𝐾Ω
𝐼𝑅1 0.4𝑚𝐴

14. Con la información proporcionada en la figura 4.84, determine:

a. IC
b. VE
c. VCC
d. VCE
e. VB
f. R1

a) 𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 = (100)(20𝜇𝐴) = 2𝑚𝐴
b) 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 ∗ 𝐼𝐵 = 2𝑚𝐴 + 20𝜇𝐴 = 2.02𝑚𝐴
𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸 = (2.02 mA)(1.2 kΩ) = 2.42V

c) 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = 10.6𝑉 + (2𝑚𝐴)(2.7𝐾Ω) = 10.6𝑉 + 5.4𝑉 = 16𝑉

d) 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 + 𝑉𝐸 = 10.6𝑉 − 2.42𝑉 = 8.18𝑉
e) 𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 +𝑉𝐵𝐸 = 2.42𝑉 + 0.7𝑉 = 3.12𝑉
f) 𝐼𝑅1 = 𝐼𝑅2 + 𝐼𝐵
 3.12𝑉
= + 20𝜇𝐴 = 380.5𝜇𝐴 + 20𝜇𝐴 = 400.5𝜇𝐴
8.2𝐾Ω
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵 16𝑉 − 3.12𝑉
𝑅1 = = = 32.16𝐾Ω
𝐼𝑅1 400.5𝜇𝐴

15. Determine la corriente de saturación (ICSAT) para la red de la figura 4.82

𝑉𝐶𝐶 16𝑉 16𝑉
𝐼𝐶𝑆𝐴𝑇 = = = = 3.49𝑚𝐴
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 3.9𝐾Ω + 0.68𝐾Ω 4.58𝐾Ω

16. Determine para la siguiente configuración de divisor de voltaje de la figura 4.85 utilizando la
aproximación, si se satisface la condici6n establecida por la ecuación (433).
a. IC
b. VCE
c. IB
d. VE
e. VB

𝑅 𝑉 (8.2𝐾)(18𝑉)
a) 𝑉𝐵 = 𝑅 2+𝑅𝐶𝐶 = = 3.13𝑉
1 2 39𝐾+8.2𝐾
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 =3.13V-0.7V=2.43V
𝑉𝐸 2.43𝑉
𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸 = = = 2.43𝑉
𝑅𝐸 1𝐾
b) 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 18𝑉 − (2.43𝑚𝐴)(3.3𝐾Ω + 1𝐾Ω) = 7.55𝑉
𝐼 2.43𝑚𝐴
c) 𝐼𝐵 = 𝛽𝐶 = 120 = 20.25𝜇𝐴
d) 𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 = 𝐼𝐶 . 𝑅𝐸 = (2.43𝑚𝐴)(1𝐾) = 2.43𝑉
e) 𝑉𝐵 = 3.13𝑉

17. Repita el problema 16 empleando el sistema exacto (Thévenin) y compare las soluciones.
Basándose en los resultados, ¿es el sistema aproximado una técnica válida de análisis si la
ecuación (4.33) está satisfecha?

a) 𝑅𝑇ℎ = 𝑅1‖𝑅2 = 39𝐾Ω‖8.2𝐾Ω = 6.68𝐾Ω

𝑅𝐶 𝑉𝐶𝐶 (8.2𝐾Ω)(18𝑉)
𝑉𝑇ℎ = = = 3.13𝑉
𝑅1 + 𝑅2 39𝐾Ω + 8.2𝐾Ω
𝑉𝑇ℎ − 𝑉𝐵𝐸 3.13𝑉 − 0.7𝑉 2.43𝑉
𝐼𝐵 = = = = 19.02𝜇𝐴
𝑅𝑇ℎ + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 6.68𝐾Ω + (121)(1𝐾Ω) 127.78𝐾Ω
𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 = (120)(19.02𝜇𝐴) = 2.28𝑚𝐴

b) 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 18𝑉 − (2.28𝑚𝐴)(3.3𝐾Ω + 1𝐾Ω) = 18𝑉 − 9.8𝑉 = 8.2𝑉

c) 𝐼𝐵 = 19.02𝜇𝐴
d) 𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 = 𝐼𝐶 . 𝑅𝐸 = (2.28𝑚𝐴)(1𝐾Ω) = 2.28V
e) 𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝐸 = 0.7𝑉 + 2.28𝑉 = 2.98𝑉
18.
a. Determine ICQ, VCEQ e IBQ para la red del problema 12 (figura 4.82) con el método
aproximado aunque la condición establecida por la ecuación (433) no esté satisfecha.
b. Determine ICQ, VCEQ e IBQ utilizando el método exacto.
c. Compare las soluciones y comente sobre si la diferencia es lo suficientemente grande
como para requerir el respaldo de la ecuación (433) cuando se determine qué método debe
utilizarse.

𝑅 𝑉 (9.1𝐾Ω)(16𝑉)
a) 𝑉𝐵 = 𝑅 2+𝑅𝐶𝐶 = = 2.05𝑉
1 2 62𝐾Ω+9.1𝐾Ω
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 = 2.05𝑉 − 0.7𝑉 = 1.35𝑉
𝑉𝐸 1.35𝑉
𝐼𝐸 = = = 1.99𝑚𝐴
𝑅𝐸 0.68𝐾Ω
𝐼𝐶𝑄 ≅ 𝐼𝐸 = 1.99𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 16 V − (1.99 mA)(3.9 kΩ + 0.68 kΩ) = 6.89V
𝐼𝐶𝑄 1.99𝑚𝐴
𝐼𝐵𝑄 = = = 24.88𝜇𝐴
𝛽 80
b) 𝐼𝐶𝑄 = 1.71𝑚𝐴 ; 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 8.17𝑉 ; 𝐼𝐵𝑄 = 21.42𝜇𝐴
c) La diferencia esta alrededor de un 14%

19.
a. Con las características de la figura 4.78, determine RC y RE para la red del divisor de
voltaje que tiene un punto Q de ICQ = 5 mA y VCEQ = 8v. Utilice VCC = 24v y RC = 3RE
b. Encuentre V E
c. Determine VB
d. Encuentre R2 si R1 = 24 K? suponiendo que ßRE> IOR2
e. Calcule ß en el punto Q
f. Pruebe la ecuación (4.33) y obsérvese si la suposición del inciso d es correcta
𝐶𝐶 𝑉 24𝑉 24𝑉
a) 𝐼𝐶𝑆𝐴𝑇 = 7.5𝑚𝐴 = 𝑅 +𝑅 = 3𝑅 +𝑅 = 4𝑅
𝐶 𝐸 𝐸 𝐸 𝐸
24𝑉 24𝑉
𝑅𝐸 = = = 0.8𝐾Ω
4(7.5𝑚𝐴) 30𝑚𝐴
𝑅𝐶 = 3𝑅𝐸 = 3(0.8𝐾Ω) = 2.4𝐾Ω

b) 𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐸 = (5𝑚𝐴)(0.8𝐾Ω) = 4𝑉
c) 𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 +𝑉𝐵𝐸 = 4𝑉 + 0.7𝑉 = 4.7𝑉
𝑅 𝑉 𝑅 (24𝑉)
d) 𝑉𝐵 = 𝑅 2+𝑅𝐶𝐶 ; 4.7𝑉 = 𝑅 2+24𝐾Ω ; 𝑅2 = 5.84𝐾Ω
2 1 2
𝐼 5𝑚𝐴
e) 𝛽𝑑𝑐 = 𝐼 𝐶 = 38.5𝜇𝐴 = 129.8
𝐵
f) 𝛽𝑅𝐸 ≥ 10𝑅2
(129.8)(0.8𝐾Ω) ≥ 10(5.84𝐾Ω)
(13.84𝐾Ω) ≥ 5.84𝐾Ω

20.
a. Determine IC y VCE para la red de la figura 4.82.
b. Cambie ß a 120 (50% de incremento) y determine los nuevos valores de IC y VCE para
la red de la figura 4.82.
c. Determine la magnitud del porcentaje de cambio en IC y VCE utilizando las siguientes
ecuaciones:
 I C( parte b ) IC ( VCE ( parte b ) VCE

parte a ) ( parte a)
I *100% V *100%
C
C E
I C ( parte a) VCE ( parte a )

a) 𝐼𝐶 = 1.71𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 8.17𝑉
b) 𝛽 = 120 𝑉𝑇ℎ = 2.05𝑉 ; 𝑅𝑇ℎ = 7.94𝐾Ω

𝑉𝑇ℎ − 𝑉𝐵𝐸 2.05𝑉 − 0.7𝑉

𝐼𝐵𝑄 = = = 14.96µ𝐴
𝑅𝑇ℎ + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 7.94𝐾Ω + (121)(0.68𝐾Ω)
𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 = (120)(14.96µ𝐴) = 1.8𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 16𝑉 − (1.8𝑚𝐴)(3.9𝐾Ω + 0.68𝐾Ω) = 7.76𝑉
1.8𝑚𝐴−1.71𝑚𝐴
c) 𝐼𝑐 = ⎢ ⎢. 100% = 5.26%
1.71𝑚𝐴
7.76𝑉 − 8.17𝑉
𝑉𝐶𝐸 =⎢ ⎢. 100% = 5.02%
8.17𝑉
d. Compare la solución del inciso c con las soluciones que se obtuvieron para c y f del
problema 11. Si no se llevó a cabo obsérvense las soluciones proporcionadas en el
apéndice E.
e. Basándose en los resultados del inciso d, ¿cuál configuración es menos sensible a las
variaciones en ß?
11𝐶 11𝐹 20𝐶
d) 𝐼𝑐 49.83% 34.59% 5.26%
𝑉𝐶𝐸 48.70% 46.76% 5.02%
e) Es obvio la configuración de voltaje divisor es sensible a los cambios en 𝛽

21.
a. Repita los incisos a a e del problema 20 para la red de la figura 4.85. Cambie ß a 180
en el inciso b.
b. ¿Qué conclusiones generales se pueden hacer respecto a las redes en las cuales se
satisface la condición ßRE> 10R2 y las cantidades IC y VCE deben resolverse en
respuesta a un cambio de ß?

a) 𝐼𝐶𝑄 = 2.43𝑚𝐴 𝐼𝐶𝑄 = 2.28𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 7.55𝑉 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 8.2𝑉

b) 𝑉𝑇ℎ = 3.13𝑉 ; 𝑅𝑇ℎ = 6.78𝐾Ω

𝑉𝑇ℎ − 𝑉𝐵𝐸 3.13𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝐵 = = = 12.94µ𝐴
𝑅𝑇ℎ + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 6.78𝐾Ω + (181)(1𝐾Ω)
𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 = (180)(12.94𝜇𝐴) = 2.33𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 18𝑉 − (2.33𝑚𝐴)(3.3𝐾Ω + 1𝐾Ω) = 7.98𝑉
2.33𝑚𝐴−2.28𝑚𝐴
c) 𝐼𝑐 = ⎢ ⎢. 100% = 2.19
2.28𝑚𝐴
7.98𝑉 − 8.2𝑉
𝑉𝐶𝐸 =⎢ ⎢. 100% = 2.68
8.2𝑉
 POLARIZACIÓN DE DE POR RETROALIMENTACIÓN DE VOLTAJE
22. Para la configuración de retroalimentación del colector de la figura 4.86 determine:
a. IB
b. IC
c. VC

𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸 16𝑉−0.7𝑉

a) 𝐼𝐵 = )
= 470𝐾Ω+(120)(3.6𝐾Ω+0.51𝐾Ω) = 15.88µ𝐴
𝑅𝐵 +𝛽(𝑅𝐶 +𝑅𝐸
b) 𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 = (120)(15.88µ𝐴 ) = 1.91𝑚𝐴
c) 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 = 16𝑉 − (1.91𝑚𝐴)(3.6𝐾Ω) = 9.12𝑉

23. Para la configuración de retroalimentación de voltaje de la figura 4.87 Calcule:

a. IC
b. VC
c. VE
d. VCE

𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸 30𝑉−0.7𝑉

a) 𝐼𝐵 = = 6.90𝐾Ω+(100)(6.2𝐾Ω+1.5𝐾Ω) = 20.07µ𝐴
𝑅𝐵 +𝛽(𝑅𝐶 +𝑅𝐸 )
𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 = (100)(20.07µ𝐴 ) = 2.01𝑚𝐴
b) 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 = 30𝑉 − (2.01𝑚𝐴)(6.2𝐾Ω) = 17.54𝑉
c) 𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 = 𝐼𝐶 . 𝑅𝐸 = (2.01𝑚𝐴)(1.5𝐾Ω) = 3.02𝑉
d) 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 30𝑉 − (2.01𝑚𝐴)(6.02𝐾Ω + 1.5𝐾Ω) = 14.52𝑉

24.
a. Determine IC y VCE para la red de la figura 4.88.
b. Cambie ß a 135 (50% de incremento) y calcule los nuevos niveles de IC y VCE.
c. Resuelva la magnitud del porcentaje de cambio en IC y VCE usando las siguientes
ecuaciones
 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸 22𝑉−0.7𝑉
a) 𝐼𝐵 = = 470𝐾Ω+(90)(9.1𝐾Ω+9.1𝐾Ω) = 10.09µ𝐴
𝑅𝐵 +𝛽(𝑅𝐶 +𝑅𝐸 )
𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 = (90)(10.09µ𝐴 ) = 0.91𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 22𝑉 − (0.91𝑚𝐴)(9.1𝐾Ω + 9.1𝐾Ω) = 5.44𝑉
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸 22𝑉−0.7𝑉
b) 𝛽 = 135 ; 𝐼𝐵 = = 470𝐾Ω+(135)(9.1𝐾Ω+9.1𝐾Ω) = 7.28µ𝐴
𝑅𝐵 +𝛽(𝑅𝐶 +𝑅𝐸 )
𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 = (135)(10.09µ𝐴 ) = 0.983𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 22𝑉 − (0.983𝑚𝐴)(9.1𝐾Ω + 9.1𝐾Ω) = 4.11𝑉

0.983𝑚𝐴−0.91𝑚𝐴
c) 𝐼𝑐 = ⎢ ⎢. 100% = 8.02%
0.91𝑚𝐴
4.11𝑉 − 5.44𝑉
𝑉𝐶𝐸 =⎢ ⎢. 100% = 24.45%
5.44𝑉

d) Los resultados para la configuración de realimentación de colector están más próximos a la

configuración de divisor de tensión que a los otros dos. Sin embargo, la configuración de divisor de
voltaje continúa teniendo la menor sensibilidad para cambiar en β.

25. Determine el rango de posibles valores para V c para la red de la figura 4.89 empleando el
potenciómetro de 1 M?

1𝑀Ω = 0Ω ; 𝑅𝐵 = 150𝐾Ω
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 12𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝐵 = = = 7.11µ𝐴
𝑅𝐵 + 𝛽(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) 150𝐾Ω + (180)(4.7𝐾Ω + 3.3𝐾Ω)
𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 = (180)(7.11µ𝐴 ) = 1.28𝑚𝐴
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 = 12𝑉 − (1.28𝑚𝐴)(4.7𝐾Ω) = 5.98𝑉

1𝑀Ω ; 𝑅𝐵 = 1.000𝐾Ω + 150𝐾Ω = 1.150𝐾Ω = 1.15𝑀Ω

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 12𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝐵 = = = 4.36µ𝐴
𝑅𝐵 + 𝛽(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) 1.15𝑀Ω + (180)(4.7𝐾Ω + 3.3𝐾Ω)
𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 = (180)(4.36µ𝐴 ) = 0.785𝑚𝐴
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 = 12𝑉 − (0.785𝑚𝐴)(4.7𝐾Ω) = 8.31𝑉

VC ESTA EN UN RANGO DE 5.98 A 8.31

26. Dado VB = 4 V para la red de la figura 4.90, resuelva:

a. VE
b. IC
c. VC
d. VCE
e. IB
f. ß

a) 𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 4 V − 0.7 V = 𝟑. 𝟑 𝐕
𝑉 3.3𝑉
b) 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 = 𝑅𝐸 = 1.2𝐾Ω = 2.75𝑚𝐴
𝐸
c) 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 = 18𝑉 − (2.75𝑚𝐴)(2.2𝐾Ω) = 11.95𝑉
d) 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 . 𝑉𝐸 = 11.95𝑉 − 3.3𝑉 = 8.65𝑉
𝑉 𝑉 −𝑉 11.95𝑉−4𝑉
e) 𝐼𝐵 = 𝑅𝑅𝐸 = 𝐶𝑅 𝐵 = 330𝐾Ω = 24.09µ𝐴
𝐵 𝐵
𝐼𝐶 2.75𝑚𝐴
f) 𝛽 = 𝐼 = 24.09µ𝐴 = 114.16
𝐵

DIVERSAS CONFIGURACIONES DE POLARIZACIÓN

27. Con V c = 8 v para la red de la figura 4.91, determine:
a. IB
b. IC
c. ß
d. VCE

𝑉𝑅𝐸 𝑉𝐶 −𝑉𝐵𝐸 8𝑉−0.7𝑉

a) 𝐼𝐵 = = = = 13.04µ𝐴
𝑅𝐵 𝑅𝐵 560𝐾Ω
𝑉𝐶𝐶− 𝑉𝐶 18𝑉−8𝑉 10𝑉
b) 𝐼𝐶 = = = 3.9𝐾Ω = 2.56𝑚𝐴
𝑅𝐶 3.9𝐾Ω
𝐼 2.56𝑚𝐴
c) 𝛽 = 𝐼 𝐶 = 13−04µ𝐴 = 196.32
𝐵
d) 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 = 8𝑉

28. Para la red de la figura 4.92. calcule:

a. IR
b. IC
c. VCE
d. VC

𝑉𝐸𝐸 −𝑉𝐵𝐸 12𝑉−0.7𝑉

a) 𝐼𝐵 = = 9.1𝐾Ω+(120+1)(15𝐾Ω) = 6.2µ𝐴
𝑅𝐵 +(𝛽+1)𝑅𝐸
b) 𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 = (120)(6.2µ𝐴) = 0.744𝑚𝐴
c) 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐸𝐸 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 16𝑉 + 12𝑉 − (0.744𝑚𝐴)(27𝐾Ω) = 7.91𝑉
d) 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝐼𝐶 𝑅𝐶 ) = 16𝑉 − (0.744𝑚𝐴)(12𝐾Ω) = 7.07𝑉

29. Para la red de la figura 4.93. especifique:

a. IB
b. IC
c. VE
d. VCE
 510𝐾Ω
a) 𝑅𝑇ℎ = = 255𝐾Ω
2
18𝑉 + 18𝑉
𝐼= = 35.29µ𝐴
510𝐾Ω + 510𝐾Ω
𝑉𝑇ℎ = −18𝑉 + (35.29µ𝐴)(510𝐾Ω) = 0𝑉
18𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝐵 = = 13.95µ𝐴
255𝐾Ω + (130 + 1)(7.5𝐾Ω)

b) 𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 = (130)(13.95µ𝐴) = 1.81𝑚𝐴

c) 𝑉𝐸 = −18𝑉 + (1.81𝑚𝐴)(7.5𝐾Ω) = −18𝑉 + 13.58𝑉 = −4.42𝑉

d) 𝑉𝐶𝐸 = 18𝑉 + 18𝑉 − (1.81𝑚𝐴)(9.1𝐾Ω + 7.5𝐾Ω) = 36𝑉 − 30.05𝑉 = 5.95𝑉

30. Determine el nivel de V E e IE para la red de la figura 4.94.

𝑉𝐶𝐶 +𝑉𝐸𝐸 −𝑉𝐵𝐸 6𝑉+6𝑉−0.7𝑉

a) 𝐼𝐵 = = 330𝐾Ω+(121)(1.2𝐾Ω) = 23.78µ𝐴
𝑅𝐵 +(𝛽+1)𝑅𝐸
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1) ∗ 𝐼𝐵 = (121)(23.78µ𝐴 ) = 2.88𝑚𝐴
−𝑉𝐸𝐸 + 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 − 𝑉𝐸 = 0
𝑉𝐸 = −𝑉𝐸𝐸 . 𝑅𝐸 + 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 = −6𝑉 + (2.88𝑚𝐴)(1.2𝐾Ω) = −2.54𝑉

31. Para la red de la figura 4.95 determine:

a. IE
b. VC
c. VCE
 8𝑉−0.7𝑉 7.3
a) 𝐼𝐸 = 2.2𝐾Ω = 2.2𝐾Ω = 3.3𝑚𝐴
b) 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝐼𝐶 𝑅𝐶 ) = 10𝑉 − (3.32𝑚𝐴)(1.8𝐾Ω) = 4.02𝑉
c) 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐸𝐸 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 10𝑉 + 8𝑉 − (3.32𝑚𝐴)(2.2𝐾Ω + 1.8𝐾Ω) = 4.72𝑉

OPERACIONES DE DISEÑO

32. Calcule RC Y RB para una configuración de polarización fija si VCC = 12v ß = 80 ICQ =2.5 mA
con VCEQ = 6v. Utilice valores estándar.
𝐼𝐶 2.5𝑚𝐴
𝐼𝐵 = = = 31.25µ𝐴
𝛽 80
𝑉𝑅𝐵 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 12𝑉 − 0.7𝑉
𝑅𝐵 = = = = 361.6𝐾Ω
𝐼𝐵 𝐼𝐵 31.25µ𝐴
𝑉𝑅𝐶 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑄 12𝑉 − 6𝑉
𝑅𝐶 = = = = = 2.4𝐾Ω
𝐼𝐶 𝐼𝐶 𝐼𝐶𝑄 2.5𝑚𝐴
VALORES ESTÁNDAR
𝑅𝐵 = 360𝐾Ω
𝑅𝐶 = 2.4𝐾Ω

33. Diseñe una red estabilizada por emisor con 𝐼𝐶𝑄 = 1/2𝐼𝑐𝑠𝑎𝑡y Use VCEQ=1/2Vcc. Use
Vcc=20V, Icsat=10mA, B=120 y Rc=4RE. Use valores estándar.

𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑆𝐴𝑇 = = 1𝑂𝑚𝐴
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
20𝑉 20𝑉 20𝑉
= 10𝑚𝐴 → = 10𝑚𝐴 → 5𝑅𝐸 = = 2𝐾Ω
4𝑅𝐸 + 𝑅𝐸 5𝑅𝐸 10𝑚𝐴
2𝐾Ω
𝑅𝐸 = = 400 Ω
5
𝑅𝐶 = 4𝑅𝐸 = 1.6𝐾Ω
𝐼𝐶 5𝑚𝐴
𝐼𝐵 = = = 41.67µ𝐴
𝛽 120
𝑉𝑅𝐵 20𝑉 − 0.7𝑉 − 5𝑚𝐴(0.4𝐾Ω) 19.3 − 2𝑉
𝑅𝐵 = = = = 415.17𝐾Ω
𝐼𝐵 41.67µ𝐴 41.67µ𝐴

VALORES ESTÁNDAR
𝑅𝐸 = 390Ω
 𝑅𝐶 = 1.6𝐾Ω
𝑅𝐸 = 430𝐾Ω

34. Diseñe una red de polarización por medio de divisor de voltaje con una fuente de 24V
un transistor beta de 110 y un punto de operación de IcQ= 4Ma y VcEQ=8V. Seleccione
Ve=1/8 Vcc. Use valores estándar

𝑉𝐸 𝑉𝐸 3𝑉
𝑅𝐸 = ≅ = = 0.75𝐾Ω
𝐼𝐸 𝐼𝐶 4𝑚𝐴

𝑉𝑅𝐶 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶 𝑉𝐶𝐶 − (𝑉𝐶𝐸𝑄 + 𝑉𝐸 ) 24𝑉 − (8𝑉 + 3𝑉)

𝑅𝐶 = = = = = 3.25𝐾Ω
𝐼𝐶 𝐼𝐶 𝐼𝐶 3𝑚𝐴

𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 +𝑉𝐵𝐸 = 3𝑉 + 0.7𝑉 = 3.7𝑉

𝑅2 𝑉𝐶𝐶 𝑅2 (24𝑉)
𝑉𝐵 = → 3.7𝑉 = = 3.7𝑉
𝑅2 + 𝑅1 𝑅2 + 𝑅1

𝛽 ∗ 𝑅𝐸 ≥ 10𝑅2
𝑅2 = 8.25𝐾Ω o 𝑅2 = 7.5𝐾Ω

SUSTITUCION.
7.5𝐾Ω (24V)
3.7𝑉 = → 𝑅1 = 41.15𝐾Ω
7.5𝐾Ω + 𝑅1
VALORES ESTANDARES.
𝑉𝐸 𝑉𝐸 3𝑉
𝑅𝐸 = ≅ = = 0.75𝐾Ω
𝐼𝐸 𝐼𝐶 4𝑚𝐴
𝑉𝑅𝐶 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶 𝑉𝐶𝐶 − (𝑉𝐶𝐸𝑄 + 𝑉𝐸 ) 24𝑉 − (8𝑉 + 3𝑉)
𝑅𝐶 = = = = = 3.25𝐾Ω
𝐼𝐶 𝐼𝐶 𝐼𝐶 3𝑚𝐴

𝑅2 = 7.5𝐾Ω
𝑅1 = 43𝐾Ω

35. Con las Características de la figura 4.78. diseñe una configuración de divisor de voltaje que
tenga un nivel de saturación de 10 mA. y un punto Q a la mitad entre el corte y la saturación.
La fuente que está disponible es de 28 V y VE y debe ser un quinto de VCC. La condición
establecida por la ecuación (433) también debe cumplirse para ofrecer un alto factor de
estabilidad. Utilice los valores estándar.
1 1
𝑉𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 = (28𝑉) = 5.6𝑉
5 5
𝑉𝐸 5.6𝑉
𝑅𝐸 = = = 1.12𝐾
𝐼𝐸 5𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐶 28𝑉
𝑉𝐶 = + 𝑉𝐸 = + 5.6𝑉 = 14𝑉 + 5.6𝑉 = 19.6𝑉
2 2
𝑉𝑅𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶 = 28𝑉 − 19.6𝑉 = 8.4𝑉
 𝑉𝑅𝐶 8.4𝑉
𝑅𝐶 = = = 1.6𝐾
𝐼𝐶 5𝑚𝐴
𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 = 0.7𝑉 + 5.6𝑉 = 6.3𝑉
𝑅2 𝑉𝐶𝐶 𝑅2 (28𝑉)
𝑉𝐵 = → 6.3𝑉 =
𝑅2 + 𝑅1 𝑅2 + 𝑅1
𝐼𝐶 5𝑚𝐴
𝛽= = = 135.14
𝐼𝐵 37𝜇𝐴
𝛽𝑅𝐸 = 10𝑅2
(135.14)(1.12𝐾Ω) = 10(𝑅2 )
𝑅2 = 15.14𝐾Ω

15.14𝐾Ω(28𝑉)
6.3𝑉 =
15.14𝐾Ω + 𝑅1
𝑅1 = 52.15𝐾Ω

Valores estándares
𝑅𝐸 = 1.1𝐾Ω
𝑅𝐶 = 1.6𝐾Ω
𝑅1 = 51𝐾Ω
𝑅2 = 15𝐾Ω

REDES DE CONMUTACIÓN DE TRANSISTORES

36. Con las características de la figura 4.78, determine la apariencia de la forma de onda de salida
ara la red de la figura 4.96. Incluya los efectos de VCES at y determine BI , IB min e ICSat, cuando Vi
= lOv.

𝑉𝑐𝑐 10𝑉
𝐼𝑐𝑠𝑎𝑡 = = = 4.16𝑚𝐴
𝑅𝑐 2.4𝐾
𝐼𝐵𝑚𝑎𝑥 = 31𝜇𝐴
𝑉𝑖 − 𝑉𝐵𝐸 10 − 0.7𝑉
𝐼𝐵 = = = 51.67𝜇𝐴
𝑅𝐵 180𝐾
51.67𝜇𝐴 ≫ 31𝜇𝐴

𝐼𝑐 ≅ 0.1𝑚𝐴 = 𝐼𝐶𝐸𝑂
𝑉𝑜 = 10𝑉 − (0.1𝑚𝐴)(2.4𝐾) = 4.76𝑉

37. Diseñe el inversor a transistor de la figura 4.97 para operar con una corriente de saturación de
8 mA empleando un transistor con una beta de 100. Utilice un nivel de IB igual al 120% de IB
min y valores estándar de resistores.
a) La tensión de base de 9,4 V revela que el resistor de 18 kΩ no está en contacto con el
Base del transistor.
Si funciona correctamente:
 18𝐾(16𝑉)
𝑉𝐵 = = 2.64 𝑉𝑆 9.4𝑉
18𝐾 + 91𝐾

Como un circuito de polarización de retroalimentación de emisor:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 16𝑉 − 0.7𝑉

𝐼𝐵 = = = 72.1µ𝐴
𝑅1 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 91𝐾Ω + (101)(1.2𝐾Ω)
𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 +𝑉𝐵𝐸 =
𝑉𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 (𝑅1 ) = 16𝑉 − (72.1𝜇𝐴)(91𝐾Ω) = 9.4𝑉

b) Como VE> VB el transistor debe estar "apagado"

18𝐾Ω(16𝑉)
Con 𝐼𝐵 = 0𝜇𝐴 , 𝑉𝐵 = = 2.64𝑉
18𝐾Ω+91𝐾Ω

Supongamos que el circuito base "abierto"

El 4 V en el emisor es el voltaje que existiría si el transistor estuviera cortocircuitado

Colector a emisor.

1.2𝐾(16𝑉)
𝑉𝐸 = = 4𝑉
1.2𝐾 + 3.6𝐾
 UNIVERSIDAD TÉCNICA DE COTOPAXI
a. Con las características de la figura 3.23c, determine t encendido y t apagado
para una corriente de 2 mA. Obsérvese cómo se Utilizan las escalas
logarítmicas y la posible necesidad de referirse a la sección 112.
b. Repita el inciso a para una corriente de 10 mA. ¿Cómo han cambiado t
encendido y t apagado con el incremento de corriente del colector?
c. Dibuje para los incisos a y b la forma de onda del pulso de la figura 4.56 y
compare los resultados.

a) 𝛽 ↓ , 𝐼𝐶 ↓ Con respecto a la fig. 3.23c

𝐼𝐶 = 2𝑚𝐴 , 𝑇𝑓 = 38𝑛𝑠 , 𝑇𝑟 = 48𝑛𝑠 , 𝑇𝑑 = 120𝑛𝑠 , 𝑇𝑠 = 110𝑛𝑠
𝑇𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜 = 𝑇𝑟 + 𝑇𝑑 = 48𝑛𝑠 + 120𝑛𝑠 = 168𝑛𝑠
𝑇𝑎𝑝𝑎𝑔𝑎𝑑𝑜 = 𝑇𝑠 + 𝑇𝑓 = 110𝑛𝑠 + 38𝑛𝑠 = 148𝑛𝑠

b) 𝐼𝑐 = 10𝑚𝐴: 𝑇𝑞 = 12𝑛𝑠, 𝑇𝑟 = 15𝑛𝑠, 𝑇𝑑 = 22𝑛𝑠 , 𝑇𝑠 = 120𝑛𝑠

𝑇𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜 = 𝑇𝑟 + 𝑇𝑑 = 15𝑛𝑠 + 22𝑛𝑠 = 37𝑛𝑠
𝑇𝑎𝑝𝑎𝑔𝑎𝑑𝑜 = 𝑇𝑠 + 𝑇𝑓 = 120𝑛𝑠 + 12𝑛𝑠 = 132𝑛𝑠
El tiempo encendido se ha caído dramáticamente
168𝑛𝑠: 37𝑛𝑠 = 4.54: 1

Mientras que el tiempo de apagado es sólo ligeramente menor

148𝑛𝑠: 132𝑛𝑠 = 1.12: 1

TÉCNICAS PARA LA LOCALIZACIÓN DE FALLAS

39. Todas las mediciones de la figura 4.98 revelan que la red no está funcionando de
manera adecuada. Enliste las posibles razones para las mediciones que se
obtuvieron.
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a) Circuito abierto en el circuito base Mala conexión del terminal emisor
Transistor dañado

b) Unión de base-emisor en cortocircuito Abierto en el terminal de colectores

c) Circuito abierto en circuito baseTransistor abierto

40. Las mediciones que aparecen en la figura 4.99 revelan que las redes no están
operando adecuadamente. Sea específico al describir por qué los niveles reflejan un
problema en el comportamiento esperado de la red. En otras palabras, los niveles
obtenidos señalan un problema muy específico en cada caso.

a) 𝑅𝐵 𝑎𝑏𝑖𝑒𝑟𝑡𝑜 𝐼𝐵 = 0 𝜇𝐴, 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝐸𝑂 ≅ 𝑂𝑚𝐴 y 𝑉𝐶 ≅ 𝑉𝐶𝐶 = 18𝑉

b) 𝛽 ↓ , 𝐼𝐶 ↑, 𝑉𝑅𝐸 ↑, 𝑉𝐶𝐸 ↓

c) 𝑅𝐶 ↓ , 𝐼𝐵 ↑, 𝐼𝐶 ↑, 𝑉𝐸 ↑
d) Caida a una tensión relativamente baja ≅ 0,06 V
e) Abierto en el circuito base

41. Para el circuito de la figura 4.100:

a. ¿Se incrementa o disminuye V C si RB aumentó?
b. ¿Se incrementa o disminuye IC si ß se incrementa?
c. ¿Qué sucede con la corriente de saturación si ß aumenta?
d. ¿Se incrementa o disminuye la corriente del colector si V CC se disminuye?
e. ¿Qué sucede a VCE si el transistor se reemplaza con uno con una ß más
pequeña?
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 12𝑉 − 0.7𝑉 11.3𝑉
𝐼𝐵 = = = = 22.16𝜇𝐴
𝑅𝐵 510 𝐾Ω 510 𝐾Ω

𝐼𝑐 = 𝛽𝐼𝐵 = (100)(22.16𝜇𝐴) = 2.216𝜇𝐴

𝑉𝑐 = −𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = −12𝑉 + (2.216𝑚𝐴)(3.3𝑘Ω) = −4.69𝑉
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 = −4.69𝑉

42. Conteste las siguientes preguntas acerca del circuito de la figura 4.10 l.
a. ¿Qué le sucede al voltaje VC si el transistor se reemplaza con uno que tenga
un mayor valor de ß?
b. ¿Qué le pasa al voltaje VCE si la terminal de tierra del resistor R8, se abre
(no se conecta a la tierra)?
c. ¿Qué le sucede a IC si el voltaje de la fuente es bajo?
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d. ¿Qué voltaje VCE debe ocurrir si launi6n del transistor base-emisor falla al
convertirse en abierta?
e. ¿Qué voltaje VCE debe resultar si la unión del transistor base-emisor falla al
convertirse en corto circuito?

ß = 80

𝑉 −𝑉𝐵𝐸
𝑡ℎ 𝑡ℎ 𝑉 −𝑉𝐵𝐸
a) 𝐼𝐵 = 𝑅𝑡ℎ+(𝛽+1)𝑅𝐸 ≅ 𝑅𝑡ℎ+𝛽𝑅𝐸

𝑉𝑡ℎ − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝑡ℎ − 𝑉𝐵𝐸

𝐼𝑐 = 𝛽𝐼𝐵 = 𝛽 ( ) = ( 𝑅𝑡ℎ )
𝑅𝑡ℎ + 𝛽𝑅𝐸 + 𝑅𝐸
𝛽
𝑅𝑡ℎ
Como 𝛽 ↑, ↓, 𝐼𝑐 ↑, 𝑉𝑟𝑐 ↑
𝛽
Vc=Vcc+VRC y Vc↓
b) R2 = abierto IB↑, Ic↑
𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝐸)

c) 𝑉𝑐𝑐 ↓, 𝑉𝐵 ↓, 𝑉𝐸 ↓, 𝐼𝐸 ↓ , 𝐼𝐶 ↓
d) 𝐼𝐵 = 0𝜇𝐴, 𝐼𝑐 = 𝐼𝑐𝑒𝑜 𝑦 𝐼𝑐(𝑅𝑐 + 𝑅𝐸)
𝑉𝐶𝐸 ≅ 𝑉𝑐𝑐 = 20𝑉
e) Base emisor 𝐼𝐵 ↑ pero la acción del transistor pierde y Ic=0mA con
VCE=VCC=20V

43. Conteste las siguientes preguntas acerca del circuito de la figura 4.102.
a. ¿Qué le sucede al voltaje VC si el resistor RB se abre?
b. ¿Qué le pasa al voltaje V CE si ß se incrementa debido a la temperatura?
c. ¿Cómo se verá afectado VE cuando se reemplace el resistor de colector con
uno cuya resistencia está en el extremo inferior del rango de tolerancia?
d. Si la conexión del colector del transistor se abre, ¿qué le pasará a V E?
e. ¿Qué puede motivar que VCE tome el valor de cerca de 18v?
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𝑉 − 𝑉𝐵𝐸 8𝑉 − 0.7𝑉 7.3𝑉

𝐼𝐸 = = = = 2.212𝑚𝐴
𝑅𝐸 3.3𝐾Ω 3.3𝐾Ω
𝑉𝐶 = −𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = −12𝑉 + (2.212𝑚𝐴)(3.9𝐾Ω) = −3.37𝑉

Transistores pnp
44. Calcule VC, VCE e lC para la red de la figura 4.103.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 12𝑉 − 0.7𝑉 11.3𝑉

𝐼𝐸 = = = = 22.16𝜇𝐴
𝑅𝐵 510𝐾Ω 510𝐾Ω
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = (100)(21.16𝜇𝐴) = 2.216𝑚𝐴
𝑉𝐶 = −𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = −12𝑉 + (2.216𝑚𝐴)(3.3𝐾Ω) = −4.64𝑉
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 = −4.69𝑉

45. Determine V C e lB para la red de la figura 4.104.

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𝛽𝑅𝐸 ≥ 10𝑅2
(220)(0.75𝐾Ω) ≥ 10(16𝐾Ω)
165𝐾Ω ≥ 160𝐾Ω

16𝐾Ω(−22𝑉)
𝑉𝐵 = −3.59𝑉
16𝐾Ω + 82𝐾Ω
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 + 0.7𝑉 = −3.59𝑉 + 0.7𝑉 = −2.89𝑉
𝑉𝐸 2.89𝑉
𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 = = = 3.85𝑚𝐴
𝑅𝐸 0.75𝐾Ω

𝑉𝐶 = −𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = −22𝑉 + (3.85𝑚𝐴)(2.2𝐾Ω) = −13.53𝑉

46. Determine lE y VC para la red de la figura 4.105.

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𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 8𝑉 − 0.7𝑉 7.3𝑉
𝐼𝐸 = = = = 2.212𝑚𝐴
𝑅𝐸 3.3𝐾Ω 3.3𝐾Ω
𝑉𝐶 = −𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = −12𝑉 + (2.212𝑚𝐴)(3.9𝐾Ω) = −3.37𝑉