Tema 4.

- Transistores Bipolares de Unión (BJT)

4.1. Introducción
4.2. Estructura interna y modos de operación. Transistores npn y pnp.
4.2.2. Estudio de las corrientes.
4.2.3. Parámetros característicos
4.2.4. Regiones de funcionamiento
4.2.5. Modelos de circuito equivalente
4.3. Curvas características corriente-voltaje
4.4. Modelos del transistor BJT en las diferentes zonas de funcionamiento.
4.5. Análisis en continua de circuitos con transistores BJT. Determinación del
punto de trabajo.
4.6. El transistor como interruptor: corte y saturación.
4.7. Polarización del BJT para diseño de un circuito discreto.
4.8. El transistor como amplificador

BIBLIOGRAFIA:
Principios de Electrónica. A. Malvino,D. J. Bates
Circuitos Microelectrónicos. A. S. Sedra ,C. Smith
ELECTRONICA 1
 El transistor de unión bipolar o BJT
INTRODUCCION
‰ Su descubrimiento en 1947 se debe a Walter H. Brattain y John Bardeen que
trabajaban en los laboratorios de la Bell Telephone, y supuso una revolución
importante en el campo de la electrónica.

‰ El transistor de unión bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor) es el

componente más utilizado en los circuitos electrónicos, tanto digitales como
analógicos.

‰Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

¾ Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)
¾ Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión
de radiofrecuencia) .
¾Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de
alimentación conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura
de impulsos PWM).
¾Detección de radiación luminosa (fototransistores)
ELECTRONICA 2
 Tipo de Transistores

• MESFET: Transistores de efecto de

campo de metal semiconductor.

MESFET: Transistores de efecto de campo de metal

ELECTRONICA semiconductor. 3
 Estructura interna del transistor bipolar

ELECTRONICA 4
 Definición de tensiones y corrientes
Transistor NPN

vCE = vBE –vBC

iE = iB + iC

Transistor PNP

vEC = vEB –vCB

ELECTRONICA iE = iB + iC 5
 Estructura interna del transistor bipolar
‰ Las estructuras de los transistores bipolares son simétricas pero las
características de las regiones son distintas.
¾ El emisor ha de ser una región muy dopada.
¾ La base ha de ser muy estrecha y poco dopada
¾ El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor

‰ Para un transistor PNP las concentraciones serán:

ELECTRONICA 6
 Regiones de funcionamiento de los
transistores bipolares
‰ Los transistores bipolares están formados por dos uniones PN,
‰ Las posibles regiones o modos de funcionamiento en continua son

Región de corte.
Unión B-E Inversa.(PI)
Unión B-C Inversa.(PI)

Región de saturación.
Unión B-E Directa (PD)
Unión B-C Directa (PD)

Región activa directa.

Unión B-E Directa (PD)
ELECTRONICA
Unión B-C Inversa.(PI) 7
 Regiones de funcionamiento de los
transistores bipolares
‰ En la figura, se muestran las regiones de funcionamiento de los
transistores bipolares npn, o pnp) en función de las tensiones
aplicadas a las uniones
En el transistor PNP lo que cambia es que en vez de
ser la tensión entre base y emisor es la tensión emisor
base, y en vez de ser la tensión base colector es la
tensión colector base

ELECTRONICA 8
 Comportamiento en activa BJT npn
Cuando un transistor se polariza en activa directa
entonces la tensión base emisores positiva y la
tensión base colector es negativa

ELECTRONICA 9
 Modelo equivalente a gran señal del BJT npn

a) y b) en modo activa directa c) en modo activa inversa

(c)
Fuente de corriente no lineal Fuente de corriente no lineal
controlada por voltaje controlada por corriente 10
 Corrientes del transistor en activa
v BE
IS
‰ Corriente de base iB = e VT

β
v BE
‰ Corriente de colector IC = α F IE
i C = β i B = IS e VT

‰ Corriente de emisor iE = iC + iB =
(1+ β )
I
v BE
VT
S e
β
v BE
IS
iE = e VT

α
Donde
KT
IS la intensidad de saturación, 10-12 a 10-15 A. VT =
ELECTRONICA VT es el potencial térmico (26mV a 25oC). q11
 Corrientes del transistor en activa
‰ Definición de parámetros

¾Parámetro β se denomina ganancia de corriente en emisor común.

iC 50<β<200
β=
iB
¾Parámetro α, se denomina ganancia de corriente en base común
iC
α= 0,9< α<1
iE
¾Relación entre los parámetros β y α
β α
α= ⇒β =
1+ β 1-α
¾Relación entre las ganancias de corriente αF y αR y las corrientes de
escala
ELECTRONICA α F ISE = α R ISC = IS 12
Comportamiento en activa BJT pnp

P N P
Flujo de huecos
iE Huecos iC
recombinados

F de electrones
F. de huecos y electrones
generados térmicamente

iB

VEB VBC
13
 Modelo equivalente a gran señal del BJT pnp

BJT PNP - Modo activa directa

ELECTRONICA 14
 Resumen de las relaciones corriente-
voltaje del BJT npn en modo activo
vBE IS v BE
IS v BE
iC = IS e VT iB = e VT
iE = e VT
β α

iE
IC = α F IE i B = (1 − α ) i E = i E = (1 + β ) i B
(β + 1)

α β
iC = β iB β= α=
1- α 1+ β

NOTA : Para el transistor pnp reemplace vBE por vEB

ELECTRONICA 15
 Modelo de Ebers-Moll
‰ Este modelo describe el funcionamiento en continua del BJT.
‰ En este modelo se considera al BJT como dos uniones pn
enfrentadas que comparten el ánodo (la base del transistor).
‰ Modelo para un transistor NPN .

‰ Como los diodos del modelo se comportan como reales, se puede

expresar sus corrientes como

ELECTRONICA 16
 Modelo de Ebers-Moll

‰ Aplicando las ecuaciones de nudos en Emisor y Colector, las

corrientes serían

ELECTRONICA 17
 Modelo de Ebers-Moll
‰ Las corrientes en terminales del transistor se pueden expresar
como

‰ Las ecuaciones de Ebers-Moll en función de las corrientes en sus

terminales quedan

ELECTRONICA 18
 Configuraciones del transistor bipolar
‰ El BJT puede disponerse en tres configuraciones diferentes

Base común Emisor común

Colector común

ELECTRONICA 19
 Polarización de voltajes y sentido de
corriente en modo activo

En las tensiones entre los terminales del transistor

el primer punto es el punto de mayor potencial y el
segundo. Es de menor potencia

P
N

ELECTRONICA 20
 Curva característica iB-vBE transistor npn

Las características iC-vBE; iE-vBE e iB-vBE son semejantes

pero con diferentes
ELECTRONICA corrientes de escala (IS/α para iE e IS/β para iB) 21
 Efecto de la temperatura en la
característica iC-vBE

v BE
i C = β i B = IS e VT

KT
VT =
v BE
i C = IS e VT

‰ A una corriente de colector constante vBE cambia en -2mV / ºC

ELECTRONICA 22
 Curva característica iC-vCB Transistor npn

iC = α F iE v CB = v CE − VBE vBE≈cte
ELECTRONICA 23
 Curvas características reales de salida
en emisor común de un transistor npn

β de gran señal o de dc
I CQ
β dc ≅
I BQ
ΔiC
β ac ≅
ELECTRONICA β incremental o de ac ΔiB vCE =cte
24
 Dependencia de β con respecto a IC
y temperatura
Transistor de silicio npn de un circuito integrado
‰β de gran señal o de dc

I CQ
β dc ≅
I BQ

‰β incremental o de ac

ΔiC
β ac ≅
ΔiB vCE =cte

Fabricantes: βdc= hFE

ELECTRONICA Podemos considerar βdc= βac

25
Vista ampliada de las características emisor
común en saturación de un transistor npn

ELECTRONICA 26
 Modelo equivalente del BJT npn activa directa

‰ El dispositivo se comporta como una fuente de corriente constante

‰ En esta región el transistor trabaja en amplificación

i C = β i B + [β + 1] I C 0

IC0: corriente inversa de saturación de

la unión colector base
ELECTRONICA 27
 Modelos equivalentes del BJT en activa directa

Transistor NPN Transistor PNP

v BE
iC IS v BE
iC IS v EB v EB
iB = = e VT
i C = IS e VT
iB = = e VT
i C = IS e VT
β β β β

vBE≈0,7V vEB≈0,7V
vCE≈≥0,3V vEC≈≥0,3V
ELECTRONICA 28
 Modelo equivalente del BJT npn en saturación

‰ El comportamiento del transistor en zona de saturación es no lineal.

‰ Esta región de funcionamiento se utiliza en circuitos digitales

Condiciones
en saturación

0,1< V CE(sat)<0,2

IC< βF IB

ELECTRONICA 29
Modelos equivalente del BJT en saturación

Transistor NPN Transistor PNP

ICsat= βforzada IB
βforzada< βF

vBE= 0,7V a 0,8 V vEB= 0,7V a 0,8 V

vCE= vCEsat = 0,1 a 0,2V vEC= vECsat = 0,1 a 0,2V

ELECTRONICA 30
 Modelo equivalente del BJT npn en corte
‰El transistor en esta región se comporta como un circuito abierto.
‰En realidad en esta región hay una pequeña corriente de
saturación en la unión base colector ICBO
‰Esta región de funcionamiento se utiliza en circuitos digitales

Condiciones
en corte

IB = IC= IE= 0

VBE<Vγ

ELECTRONICA 31
 Efecto Early
‰ Fue Early quien observó que todas las curvas de salida medidas en
emisor común confluyen en un mismo punto -VA sobre el eje de
tensiones.
‰ La tensión Early VA suele valer entre 50 V y 200V

32
 Efecto Early
‰ El efecto Early disminuye la resistencia de salida ro del transistor

v BE
⎡ v CE ⎤
i C = IS e VT
⎢ 1 + ⎥
⎣ V A ⎦

Normalmente VA>>VCE

VA
‰ Resistencia de salida r0 ≅
IC
ELECTRONICA 33
 Modelos BJT a gran escala (dc) en modo activo
incluyendo el efecto Early
Transistor NPN Transistor PNP

IS v BE v BE
⎡ v CE ⎤ IS v EB v EB ⎡ v EC ⎤
iB = e VT
i C = IS e VT
⎢ 1+ ⎥ iB = e VT
i C = IS e VT
⎢ 1+ ⎥
β ⎣ V A ⎦ β ⎢⎣ V A ⎥
⎦
VA VA
r0 ≅
(
IS e VBE VT
) r0 ≅
(I S e VEB VT
)
ELECTRONICA 34
 Potencia disipada por BJT
‰ En un BJT se disipa potencia como consecuencia del paso de
corriente, pudiendo destruir al transistor.
‰ Los puntos donde se disipa potencia son las dos uniones (de emisor
y de colector

‰ La potencia máxima que puede disipar un

transistor se puede representar en unos ejes
de coordenadas, obteniendo la hipérbola
de máxima disipación del dispositivo.

ELECTRONICA 35
 Polarización del transistor de unión
bipolar o BJT
INTRODUCCION
‰ En los circuitos electrónicos realizados con transistores siempre
conviven dos tipos de tensiones y corrientes: continuas y alternas.

‰Nos centraremos en primer lugar en todos los aspectos relacionados

con las corrientes y tensiones en continua que determinan el punto de
funcionamiento en continua o punto de polarización del transistor Q

‰Daremos respuesta a
¾¿Cómo se obtiene el punto de trabajo en un circuito con transistores ?

¾¿Dónde se debe ubicar el punto de trabajo dentro de las regiones de

funcionamiento del transistor, según la aplicación, y teniendo en cuenta
las limitaciones de los dispositivos ?

¾¿Cómo
ELECTRONICA se garantiza la estabilidad del punto Q? 36
 Punto de trabajo de un BJT
‰Punto de trabajo de un transistor es la combinación de tensiones y corrientes continuas
que existen en el mismo en funcionamiento normal.
‰Obtener el punto de trabajo Q de un dispositivo se puede llevar a cabo de dos formas
diferentes: Analítica
Gráfica
El método analítico, se basa en resolver el sistema de ecuaciones que se establece
teniendo en cuenta:
1. Las leyes de Kirchoff aplicadas a las tensiones y corrientes que definen el
funcionamiento del dispositivo;
2. Las ecuaciones que se obtienen del comportamiento del mismo, según la
región de funcionamiento (circuito equivalente).
3. Las relaciones eléctricas del circuito de polarización usado
El análisis gráfico, hay que disponer de
1. Las curvas de funcionamiento del transistor (curvas características de
entrada y salida), que se podrían obtener también como representación de
las ecuaciones que definen el comportamiento del transistor.
2. Sobre estas curvas se traza la denominada recta de carga en continua
(impuesta por el circuito eléctrico externo del transistor), y los puntos de
intersección de esta recta con las curvas del dispositivo establece los
posibles puntos de trabajo Q.
3. El siguiente paso es determinar exactamente cuál de esos posibles puntos37
ELECTRONICA
es el de funcionamiento.
Polarización. Análisis en Continua. (Emisor Común)

Curva característica
V-I de entrada

Q
Recta de carga
pendiente=-1/RB

Ecuación malla de entrada

Q punto de trabajo. Intersección

de la recta de carga con la curva
característica de entrada del BJT 38
 Polarización. Análisis en Continua. (Emisor Común)

Curva característica
V-I de salida

Q
Recta de carga
pendiente=-1/RC

Ecuación malla de salida

Q punto de trabajo. Intersección

de la recta de carga con la curva
característica de salida del BJT 39
 Variación del punto de trabajo
‰ El punto de trabajo de un transistor en un circuito variará cuando
cambie alguno de los elementos de los que depende.

‰ Estos elementos pueden ser :

internos al propio dispositivo (Tensiones o corrientes,
características),
externos, como por ejemplo variaciones en las
resistencias, alimentaciones, ...

‰Variación del punto de trabajo de un transistor debido a

¾Cambio de componentes
¾Cambio de la de la temperatura

ELECTRONICA 40
 Variación del punto de trabajo
‰ Debido a cambio de componentes En la figura podemos ver el efecto de la
variación de la resistencia de colector sobre el punto de funcionamiento del
transistor

‰Debido a variación de la temperatura La temperatura afecta a todos los

componentes y dispositivos
‰La tensión base-emisor (VBE): Su variación para transistores de silicio suele ser:

‰La corriente inversa de la unión colector-base (IC0)

ELECTRONICA 41
 Técnicas de estabilización del punto Q

‰ Las técnicas de estabilización del punto de trabajo se basan en el uso

de elementos introducidos en el circuito de polarización que, ante
variaciones de los parámetros antes mencionados, actúan sobre la
corriente de base del transistor compensando su efecto.
Técnicas de compensación por
Cambio de componentes Compensación de la variación de VBE

Compensación de la variación de IC0

ELECTRONICA 42
 Introducción Amplificadores
‰ Los amplificadores son circuitos que elevan la potencia de una señal con
una distorsión mínima. Proporcionan ganancia
‰ Funciones importantes de los amplificadores:
– Adaptación de niveles
– Adaptación de impedancias
– Ecualización, combinación, distribución o aislamiento de señales
‰ Clasificación
¾ En función de la naturaleza de los elementos activos
-Amplificadores con transistores bipolares (BJT)
– Amplificadores con transistores de efecto de campo (FET,
MOSFET)
– Amplificadores integrados (AO)
¾ Según la frecuencia de funcionamiento
– Amplificadores de continua
– de audiofrecuencia (< 20 KHz)
– de videofrecuencia (< 15 MHz)
– de radiofrecuencia (LF(30 kHz a 300 kHz)
, VHF (30 MHz a 300 MHz ), UHF (3MHz a 3 GHz)
– de microondas (>1 GHz) 43
 Tipos de Amplificadores
AMPLIFICADORES LINEALES .-Si la señal de salida es directamente
proporcional a la señal de entrada, dé forma que la señal de salida es una
replica exacta de la señal de entrada.
AMPLIFICADORES NO LINEALES .-Si la señal de salida esta distorsionada
respecto de la señal de entrada

ELECTRONICA 44
 ANALISIS EN PEQUEÑA SEÑAL
‰ Partimos de que el BJT se encuentra polarizado en el punto Q situado
en la zona activa directa.
‰ Se consideran nulas las polarizaciones de continua (DC) y se analiza el
comportamiento del circuito excitado exclusivamente por las
señales de alterna de entrada (vi). De este modo, se calculan las
oscilaciones de las variables sobre el punto de operación.
‰ Se sigue la notación convencional:
Componente de Componente de
continua señal

¾ Para realizar el análisis en pequeña señal se requieren modelos del

BJT en pequeña señal. Para ello, se linealiza el comportamiento del
BJT a en un entorno del punto de operación
45
 Configuraciones. Análisis en CA.

Generador
de señal

ELECTRONICA 46
 Curvas características. Análisis en CA.

ELECTRONICA 47
 Curvas características. Análisis en CA.

ELECTRONICA 48
 Análisis de un amplificador

MODELO EQUIVALENTE
DEL AMPLIFICADOR

ELECTRONICA 49
 PARAMETROS DEL AMPLIFICADOR

PARAMETROS DEL AMPLIFICADOR

¾IMPEDANCIA DE ENTRADA

¾IMPEDANCIA DE SALIDA

¾GANANCIA DE TENSIÓN

¾GANACIA DE CORRIENTE
ELECTRONICA 50
 Modelos de pequeña señal para el BJT bipolar
Modelo híbrido en π:

IC β f
‰ gm transconductancia (un valor típico es de 40mA/V) gm = =
VT rπ
VA
‰ r0 : resistencia de salida (VA=tensión Early) r0 ≅
IC
βf
rπ =
‰ rπ : resistencia base-emisor. (un valor típico es de 1KΩ) gm 51
 Modelos de pequeña señal para el BJT bipolar
Modelo híbrido en π:

Donde se verifica

ELECTRONICA 52
 Modelos de pequeña señal para el BJT bipolar

Modelo híbrido en π:

IC β f
gm = =
VT rπ
ELECTRONICA 53
Configuraciones de amplificadores con bipolares

ELECTRONICA 54