Universidad Politécnica del Centro

7 de noviembre del 2017

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 Universidad Politécnica del Centro

Materia: Electrónica de Potencia

Facilitador: Marcos Pérez Hernández
Alumnos:
Ramón García Ascencio
Miguel Alejandro Baizabal Bocanegra
Juan Carlos Valencia de la Cruz Lisset
Rodríguez Jiménez
Erick León Martínez
Gabriel Hernández Rodríguez

Cuatrimestre: 4 Carrera: Ing. Mecatrónica

Edificio: 2 Salón: 17 Grupo: 1

Fecha: 07 de noviembre del 2017

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 Índice

Introducción 3
Marco teórico 4
Diodos semiconductores de potencia y circuitos 5
Fundamentos de semiconductores 5
Características del diodo 6
Tipos de diodo de potencia 7
Diodo de propósito general 7
Diodo Schottky 8
Diodo de carburo de silicio 8
Modelo SPICE 9
Diodos conectados en serie 9
Diodos conectados en paralelo 10
Diodos con cargas RC y RL 10
Diodos con cargas LC y RL 11
Diodos de corriente libre 11
Recuperación de la energía aprisionada con un diodo 12
Reflexión 13
Anexos 14
Bibliografía 17

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 Introducción

Se han encontrado muchas aplicaciones para los diodos en circuitos electrónicos y

en la ingeniería eléctrica. Los diodos de potencia juegan un papel importante en los
circuitos electrónicos de potencia, para la conversión de la energía eléctrica. En este
capítulo se repasan algunos circuitos de diodo que se encuentran con frecuencia en
la electrónica de potencia, para el procesamiento de la energía.

Es fundamental el estudio minucioso de este tipo de conocimiento puesto que para

nuestra carrera, el manejo de la electricidad en alta y baja frecuencia nos permite
un mejor uso del sistema de alimentación, para los diversos proyectos a realizar en
nuestra vida profesional.

Por lo cual en este escrito profundizaremos de una manera concreta los diferentes
tipos y usos del diodo de potencia, los circuitos en los que se puede emplear y la
manera correcta de usarlos; también tomaremos en cuenta las diferentes cargas
que poseen los diodos y el cómo recuperar la energía almacenada dentro de uno
de los diodos.

Por lo cual te invito a que nos acompañes en este proceso.

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 Marco teórico

En la electrónica se encuentran un sinfín de elementos con diferentes aplicaciones

y que son capaces de realizar funciones variadas, tal es el caso de la electrónica de
potencia que es una rama de la ingeniería eléctrica, que se enfoca principalmente
en la conversión y control de la energía eléctrica para diferentes aplicaciones tales
como el control de alumbrado, procesos electroquímicos, suministros de energía
regulada de CD y CA, soldadoras eléctricas, filtrado activo, compensación de
VAR´s, control del movimiento de máquinas eléctricas y otras más.

El diodo, un componente principal en esta rama, éste permite la circulación de

corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea
en el sentido contrario. El sentido permitido para la corriente es de ánodo (a) a
cátodo (k). En el pasado usaban los diodos para de-modular las señales de AM de
los radios y ahora son comúnmente usados en el área de electrónica de potencia,
para el control apropiado de transformadores y motores. Hoy en día, debido al
aumento demandante de la tecnología, sus usos son variados al igual que otros
tipos de elementos que componen los circuitos eléctricos.

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 Diodos semiconductores de potencia y circuitos

Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos,
aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos
unidireccionales, no pueden circular la corriente en sentido contrario al de
conducción. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y
cátodo.

Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser

capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En
sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de
ánodo con una pequeña intensidad de fuga. (Madrid, s.f.)

Fundamentos de semiconductores

Los elementos semiconductores son materiales con coeficientes de resistividad de

valores intermedios entre los materiales conductores y los aislantes. Dicho de otro
modo, son materiales que en circunstancias normales no conducen la electricidad,
pero que al variar algún parámetro dependiente (luz, temperatura…) vuelve a
comportarse como conductor.
La construcción de cualquier dispositivo electrónico discreto (individual) de estado
sólido (estructura de cristal duro) o circuito integrado, se inicia con un material
semiconductor de la más alta calidad. Los semiconductores son una clase especial
de elementos cuya conductividad se encuentra entre la de un buen conductor y la
de un aislante.
En general, los materiales semiconductores caen dentro de una de dos clases: de
un solo cristal y compuesto. Los semiconductores de un solo cristal como el
germanio (Ge) y el silicio (Si) tienen una estructura cristalina repetitiva, en tanto que
compuestos como el arseniuro de galio (GaAs), el sulfuro de cadmio (CdS), el nitruro
de galio (GaN) y el fosfuro de galio y arsénico (GaAsP) se componen de dos o más
materiales semiconductores de diferentes estructuras atómicas.
Los tres semiconductores más frecuentemente utilizados en la construcción de
dispositivos electrónicos son Ge, Si y GaAs. (Madrid, s.f.)

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 Características del diodo

A continuación, vamos a ir viendo las características más importantes del diodo, las
cuales podemos agrupar de la siguiente forma:

• Características estáticas:
o Parámetros en bloqueo (polarización inversa).
o Parámetros en conducción.
o Modelo estático.
• Características dinámicas:
o Tiempo de recuperación inverso (trr).
o Influencia del trr en la conmutación.
o Tiempo de recuperación directo.
• Potencias:
o Potencia máxima disipable.
o Potencia media disipada.
o Potencia inversa de pico repetitivo.
o Potencia inversa de pico no repetitivo.
• Características térmicas.
• Protección contra sobreintensidades.

El diodo responde a la ecuación:

VRRM: tensión inversa máxima

VD: tensión de codo.

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 Tipos de diodo de potencia

Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad (o de
recuperación rápida) y Schottky. Los diodos de uso general están disponibles hasta
6000 V, 4500 A, con un tiempo de recuperación inversa de 25 µ s y la especificación
de los diodos de recuperación rápida puede llegar hasta 6000 V, 1100 A. El tiempo
de recuperación inversa varía entre 0.1 y 5 µ s. Los diodos de recuperación rápida
son esenciales para la interrupción de los convertidores de potencia a altas
frecuencias. Un diodo tiene dos terminales: un cátodo y un ánodo. Los diodos
Schottky tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de recuperación muy
pequeño, típicamente en nanosegundos. La corriente de fuga aumenta con el voltaje
y sus especificaciones se limitan a 100 V, 300 A. Un diodo conduce cuando el voltaje
de su ánodo es más alto que el de su cátodo; siendo la caída de voltaje directa de
un diodo de potencia muy baja, típicamente 0.5 y 1.2 V. Si el voltaje de cátodo es
más alto que el voltaje de ánodo, se dice que el diodo está en modo de bloqueo.
(Electrónica I, s.f.)

Diodo de propósito general

Los diodos rectificadores de propósito (o uso) general tienen un tiempo de

recuperación inversa relativamente grande, en el caso típico de unos 25 µs, y se
usan en aplicaciones de baja velocidad, donde no es crítico el tiempo de
recuperación (por ejemplo, en rectificadores y convertidores de diodo, para
aplicaciones con una frecuencia de entrada baja, hasta de 1kHz, y para
convertidores conmutados por línea). Esos diodos cubren especificaciones de
corriente desde menos de 1 A y hasta varios miles de amperes, y las
especificaciones de voltaje van de 50 V hasta 5 kV. En general, esos diodos se
fabrican por difusión. Sin embargo, los tipos de rectificado res de aleación que se
usan en las fuentes de poder para soldar, son lo
más económicos y robustos, y sus capacidades
pueden llegar hasta 1500 V, 400 A.
La figura muestra diversas configuraciones de los
diodos de propósito general, que caen casi siempre
en dos tipos: uno se llama tipo perno, o montado en
perno, espiga o terminal; el otro se llama tipo de
disco, paquete prensado o puck de hockey. En un
diodo del tipo montado en perno, el ánodo o el
cátodo puede ser el perno.
(Electrónica I, s.f.)

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 Diodo Schottky

El problema de almacenamiento de carga de una unión pn se puede eliminar o

minimizar en un diodo de Schottky. Esto se logra estableciendo un "potencial de
barrera" (o "barrera de potencial") con un contacto entre un metal y un
semiconductor. Se deposita una capa de metal sobre una capa delgada epitaxial de
silicio tipo n. La barrera de potencial simula el comportamiento de una unión pn. La
acción rectificadora sólo depende de los portadores de mayoría, y, en consecuencia
no queda exceso de portadores de minoría que se recombinen. El efecto de
recuperación sólo se debe a la capacitancia propia de la unión del semiconductor.
La carga recuperada de un diodo Schottky es mucho menor que la de un diodo
equivalente de unión pn. Ya que eso sólo se debe a la capacitancia de la unión, es
bastante independiente de la di/dt inversa. Un diodo de Schottky tiene una caída de
voltaje relativamente baja en sentido directo.
La corriente de fuga de un diodo Schottky es mayor que la de un diodo de unión pn.
Un diodo Schottky con voltaje de conducción relativamente bajo tiene una corriente
algo alta, y viceversa. El resultado es que el voltaje
máximo admisible para este diodo se limita en
general a 100 V. Las especificaciones de corriente de
los diodos Schottky varían de 1 a 400 A. Son ideales
para fuentes de alimentación de gran corriente y alto
voltaje de cd. Sin embargo, esos diodos también se
usan en fuentes de poder de poca corriente, para
tener mayor eficiencia. En la figura, se ven
rectificadores duales Schottky de 20 y de 30 A.
(Electrónica I, s.f.)

Diodo de carburo de silicio

El carburo de silicio (SiC) es un material nuevo en la electrónica de potencia. Sus

propiedades físicas mejoran mucho las del Si y del GaAs. Por ejemplo, los diodos
Schottky de SiC fabricados por Infineon Technologies tienen pérdidas ultrabajas de
potencia, y gran fiabilidad. También tienen las siguientes propiedades:

• No tienen tiempo de recuperación inversa;

• Comportamiento ultrarrápido en conmutación;
• La temperatura no influye sobre el comportamiento de conmutación.

La carga típica de almacenamiento QRR es 21Nc para un diodo de 600V y 23Nc para
uno de 600V y 10A.

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 Modelo SPICE

SPICE es un simulador eléctrico que reproduce el comportamiento de la corriente y

el voltaje de circuitos formados por resistencias, condensadores, inductores y
dispositivos semiconductores (BJT, Diodos, MOSFET y JFET). La declaración de
modelo SPICE de un diodo tiene la forma general:

DNOMBRE MODELO D (Pl=Vl P2=V2 P3=V3..... PN=VN)

DNOMBRE es el nombre del modelo, y puede comenzar con cualquier carácter; sin
embargo su tamaño de palabra se limita normalmente a 8.
D es la letra de símbolo de los diodos.
PI, P2...Y VI, V2,...son los parámetros del modelo y sus valores, respectivamente.
Entre los muchos parámetros de los diodos, los más importantes para la
conmutación de potencia son:
IS: Corriente de saturación
BV: Voltaje de rompimiento en sentido inverso
IBV: Corriente de rompimiento en sentido inverso
TI: Tiempo de tránsito
CJO: Capacitancia pn a polarización cero

Diodos conectados en serie

En muchas aplicaciones de alto voltaje (por ejemplo, líneas de transmisión de

corriente directa en alto voltaje [HVDC]), un diodo de los que se consiguen en el
mercado no puede cumplir con las especificaciones de voltaje, por eso muchas
veces los diodos se conectan en serie para aumentar sus posibilidades de bloqueo
inverso.

Consideremos dos diodos conectados en serie,

las variables ID y VD son la corriente y el
voltaje, respectivamente, en sentido directo;
VDl y VD2 son los voltajes en sentido inverso
compartidos de los diodos DI y D2,
respectivamente. En la práctica, las
características v-i en diodos de un mismo tipo
difieren, debido a las tolerancias de sus
procesos de producción.

En la condición de polarización directa, los diodos conducen la misma cantidad de

corriente, y la caída de voltaje de cada diodo en sentido directo sería casi igual. Sin
embargo, en la condición de bloqueo inverso, cada diodo debe conducir la misma
corriente de fuga, y en consecuencia los voltajes de bloqueo pueden ser distintos
en forma apreciable. Una solución sencilla para este problema es forzar la partición

9
a voltajes iguales conectando un resistor en paralelo con cada diodo. (Scribd, s.f.)

Diodos conectados en paralelo

En aplicaciones de alta potencia, se conectan diodos en paralelo para aumentar la

capacidad de conducción de corriente y cumplir con los requisitos deseados. La
repartición de corriente entre los diodos, debe estar de acuerdo con sus respectivas
caídas de voltaje directo. Se puede lograr un reparto uniforme de corriente mediante
inductancias iguales (por ejemplo, en las ramas) o conectando resistores (los cuales
pueden ser prácticos, debido a las pérdidas de potencia). (Scribd, s.f.)

Diodos con cargas RC y RL

La figura 2.12a muestra un circuito con diodo y carga

Re. Para simplificar, se considera que el diodo es ideal.
Por "ideal" se entiende que el tiempo de recuperación
inversa t; Y la caída de voltaje en sentido directo son
despreciables. Esto es, t.; = O Y VD = O. El voltaje de
la fuente Vs es de cd y constante. Cuando se cierra el
interruptor SI en el momento t = O, la corriente de carga
i que fluye por el capacitor se puede determinar
partiendo de que 111V s = VR + Ve = VR + e i dt + ve
(t = O) lO VR = R

En la figura 2.13a se ve un circuito con diodo y carga

RL. Cuando se cierra el interruptor SI en el momento t
= 0, aumenta la corriente i a través del inductor, y se
obtiene partiendo de que Vs = VL + VR = L (di/dt) + Ri
Para la condición inicial i (t = O) = 0, la solución de la
ecuación (que se demuestra en el apéndice D, ecuación
0.2) es:
i(t) = ~ (1 - e-tRIL)
(Rashid)

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 Diodos con cargas LC y RL

En la figura 2.15a se ve un circuito con diodo y carga LC El voltaje de la fuente Vs

es de cd y constante.
En la figura 2.17 se ve un circuito con diodo y carga RLC. Si se cierra el interruptor
51 en el momento t = O,se puede aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff para plantear
la ecuación de la corriente de carga i. (Rashid)

Diodos de corriente libre

Si se cierra el interruptor SI de la figura 2.21a durante un tiempo t, se establece una

corriente a través de la carga; después, si se abre el interruptor, se debe
proporcionar una trayectoria para la corriente hacia la carga inductiva. En caso
contrario, la energía inductiva produce un voltaje muy alto, y se disipa en forma de
calor a través del interruptor, como chispas. La trayectoria se proporciona
normalmente conectando un diodo Dm, como se indica en la figura 2.21a, ya este
diodo se le suele llamar diodo de corrida libre. La operación del circuito se puede
dividir en dos modos. El modo 1 comienza cuando se cierra el interruptor en el
momento t = O y el modo 2 inicia cuando se abre después el interruptor. (Rashid)

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 Recuperación de la energía aprisionada con un diodo

En un circuito, la energía almacenada en el inductor queda aprisionada allí cuando

en el circuito no existe resistencia. En un circuito práctico es preferible mejorar la
eficiencia regresando la energía almacenada a la fuente de abastecimiento. Esto se
puede hacer agregando al inductor un segundo devanado, y conectando un diodo.
El inductor y el devanado secundario se comportan como un transformador. El
secundario del transformador se conecta de tal modo que si V es positivo, entonces
el otro V es negativo con respecto a V1 (y así viceversa). El devanado secundario
que facilita el regreso de la energía almacenada a la fuente, a través del diodo D,
se llama devanado de retroalimentación.

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 Reflexión

Durante lo aprendido en esta investigación son varios los temas que podemos
destacar e incluso profundizar, sin embargo con el tema principal cuyo nombre es
“Electrónica de Potencia”, en nuestra actualidad este de electrónica es de gran
relevancia por las distintas aplicaciones que lleva consigo, ya que nos permite
realizar trabajos como la conversión de corriente alterna a corriente directa o
viceversa, lo cual se utiliza en muchos circuitos de dispositivos tecnológicos
cotidianos, del mismo modo para el trabajo de energías renovables lo cual es de
gran importancia en nuestros tiempos.
La electrónica de potencia amplia nuestra visión y conocimiento en la elaboración
de nuestros proyectos para trabajar con la corriente alterna, desde cómo controlarla
hasta modificarla a la necesidad que se presente en un determinado momento,
gracias a los diferentes dispositivos con los cuales aprendimos a trabajar, como los
Triac, MOSFET de potencia y los interruptores de potencia en este caso.
También es el caso de los circuitos de diodos conectados tanto en serie como en
paralelo, además, están los circuitos RC y RL.
Este conocimiento obtenido nos otorgara la pauta necesaria para trabajos y
proyectos futuros de nuestra formación.

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 Anexos

Cuestionario

1. Menciona una de las limitaciones de los diodos.

R: son unidireccionales, no pueden circularla corriente en sentido contrario al
de conducción.

2. ¿Cuál es el estado en el que se debe de encontrar un diodo de potencia para

poder soportar una alta intensidad?
R: estado de conducción.

3. ¿Cuál es el único procedimiento de control de un diodo?

R: es invertir entre el ánodo y el cátodo.

4. ¿En qué sentido los diodos de potencia son capaces de soportar una fuente
de tensión negativa?
R: en sentido inverso.

5. Menciona 3 cosas que pueden hacer variar el coeficiente de resistividad en

un elemento semiconductor.
R: la luz, la temperatura y la inducción magnética.

6. ¿Con que material se inicia la construcción de cualquier dispositivo

electrónico discreto?
R: con un material semiconductor de la más alta calidad.

7. ¿Dentro de cuantas clases puede entrar un semiconductor?

R: 2 clases.

8. ¿Cuáles son las clases donde puede entrar un semiconductor?

R: clase de un solo cristal y compuestos.

9. Menciona 2 elementos que se utilicen en la clase de un solo cristal y tengan

una estructura repetitiva.
R: el germanio y el silicio.

10. Menciona 2 elementos que se utilicen en la clase de los compuestos

R: arseniuro de galio, fosforo, nitruro de galio y arsénico.

11. ¿Cuáles son los tres elementos más frecuentemente utilizados en la

construcción de dispositivos electrónicos?
R: germanio, silicio y arseniuro de galio.

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12. ¿Cuál es la agrupación de las características del diodo?
R: características estáticas, características dinámicas, características de
potencia, características térmicas y protección contra sobrecalentamientos.

13. ¿Qué datos podemos encontrar dentro de las características estáticas?

R: parámetro en bloqueo, parámetros en conducción y modelo estático.

14. ¿Qué datos podemos encontrar dentro de las características de potencias?

R: potencia máxima disipable, potencia media disipada, potencia inversa de
pico repetitivo y potencia inversa de pico no repetitivo.

15. ¿Qué significan en español las VRRM?

R: tensión inversa máxima.

16. ¿Qué significan en español las iniciales VD?

R: tensión de codo.

17. ¿Cuáles son los tipos de diodos de potencia?

R: de uso general, de alta velocidad y Schottky.

18. ¿En qué unidad de medida se encuentra el tiempo de recuperación de un

diodo Schottky?
R: en nanosegundos.

19. Menciona cuales son las características de diodo de carburo de silicio

R: No tienen tiempo de recuperación inversa, comportamiento ultrarrápido en
conmutación, la temperatura no influye sobre el comportamiento de
conmutación.

20. ¿Cuál es la carga típica de almacenamiento Qrr para un diodo de 600v?

R: es 21 Nc.

21. ¿Qué es el modelo SPICE?

R: Es un simulador eléctrico que reproduce el comportamiento de la corriente
y el voltaje de circuitos formados por resistencias, condensadores, inductores
y dispositivos semiconductores

22. En el modelo SPICE, R significa resistencia en serie, pero también recibe el

nombre de:
R: Resistencia de la masa.

23. Entre los muchos parámetros de los diodos, los 5 más importantes son:

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 R: Corriente de saturación, voltaje de rompimiento en sentido inverso,
corriente de rompimiento en sentido inverso, tiempo de tránsito y
capacitancia PN a polarización cero.

24. Las siglas IS en el modelo SPICE significan:

R: Corriente de saturación

25. Es la letra del símbolo de los diodos en el modelo SPICE:

R: D

26. En qué forma se conectan los diodos para aumentar sus posibilidades de
bloqueo:
R: En serie

27. ¿En qué condición de polarización los diodos conducen la misma cantidad
de corriente?
R: Polarización directa.

28. ¿En qué forma se conectan los diodos para aumentar la capacidad de
conducción de corriente?
R: En paralelo.

29. Las siglas TT significan:

R: Tiempo de tránsito.

30. ¿En qué aplicaciones se conectan los diodos en paralelo?

R: En aplicaciones que necesitan alta potencia.

31. En un circuito ¿Qué pasa cuando no existe resistencia?

R: la energía queda aprisionada allí

32. ¿Cómo se comportan el inductor y el devanado secundario?

R: como un transformador

33. ¿Qué hace el devanado secundario?

R: facilita el regreso de la energía almacenada a la fuente

34. ¿Cómo se le conoce al devanado?

R: devanado de retroalimentación

35. ¿Qué es preferible hacer en un circuito práctico?

R: mejorar la eficiencia regresando la energía almacenada a la fuente de
abastecimiento

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 Bibliografía
Electrónica I. (s.f.). Obtenido de https://www.uv.es/~marinjl/electro/diodo.html

Madrid, G. V. (s.f.). Departamento de Ingeniería de la Formación y Comunicaciones.

Obtenido de http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-sistemas-
electronicos/material-de-clase-1/tema-2.-circuitos-con-diodos.pdf

Rashid, M. H. (s.f.). Electrónica de Potencia. En M. H. Rashid, Electrónica de Potencia

(págs. 13,16-18,20-22). Pearson Education.

Scribd. (s.f.). Obtenido de Scribd: https://es.scribd.com/doc/66691600/Diodos-Serie-y-

Paralelo

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