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Informe de Laboratorio #8
Semiconductores Diodos
Nrc: 1739
Resumen
En esta práctica nos explicaron la utilización y las propiedades que tienen los diodos en
este caso los rectificadores cómo funcionan y que tienen un cierto rango de
funcionamiento vamos a trabaja con solo dos diodos rectificadores en este caso de
germanio y un diodo Zener.
Para realizar la comprobación de esta teoría vamos a realizar una serie de obtención de
resultados en los cuales se va a aplicar un circuito con resistencias y un diodo rectificador
en dirección de conducción o de bloque en el cual vamos a comprobar la corriente ya la
tensión.
También vamos a realizar esta práctica con alimentai0n de voltajes negativos a ver que
comportamiento presenta este circuito.
Abstract
In practice we explained the use and properties have diodes in this case rectifiers how
they work and have a certain range of operation will work with only two rectifier diodes
in this case germanium and a Zener diode . To perform the verification of this theory we
will perform a series of obtaining results which will apply a circuit with resistance and a
rectifier diode driving direction or block in which we will check the current and voltage .
We will also do this practice with negative voltages alimentai0n to see that behavior
presents this circuit.
Marco Teórico.
Diodo
Constan de la unión de dos tipos de material semiconductor, uno tipo N y otro tipo P,
separados por una juntura llamada barrera o unión.
Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la más utilizada) y de germanio. Esta
barrera o unión es de 0.3 voltios en el germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el
diodo de silicio.
Polarización directa.
Cuando la corriente circula en sentido directo, es decir del ánodo A al cátodo K, siguiendo
la ruta de la flecha (la del diodo). En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha
facilidad comportándose prácticamente como un corto circuito. El diodo conduce.
GUIA PRACTICA N: 4.2
Tema:
SEMICONDUCTORES DIODOS
1 Objetivos
Para definir las características de bloque del diodo, conmute la polaridad del
circuito y mida los parámetros físicos, mencionados anteriormente.
Los límites de tensión de entrada, tanto para la característica de conducción como
del bloque, dependerán del tipo de diodo que utilice, para ello consulte las
características respectivas.
Tabla de datos.
DIODO GERMANIO
DIODO ZENER
ANÁLSIS: INDIVIDUAL.
Diodo de Germanio formula de Regresión cuadrática
Serie 1)
Grafica de T salida/entrada diodo de germanio en conducción.
Serie 5)
Grafica de T salida/entrada diodo de germanio en bloqueo.
60
y = 0.0051x2 - 0.0649x - 0.0775
40 R² = 0.9793
20
Series1
0 Series2
0 20 40 60 80 100 Series3 y = 0
-20
R² = #N/A
Poly. (Series1)
-40 Poly. (Series2)
Poly. (Series3)
-60
Diodo Zener
Serie 2)
Grafica de T salida/entrada diodo Zener en conducción.
Serie 6)
Grafica de T salida/entrada diodo Zener en bloqueo.
20
Series1
0 Series2
0 20 40 60 80 100 y=0
Series3 R² = #N/A
-20
Poly. (Series1)
-40 Linear (Series2)
Poly. (Series3)
-60
-80
y = -0.8817x - 2.4238
-100 R² = 0.9771
20
y = 0.0008x2.3766
R² = 0.9905
10
0
0 20 40 60 80 100
ANÁLISIS:
Serie 1)
Conducción diodo Zener: para el análisis de esta curva usa una regresión potencia para
describir la curva que toma.
3,4554
y = 1E-05x
R² = 0,9924
(−1,603∗10−19 ∗0,320
1) 𝐼𝑑 = −0,0001 (𝑒 1.38∗10−31 ∗273 − 1)
𝐼𝑑 = 0,0001 [𝐴]
(−1,603∗10−19 ∗0,511
2) 𝐼𝑑 = −0,0033 (𝑒 1.38∗10−31 ∗273 − 1)
𝐼𝑑 = 0,0033 [𝐴]
(−1,603∗10−19 ∗0,599
3)𝐼𝑑 = −0,0083 (𝑒 1.38∗10−31 ∗273 − 1)
𝐼𝑑 = 0,0083 [𝐴]
(−1,603∗10−19 ∗0,693
4) 𝐼𝑑 = −0,028 (𝑒 1.38∗10−31 ∗273 − 1)
𝐼𝑑 = 0,028 [𝐴]
(−1,603∗10−19 ∗0,744
5) 𝐼𝑑 = −0,042 (𝑒 1.38∗10−31 ∗273 − 1)
𝐼𝑑 = 0,042 [𝐴]
Bloqueo
𝑒∗𝑈𝑑
𝐼𝑑 = −𝐼𝑜 (𝑒 𝑘∗𝑡 − 1)
(−1,603∗10−19 ∗0,320
1) 𝐼𝑑 = −0 (𝑒 1.38∗10−31 ∗273 − 1)
𝐼𝑑 = 0,0001 [𝐴]
(−1,603∗10−19 ∗0,511
2) 𝐼𝑑 = −0 (𝑒 1.38∗10−31 ∗273 − 1)
𝐼𝑑 = 0 [𝐴]
(−1,603∗10−19 ∗0,599
3)𝐼𝑑 = −0 (𝑒 1.38∗10−31 ∗273 − 1)
𝐼𝑑 = 0, [𝐴]
(−1,603∗10−19 ∗0,693
4) 𝐼𝑑 = −0 (𝑒 1.38∗10−31 ∗273 − 1)
𝐼𝑑 = 0 [𝐴]
(−1,603∗10−19 ∗0,744
5)𝐼𝑑 = −0 (𝑒 1.38∗10−31 ∗273 − 1)
𝐼𝑑 = 0 [𝐴]
Conducción diodo de Germanio
𝑒∗𝑈𝑑
𝐼𝑑 = −𝐼𝑜 (𝑒 𝑘∗𝑡 − 1)
(−1,603∗10−19 ∗0,392
1)𝐼𝑑 = −0,0005 (𝑒 1.38∗10−31 ∗273 − 1)
𝐼𝑑 = 0,0005 [𝐴]
(−1,603∗10−19 ∗0,511
2) 𝐼𝑑 = −0,0032 (𝑒 1.38∗10−31 ∗273 − 1)
𝐼𝑑 = 0,0032 [𝐴]
(−1,603∗10−19 ∗0,618
3)𝐼𝑑 = −0,0064 (𝑒 1.38∗10−31 ∗273 − 1)
𝐼𝑑 = 0,0064 [𝐴]
(−1,603∗10−19 ∗0,808
4) 𝐼𝑑 = −0,024 (𝑒 1.38∗10−31 ∗273 − 1)
𝐼𝑑 = 0,024 [𝐴]
(−1,603∗10−19 ∗0,890
5) 𝐼𝑑 = −0,034 (𝑒 1.38∗10−31 ∗273 − 1)
𝐼𝑑 = 0,034 [𝐴]
Bloqueo
𝑒∗𝑈𝑑
𝐼𝑑 = −𝐼𝑜 (𝑒 𝑘∗𝑡 − 1)
(−1,603∗10−19 ∗0,392
1)𝐼𝑑 = −0 (𝑒 1.38∗10−31 ∗273 − 1)
𝐼𝑑 = 0 [𝐴]
(−1,603∗10−19 ∗0,511
2) 𝐼𝑑 = −0 (𝑒 1.38∗10−31 ∗273 − 1)
𝐼𝑑 = 0 [𝐴]
(−1,603∗10−19 ∗0,618
3)𝐼𝑑 = −0,0064 (𝑒 1.38∗10−31 ∗273 − 1)
𝐼𝑑 = 0[𝐴]
(−1,603∗10−19 ∗0,808
4) 𝐼𝑑 = −0,024 (𝑒 1.38∗10−31 ∗273 − 1)
𝐼𝑑 = 0 [𝐴]
(−1,603∗10−19 ∗0,890
5) 𝐼𝑑 = −0,034 (𝑒 1.38∗10−31 ∗273 − 1)
𝐼𝑑 = 0 [𝐴]
Explique con argumento de temperatura de la unión P-N modificaría los gráficos
anteriores.
En el aumento de temperatura obviamente va cambiar las características de los diodos y
las gráficas van aumentar respecto a los resultados obtenidos por los mismos.
Cuáles son los parámetros más comunes para identificar a los diodos a los que usted
utilizado. Expliqué en que consiste Cree que se ha rebasado los límites técnicos.
Parámetros en bloqueo
Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el
dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.
Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en
picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.
Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada
una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más.
Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms
el diodo puede destruirse o degradar las características del mismo.
Tensión inversa contínua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo en
estado de bloqueo.
Parámetros en conducción
Diodo Zener
Recordaremos que, en polarización inversa y alcanzada esta zona, a pequeños aumentos
de tensión corresponden grandes aumentos de corriente.
Este componente es capaz de trabajar en dicha región cuando las condiciones de
polarización lo determinen y una vez hayan desaparecido éstas, recupera sus propiedades
como diodo normal, no llegando por este fenómeno a su destrucción salvo que se alcance
la corriente máxima de zener Imáx indicada por el fabricante.
Lógicamente la geometría de construcción es diferente al resto de los diodos, estribando
su principal diferencia en la delgadez de la zona de unión entre los materiales tipo P y
tipo N, así como de la densidad de dopado de los cristales básicos.
Sus parámetros principales son:
Los diodos de germanio se utilizan mejor en circuitos eléctricos de baja potencia. Las
polarizaciones de voltaje más bajas resulta en pérdidas de potencia más pequeñas, lo que
permite que el circuito sea más eficiente eléctricamente. Los diodos de germanio también
son apropiados para circuitos de precisión, en donde las fluctuaciones de tensión debe
mantenerse a un mínimo. Sin embargo, los diodos de germanio se dañan más fácilmente
que los diodos de silicio.
Cree que se han basado en limites técnicos.
Según mi criterio podemos observar que la utilización de los diodos en la práctica pasada
fue la correcta.
Considerado lo anterior, el hueco de electrón es, junto al electrón, entendido como uno
de los portadores de carga que contribuyen al paso de corriente eléctrica en los
semiconductores.
El hueco de electrón tiene valores absolutos de la misma carga que el electrón pero,
contrariamente al electrón, su carga es positiva.
En los metales, el nivel de Fermi proporciona información sobre las velocidades de los
electrones que participan en la conducción eléctrica ordinaria. La cantidad de energía que
se puede dar a un electrón en tales procesos de conducción, son del orden de micro
electrón-voltios (ver ejemplo de conductor de cobre), de modo que solamente pueden
participar aquellos electrones muy próximos a la energía de Fermi. La velocidad Fermi
de estos electrones de conducción, se puede calcular por la energía de Fermi.
2𝐸𝐹
𝑉𝐹 = √
𝑚
Usted habrá observado que el diodo Zener tiene características particulares que la
diferencian del diodo común. ¿Cuáles son?
Podrá ser estas propiedades útiles para estabilizar una fuente de tensión. ¿Cómo?
Los diodos zener son diodos que están diseñados para mantener un voltaje constante en
sus terminales, llamado Voltaje o Tensión Zener (Vz) cuando se polarizan inversamente,
es decir cuando está el cátodo con una tensión positiva y el ánodo negativa.
Conclusiones.
Como podemos observar la utilización de los semiconductores tiene una gran factibilidad
en toda forma, su forma de uso puede ser de conductividad y de bloqueo.
Al momento de colocar en conducción se comporta como cortocircuito esto quiere decir
que circula normalmente la corriente, pero al ponerle en bloque se comporta como
circuito abierto es decir no circula la corriente, también vimos tres tipos diferente de
diodos y cada uno tiene sus características, según las características de cada uno debemos
ver podemos utilizarlos o no.
Bibliografía:
https://es.wikipedia.org/wiki/Hueco_de_electr%C3%B3n
www.info-ab.uclm.es/.../teoria%20de%20los%20semiconductores.html
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/solids/fermi.html
http://www.uv.es/candid/docencia/ed_prac04.pdf
http://www.areatecnologia.com/electronica/diodo-zener.html
http://www.monografias.com/trabajos96/diodo-zener-resumen/diodo-zener-
resumen.shtml#ixzz4GgARlo4R