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DIFERENCIA ENTRE EFECTO

FOTOELÉCTRICO Y EFECTO
FOTOVOLTAICO

DIFERENCIA ENTRE EFECTO

FOTOELÉCTRICO Y EFECTO
FOTOVOLTAICO
En muchas ocasiones podemos encontrar los términos de "efecto fotoeléctrico" y "efecto fotovoltaico"
utilizados indistintamente. En este artículo vamos a intentar aclarar la diferencia entre efecto fotoelectrico
(https://es.wikipedia.org/wiki/Efecto_fotoel%C3%A9ctrico) y efecto fotovoltaico
(http://www.certificadosenergeticos.com/energia-solar-beneficios-que-efecto-fotovoltaico).

Desde un punto de vista técnico y riguroso debemos saber que no tienen el mismo significado. A continuación
vamos a intentar arrojar un poco de luz a esta confusión tan generalizada.

EL EFECTO FOTOELÉCTRICO
Para entender la diferencia entre efecto fotoelectrico y efecto fotovoltaico en primer lugar debemos comprender el
significado del efecto fotoeléctrico. Es el proceso por el cual se liberan electrones de un material debido a la
incidencia de la radiación electromagnética.

Cuando los fotones llegan al material, su energía puede ser

absorbida por los electrones de dicho material. De este modo
los electrones adquieren un nivel energético superior. Además si
ese nivel es superior al que necesitan para abandonarlo,
entonces generan un par electrón-hueco. El hueco se comporta
como una carga positiva.

Parte de la energía del fotón se utilizará para liberarlo de la

estructura cristalina a la que pertenece, mientras que el resto
servirá para aumentar su velocidad (energía cinética).

Si la energía de los fotones es baja, los electrones no serán capaces de abandonar el material. En dicho caso no
se producirá el fenómeno de fotoemisividad.

ENTENDIENDO EL EFECTO FOTOELÉCTRICO

La energía de los fotones no depende de la intensidad de la radiación, sino de su longitud de onda. A menor
longitud de onda, mayor energía (E=h·c/λ). Es por ello que si a una determinada longitud de onda no conseguimos
el efecto fotoeléctrico, incrementando su intensidad tampoco lo conseguiremos. En cambio sí disminuimos su
longitud de onda, y por lo tanto aumentamos su energía, si lo podremos conseguir.
Cada semiconductor tiene una energía mínima necesaria para romper un enlace y que aparezca un par electrón-
hueco, por lo tanto una longitud de onda máxima. Por ejemplo, para el silicio necesitamos una energía superior a
1,12 eV, que corresponde con una longitud de onda inferior a 1.100 nm.

Los electrones y los huecos que se generan cuando la radiación incide sobre el material semiconductor. Estos se
mueven aleatoriamente pudiendo ocupar cada electrón un hueco libre en lo que se conoce como recombinación del
par electrón-hueco. Este movimiento de cargas da lugar a una "corriente eléctrica" en el interior del material
denominada conductividad intrínseca, y que carece de efectos externos, es decir, no genera electricidad.

EL EFECTO FOTOVOLTAICO
Para conocer la diferencia entre efecto fotoelectrico y efecto fotovoltaico tenemos que entender el efecto
fotovoltaico. Este es por definición " el proceso por el cual se genera una diferencia de potencial entre dos puntos
de un material cuando sobre el incide la radiación electromagnética.

Vamos a seguir analizando el efecto fotoeléctrico, y separamos por un lado los electrones (cargas negativas) y por
el otro los huecos (cargas positivas). Obtenemos entonces un campo eléctrico y habremos hecho de nuestro
semiconductor, un pequeño generador eléctrico. Por lo tanto podemos afirmar que "el efecto fotoeléctrico es una
parte del efecto fotovoltaico". No hay efecto fotovoltaico sin efecto fotoeléctrico, sin embargo si puede haber efecto
fotoeléctrico sin efecto fotovoltaico.

ENTENDIENDO EL EFECTO FOTOVOLTAICO

Para entender cómo se produce este fenómeno a nivel atómico es necesario aclarar los siguientes puntos.

Semiconductor extrínseco tipo N (https://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor#Semiconductor_tipo_N): Se

produce al dopar (introducir) en la estructura cristalina de Silicio impurezas. Dichas impurezas serán de un
elemento con cinco electrones de valencia en su orbital externo. Pueden ser Fósforo (P), Antimonio (Sb) o
Arsénico (As). Como se aprecia en la imagen, el átomo de Sb crea los cuatro enlaces covalentes. Además le
sobra un electrón que se sale de su órbita para que quede estable. Con cada átomo de antimonio aparece un
electrón libre en la estructura que aumenta su conductividad eléctrica. Son conocidos con el nombre de
semiconductores tipo N por ser negativa la carga de los portadores añadidos.

Semiconductor extrínseco tipo P (https://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor#Semiconductor_tipo_P): Se

produce al dopar (introducir) en la estructura cristalina del Silicio impurezas. Dichas impurezas deben ser de un
elemento con tres electrones de valencia en su orbital exterior. Pueden ser Boro (B), Galio (Ga) o Indio (In).
Como se aprecia en la imagen, el átomo de Boro solo crea tres enlaces covalentes. De esta forma queda un
átomo de Silicio con un electrón sin enlazar. Aparece entonces un hueco que se comporta como una carga
 positiva moviéndose por el interior de la red cristalina. Son conocidos con el nombre de semiconductores tipo P
por ser positiva la cara de los portadores añadidos.

Unión del semiconductor P con el N (https://es.wikipedia.org/wiki/Uni%C3%B3n_PN): Al unir ambos

semiconductores se produce un efecto de difusión de electrones de la zona N (alta concentración de
electrones) a la zona P (baja concentración de electrones). Con lo huecos ocurre lo mismo, desplazándose
desde donde hay mayor concentración (zona P) a donde hay menor concentración (zona N). En este
movimiento de cargas, se produce en la zona de unión una neutralización debido a la combinación de
electrones y huecos. La tensión que aparece entre las zonas, llamada barrera de potencial impide que continue
el movimiento de cargas, ya que las cargas positivas de la zona N repelen a los huecos que se acercan de P, y
las cargas negativas de la zona P repelen a los electrones que se acercan de N.

GENERACIÓN DE CORRIENTE MEDIANTE EL EFECTO

FOTOVOLTAICO
Al exponer el conjunto PN por la zona N a la radiación electromagnética, la energía de los fotones se

transmite a los electrones rompiéndose los enlaces y quedando estos electrones libres incrementando la carga
negativa del la zona N y por lo tanto la diferencia de potencial. A medida que aumenta la radiación, también lo hará
esta diferencia de potencial.
Uniendo directamente sin resistencia (cortocircuito) la zona N y la zona P los electrones circulan desde la zona N a
la zona P en lo que se denomina corriente de cortocircuito.

Si lo conectamos en carga, aparece entre los extremos una diferencia de potencial debido a la corriente que circula.
De esta forma estamos consumiendo parte de la energía de la radiación electromagnética que incide sobre el
material.

Ahora ya tenemos todos los elementos para conocer la diferencia entre efecto fotoelectrico y efecto fotovoltaico.

CONCLUSIÓN
¿Qué podemos decir de la diferencia entre efecto fotoelectrico
(https://es.wikipedia.org/wiki/Efecto_fotoel%C3%A9ctrico) y efecto fotovoltaico? Podemos concluir que el efecto
fotoeléctrico (https://es.wikipedia.org/wiki/Efecto_fotoel%C3%A9ctrico) y el efecto fotovoltaico no es lo mismo,
aunque están intimamente relacionados. Para que aparezca el efecto fotovoltaico es necesario que el material tenga
una estructura molecular determinada (unión PN). Además debe indicir una radiación electromagnética con energía
suficiente para romper los enlaces covalentes de la red cristalina.
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