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Celda de memoria. Las unidades de memoria son módulos conformados por un conjunto
de cerrojos o condensadores agrupados de tal forma que almacenan varias palabras
binarias de n bits. Cada una de ellas tienen la capacidad de almacenar un bit de
información (1 o 0), y se conocen con el nombre de celdas de memoria. Las celdas o
bits de memoria se ubican mediante la fila y la columna en la que se encuentra.
Un bit de memoria. En la memoria RAM dinámica es una celda que está compuesta por
un transistor y un condensador. En la memoria RAM estática, es una celda está
compuesta por alrededor de cinco transistores.
Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de núcleo magnético,
desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo
de circuitos integrados a finales de los años 60 y principios de los 70. Esa memoria
requería que cada bit estuviera almacenado en un toroide de material ferromágnetico
de algunos milímetros de diámetro, lo que resultaba en dispositivos con una capacidad
de memoria muy pequeña. Antes que eso, las computadoras usaban relés y líneas de
retardo de varios tipos construidas para implementar las funciones de memoria principal
con o sin acceso aleatorio.
Los dos tipos de memoria RAM se diferencian en la tecnología que utilizan para guardar
los datos, la memoria RAM dinámica es la más común.
La memoria RAM dinámica necesita actualizarse miles de veces por segundo, mientras
que la memoria RAM estática no necesita actualizarse, por lo que es más rápida, aunque
también más cara. Ambos tipos de memoria RAM son volátiles, es decir, que pierden su
contenido cuando se apaga el equipo.
Dinámicas (DRAM)
Las memorias dinámicas pierden su información cuando este es leído y además si dejan
de recibir energía, para evitar las pérdidas de información al ser leída se restaura la
información que contienen sus celdas.
Este tipo de memorias poseen una gran capacidad pero que precisa constantemente
ser re -energizada o perdería su contenido, generalmente usa un transistor y un
condensador para representar un bit, los condensadores deben ser energizados cientos
de veces por segundo para mantener las cargas, dentro de estas tenemos:
SDRAM
Siglas de Synchronous DRAM, DRAM síncrona, SDRAM entrelaza dos o más matrices
de memoria interna de tal forma que mientras que se está accediendo a una matriz,
la siguiente se está preparando para el acceso.
DDR‐SDRAM
Las memorias DDR por lo general poseen una marca, tal como PCXXXX, en la que
"XXXX" representa la velocidad en MB/s.
Estáticas (SRAM)
RAM cache
Bibliografía
• Tocci, Ronald. Widmer, Neal. Moss Gregory (2007). Sistemas Digitales Principios y
Aplicaciones, Décima Edición, México: Pearson Education editorial.
Pregunta
d) no pierden información