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半導體奈米技術
Nanometer Technolog for Semiconductor

龍 文 安 著
國立交通大學應用化學系教授

印行

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 自 序 O

自 序

半導體奈米製程相關技術可謂日新月異，如夸父追日、精衛填海，永無止境。有鑑
於英文相關書籍，涵蓋面不全，且語焉不詳，對國人未盡適合；國內尚無適當之中文技
術專書，因此決定以在交通大學應用化學系多年授課之講義為基本架構，適當增補內
容，編寫成本書，以彌補上述缺憾。本書改正英文文獻某些不當與錯誤之處，對中文名
詞與用語亦經縝密斟酌，務求正確、簡明與望文生義。
本書重點在半導體奈米製程原理與概念之說明，而不在生產線上實務細節之描述。
本書內容已儘可能參酌最新相關文獻，以符合時效。願本書能為引介半導體奈米技術知
識、推動科技中文化與實現我中華民族偉大之復興，略盡棉薄。
中國人以中文母語閱讀、思考、表達與傳播科技知識，不僅天經地義，且科技方能
真正紮根，茁壯成長。盲目倡導英文至上論，輕視母語，科技在我國將形同失根之浮
萍，永遠淪為科技強國之殖民地。千秋功過，豈能不慎？
衷心感謝內子彭怡泉女士之支持與體諒；感謝交大諸多同仁，對本書相關內容提供
寶貴意見；亦感謝研究生協助資料蒐集與五南圖書第五編輯室之費心。本書如有繆誤、
疏漏之處，尚請海內外學者、專家不吝指正，俾再版時得以修正。
父親龍時雨青年從軍，投身抗日衛國戰爭，經歷湖南長沙與衡陽保衛戰，與日寇浴
血奮戰，全連官兵幾乎全部為國捐軀。母親張敬孝在湖南澧縣家鄉，每逢日寇下鄉掃
蕩，倉皇懷抱尚在襁褓中之家姊，或藏匿於草堆，或隱伏於田溝，全身戰慄，距日寇奮
力刺下之刺刀，咫尺之遙爾！

謹將本書獻給父親龍時雨與母親張敬孝

龍文安
中華民國九十九年夏定稿於
台灣省新竹市國立交通大學應用化學系

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 目 錄 1 O

目 錄

第一章 背景知識

1 1-1 電子自旋、角動量與磁矩 51 1-18 電子發射、蕭特基效應與穿隧

13 1-2 量子數 效應
13 1-3 多重態與異態間跨越 51 1-19 傳統晶胞、晶面與晶向表示法
13 1-4 電子迴轉 54 1-20 軌域電子、傳導電子與自由電
22 1-5 光子與電子波粒二重性、有效質 子之差異
量與動量 55 1-21 布洛赫波
26 1-6 測不準原理 58 1-22 倒晶格、波向量與布里路因區
27 1-7 電子流與電流反向 之簡易說明
27 1-8 固體之價帶與導帶－較簡單說明 59 1-23 固體之價帶與導帶－較進階說
（較進階說明在後） 明
34 1-9 帶隙能（能隙） 69 1-24 奈米晶體
36 1-10 費米能階 78 1-25 穿隧效應
40 1-11 能帶相關易誤解觀點 80 1-26 二氧化鈦光觸媒
42 1-12 離子化能 84 1-27 磁性介質分類
42 1-13 工作函數 88 1-28 介電材（絕緣材）與各式應用
46 1-14 束縛能 91 1-29 去氧核糖核酸與微電子
49 1-15 電子親和能 95 1-30 分光儀與能隙
50 1-16 電子親和能 EA、離子化能 IP、 96 1-31 四點探針與片電阻
工作函數 WF 與束縛能 BE 之異同 98 1-32 品管標準差三西格馬(3 )與六
50 1-17 金屬與半導體接觸 西格馬(6 )

第二章 微影緒論

99 2-1 緒論 113 2-4 芯片技術重要進展簡介

101 2-2 摩爾定理相關議題 113 2-5 電子元件使用之材料
109 2-3 本世代與後光學微影之選擇 118 2-6 重要補充

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O 2 半導體奈米技術

第三章 微影製程概述

124 3-1 晶圓清潔 151 3-13 硬烤或光安定

132 3-2 長氧化層 151 3-14 電漿除渣
133 3-3 上底材(Priming) 152 3-15 圖案轉移
135 3-4 上阻劑(Resist Coating) 171 3-16 阻劑清除與元件清潔
138 3-5 軟烤 172 3-17 回火與快熱製程
142 3-6 冷板冷卻 174 3-18 化學機械研磨
143 3-7 微影方法 176 3-19 微影製程實際應用於製備場效
145 3-8 照後理 電晶體
146 3-9 照後延 180 3-20 場效電晶體研發舉例
147 3-10 照後烤 188 3-21 碳奈米管製備場效電晶體可行
148 3-11 顯影 性研究
150 3-12 清洗

第四章 基礎光學

197 4-1 光速與光性質之新發現 226 4-9 薄膜折射率(n)與虛項吸收係數

204 4-2 折射率(n)與全反射 (k)測求
205 4-3 折射率(n)與虛項吸收係數(k) 229 4-10 夫朗和費(Fraunhofer)與菲涅耳
215 4-4 虛項吸收係數(k)與機率吸收係數 (Fresnel)繞射
( ) 229 4-11 準分子（激雙子）雷射簡介
215 4-5 折射率(n)與介電常數(k) 233 4-12 透鏡之雙折射
217 4-6 反射率、反射係數、光束電場振 242 4-13 透鏡之色心
幅（光 幅）與光 束光 強度（光 247 4-14 透鏡之縮密
強） 250 4-15 透鏡之像差
220 4-7 吸收度、比爾吸收係數、吸收長 253 4-16 透鏡材料與性質
度與三種吸收係數定義 258 4-17 透鏡之聚光當量（數值孔徑）
221 4-8 透射度、透射率、反射度、反射 與 f-值
率與修正方法

第五章 微影光學

261 5-1 空間影像對比度（簡稱像比） 265 5-4 光源、同調度、相擾度、干涉、

262 5-2 成像對數斜率 間距、光幅與成像性質
263 5-3 門檻光強 288 5-5 單與多狹縫繞射、圓孔繞射、瑞

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 目 錄 3 O
利規範與其他規範 333 5-12 迪耳照射參數
298 5-6 微影機台之解像度與阿貝規範 338 5-13 阻劑側壁輪廓之駐波效應
309 5-7 空間頻率、截止頻率與低通濾波 339 5-14 因晶圓反射導致之阻劑擺動效
應
316 5-8 微影解像度歸納與前瞻 344 5-15 因圖罩距離導致之阻劑擺動效
317 5-9 焦深 應
330 5-10 照射 離焦 解像度關係圖 346 5-16 阻劑之雷射干涉
333 5-11 空間影像對比增強 349 5-17 抗反射塗佈

第六章 主要微影方法

355 6-1 成像系統 管直寫

356 6-2 步進機與掃描機 401 6-13 軟 X 光微影
362 6-3 照射景域、晶方與晶粒 415 6-14 軟 X 光聚焦環陣列微影(Zone
364 6-4 註冊、對準與疊對 Plate Array Lithography, ZPAL)
367 6-5 近紫外光汞弧燈 365 奈米 I-線微 418 6-15 正規電子束微影
影 428 6-16 多重束與多重柱電子束微影
370 6-6 雷射描圖機 430 6-17 低能電子束微影
371 6-7 氟化氪(KrF) 248 奈米準分子雷射 431 6-18 電子束投影式微影－限角散射
微影 投影式電子束微影
372 6-8 氟化氬(ArF) 193 奈米準分子雷射 434 6-19 電子束投影式微影－變軸浸入
微影 式透鏡投影縮小照射
375 6-9 氟(F2) 157 奈米激雙子雷射微影 436 6-20 混同微影(Hybrid Lithography)
379 6-10 氬(Ar2) 126 奈米激雙子雷射微 436 6-21 掃描探針微影
影 439 6-22 無阻劑微影
380 6-11 極 短 紫 外 光(Extreme UV, EUV) 443 6-23 聚焦離子束微影
13 奈米微影 444 6-24 離子束投影式微影
399 6-12 近場微影－準分子雷射微型滴

第七章 其他微影方法

449 7-1 濕浸式微影 478 7-4 深刻模造微影

465 7-2 干涉微影 480 7-5 較少見之其他微影
472 7-3 奈米壓印微影或軟微影

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O 4 半導體奈米技術
第八章 圖罩與圖規
489 8-1 傳統圖罩
493 8-2 攜合圖罩或原位圖罩
495 8-3 圖罩設計與製備準則
496 8-4 相移圖罩原理
512 8-5 相移圖罩基本分類與特性
540 8-6 基本型衍生之特殊相移圖罩與未
來應用趨勢
546 8-7 相移圖罩側葉光強之消除或降低
548 8-8 嵌附層（減光相移層）材質
556 8-9 相移角度與相移層需要厚度計算
法
第九章 阻劑化學
605 9-1 量子化學
605 9-2 阻劑簡介
606 9-3 傳統有機正型阻劑
625 9-4 傳統有機負型阻劑
633 9-5 傳統有機雙型阻劑
635 9-6 化學放大型阻劑配方與原理簡介
641 9-7 電子束、X 光用化學放大正型阻
劑 673 9-17 阻劑之逸氣與防治方法相關議
641 9-8 電子束、X 光用化學放大負型阻
劑 675 9-18 化學放大型阻劑(CAR)其他相關
643 9-9 KrF 248 奈米化學放大正型阻劑
646 9-10 KrF 248 奈米化學放大負型阻劑
648 9-11 ArF 193 奈米化學放大正型阻劑
653 9-12 ArF 193 奈米化學放大負型阻劑
653 9-13 F2 157 與 EUV 13 奈米化學放大
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565 8-10 極短紫外光(EUV)微影圖罩
573 8-11 軟 X 光微影圖罩
583 8-12 電子束直寫導致 X 光圖罩圖案
之變形
584 8-13 電子束微影圖罩與圖規
585 8-14 散射式圖罩(Scattering Mask)與
散射式圖規(Scattering Stencil)
589 8-15 離子束微影圖罩與圖規
592 8-16 傳統鉻膜圖罩與相移圖罩修補
正型阻劑
662 9-14 化學放大型阻劑環境安定性相
關議題
670 9-15 化學放大型阻劑增強抗電漿蝕
刻性相關議題
671 9-16 化學放大型阻劑之質子酸相關
議題
題
議題
676 9-19 無機阻劑
677 9-20 特殊阻劑
680 9-21 阻劑顯影特性相關參數
684 9-22 溶劑與非結晶高分子之溶解理
論
686 9-23 微影整體模糊
686 9-24 傳統（非化學放大）與化學放
大型阻劑之品質需求

第十章 解像度增進技術
689 10-1 遮板偏軸發光
710 10-2 無遮板偏軸發光
711 10-3 光瞳濾波
715 10-4 聚焦寬容度增強照射
720 10-5 雙圖罩
722 10-6 應用偏軸發光之暗場微影與單
光束成像
724 10-7 光學鄰近效應
729 10-8 圖罩偏差增大因子
731 10-9 光學鄰近效應修正方法
744 10-10 電子束鄰近效應修正
第十一章 銅互連線
775 11-1 電阻電容延遲時間
777 11-2 金屬導線性質
781 11-3 擴散
784 11-4 金屬原子（正離子）之遷移
794 11-5 矽在金屬中之溶解度
794 11-6 電子與電洞之漂動率
796 11-7 介 電 材、介 電 常 數、介 電 強
度、電容
802 11-8 可極化係數
809 11-9 低介材
812 11-10 超低介材
819 11-11 阻障層、銅種晶層與帽層材質
需求
第十二章 化學機械研磨
867 12-1 為何使用化學機械研磨
868 12-2 基礎理論公式－普瑞斯頓公式
869 12-3 研磨漿
877 12-4 研磨墊、整面墊與研磨墊調護
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目 錄 5 O
749 10-11 電子束微影時之電荷效應與電
荷消散
753 10-12 表層成像
762 10-13 接觸孔或隙之收縮製程
762 10-14 抗反射塗佈
765 10-15 多層阻劑系統
767 10-16 金屬浮離(Metal Lift-Off)
767 10-17 影像反轉(Imaging Reversal, IR)
768 10-18 雙照射、雙成型與五成型
769 10-19 其他製程
769 10-20 光學微影之迷思與誤解
826 11-12 阻障層、銅種晶層與帽層之製
備
829 11-13 互連線銅之製備
846 11-14 銅之電漿蝕刻
847 11-15 鑲嵌技術
852 11-16 低介材、阻障層、銅種晶層、
帽層、銅互連線之製備綜合評
述
854 11-17 銅鑲嵌製程整合相關議題
860 11-18 銀連線
863 11-19 銅鑲嵌製程未來趨勢歸納
片
880 12-5 研磨產生之相關缺陷
882 12-6 全面平坦化方法
891 12-7 重要參數
O 6 半導體奈米技術

893 12-8 碟陷與侵蝕 902 12-11 化學機械研磨後清潔

894 12-9 重要模擬模型 904 12-12 平坦化技術研發方向與目標
901 12-10 整面與預清潔

第十三章 電漿蝕刻

907 13-1 電子迴轉半徑 928 13-10 電漿蝕刻主要機制

907 13-2 電場主要對電子作功 935 13-11 電漿蝕刻主要效應
909 13-3 電漿中電子之溫度 950 13-12 電漿蝕刻主要儀器
911 13-4 離子迴轉半徑遠大於電子 968 13-13 其他蝕刻儀器
913 13-5 外加磁場與電子之振盪 969 13-14 電漿蝕刻機制排序
914 13-6 電漿基本性質 970 13-15 電漿蝕刻終點偵測
917 13-7 直流電漿蝕刻系統 972 13-16 電漿蝕刻電腦模擬
920 13-8 交流直接耦合電漿蝕刻 973 13-17 電漿蝕刻未來重要議題
921 13-9 交流電容性耦合電漿蝕刻

第十四章 微影模擬

975 14-1 微影製程電腦模擬軟體 984 14-5 化學放大型阻劑模擬模型

975 14-2 電向量 E 與電向分量 P、S 985 14-6 阻劑顯影模型
978 14-3 光學微影模擬數學模型 992 14-7 顯影模型綜評
982 14-4 照後烤模擬模型 993 14-8 模擬應用之有限性

附錄一 電子伏特(eV)能量之換算／ 995

附錄二 本書常用單位與名詞／ 998
附錄三 氧化矽、吸收係數分類／ 1000
附錄四 常用材質光學參數／ 1001
附錄五 折射率─虛項吸收係數分析儀(n-k Analyzer)內建可量測材質／ 1003
附錄六 常用各式能量／ 1004
各章通用參考文獻／ 1005
英中索引／ 1007

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 第十章 解像度增進技術 689 O

第十章 解像度增進技術
解像度增進技術(Resolution Enhancement Techniques, RETs)一般代表使用正規微影
步進或掃描機、傳統鉻膜圖罩、阻劑以外之技術，達成增進解像度之目的，通常焦深與
製程寬容度亦隨之增加。從光源至晶圓，由上而下，主要包含偏軸發光(Off-Axis Illumi-
nation, OAI)、光瞳濾波(Pupil Filtering)、相移圖罩(Phase-Shifting Mask, PSM)、光學鄰
近效應修正(Optical Proximity Correction, OPC)、矽化表層成像(Top Surface Imaging, TSI)
等技術。參看第二章微影緒論，圖 2-1-3。相移圖罩已經在第八章圖罩與圖規說明，本
章從光源由上而下，介紹相移圖罩以外之主要技術。其他次要解像度增進技術，因不勝
枚舉，且日新月異，僅能斟酌介紹。本章如有遺漏與不足之處，尚請海涵。
本章提及之同調度或相擾度，除特別指明為「時間」外，其餘皆指「空間」。相擾
度通常指光圈「空間」相擾度(簡稱光圈 )。又設光圈 = 入射 = 光瞳 。

10-1 遮板偏軸發光

沿軸發光(On-Axis Illumination)，為傳統發光，光軸在光圈中心，光束中線沿光軸
振進，垂直於圖罩；光圈 > 0 時，光束邊線與光軸成某夾角振進，斜射於圖罩。 1, 0,
+ 1 三繞射光束為實心。
偏軸發光(Off-Axis Illumination, OAI)，顧名思義，光圈中心處遮光，光束中線受阻檔，
光束邊線同沿軸發光，與光軸成某夾角振進，斜射於圖罩。 1, 0, + 1 三繞射光束為空心。
入口光瞳內 0 級光（背景光）因中心處遮光而光強減弱，導致入口光瞳內，對稱之 1, + 1
光強相對較強，類似雷文生相移圖罩 0 級光因干涉而大部份相消（理想情況方可完全相
消）之作用，故偏軸與雷文生皆習稱二光束( 1, + 1)成像，二者可謂異曲同工、殊途同
歸。請注意，二光束成像僅為簡化之習稱，極易引起誤解，因實際成像與雷文生相同，仍
為( 1, 0, + 1)三光束。此技術僅需增加照射時間，不需改變圖罩設計，不需改變原有阻劑
參數，便可改進解像度、焦深與製程視窗。偏軸發光目前已成光學微影機台之基本配備。

10-1-1 原理與解像度
如圖罩線條為縱向，0 級光束永遠在入口光瞳中央，-2, -1 級在左側，+1, +2 級在
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O 690 半導體奈米技術

右側，如入口光瞳可蒐集局部-1, +1，即可成像，高階-2, +2 繞射光束非必要條件。因 0

級在中央，故一定可蒐集。此類成像通常以(-1, 0, +1)三光束成像稱之。本書設光圈 =
入射 = 光瞳 ，範圍 0-1，此為合理之設定，以簡化光學參數。光瞳 決定光束在入口
光瞳內外之直徑。
A. 沿軸（傳統）發光三光束成像
沿軸發光解像度公式通常僅適用於密集線（線 = 隙），即半間距。近孤立線（隙寬
約為線寬 3 倍）與孤立線（隙寬約為線寬 4 倍以上）較易製備，不受此公式之制約。光
圈 = 1 理論解像度約為 = 0 之二倍。
B. 偏軸發光二光束成像
依據本書對偏軸光圈 之定義，光圈 = 0（或光圈 < 1）有無限多理論組合，其中
孔距（或內徑）達最大之組合，光束對圖罩有最大斜射，與光圈 = 1 相同，故在光圈
= 0 之理論解像度與光圈 = 1 相同，此為與沿軸相異之處。偏軸形狀甚多，故成像機制
相當複雜。英文文獻解像度公式甚分歧，繪圖用線亦無規則，常引發誤解與混淆。偏軸
相關重要議題，參看圖 10-1-1 至圖 10-1-9 與圖下方說明。
C. 光子對微影理論解像度
參看第七章其他微影方法之量子微影。商用光學阻劑通常為單光子吸收，亦見應用
於雙光子(Two-Photon)吸收，如常用於微機電元件製備，知名之 I-線 365 奈米負型阻劑
SU-8。請注意，雙光子與光子對（Photon Pair）吸收二者原理不同。光子對能量（能
階）較單光子倍增，形同波長減半，故理論解像度倍增，理論最小線幅減半。此法理論
空間截止頻率 = 4NA/ ，為單光子微影(2NA/ )之倍；由 R = K1 /NA，光子對之理
論製程參數 K1 = 1/8，為單光子 K1 = 1/4 之半。日本尼康(Nikon)最近發表配方不詳特殊
阻劑，須吸收光子對能量，方可激發所需反應。尼康新理論與偏軸發光無關，但為方便
比較，特編列在此。尼康之成像比較如圖 10-1-10。

10-1-2 偏軸發光形狀
根據發光形狀的特性，有多種分類。參看圖 10-1-1。
A. 圓環(Annular)
設內環(Inner Ring)半徑以 表示，外環(Outer Ring)半徑以 表示，此處之 (Sigma)
值愈大，入射光源偏軸程度愈大，斜射程度愈高，但並非微影機台之光源相擾度。為避
免混淆，本書特命名為「光圈相擾度」，以資區分。圓環相關參數簡述如下：
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 第十章 解像度增進技術 691 O

 圖 10-1-1 沿軸、偏軸光圈形狀與孔半、孔距、內徑、外徑、扇角定義
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O 692 半導體奈米技術

 圖 10-1-2 沿軸、偏軸光圈實攝圖與本書對偏軸光圈 定義
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 第十章 解像度增進技術 693 O

 圖 10-1-3 不對稱之單側圓孔偏軸成像原理與光幅修正（微影未實際使用）
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O 694 半導體奈米技術

 圖 10-1-4 對稱之雙圓孔與圓環偏軸成像（微影實際使用）

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 第十章 解像度增進技術 695 O

 圖 10-1-5 偏軸光圈 組合與截止頻率、理論解像度比較

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O 696 半導體奈米技術

 圖 10-1-6 圓孔沿軸發光成像與理論解像度
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 第十章 解像度增進技術 697 O

 圖 10-1-7 圓環偏軸發光成像與理論解像度
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O 698 半導體奈米技術

 圖 10-1-8 常見沿軸、偏軸誤導繪圖與正確繪圖比較
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 第十章 解像度增進技術 699 O

 圖 10-1-9 各種成像搭配之像比與截止頻率關係（含光子對）
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O 700 半導體奈米技術

單光子 光子對 特殊阻劑僅吸收

光子對能量
E3 能階
h
E2
h
E1

 圖 10-1-10 日本尼康最近發表之單光子與光子對成像模擬比較圖。
波長相同時，單光子吸收 E1→E2；光子對吸收 E1→E3

：本書命名為內環半徑所代表之光圈相擾度，簡稱「內徑」。
：本書命名為外環半徑所代表之光圈相擾度，簡稱「外徑」。外環最大半徑，
即光闌(Stop)半徑，歸一化(Normalized)為 1。
：設內徑、外徑比值 = / ，適當 通常在 0.3-0.5， 在 0.6-0.9，最適化
之比值 通常在 1/2-2/3。本書簡稱「內外比」。
因任一固定比值 皆有無限多 / 組合，故僅以 無法確實表示圓環發光之特
性。本書作者發現，圓環發光實際可透光面積亦為模擬重要參數，將此面積虛擬為一
圓，其虛擬半徑 求法如下：
( )2 = ( )2 ( )2， = ( )2 ( )2 1/2

上式以圓面積求取， 為虛擬圓之虛擬半徑，本書特命名 為「圓環發光透光面積相

擾度當量值」，下標 a 意為圓環(Annular)發光。 、 、 與 （本書作者創造）四
參數並用，可充分代表圓環發光之特性。
圓環對圖罩上任何方向圖案皆可較傳統光源改善，無方向性差異，雖改善功能僅為
中等，但較具實用價值。圓環發光尚可修正光學鄰近效應(Optical Proximity Effect, OPE)。
B. 四圓孔(Quadrupole)與雙圓孔(Dipole)
光強損失較大，需增加照射時間。
二參數定義此形：
：孔半徑代表之光圈相擾度，本書簡稱「孔半」。
(或 )：孔圓心偏離中心距離所代表之相擾度，本書簡稱「孔距」。
C. 扇面(Quasar)
此為知名微影機台廠商荷蘭艾司摩爾(ASML)公司研發，英文 Quasar 原意為星體、

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 第十章 解像度增進技術 701 O
類星球體。因形狀似張開摺扇之扇面，本書作者意譯為扇面。將圓環發光，以圓心為基
準，夾角 <90 度，分割為四等份，即成為四扇面；分割為二等份，即成為雙扇面。
註：Quasar (kwéisa:)發音如潰沙，Quasi（準、類）發音如誇日(kwá:zi)，二字不同。
三參數定義此形：外徑 ，內徑 ，扇角 。表示法示例，0.85/0.55/35°。
D. 光瞳濾光用系列
如雙圓環(Double Annular)等，供光瞳濾光之用。請見本章光瞳濾光。
E. 其他
文獻亦見方孔與方環，重疊比高，極具前景。其他特殊形狀發光，似僅為避開已有
形狀，純供申請專利權之設計，並無實質更佳改進效果。

10-1-3 背景光、光束重疊、像比與焦深
0 級繞射光：主要背景光，可協助空間影像超越門檻光強，亦可抑制減光型相移圖
罩之側葉光強，有功也；但導致像比較低，焦深較短，有過也。
沿軸發光：0 級光較強，故像比較低，焦深較短。
偏軸發光：沿軸與偏軸發光實際皆為(+1, 0, -1)三光束成像，相似但不相同。主要
差異為偏軸之 0 級光受阻檔而較弱。圓環或扇面之內徑( )、圓孔之孔距( )較大時，
0 級光受阻檔較多，背景光較弱，故像比較高，焦深較長，解像度較佳。如內徑或孔距
甚小時，則接近沿軸發光。
雷文生相移圖罩：如使用沿軸發光，名義上僅以(+1, -1)二光束成像，實際上 0 級
光無法完全干涉相消，仍存在，但甚弱，故解像度甚佳，焦深較長。
背景光、繞射光束重疊、像比與焦深大致關係如下：
S/p（隙寬／間距）比增大，當 S/p→1，0 級歸一化光強→1，1, 2 級光強→0，
可視為無繞射，僅有直射之 0 級光。
當入口光瞳內之 +1, -1 與 0 級光束重疊，線幅邊端效應增強，像比升高。重合
（完全重疊）效應最佳。達成重疊方法有二，其一為光圈 固定時，可增大間距 p（繞
射角縮小）；其二為間距 p 固定時（繞射角不變），增大光圈 。
在較短而相同之焦深比較，發光重疊面積比愈大時，通常照射寬容度愈大，製程
視窗亦愈大。
增大內徑或孔距，減少入口光瞳內之 0 級光，可使像比升高。
當增大間距 p（繞射角縮小），使-1 與 +1 進入 0 級範圍內之圓心區，作用如同
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O 702 半導體奈米技術

增強 0 級背景光，像比降低。當繞射角甚小而光圈 甚大時，-2 與 +2 亦可進入入口光

瞳，但進入圓心區則甚罕見。
當入口光瞳可蒐集 2 級光、0 與 1 光束重疊、1 與 2 光束重疊、0 與 2 光束重疊，
皆升高像比；增強背景光則降低像比。升高、降低二作用互相競爭。
以上相關內容，參看圖 10-1-11 至圖 10-1-14。

10-1-4 光圈相擾度、圖罩間距與繞射角
光圈相擾度、圖罩間距與繞射角相互關係，歸納簡述如下：
定義 1, 2 級光束繞射角 以繞射光束中心線為基準，不以邊界線為準。0 級光在
中央，無繞射角。
光圈 決定入射 與光瞳 ，本書設光圈 = 入射 = 光瞳 。光瞳 = DI/DP，代
表在入口光瞳內，0 級繞射光束之相對直徑大小。可設 0, 1, 2 級繞射光束之直徑相等，
直徑由光瞳 決定，與間距 p 無關。
沿軸或偏軸發光，搭配雙光強（鉻膜）或相移圖罩，繞射角 ，皆由圖罩間距 p
決定，與光圈 無關。
唯相移層型之雙光強成像式圖罩，可比照雙光強（鉻膜）圖罩；唯相移層型之邊
端成像式圖罩，可比照雷文生型相移圖罩。
最適化光圈 有如下概式：

傳統圓孔發光 ，雙圓孔之孔距
． ．
． ．
．
四圓孔之孔距 =
． ． ． ．

上式適用未偏振光與等線／隙（線=隙）之間距 p。密集線／隙最難製備，當光圈
較大時，有利於細線幅，故 p 與 NA 較小時，光圈 值較大。

10-1-5 偏軸發光與線偏振光搭配
目前微影光束仍以未偏振光為主，其光幅 E（電場振幅）之偏振面為無規則隨機分
佈。偏軸同沿軸，實質上仍為三繞射光束( 1, 0, + 1)聚焦成像。
設聚焦成像二光束（ 1, + 1 繞射光束）為對稱，無光程差、無相位差，光束間干
涉如下：
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 第十章 解像度增進技術 703 O

 圖 10-1-11 繞射光束在入口光瞳內位置之影響。
「圓心區」為本書作者所創，以利說明
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O 704 半導體奈米技術

 圖 10-1-12 繞射光束在入口光瞳內不同位置示意圖

二光束之電向量平行：光強 I = (E1 + E2)2。有完全建設性干涉，光強增加，有利

成像。
二光束之電向量垂直：光強 I = (E1)2 + (E2)2 = I1 + I2。無交互作用，無建設性干涉，
光強未增，不利成像。
常規條件下，已知聚焦成像二光束（0, 1 或 0, + 1 繞射光束）不對稱，有光程差、
有相位差，有甚多垂直或近垂直電向量，不利成像。0 級繞射光束為背景光，0 級較弱
或無時，有利成像。

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 第十章 解像度增進技術 705 O

 圖 10-1-13 繞射光束在入口光瞳內之重疊區比較

光學微影已將進入聚光當量（數值孔徑）(NA)甚大之新紀元，乾式微影(1.0 > NA
> 0.85)或濕浸式微影(NA > 1.0)，聚焦成像時，未偏振光含甚多垂直或近垂直電向量，
解像度與焦深皆受限，如改用線性偏振光，聚焦成像時，增加平行電向量，減少垂直電
向量，可提升解像度與焦深，此理論已獲實驗證實。NA 較小時(<0.3)，垂直電向量亦
較少，未偏振光與線性偏振光間之差異不大。
偏軸發光種類甚多，微影用線性偏振光亦可分類為 S、P、X、Y 四種如下：
甲、S：橫電(TE)，設計為環形，電向量垂直入射面。
乙、P：橫磁(TM)，設計為輻射形，電向量與入射面同面或平行。
丙、X：全為橫向，與入射面無關。
丁、Y：全為縱向，與入射面無關。

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O 706 半導體奈米技術

 圖 10-1-14 真正二光束( 1, + 1)成像示意圖

偏軸與偏振光必須適當搭配，優點方可呈現。如亂點鴛鴦譜，鮮花插在牛糞上，未
見其利，反見其害。
新舊線性光之光幅比較如圖 10-1-15；線性偏振光分類如圖 10-1-16。

 圖 10-1-15 新舊線性偏振光之光幅比較

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 第十章 解像度增進技術 707 O

 圖 10-1-16 四種線性偏振光與未偏振光源
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O 708 半導體奈米技術

常規圖罩兼具縱、橫線條或斜線。雙圓孔或雙扇面通過之光強較低，且僅適合製備
縱或橫線，應用受限。X、Y 線性偏振光亦僅適合製備縱或橫線，應用亦受限。
圓環、四孔或四扇面搭配 S 線性偏振光（橫電 TE，環形），較不受圖罩上線條方
向性之影響，較具實際應用價值。
整體而言，斜四扇面搭配 S 線性偏振光，入口光瞳內，光束重疊比較高，相對成
像品質較佳，除提升解像度外，亦可增加焦深與製程視窗（通常定義為照射劑量與離焦
之寬容度），最具實際應用價值。但請注意，影響焦深與製程視窗之參數極多，為極複
雜議題。
斜四扇面歷經風霜考驗，堅貞自持，終於榮登大位。本書作者預測，斜四扇面與 S
線性偏振光（橫電 TE，環形），未來將成為各廠牌微影機台基本配備，而不限於原創
之荷蘭艾司摩爾(ASML)公司廠牌。
在微影實務上，罕見應用 P 線性偏振光（橫磁 TM，輻射），因聚焦成像時，其垂
直或近垂直電向量甚多，不利成像，通常較未偏振光更差。
相關說明與成像品質如圖 10-1-17 至圖 10-1-21。

10-1-6 偏軸發光綜評
如偏軸發光僅與未偏振光與雙光強（傳統鉻膜）圖罩搭配，可增長焦深、降低鄰
近效應，但對解像度則僅略有改善效果。
偏軸發光只能改善週期性圖案的製程寬容度、製程視窗。但注意，對孤立線或孤
立隙幾無改善效果。密集線/隙的外緣阻劑輪廓有變形現象。
因光源強度損失，使阻劑達到所需照射劑量之時間增加，造成產率降低。
雙圓孔或雙扇面僅適合與其位向垂直之線條，但圖罩通常兼有縱、橫線條，故須
分解為縱、橫線二片圖罩，分二次照射，製程繁瑣，且成本增加。
偏軸發光有禁止間距(Forbidden Pitch)（焦深不足），孤立或半孤立線可加入散
條(Scattering Bar)提升焦深。
偏軸發光、線偏振光、濕浸式微影、相移圖罩，此四大天王搭配，天下無敵。

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 第十章 解像度增進技術 709 O

 圖 10-1-17 聚焦成像時，各式（近）平行與（近）垂直電向量
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國家圖書館出版品預行編目資料
半導體奈米技術 = Nanometer technology for
semiconductor ／龍文安著. —三版.—臺北市：
五南, 2010.07
參考書目：面
含索引
I S B N: 978-957-11-5936-2（精裝）
1.半導體 2.奈米技術
469.411 99003334

5D58

半導體奈米技術
Nanometer Technology for Semiconductor

作 者 － 龍文安(420.1)
發 行 人 － 楊榮川
總 編 輯 － 龐君豪
主 編 － 穆文娟
編 輯 － 蔣和平
責任編輯 － 陳俐穎
出 版 者 － 五南圖書出版股份有限公司
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法律顧問 元貞聯合法律事務所 張澤平律師

出版日期 2004 年 10 月初版一刷

2006 年 9 月二版一刷
2010 年 7 月三版一刷
定 價 新臺幣 1200 元

※版權所有．欲利用本書內容，必須徵求本公司同意※
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