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Practica con transistores (BC557)

Autor: Mendoza Colín Alan

Tecnologico naional de México- Mecatrónica

 dopada, proporcionando el tiempo suficiente para que todos los
electrones se difundan hasta el colector. Estos electrones
Abstract. the present practice was carried out in order to atraviesan el colector, la resistencia RC, y entran en el terminal
copender the direct connection of the transistor BC557. positivo de la fuente de tensión VCC.

Introducción
E n la presente practica se realizará la conexión de un diodo
con matricula 1N4001 en forma directa, comprobando así la
teoría referente al funcionamiento del diodo.
A. Justificación.
La realización de esta práctica es con fines educativos en el
cual se requiere entender y comprender la función del transistor
con matricula BC547.
B. Objetivo.
Realizar la conexión de un transistor BC547.
C. El transistor no polarizado
Un transistor tiene tres regiones dopadas. La región inferior es
el emisor, la región intermedia es la base y la región superior es
el colector. En un transistor real, la región de la base es mucho
más estrecha comparada con las regiones de colector y de
emisor. El transistor es un dispositivo NPN porque tiene una
región p entre dos regiones n. Recuerde que los portadores
mayoritarios son los electrones libres en un material de tipo n y
los huecos en un material de tipo p. Los transistores también se
fabrican como dispositivos PNP. Un transistor PNP tiene una
región n entre dos regiones p. Para evitar confusiones entre el
transistor NPN y el transistor PNP, nuestra exposición se
centrará en el transistor NPN.

II. Marco teórico

B. Antecedentes.
En 1951, William Schockley inventó el primer transistor de
unión, un dispositivo semiconductor que puede amplificar
señales electrónicas como las señales de radio y de televisión.
El transistor ha llevado a inventar muchos otros dispositivos
semiconductores, incluyendo el circuito integrado (CI), un
pequeño dispositivo que contiene miles de transistores
miniaturizados. Las modernas computadoras y otros milagros
electrónicos han sido posibles gracias a los circuitos
integrados.
A. Función.
En un transistor, la zona de deplexión emisor-base es más
estrecha que la zona de deplexión colector-base. La razón de
ello puede atribuirse a los distintos niveles de dopaje de las
regiones de emisor y de colector. Con un dopaje tan fuerte en
la región de emisor, la penetración en el material n es mínima
debido a la disponibilidad de muchos más electrones libres. Sin Fig.1. Estructura del transistor.
embargo, en el lado del colector, hay disponibles muy pocos D. Niveles de dopaje
electrones libres y se tiene que penetrar la zona de deplexión El nivel de dopaje del colector es intermedio, entre el fuerte
más profundamente con el fin de alcanzar la barrera de dopaje del emisor y el ligero dopaje de la base. Físicamente, el
potencial. colector es la más ancha de las tres regiones.

E. Diodos de emisor y de colector.

B. Electrones del colector.
Casi todos los electrones libres entran en el colector.
Una vez que están en el colector, se ven atraídos por la fuente
de tensión VCC, por lo que fluyen a través del colector y
atraviesan RC hasta alcanzar el terminal positivo de la tensión
de alimentación del colector. La base es estrecha y está poco
una entre el emisor y la base, y otra entre el colector y la base,
por lo que un transistor es como dos diodos en oposición. El
diodo inferior es el diodo emisor-base, o simplemente diodo de
emisor. El diodo superior es el diodo colector-base, o diodo de
colector.

F. El transistor polarizado.
Un transistor no polarizado es como dos diodos en oposición.
Cada diodo tiene una barrera de potencial de aproximadamente
0,7 V. Cuando se conectan al transistor fuentes de tensión
externas, circularán corrientes a través de las distintas partes
del transistor.
III. Desarrollo.
Para la realización de dicha práctica requerimos el diagrama de
conexiones al transistor con matricula BC557 para comprobar
el funcionamiento de este.
Fig.2. Diagrama de conexiones.
III. Resultados.
Al conectar una fuente de 5 volts DC se notó que el led se
encendió solo bajo la condición de que se activara el push
bottom comprobando así la teoría vista en clase.
Fig.3. practica realizada.
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Fig..4. practica realizada
IV. Conclusiones.
Mendoza. A.
Al realizar las practicas se llega a las siguientes conclusiones:
1. como en la práctica anterior, es indispensable antes de armar
el circuito verificar la matricula del transistor, ya que en dicha
practica se quemó un transistor BC557, cuando la conexión es
para el BC547.
Esta vez ya con más experiencia la conexión fue exitosa y se
llegó al resultado esperado.
Mendoza. F.
Se llega a la conclusión de esta práctica, dando un el resultado
esperado de lo cual se obtuvieron conocimientos que podemos
aplicar en nuestra carrera.
Parra. A.
En esta práctica tenemos que ser cuidadosos y tomar en cuenta
que tenemos que verificar la matrícula del transistor y ver que
sea el adecuado para nuestros circuitos porque de lo contrario el
circuito no funcionará o se quemara el transistor si no es el
adecuado.
Martínez. A.
Dada la práctica aprendimos a detalle el funcionamiento de este
transistor lo que nos favorece para nuestro conocimiento en un
futuro no muy lejano,
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REFERENCIAS

[1] MALVINO, A. (2007). PRINCIPIOS DE ELECTRÓNICA. ESPAÑA:

McGRAW-HILL.