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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y

ELECTRICA
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS II

RESPUENSTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR DE UNA


SOLA ETAPA

I. OBJETIVOS

 Estudiar el comportamiento en altas frecuencias de un amplificador de


audio

Amplificador en frecuencias altas

La Respuesta en alta frecuencia de circuitos con transistores está fijada por los
condensadores internos y las constantes de tiempo asociadas.

En general, se hará la suposición de que la respuesta en frecuencia viene


fijada por un POLO DOMINANTE. De esta manera, el análisis en alta
frecuencia se reduce al cálculo de la frecuencia de corte superior asociada a
este polo dominante. 9

El cálculo del polo dominante se realizará aplicando el MÉTODO DE LAS


CONSTANTES DE TIEMPO EN CIRCUITO ABIERTO.

Método de las Constantes de Tiempo en Circuito Abierto.

Dónde:

Ci son cada uno de los condensadores que actúan en alta frecuencia:


Condensadores intrínsecos a los dispositivos (circuito equivalente), o
condensadores pequeños de característica paso-bajo introducidos para
controlar la respuesta en frecuencia del circuito.

R0i es la impedancia que ve cada uno de los condensadores con el resto EN


CIRCUITO ABIERTO
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Para reproducir el ancho de banda audible se debe utilizar tres parlantes ya


que un solo parlante no puede emitir las frecuencias todo el ancho de banda
audible. Para esto se suele utilizar divisores de frecuencias o crossover

Muchos fabricantes, en lugar de usar sólo las audiofrecuencias, para proteger a


los amplificadores de perturbaciones supra sónicas o subsónicas, lo que hacen
es medir la respuesta en frecuencia para una banda de frecuencias superior
(generalmente de 12 a 40.000 Hz). En este caso una respuesta en frecuencia
óptima debe estar en torno a 3 dB por encima (+ 3 dB) o por abajo (- 3 dB).
Consideramos a los condensadores de acoplamiento, C1 y C2, y
desacoplo CE en cortocircuito.

II. INFORME PREVIO

1. Definir: rbb’, rb’e, rb’c, cb’e, cb’c , fβ y ft

rbb´: La resistencia distribuida de la base, se relaciona con el parámetro


h, hie, que es la resistencia con la salida en corto. En el momento hibrido
π, esta se denomina a menudo como rπ si se aplica un corto circuito
entre el emisor y colector, se obtiene:

ℎ𝑖𝑒 = 𝑟𝜋 = 𝑟𝑏𝑏´ + 𝑟𝑏´𝑒//𝑟𝑏´𝑐

rb´e: La resistencia de entrada (rπ en el modelo hibrido) se aproxima


Vb´e
por medio de la razón: rπ = Ib

rb´c: Resistencia de retroalimentación, rce ; resistencia de salida del


transistor.
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cb´e y cb´c; son las capacitancias parasitas del transistor. cb ´c es la


capacitancia de la unión colector-base a pesar de que es una
capacitancia variable, suele considerarse constante en una región de
operación particular del transistor. La capacitancia cb´e, la cual es
capacitor base- emisor. El valor de este capacitor aparece en las hojas
de datos como Cib´. Esta capacitancia es la suma de la capacitancia de
difusión del emisor y la capacitancia de la unión del emisor. Debido a
que el primer capacitor es el más grande de los dos, cb´e es
aproximadamente iguala la capacitancia de difusión (conocida también
como capacitancia de carga de la base).

fβ y ft : son frecuencias características, f B es la frecuencia para cuando


el factor de ganancia del transistor empieza a variar. Ft es la frecuencia
máxima de operación del transistor se da cuando la ganancia es igual a
cero.

2. En el circuito del experimento (fig 5) de cuerdo al modelo pi del transistor


en altas frecuencias , encontrar la expresión fβ / ft

56kΩ 1.5kΩ

C4

22µF
R4 C3
V1
1kΩ 12 V
22µF

XFG1 C1
100µF 10kΩ
12kΩ 0.68kΩ
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Modelo Hibrido

rb´b Cb´c

gmVb´e
rce
rb´e Cb´e

Del circuito mostrado

𝐼𝑐 −ℎ𝑓𝑒𝐼𝑏´𝑒
𝐴𝑖 = =
𝐼𝑏 𝐼𝑏´𝑒(1 + 𝑗𝑤𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)

−ℎ𝑓𝑒
𝐴𝑖(𝑗𝑤) =
(1 + 𝑗𝑤𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐))

1
→ Frecuencia de corte: 𝑊𝐵 = 𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒+𝐶𝑏´𝑐)

Calculo de ft: (frecuencia máxima de operación del transistor)

ℎ𝑓𝑒
|𝐴𝑖| =
(1 + 𝑤 2 (𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)2 )


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ℎ𝑓𝑒
|𝐴𝑖| =
𝑤𝑇 2
√(1 + )
𝑤𝐵 2

Por tanto:

√ℎ𝑓𝑒 − 1
𝑤𝑇 =
(𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐) )

√ℎ𝑓𝑒 − 1
𝑓𝑇 =
2𝜋(𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐) )

Pero hfe2>>1

ℎ𝑓𝑒
𝑓𝑇 =
2𝜋(𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐) )

De esta ecuación y también de:


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1
𝑊𝐵 =
𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)

Tenemos:

𝑓𝐵 1
=
𝑓𝑇 ℎ𝑓𝑒

3. Considerando que cb´c <0.1-50p F>, cb´e<100-1000p F> rb´e=VThfe/IEQ,


encontrar el punto de corte superior aproximado en nuestro circuito.

Consideremos un B=100, RB=56kΩ//12kΩ, Ri=1kΩ, RL=10KΩ. La


corriente de polarización del transistor IQ=1.99m A.

26mB
rb´e = = 1306.53Ω
1.99m A

Rin = RB//rb´e = 1153.96Ω

Ri//Rin = 535.7

RL//RC 1304.34
Av = = = 99.87
rb´e/B 13.06

1
f=
2π(Ri//Rin)cb´c(1 + 99.87)
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4. En altas frecuencias ¿Cuál de las configuraciones de transistor será más


conveniente? ¿por qué?

La configuración hibrida π, es la más conveniente para altas frecuencias


ya que cuenta con los parámetros que salen a relucir para altas
frecuencias como las capacitancias parasitas.

rb ´b Cb ´c

g mVb ´e
rce
rb ´e Cb ´e

III. MATERIAL Y EQUIPOS

 Transistor 2n2222

 Resistores (1/4 W): 56k, 12k, 10k, 1.5k, 0.68k, 1k

 Condensadores 2(22uf), 100uf


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 Multímetro digital

 Generador de audio

 Fuente DC

IV. PROCEDIMIENTO
1. Implementa el circuito de la figura 5

2. Sin aplicarla señal a medir


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3. Encontrar una salida máxima sin distorsión


100mv--------60Hz

100mv------------1Mhz
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4. Llenar la siguiente tabla. Note que el punto de corte superior se


encuentra a una frecuencia en que vo es 0.707 de su valor
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V. BIBLIOGRAFIA

 TEORIA DE CIRCUITOS R.BOYLESTAD


 CIRCUITOS ELECTRONICOS GHAUSI
 CIRCUITOS ELECTRONICOS SCHILLING

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