Professional Documents
Culture Documents
COURS
Destiné aux étudiants de 2ème année Licence
Domaine : Sciences de la Matière « SM »
Filière : Physique
« L2 - S4 »
Electronique générale
Cours & Exercices
Année 2015
Programme
Contenu de la matière :
ii
Transformateurs, circuits à couplage magnétique : Régime libre (battement) régime forcé
(différents coulage et réponses en fréquence, bande passante).
III – DIODES (4 semaines)
Notions élémentaires de la physique des semi-conducteurs : semi-conducteurs intrinsèque et
extrinsèque. Conduction, dopage, jonction pn, diagramme d’énergie.
Constitution et fonctionnement d’une diode : Polarisation, caractéristique I(V), droite de charge
statique, régime variable.
Circuits à diodes : Redressement simple et double alternance, application à la stabilité de tension
par la diode Zener, écrêtage. Autres types de diodes : varicap, DEL, photodiode.
iii
Avant-propos
Faiza MERICHE
iv
Table des Matières
v
Table des Matières
vi
Table des Matières
vii
Chapitre 1 Réseaux électriques en régime continu
Chapitre 1
Réseaux électriques en régime continu
Un circuit linéaire est un circuit constitué de dipôles linéaires (résistance, condensateur, bobine,
générateur de tension et/ou de courant). Nous donnons dans ce chapitre des lois simples permettant
de déterminer simplement l’intensité et/ou la tension aux bornes d’un dipôle quelconque dans un
circuit fonctionnant en régime continu, connaissant les caractéristiques des dipôles le constituant.
1. Définitions
1.1. Dipôle
Un dipôle est un circuit accessible par deux bornes A et B, il peut être caractérisé par, un
courant i qui le traverse et la tension u, entre ses bornes.
Dipôle
i A B
uAB
1
Chapitre 1 Réseaux électriques en régime continu
i
récepteur les flèches du courant et de la tension sont en A B
uAB
sens inverse
i
A B
générateur les flèches du courant et de la tension sont dans
uAB
le même sens
E i
i A
A B u
u E
E u R
E
i + - i
A B 0
B
u
2
Chapitre 1 Réseaux électriques en régime continu
ig ig
A B A u
u
ig u R
ig
A B i
0 ig
u B
A i
u
(E, r)
i r
A B E
u R
+ -
E
u i
B 0
L’équation de la caractéristique : u E r i
E : est la force électromotrice du générateur (f.é.m)
r : la résistance interne
i u
A
A ig B i
u ig R
0 ig i
B
3
Chapitre 1 Réseaux électriques en régime continu
u
L’équation de la caractéristique du générateur de courant réel est : i i g
1.3.5. Puissance électrique (Adaptation)
La puissance électrique fournie par un générateur (E, r), à une charge résistive R, s’exprime par :
E2 R
P R R i P R R i
E
2
avec i
2
R r R r 2
PR E2
P(R) est maximum, si 0, d’où : Rr et P R max
R 4r
Un générateur délivre une puissance maximum dans une charge résistive (résistance) R, lorsque
celle-ci est égale à sa résistance interne . Dans ce cas, on dit que le générateur est adapté
à la charge.
I R R I
A D B
R R
F
E
4
Chapitre 1 Réseaux électriques en régime continu
2.2. Dipôles passifs linéaires
Trois dipôles passifs sont couramment utilisés dans les circuits électriques.
P t U . I R. I U R
2 2
(S) [siemens : (-1) ] (Loi d’Ohm) u(t)
en watt (W)
Condensateur C u est constante et i est nul :
i(t)
C : Capacité (F / Farad) d u t le condensateur est un
i t C .
dt u(t) interrupteur ouvert.
Inductance i est constant et u est nulle :
L
L : inductance de la d i t i(t) la bobine parfaite est
u t L .
bobine (H / Henry) dt équivalente à un fil.
u(t)
R1
R1 R2 R3
R2
1 1 1 1
Résistance ...
R3 R eq R1 R 2 R 3
G eq G1 G 2 G 3 ...
C1
C1 C2 C3
C2
Condensateur
C3
C eq C1 C 2 C 3 ...
Inductance Les inductances vérifient les mêmes règles d’association que les résistances, à
condition qu’il n’existe aucun couplage entre elles.
5
Chapitre 1 Réseaux électriques en régime continu
2.4. Lois de Kirchhoff
2.4.1. Loi de Kirchhoff des nœuds
La première loi de Kirchhoff est la loi des nœuds : La somme des intensités des courants entrants
dans un nœud est égale à la somme des intensités des courants qui en sortent (pas d’accumulation de
charge). I3
I1
I1 I 2 I3 I 4 I 5 N I4
I2 I5
R2 U2
E
R2
La tension aux bornes de la résistance R2 vaut : U2 E
R1 R2
D’une façon générale, la tension aux bornes d’une résistance placée dans un circuit comportant
n résistances en série, alimenté par une source de tension E est :
Ri
Ui E
R1 R2 ... Rn
6
Chapitre 1 Réseaux électriques en régime continu
2.5.2. Pont diviseur de courant
Le schéma d’un pont diviseur de courant est donné à la figure suivante (résistances en
parallèle) : I
I1 I2
I U
R1 R2
Appelons U la différence de potentiel qui se trouve aux bornes des différents éléments en
parallèle, nous obtenons :
R1 R2 R1
U R2 I 2 I d’où I2 I
R1 R2 R1 R2
D’une façon générale, le courant traversant une résistance Ri placée dans un circuit comportant n
résistances en parallèle, alimenté par une source idéale de courant I, est :
Gi
Ii I
G1 G 2 G3 ... G n
r A r A r A
I I1 I2
E R Ig = E R R Ig
+
B 1 B 2 B
7
Chapitre 1 Réseaux électriques en régime continu
montage 2 : le générateur (E, r) étant neutralisé (remplacé par sa résistance interne), la source
r
de courant activait seule. Le courant dans la résistance R serait I2 : I2 I
R r g
Le courant I dans la branche AB dû à la contribution des deux sources sera : I = I1 + I2
E Ig r
I I1 I 2
R r
Exemple :
montage 1 : Calcul du courant I1 montage 2 : Calcul du courant I2
I r A R r A I’ R
I0 I1 I2 I’0 E
E 3 R 4
1 R 2 R
R
1 B 2 B
maille 1 : R I 0 E r I 0 maille 3 : r I 2 R I 0 0
'
E E
maille 2 : 2 R I 1 R I 0 0 I 1 maille 4 : R I 0' E 2 R I ' 0 I 2
2 R 3r 2 R 3r
nœud A : I I 0 I1 nœud A : I I 0 I 2
' '
donc : I1 I 2
8
Chapitre 1 Réseaux électriques en régime continu
2.5.5. Théorèmes de Thévenin et de Norton
2.5.5.1. Théorème de Thévenin
Il est possible de remplacer une portion de réseau électrique linéaire, considérée entre deux bornes
A et B, par un générateur de tension, dit « générateur de Thévenin », ayant les caractéristiques
suivantes :
Sa résistance interne RTh est la résistance équivalente entre les bornes A et B lorsque chaque
générateur indépendant est passivé (remplacé par sa résistance interne).
Sa f.é.m ETh est la tension mesurée entre A et B à vide (le dipôle n’est pas connecté à d’autres
éléments externes.
Prenons par exemple le montage de la figure suivante :
A A
R1 RTh
E R2 ETh
B B
A A
R1
E R2 RN
IN
B B
9
Chapitre 1 Réseaux électriques en régime continu
R R
La résistance RN est obtenue an passivant la source de tension E : RN 1 2
R1 R2
E
Le courant IN est le courant obtenu en court-circuitant la résistance R2 : IN
R1
Remarque : Le passage du modèle d’un générateur de Thévenin à celui d’un générateur de Norton
conduit à trouver :
ETh
RTh RN et IN
RTh
n
la force électromotrice équivalente est E éq E k .
k 1
Exemple :
I I
B A B A
r1 r2 Eeq req
E1 E2
U U
E eq E1 E 2
req r1 r2
n
le courant équivalent est égal à : I éq k 1
Ik .
10
Chapitre 1 Réseaux électriques en régime continu
Exemple :
I I
A A
I1 r1 I2 r2 U Ieq req U
B B
I eq I 1 I 2
1
Geq G1 G2
req
r1 r2 rn
U
E1 E2 En
n n
I
U Gi Ei G i
G i 1 i 1
11
Chapitre 1 Réseaux électriques en régime continu
Exercices du chapitre 1
Exercice 1
Calculer la résistance équivalente vue des points A et B pour le réseau suivant :
A
5Ω 5Ω 2Ω
6Ω 4Ω 2Ω
2Ω
B
5Ω
Exercice 2
Soit le montage suivant : R1 I1 A R2 I2 B R3 I3
I4 I5
E1 E2
R4 R5
M M
Déterminer les intensités I1, I2, I3, I4 et I5 dans chaque branche du réseau.
Application numérique : R1=R2=R3= 1Ω , R4=R5= 2Ω , E1= 1V et E2= 2V
Exercice 3
I
Dans le montage représenté sur la figure
ci-contre, déterminer le courant I R1=10 R2 = 5
I3 = 0,1 A
circulant dans la résistance R2 en
E1=10V E2 = 20V
appliquant le principe de superposition.
Exercice 4
Déterminer l’intensité du courant I circulant à travers la résistance R3, en utilisant :
1. les lois de Kirchhoff R1 E2
C A
2. le théorème de Thévenin
I
Application numérique :
E1 =20 V ; E2 = 10 V; E1 R2
R3
R0 = R1 = R3 = 10 Ω ; R2 = 20 Ω.
R0 D B
12
Chapitre 2 Réseaux électriques en régime transitoire
Chapitre 2
Réseaux électriques en régime transitoire
1. Echelon de tension
Soit une source de tension de force électromotrice (f.é.m.) e t définie par :
0 pour t t0
e t
E pour t t0
avec : E constant
On dit qu’une telle source délivre un échelon de tension ; le graphe de cette f.é.m. est représenté sur
la figure suivante :
e(t)
E
t0 t
La méthode la plus simple pour réaliser une telle source consiste à prendre une source de tension
E continue et un interrupteur en série, que l’on ferme à t = t0.
Fonction « échelon » ou de Heaviside, désignée par H t , elle est définie par :
13
Chapitre 2 Réseaux électriques en régime transitoire
0 t t0 H(t)
H t
1 t t0 1
t0 t
Elle permet de représenter les fonctions discontinues et constantes par morceaux. Ainsi l’échelon de
tension défini au début de ce paragraphe s’écrit :
e t E H t
i(t) R
Résistance u t R i t
u(t)
L
i(t)
Inductance (Self) 1
u t L ; i t u dt
di
u(t) dt L
C
i(t)
Condensateur 1
u t
du
C
i (t ) C ; i dt
dt
u(t)
e(t) r
i(t)
Générateur u t e t r i t
u(t)
14
Chapitre 2 Réseaux électriques en régime transitoire
La charge q est reliée à la différence de potentiel uAB par la relation : q u AB C
C : est la capacité du condensateur, elle s’exprime en Farad (F).
En utilisant la convention récepteur (i et u sont de sens opposés), on obtient la relation :
C
d u d q t i
i t C
dt dt
u
i t C
du
A noter, si i et u sont de même sens, alors :
dt
3.2. Réponse d’un circuit (d’un dipôle) RC à un échelon de tension
Un dipôle RC est l’association en série d’un condensateur de capacité C et d’un conducteur
ohmique de résistance R. Le montage suivant permet d’étudier la réponse d’un circuit RC à un
échelon de tension. Le condensateur est initialement déchargé.
uR
K
R i
C uC
e(t)=E
t0=0 t
Pour t > 0, la loi des mailles s’écrit :
d uC
E u R uC R i uC R C uC
dt
d uC u E
Soit : C
dt RC RC
15
Chapitre 2 Réseaux électriques en régime transitoire
Pour déterminer uc t lorsque t 0 , il nous faut résoudre cette équation différentielle qui est une
équation différentielle linéaire du premier ordre, à coefficients constants, avec second membre. Sa
solution générale est égale à la somme de la solution générale de l’équation sans second membre (dite
équation homogène) et d’une solution particulière de l’équation avec second membre.
Résolution de l’équation sans second membre :
d uC u duc 1
C 0 dt
dt RC uc RC
Si deux expressions sont égales, leurs primitives sont égales à un constant prés :
1
ln uc t const
RC
1
ln u c RC t const
e e
1
uc t e
t
RC econst
1
uc t A e
t
RC
uC t E 1 e
t
enfin :
16
Chapitre 2 Réseaux électriques en régime transitoire
La courbe uc f t est représentée comme suit :
C uC
à t 0 : uC uC0 E Q0 C
loi des mailles :
uC uR 0 uC R i 0
duC uC
0
dt RC
17
Chapitre 2 Réseaux électriques en régime transitoire
L’homogénéité de cette équation montre que RC a la dimension d’un temps. Posons .
est appelé constante de temps du circuit RC.
duC uC
L’équation s’écrit : 0
dt
On obtient une équation différentielle du premier ordre à coefficients constants, sans second membre,
dont la solution finale est :
i t
Q0 t Q0 t
uC (t ) e et e
C RC
1 Q02
C CE 2
2 2C
4. Etudes des circuits du deuxième ordre
4.1. Equations différentielles d’un circuit
Les équations différentielles linéaires rencontrées dans l’étude des régimes transitoires possèdent la
forme suivante :
18
Chapitre 2 Réseaux électriques en régime transitoire
d2 f
b cf t g t
df
a 2
dt dt
En règle générale, les paramètres a , b , c sont des nombres réels positifs. La solution d’une telle
équation est :
f t f 1 t f 2 t
d2 f
a 2 b cf t 0
df
dt dt
On recherche f 1 t en calculant les racines de l’équation caractéristique de l’équation différentielle
sans second membre :
ar 2 br c 0
L C
R
u(t)
i(t)
e (t)=E0
t =0
d it 1
L’équation de maille : e t R it L i dt *
dt C
it C
du
Puisque nous cherchons u t , exprimons i t en fonction de u t :
dt
L’équation différentielle (*) devient alors :
d 2u
LC 2 RC ut et E0
du
dt dt
Cette équation est de la forme :
19
Chapitre 2 Réseaux électriques en régime transitoire
1 d 2 u 2 du
ut E0
02 dt 2 0 dt
1 R C
Avec 0 et
LC 2 L
La solution générale de cette équation différentielle peut être calculée comme suit :
ar2 br c 0 LC r 2 RC r 1 0
ut E0 Aer1 t B e r2 t
r 2 1
Avec : 1 0
r2 0 2 1
Les constantes A et B se déterminent à l’aide des conditions initiales : à t=0, on a
u 0 0 et i0 0 .
D’où l’expression de la tension u t :
ut E0 e 0 t Acos0 1 2 t B sin0 1 2 t
r j 1 2
Avec : 1 0
r2 0 j 1 2
20
Chapitre 2 Réseaux électriques en régime transitoire
Les constantes A et B se déterminent à l’aide des conditions initiales : à t=0, on a
u 0 0 et i0 0 . D’où l’expression de la tension :
u t E 0 E 0 e 0 t cos 0 1 2 t sin 0 1 2 t
1 2
si Δ 0 1 , le circuit fonctionne en régime critique qui est le cas limite entres les régimes
apériodique et oscillatoire :
ut E0 At B e 0 t
La courbe ci-contre donne l’évolution de la tension u (t) pour les différents régimes :
21
Chapitre 2 Réseaux électriques en régime transitoire
Exercices du chapitre 2
Exercice 1
B
Dans le circuit représenté sur la figure suivante, A C
le commutateur se trouve initialement dans la
position B et le condensateur est déchargé.
A l’instant t 0 , on bascule le commutateur C=100µF
E0=10V
dans la position A. Au bout de 10s, on le
bascule sur la position C.
Tracer l’évolution de la tension u t .
Exercice 2
A t 0 on ferme l’interrupteur :
Donner la loi de variation avec le temps de
l’intensité du courant qui traverse le
générateur. K
On donne : R 6000 , L 30 mH , E 6V .
E
K
Exercice 3
Dans le circuit de la figure ci-contre, on
ferme l’interrupteur à l’instant t 0 .
Déterminer les variations de u t . Le
condensateur est initialement déchargé.
22
Chapitre 3 Réseaux électriques en régime sinusoïdal
Chapitre 3
Réseaux électriques en régime sinusoïdal
Si l’on impose à un réseau une tension (ou un courant) sinusoïdale, on voit apparaitre, en plus
du régime transitoire, une réponse sinusoïdale de même fréquence que la tension (ou le courant)
appliquée. Quand le régime transitoire a disparu, cette réponse sinusoïdale subsiste : c’est le régime
sinusoïdal permanent. Dans cette partie, nous étudions des circuits linéaires dans lesquels les signaux
imposés par les générateurs sont sinusoïdaux.
1. Grandeurs sinusoïdales
Un signal est dit sinusoïdal s’il est de la forme :
x t xm cos t X 2 cos t
xm : amplitude du signal.
: pulsation du signale périodique et s’exprime en (rad/s).
2 1
T : période du signal ; f : fréquence du signal.
T 2
t : est la phase du signal et s’exprime en radians (rad),
: phase initiale du signal (à t = 0).
X : valeur efficace définie par : ; on obtient : .
√
23
Chapitre 3 Réseaux électriques en régime sinusoïdal
2. Représentations des grandeurs sinusoïdales
2.1. Représentation vectorielle (Méthode de Fresnel)
Cette méthode permet d’additionner des grandeurs instantanées sinusoïdales de même fréquence,
mais d’amplitudes et de phases différentes.
Considérons deux courants sinusoïdaux :
i1 t I m1 cos t 1 et i2 t I m 2 cos t 2
La somme des deux courant est : i t i1 t i2 t .
o x
On considère un vecteur noté I1 , de norme I m1 , tournant dans le plan xOy à une vitesse angulaire
, et dont l’angle avec l’axe Ox à un instant t est égale à t 1 . On définit de même un vecteur
I2 .
Les projections sur Ox des vecteurs I1 et I 2 sont égales respectivement aux courant i1 et i2 .
cos ;
24
Chapitre 3 Réseaux électriques en régime sinusoïdal
argZ arctan
b
: argument (angle) du nombre complexe
a
On peut aussi l’écrire sous la forme exponentielle : Z re j
ou sous la forme polaire : ; ∠
j
cas particulier : j e 2
x t x m cos t X e j t ; X x m e j X 2 e j X
x t X
: valeur efficace.
√
x m sin t x m cos
dx
t
dt 2
j t
On lui associe l’amplitude complexe : x m e 2
j x m e j t j X e j t
dx
donc : j X
dt
1
De même on démontre que intégrer revient à diviser par j : x dt
j
X
25
Chapitre 3 Réseaux électriques en régime sinusoïdal
3. Modèle complexe d’un circuit en régime sinusoïdal
Dans un circuit en régime sinusoïdal, on peut écrire :
e t E 0 cos t E e j t
; E E0
e t E E0
Dans le modèle complexe, tout dipôle linéaire possède une impédance complexe : Z R jX
où R : représente la résistance du dipôle
X : la réactance
La définition de l’impédance complexe d’un dipôle linéaire nous permet alors de poser : Z L jL
3.1.3. Impédance d’un condensateur
La relation entre courant et tension aux bornes d’un condensateur idéal de capacité C est :
1 1
u t
C
i t dt . Nous déduisons : U I.
jC
26
Chapitre 3 Réseaux électriques en régime sinusoïdal
1
L’expression de l’impédance du condensateur s’écrit : Z C
jC
Schéma
Equation uR t R i t d i t u C t
1
it dt
u L t L
dt C
fondamentale
Equation complexe UR R I U L jL I 1
UC I
jC
Impédance Z () ZR R Z L jL ZC
j
C
Admittance Y (S)
YR
1
YL
j YC jC
R L
Déphasage R 0
L C
rad Δ u i 2 2
Représentation de
Fresnel
Le courant est en phase Le courant est en retard Le courant est en avance de
avec la tension de 2 sur la tension 2 sur la tension
Relations de phase
27
Chapitre 3 Réseaux électriques en régime sinusoïdal
3.3. Groupement de dipôles passifs
1
Soit un groupement de dipôles passifs, d’impédance complexe Z i et d’admittance complexe Yi
Zi
Association série
Association parallèle
Ce qui était vrai pour l’association des résistances reste applicable à l’association des impédances.
u(t)
i(t)
e(t)
it I 2 cost
di 1
uR R i ; uL L ; u C i dt
dt C
di 1
dt C
on obtient l’équation : e Ri L i dt
28
Chapitre 3 Réseaux électriques en régime sinusoïdal
I 1
E R I jL I R j L I donc on a : E Z I
jC C
1 1
2
On retrouve l’impédance : Z R j L et son module : Z R L
2
C C
1
L
C
Et l’argument : arctan
R
Résonance en intensité
Dans un circuit RLC série lorsque le générateur impose une pulsation 0 (la pulsation propre) le
circuit entre en résonance d’intensité, l’intensité du courant est alors maximale :
E E
I
Z 1
R j L
C
1
I est maximal, lorsque le dénominateur est minimal : L 0. Donc on aura :
C
1
Pulsation propre 0 : LC02 1 ; 0
LC
0 1
Fréquence propre f 0 : f0
2 2 LC
L’impédance du circuit est minimale et réelle : ZR
Le déphasage est nul : 0
29
Chapitre 3 Réseaux électriques en régime sinusoïdal
I
Bande passante : 2 1 ; 1 et 2 sont valeurs de pour lesquelles I m
2
0
La largeur de cette bande passante vaut : 2 1
Q
on exprime l’acuité à la résonance à l’aide du facteur de qualité du circuit Q :
L O 1 1 L
Q
R RC O R C
plus le facteur de qualité est grand et plus la résonance est aigue.
3.5. Puissance
3.5.1. Puissance instantanée
La puissance reçu par ce dipôle est définie par : pt ut it
p t 2 U I cos t cos t UI cos UI cos 2 t
On note que la puissance est une fonction périodique de période T/2 par rapport à u(t) et i(t).
3.5.2. Puissance moyenne
T
1
La puissance moyenne P est définie par : P
T pt dt UI cos
0
30
Chapitre 3 Réseaux électriques en régime sinusoïdal
Exercices du chapitre 3
Exercice 1
Soit une tension sinusoïdale de valeur efficace U=15 V et de période T=1 ms.
1- Calculer sa valeur maximale, sa fréquence et sa pulsation.
2- Exprimer la tension instantanée en fonction du temps. Cette tension vaut 10 V à l’instant initial.
3- Déterminer l’amplitude complexe de cette tension.
Exercice 2
Déterminer par la méthode complexe, la somme des trois tensions définies par leurs valeurs effectives
et leurs phases initiales : U 1 55 V , 90 ; U 2 75 V , 45 ; U 3 100 V , 0 .
Exercice 3
On considère le circuit représenté ci-dessous où U est la représentation complexe d’une tension
31
Chapitre 4 Quadripôles passifs – Filtres
Chapitre 4
Quadripôles passifs - Filtres
Nous étudions dans ce chapitre la réponse d’un quadripôle à une tension sinusoïdale en fonction
de la fréquence du signal.
1. Quadripôle
Un quadripôle est un dispositif électrique délimité par quatre bornes de liaison (pôles) avec les
circuits extérieurs.
I1 I2
Quadripôle U2 Zc
U1
Source Charge
Circuit d’étude
Les quadripôles électriques sont utilisés pour réaliser une fonction particulière : amplification,
filtrage…
Les échanges avec l’extérieur se font aux travers de deux pôles d’entrée et deux pôles de sortie.
Les grandeurs I1 et U1 désignent les grandeurs d’entrée et I2 et U2 celles de sortie.
Les quadripôles sont appelés actifs ou passifs selon s’ils contiennent ou non des sources d’énergie.
1.1. Matrices impédance et admittance d’un quadripôle
Les équations qui expriment les tensions d’entrée et de sortie d’un quadripôle en fonction des
intensités et inversement, s’écrivent :
U 1 Z 11 I 1 Z 12 I 2 I 1 Y11 U 1 Y12 U 2
et
U 2 Z 21 I 1 Z 22 I 2 I 2 Y21 U 1 Y22 U 2
32
Chapitre 4 Quadripôles passifs – Filtres
U Z Z 12 I 1
ou, en écriture matricielle : U Z I soit : 1 11
U 2 Z 21 Z 22 I 2
I Y Y12 U 1
et I Y U soit : 1 11
I 2 Y21 Y22 U 2
[Z] et [Y] sont les matrices impédance et admittance du quadripôle
Eléments de matrice Zij : ils se déduisent de mesures en circuit ouvert, effectuées sur le
quadripôle :
U1 U2
- Sortie en circuit ouvert : I 2 0 : Z11 et Z 21
I1 I1
U2 U1
- Entrée en circuit ouvert : I 1 0 : Z 22 et Z12
I2 I2
Z11 et Z22 : sont respectivement l’impédance d’entrée et l’impédance de sortie du quadripôle ;
Z12 et Z21 sont des impédances de transfert en circuit ouvert.
Eléments de matrice Yij : ils se déduisent de mesures en court circuit, effectuées sur le
quadripôle.
I1 I2
- Sortie en court-circuit : U 2 0 : Y11 et Y21
U1 U1
I2 I1
- Entrée en court-circuit : U1 0 : Y22 et Y12
U2 U2
Y11 et Y22 : sont respectivement l’admittance d’entrée et l admittance de sortie du quadripôle ;
Y12 et Y21 sont des admittances de transfert en court-circuit.
Remarques :
1. En application du théorème de réciprocité, on déduit que Z12 = Z21. Les impédances de
transfert d’un quadripôle sont égales.
2. De même, les admittances de transfert d’un quadripôle passifs sont égales : Y12 = Y21.
3. Un quadripôle est dit symétrique si : Z11 = Z22 (Y11 = Y22).
33
Chapitre 4 Quadripôles passifs – Filtres
I1 I2
Q’
U1 U2
Q’’
On caractérise les quadripôles Q’ et Q’’ par leur matrices impédances [Z’] et [Z’’] respectivement.
L’association en série de Q’ et Q’’ constitue un quadripôle Q de matrice impédance [Z].
La relation matricielle du quadripôle équivalent Q, s’écrira :
U Z I
avec Z Z ' Z ' ' et
U I
U 1 ; I 1
U 2 I 2
1.2.2. Groupement en parallèle
Deux quadripôles Q’ et Q’’ de matrices admittances [Y’] et [Y’’], sont montés en parallèle selon
le schéma la figure suivante :
I1 I’1 I’2 I2
I’’1 Q’ I’’2
U1 U2
Q’’
1.2.3. Quadripôles en T et en
Les quadripôles les plus simples sont disposés soit en T soit en π.
Montage T
On peut décomposer le circuit en 2 mailles :
34
Chapitre 4 Quadripôles passifs – Filtres
U 1 Z11 I 1 Z12 I 2 I1 Z1 Z2 I2
U 2 Z 21 I 1 Z 22 I 2
Z11 Z1 Z 3 ; Z12 Z 21 Z 3 ;
avec : U1 I Z3 II U2
Z 22 Z 2 Z 3
Montage en π
D’après la loi des nœuds, on peut écrire : I1 Y3 I2
1 2
I1 Y11 U1 Y12 U 2
I 2 Y21 U1 Y22 U 2
U1 Y1 Y2 U2
Y11 Y1 Y3 ; Y12 Y21 Y3 ;
avec :
Y22 Y2 Y3
E U1 Q U2 Zc
Source Charge
Z 21 I1
ce qui donne : I2
Z 22 Z c
U1 Z122
On déduit l’impédance d’entrée Ze : Ze Z11
I1 Z 22 Z c
35
Chapitre 4 Quadripôles passifs – Filtres
1.3.2. Impédance caractéristique
On définit une impédance de charge particulière qui soit égale à l’impédance d’entrée du quadripôle.
Il s’agit de l’impédance caractéristique : Ze = Zc = Z0.
Nous avons alors :
Z122
Z e Z c Z11
Z 22 Z c
Dans un quadripôle symétrique, l’impédance caractéristique aura l’expression suivante :
Z 02 Z c2 Z11Z 22 Z12 Z 21
Ue :
Us
H
Ue
Le rapport G des valeurs efficaces des tensions de sortie et d’entrée porte le nom « gain » de
la fonction de transfert :
U sm U s ( eff )
G H
U em U e ( eff )
La phase d’une fonction de transfert est l’argument de cette fonction de transfert. Elle
correspond au déphasage du signal de sortie par rapport au signal d’entrée :
u u arg H
s e
2. Filtre linéaire
2.1. Définition
Un filtre électrique est un circuit électronique qui atténue certaines composantes d'un signal et en
laisse passer d'autres, comme le montrent les courbes de réponses en fréquence suivantes :
36
Chapitre 4 Quadripôles passifs – Filtres
G G
Gm Gm
0 f1 f 0 f1 f
G G
Gm Gm
0 f1 f2 f 0 f
f1 f2
a. Filtre passe bas : Un filtre passe bas favorise la transmission de signaux de fréquences basses,
inférieures à une fréquence caractéristiques f 1 ;
b. Filtre passe haut : Un filtre passe haut transmet les signaux de fréquences supérieures à f 1
et atténue les autres.
c. Filtre passe bande : Un filtre passe bande ne transmet que les signaux dont la fréquence est
comprise à l’intérieur d’une bande de fréquence B f 2 f1 .
d. Filtre réjecteur : Un filtre réjecteur idéal, élimine les signaux de fréquences entre les deux
fréquences de coupure.
37
Chapitre 4 Quadripôles passifs – Filtres
0
filtre passe bas G0 0 G 0
filtre passe haut G0 0 G 0
filtre passe bande G0 G 0, Gl Gmax
R
Il en résulte en notant X la grandeur électrique considérée (intensité I ou tension U) :
2 2
P2 X 2 X X
x dB 10 log 2 20 log 2
P1 X 1 X1 X1
X
Enfin, l’écart en décibels (dB) entre deux grandeurs électriques, est défini par : x dB 20 log 2
X1
Etant donné que le gain d’un filtre est défini par le rapport des tensions efficaces Us et Ue (ou de
tensions maximales (Usm et Uem), on peut poser :
Us U sm
gain en décibel : GdB 20 log ou GdB 20 log
Ue U em
Exemples :
Us
pour : 10 G dB 20
Ue
Us
10 2 G dB 40
Ue
Us 1
G dB 3
Ue 2
2.2.3. Diagramme de Bode d’un filtre
2.2.3.1. Définition
On appelle diagramme de Bode d’un filtre l’ensemble des deux graphes :
Le gain en décibels de la fonction de transfert H() tracé en fonction du logarithme décimal de
la fréquence :
38
Chapitre 4 Quadripôles passifs – Filtres
GdB 20 log H f log courbe de réponse en gain
0 et ,
on en déduit ensuite le diagramme réel en faisant intervenir la pulsation de coupure.
39
Chapitre 4 Quadripôles passifs – Filtres
U 1
H s
U e 1 jRC
1
Soit : G H et argH arctanRC
1 R 2 C 2 2
G max 1 1 1
G C R 2 C 2 C2 1 C
2 2 1 R 2 C 2 C2 RC
1 1
H G , arctan
2
C
1 j
C 1
C
1
GdB 20 log G 20 log 10 log1 x 2
1 x
2
arctan x
40
Chapitre 4 Quadripôles passifs – Filtres
Sachant que GdB c 3 dB et c 4 pour x 1 ( C ) , on peut représenter le
diagramme de Bode comme suit :
Soit : G H
1
et argH arctanRC (et cos 0 )
1 2
1 2 2 2
R C
Gmax 1 1 1
GC R 2 C 2 C2 1 C
2 2 1 RC
1
R C 2C2
2
j
C C 1
H G , arctan
2 2 2 C
1 j C
C 1 1
C
41
Chapitre 4 Quadripôles passifs – Filtres
G
La bande passante de ce filtre passe-haut (d’ordre 1), tel que max G Gmax , est l’intervalle
2
C , .
Diagramme de Bode
1
1 2
1
GdB 20 log G 20 log 1 2 10 log1 2
x x
2 arctan x
Aux très hautes fréquences, le gain est confondu avec l’axe ox. Aux très basses fréquences, GdB
est une droite de pente +20dB/décade.
La phase admet pour asymptote 2 en basse fréquence et 0 en hautes fréquences.
42
Chapitre 4 Quadripôles passifs – Filtres
Exercices du chapitre 4
R1=6 R4=4
I1 I2
Exercice 1
Déterminer les paramètres Z du réseau suivant ?
U1 R2=3 R3=1
U2
R5=1
Exercice 2
Déterminer l’impédance d’entrée Ze du quadripôle
représenté sur la figure ci-contre, alimentant une
charge résistive pur Zc=R R1 C R2 R
Exercice 3
Soit le filtre correspondant à la figure ci-contre : R
Us
1- Calculer sa fonction de transfert H .
Ue
Ue L Us
2- Donner les expressions de l’amplitude G
et de la phase de la fonction de
transfert.
3- Déterminer la fréquence de coupure de ce filtre C à -3dB.
5- Représenter les asymptotes des deux graphes G dB f x et g x , avec : x .
C
6- Tracer le diagramme de Bode en en utilisant le tableau suivant :
43
Chapitre 5 Diodes à semiconducteur
Chapitre 5
Diodes à semiconducteur
Dans cette partie, on présente sans l'approfondir une introduction aux semiconducteurs et à la
jonction PN. On s’intéresse à la base de fabrication et de fonctionnement d’une diode à jonction tout
en caractérisant sa réponse pour différente méthode de polarisation.
En quittant sa position initiale, un électron devenu libre laisse derrière lui un « trou ». L’atome
étant initialement neutre, un trou est donc chargé positivement. Un trou peut bien sur être comblé par
un autre électron libre venu d’atome voisin. Dans ce cas, le trou se déplace en sens contraire du
déplacement de l’électron. La conduction électrique peut aussi être interprétée comme un
déplacement de trous que comme un déplacement d’électrons.
44
Chapitre 5 Diodes à semiconducteur
Les électrons libres sont appelés porteurs de charge négatifs. Les trous sont les porteurs de
charge positifs.
On modélise la faculté des électrons à se mobiliser pour participer à un phénomène de conduction par
des bandes d’énergies :
Niveau d’énergie
d’un électron
Bande de valence (BV) : l’électron qui se trouve dans cette bande, participe à une liaison covalente
au sein du cristal
Bande de conduction (BC) : un électron ayant acquis suffisamment d’énergie peut se trouver dans
cette bande ; il est alors mobile et peut participer à un phénomène de conduction
Bande interdite : la mécanique quantique a montré que les électrons ne peuvent pas prendre des
niveaux d’énergie quelconques, mais que ceux-ci sont quantifiés ; entre la bande de valence
et la bande de conduction peut donc exister une bande interdite. Pour rendre un électron
mobile, il faut donc apporter de l’énergie en quantité suffisante pour franchir ce gap.
En fonction de la disposition de ces bandes, et surtout de la largeur de la bande interdite, les matériaux
peuvent être isolants, conducteurs ou semi-conducteurs :
45
Chapitre 5 Diodes à semiconducteur
Un conducteur : la bande de conduction est partiellement remplie. Le solide contient donc des
électrons mobiles susceptibles de participer aux phénomènes de conduction sans fournir
d’énergie.
Un isolant : la bande de conduction est vide et le gap est grand (ex : de l'ordre de 10 eV). Le
solide ne contient alors aucun électron capable de participer à la conduction.
Un semiconducteur : la bande de conduction est vide mais le gap est plus faible (de l'ordre de 1
à 2 eV). Le solide est donc isolant à température nulle ( T 0K ), mais une élévation de
température permet de faire passer des électrons de la bande de valence à la bande de
conduction. La conductivité augmente avec la température.
1.2 Semiconducteurs intrinsèques
Lorsqu’un semiconducteur est pur, on dit qu’il est intrinsèque. IL existe autant d’électrons
libres que de trous : soit n et p les nombres respectifs de porteurs négatifs (électrons) de la bande de
conduction et de porteurs positifs (trous) de la bande de valence par unité de volume
(concentrations) ; on montre que :
∆
.
A température ambiante, kT est de l'ordre de 0,025 eV. La densité d'électrons est alors très faible,
et la conductivité intrinsèque est faible pour la plupart des semi-conducteurs.
Les principales familles de semi-conducteurs sont les suivantes :
46
Chapitre 5 Diodes à semiconducteur
pentavalents (Phosphore (P), Arsenic (As) ou Antimoine (Sb) de la colonne V). On crée alors un
apport d’électrons supplémentaires. Le semi-conducteur est dopé N et les impuretés sont dites
donneuses d’électrons.
La concentration en impureté dopante reste toujours très faible quel que soit le cas : de l’ordre de
1 atome d’impureté pour 107 atomes de silicium. Si le semi-conducteur est dopé N, il y a beaucoup
plus d’électrons libres que de trous. On dit que les électrons sont les porteurs de charge
47
Chapitre 5 Diodes à semiconducteur
majoritaires. Dans le cas d’un dopage P, ce sont les trous qui sont les porteurs majoritaires. Dans les
deux cas on a : n p .
En revanche, on a toujours : n p ni
2
2. Diode à jonction
2.1. Jonction PN
En dopant respectivement N et P deux parties d’un même cristal semi-conducteur, on forme
un dipôle appelé « diode à jonction ». La jonction est la surface de contact située entre les deux
parties du cristal dopées différemment.
Bien qu’au départ chacune des deux zones soit électriquement neutre, la mise en contact des deux
parties induit un phénomène de migration de porteurs majoritaires de part et d’autre de la jonction :
certains trous de la zone P se déplacent vers la zone N, tandis que certains électrons de la zone N
migrent vers la zone P.
migration
V=Vd de trous
é+ é+ + + ° °
é é
N + + + + ° ° P
é é
+ + + + ° °
é
+
é
+ + + ° °
migration Zone de
d’électrons déplétion
48
Chapitre 5 Diodes à semiconducteur
Un équilibre s’installe autour de la jonction, créant ainsi un champ électrique interne E i . La zone
située autour de la jonction correspondant à ce champ électrique est appelée zone de déplétion.
La présence de ce champ électrique se traduit également par la présence d’une différence de potentiel.
Cette d.d.p. Vd est appelée barrière de potentiel (de l’ordre de 0.7 V). La zone de déplétion se
comporte comme un isolant et il devient très difficile pour un électron libre, de franchir cette zone.
2.2. Polarisation de la diode
L’application d’une tension V dirigée comme indiquée sur la figure suivante P N
(polarisation inverse), crée un champ électrique qui s’ajoute au champ électrique interne
poussant ainsi les électrons de la zone N et les trous de la zone P a s’éloigner de la jonction : la
zone de déplétion s’élargit ; la jonction devient pratiquement isolante. On dit que la diode est
bloquée.
V
é+ + + + °
é zone de déplétion élargie
N + + + + ° P
é
+ + + + ° Diode bloquée
é
+ + + + °
électrique externe se crée et s’oppose au champ interne. La barrière de potentiel Vd est ainsi
diminuer : des électrons peuvent franchir la zone de déplétion (de N vers P) qui devient donc
conductrice ; la diode est dite passante
V
é+ é+ é+ + ° ° °
é é é+ +
N + + ° ° ° P Diode passante
é é é °
+ + + + ° °
é
+
é
+
é
+ + ° ° °
La circulation des électrons au travers de la jonction s’effectue de la zone N vers la zone P (de
la cathode vers l’anode), c’est la polarisation en direct de la diode.
49
Chapitre 5 Diodes à semiconducteur
Soit V la tension aux bornes de la diode et I le courant qui la traverse. Comme le courant circule
de l’anode vers la cathode (sens inverse des électrons), on représentera tension et courant comme
indiqué sur la figure suivante :
Si V est positif, on dit que la diode est polarisée en sens direct. Un courant I peut circuler dans
la diode. Si V est négatif, la diode est polarisée en sens inverse et aucun courant ne peut y
circuler.
La caractéristique I f V d’une diode est représentée sur la figure suivante :
I
sens
direct
sens
inverse
0 V
-Is
0.7 V
effet
avalanche
eV V
I I se kT
I se
V0
50
Chapitre 5 Diodes à semiconducteur
Le courant croit exponentiellement. On dit que la diode est passante ou polarisée en direct. Pour des
valeurs importantes de I, la tension V varie peu et est de l’ordre de 0.6 à 0.7 V pour des diodes au
silicium (0,2 V pour une diode au germanium). Cette tension est appelée tension seuil et se note VS.
En sens inverse :
Si V 0 et si V V0 , alors I I s
pente :1/Rd
0 0,7 V 0 0
V V 0,7 V V
(a) diode parfaite (b) diode idéale (c) modèle dynamique
Si on considère que la tension de 0,7 V est négligeable devant les autres tensions du circuit, on
obtient alors le modèle de la diode dite idéale, dont la caractéristique est schématisée sur la figure
(b)
Si on souhaite un modèle plus proche de la caractéristique de la diode réelle, on peut adopter le
modèle dit modèle dynamique représenté sur la figure (c) : on considère que cette caractéristique
est formée de deux segments de droite :
V < 0,7 volt I= 0 (diode bloquée)
V 0,7
V > 0,7 volt I avec Rd résistance dynamique de la diode passante.
Rd
2.3. Diodes particulières
2.3.1. Diodes de redressement
Une des principales applications de la diode est le redressement de la tension alternative pour
faire des générateurs de tension continue destinés à alimenter les montages électroniques.
51
Chapitre 5 Diodes à semiconducteur
Lorsque la diode est "polarisé en sens inverse" et la tension à ses bornes est trop forte on assiste au
phénomène d’avalanche. Le courant inverse qui traverse la diode augmente subitement. On parle
d’effet Zéner et de telles diodes sont appelées diodes Zéner.
Quel que soit le courant qui la traverse, la diode Zéner présente à ses bornes, une tension quasiment
constante appelée tension Zéner et noté Vz (Vz= qq V à qq 0,1 kV). Cette propriété est très utilisée
dans les montages régulateurs de tension (protection des montages).
I sens I
direct
sens
inverse
R RI
Vz 0 V
E
Vs=0.7 V
D -Vz
effet
Zener
52
Chapitre 5 Diodes à semiconducteur
La LED (Light Emitting Diode), également appelée diode électroluminescente, est une diode
prévue pour fonctionner en polarisation directe, afin d’émettre des radiations lumineuses invisibles
(infrarouge) ou visibles (rouge, orange, jaune, vert ou bleu).
Ces composants ont des caractéristiques intéressantes comme une durée de vie quasi illimitée (100
000 heures) et une petite taille. On les rencontre partout : feux tricolores de circulation, panneaux
d'affichage électroniques (heure, température...). Les diodes à infrarouges servent beaucoup dans
les télécommandes d'appareils TV …
2.3.5. Diodes varicap
Symbole :
Une diode possède une capacité (très faible). La capacité d'une diode polarisée en inverse
diminue quand la tension inverse augmente. Ainsi on a un condensateur variable qui est commandé
par une tension.
53
Chapitre 5 Diodes à semiconducteur
Exercices du chapitre 5
Exercice 1 R1=100
1- Dans le circuit représenté sur la figure ci-contre, A
E=10 V
déterminer l’état passant ou bloqué de la diode
2- Dans le cas où la diode est passante, déterminer le R2=40Ω
On supposera que la diode est parfaite et possède une tension de seuil égale à 0,7 V.
Exercice 2
C
1- Dans le circuit représenté sur cette figure, déterminer
l’état passant ou bloqué de la diode
2- Dans le cas où la diode est passante, déterminer le A
E= 10 V
courant I qui la traverse.
R2= 40Ω
On supposera que la diode est parfaite et possède une tension
de seuil égale à 0,7 V.
R1=80Ω
Exercice 3
Une diode a les caractéristiques suivantes :
1- Est-ce la caractéristique d'une diode réelle, parfaite ou
idéale ?
2- Expliquer brièvement le fonctionnement de cette diode.
3- On utilise le montage ci-dessous. La résistance R = 1000 Ω.
Représenter en fonction des temps les tensions et .
54
Solutions des Exercices
en série
A
5Ω 5Ω 2Ω
6Ω 4Ω
2Ω 2Ω
5Ω
B
A
5Ω 5Ω en parallèle
6Ω 4Ω 4Ω =2+2
2Ω
5Ω
B
A
5Ω 5Ω
6Ω 4×4
2Ω =
2Ω 4+4
5Ω
B
A en parallèle
5Ω 5Ω
6Ω
2Ω 2Ω
5Ω
B
en série
A
5Ω 5Ω
6Ω 2×2
1Ω =
2+2
5Ω
B
55
Solutions des Exercices
A
5Ω en parallèle
6Ω 6Ω
5Ω
B
A
5Ω
6×6
3Ω =
6+6
5Ω
B
A B
RAB = 5+3+5=13 Ω
Exercice 2
Déterminer les intensités I1, I2, I3, I4 et I5 dans chaque branche du réseau suivant :
R1 R2 R3
I1 A I2 B I3
I4 I5
E1 1 2 3 E2
R4 R5
𝑛𝑜𝑒𝑢𝑑 𝐴 ∶ 𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼4
Loi des nœuds : �
𝑛𝑜𝑒𝑢𝑑 𝐵 ∶ 𝐼2 = 𝐼5 + 𝐼3
𝑚𝑎𝑖𝑙𝑙𝑒 1: 𝑅1 𝐼1 + 𝑅4 𝐼4 − 𝐸1 = 0
Loi des mailles : �𝑚𝑎𝑖𝑙𝑙𝑒 2: 𝑅2 𝐼2 + 𝑅5 𝐼5 − 𝑅4 𝐼4 = 0
𝑚𝑎𝑖𝑙𝑙𝑒 3: 𝑅3 𝐼3 + 𝐸2 − 𝑅5 𝐼5 = 0
𝐼4 = 𝐼1 − 𝐼2
D’après le 1er système d’équation on a : �
𝐼5 = 𝐼2 − 𝐼3
On remplace ces deux valeurs dans le 2ème système d’équation on aura donc :
56
Solutions des Exercices
𝑅1 𝐼1 + 𝑅4 (𝐼1 − 𝐼2 ) = 𝐸1 (𝑅1 + 𝑅4 ) 𝐼1 − 𝑅4 𝐼2 = 𝐸1
𝑅 𝐼
� 22 + 𝑅5 2 − 𝐼3 ) − 𝑅4 (𝐼1 − 𝐼2 ) = 0
(𝐼 ⟹ � 4 1 (𝑅2 + 𝑅5 + 𝑅4 ) 𝐼2 − 𝑅5 𝐼3 = 0
−𝑅 𝐼 +
𝑅3 𝐼3 − 𝑅5 (𝐼2 − 𝐼3 ) = − 𝐸2 −𝑅5 𝐼2 + (𝑅3 + 𝑅5 )𝐼3 = − 𝐸2
Ce système d’équation peut être résolu en utilisant le calcul matriciel (méthode de Cramer) :
(𝑅1 + 𝑅4 ) −𝑅4 0 𝐼1 𝐸2
� −𝑅4 (𝑅2 + 𝑅5 + 𝑅4 ) −𝑅5 � �𝐼2 � = � 0 �
0 −𝑅5 (𝑅3 + 𝑅5 ) 𝐼3 −𝐸2
3 . 103 −2 . 103 0 𝐼1 10
�−2 . 103 3 � �𝐼 � = � 0 �
5 . 103 −2 . 10 2
0 −2 . 103 3 . 103 𝐼3 −20
On calcule le Déterminant ∆ :
3 . 103 −2 . 103 0
∆ = �−2 . 103 5 . 103 −2 . 103 � = 45 × 109
0 −2 . 103 3 . 103
𝟏𝟎 −2 . 103 0
� 𝟎 5 . 103 −2 . 103 �
3
𝐼1 = −𝟐𝟎 −2 . 10 3 . 103 = 0.66 𝑚𝐴
∆
3 . 103 𝟏𝟎 0
�−2 . 103 𝟎 −2 . 103 �
𝐼2 = 0 −𝟐𝟎 3 . 103 = −1.33 𝑚𝐴
∆
3 . 103 −2 . 103 𝟏𝟎
�−2 . 103 5 . 103 𝟎 �
𝐼3 = 0 −2 . 103 −𝟐𝟎 = −7.55 𝑚𝐴
∆
𝐼4 = 𝐼1 − 𝐼2 = 2 𝑚𝐴 𝑒𝑡 𝐼5 = 𝐼2 − 𝐼3 = 6.22 𝑚𝐴
Exercice 3 I
Déterminer le courant I circulant dans la résistance
R1 R2
R2 en appliquant le principe de superposition. I3
E1 E2
57
Solutions des Exercices
⟹ 𝐸1 − 𝑅1 𝐼1 − 𝑅2 𝐼1 = 0
E1
⟹ 𝐸1 = (𝑅1 + 𝑅2 )𝐼1
𝐸1
𝐼1 =
(𝑅1 + 𝑅2 )
U1 R1 R2 U2
D’après la loi des mailles :
𝐸2 = 𝑈1 + 𝑈2 = 𝑅1 𝐼2 + 𝑅2 𝐼2 = (𝑅1 + 𝑅2 )𝐼2
E2
𝐸2
𝐼2 =
(𝑅1 + 𝑅2 )
𝑅1 I0 I0
𝐼0 = 𝐼
(𝑅1 + 𝑅2 ) 3
R1 R2 R1 R2
I3 I3
Enfin le courant circulant dans la résistance R2 est la somme des trois courants :
𝐸1 𝐸2 𝑅1
𝐼 = 𝐼1 + 𝐼2 + 𝐼0 = + + 𝐼
(𝑅1 + 𝑅2 ) (𝑅1 + 𝑅2 ) (𝑅1 + 𝑅2 ) 3
(𝐸1 + 𝐸2 + 𝑅1 𝐼3 )
𝐼=
(𝑅1 + 𝑅2 )
Application Numérique :
�10+20+(10×0.1)�
𝐼= (10+5)
= 2.067 𝐴
58
Solutions des Exercices
Exercice 4
Déterminer l’intensité du courant I circulant à travers la résistance R3, en utilisant :
1. Lois de Kirchhoff : R1 E2
I1 A B
Nœud A : 𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼
I2 I
Loi des mailles:
maille 1: 𝐸1 − 𝑅1 𝐼1 − 𝑅2 𝐼2 − 𝑅0 𝐼1 = 0 E1 1 2
R2 R3
maille 2 : 𝐸2 − 𝑅3 𝐼 + 𝑅2 𝐼2 = 0
𝐼1 − 𝐼2 − 𝐼 = 0 1 −1 −1 𝐼1 0
�(𝑅1 + 𝑅0 )𝐼1 + 𝑅2 𝐼2 = 𝐸1 ⟺ � 1 𝑅0 )
(𝑅 + 𝑅2 0 � �𝐼2 � = � 𝐸1 �
𝑅2 𝐼2 − 𝑅3 𝐼 = −𝐸2 0 𝑅2 −𝑅3 𝐼 −𝐸2
1 −1 −1
Déterminant : Δ = �(𝑅1 + 𝑅0 ) 𝑅2 0 � = −𝑅2 𝑅3 − 𝑅3 (𝑅1 + 𝑅0 ) − (𝑅1 + 𝑅0 )𝑅2
0 𝑅2 −𝑅3
1 −1 0
(𝑅
� 1 + 𝑅0 ) 𝑅2 𝐸1 �
0 𝑅2 −𝐸2 −𝑅2 𝐸2 − 𝑅2 𝐸1 − (𝑅1 + 𝑅0 )𝐸2
𝐼= =
Δ ∆
𝑅2 𝐸1 + (𝑅0 + 𝑅1 + 𝑅2 )𝐸2
𝐼=
𝑅2 (𝑅0 + 𝑅1 ) + 𝑅3 (𝑅0 + 𝑅1 + 𝑅2 )
Application Numérique :
20 × 20 + (10 + 10 + 20)10
𝐼= = 1𝐴
20(10 + 10) + 10(10 + 10 + 20)
𝐼 =1𝐴
2. Théorème de Thévenin :
Pour appliquer le théorème de Thévenin, on décompose le réseau en cherchant d’abord le
modèle équivalent vu des bornes A et D :
59
Solutions des Exercices
20
𝑈𝐴𝐷 = 20 = 10 𝑉 D
10 + 10 + 20 R0
A A A
R1
R10 R2 Req
R2
R0 D
D D
𝑅2 𝑅10
R10 =R1+R0 𝑅𝑒𝑞 =
𝑅2 +𝑅10
On remplace dans le montage initiale la partie vue des bornes B et C et on applique le modèle
de Thévenin :
B
B
E2 RTh
Req
⇔ R3
R3
ETh
UAD
C
C
RTh= ?
Calcul de la résistance et le générateur de Thévenin ?
ETh= ?
C
Résistance de Thévenin RTh :
60
Solutions des Exercices
⇒ ⇒
UAD
C C C
RTh
𝐸𝑇ℎ 𝑈𝐴𝐷 + 𝐸2 R3
𝐼= ⇒ 𝐼=
𝑅𝑇ℎ + 𝑅3 𝑅𝑒𝑞 + 𝑅3
ETh
C
Application numérique :
10 + 10
𝐼= = 1𝐴
10 + 10
Exercice 1
Tracer l’évolution de la tension u (t ) :
A partir de l’instant t=0 , le commutateur reste dans la position A, le circuit équivalent est
représenté sur la figure suivante :
61
Solutions des Exercices
R1 = 20 KΩ
E0=10 C=100µF u (t )
Ce circuit est exactement le même que celui étudié au cours. On peut donc immédiatement écrire :
u (t ) = E 0 1 − e τ 1
−t
u (t ) = 10 1 − e 2
−t
Donc :
C=100µF U (t )
Comme notre nouvelle origine des temps.
10
𝑈1 = 𝑈(𝑡 = 10𝑠) = 10 �1 − 𝑒 − 2 � = 9.93 𝑉
62
Solutions des Exercices
Exercice 2
Donner la loi de variation avec le temps de l’intensité du courant i(t)
R
L
R L
R L
1 1 1 1 3 𝑅 6000
= + + = → 𝑅𝑒𝑞 = = = 2000 Ω
𝑅𝑒𝑞 𝑅 𝑅 𝑅 𝑅 3 3
1 1 𝐿
𝐿𝑒𝑞 = 𝐿 + 𝐿𝑒𝑞1 , 𝐿𝑒𝑞1 = + → 𝐿𝑒𝑞1 =
𝐿 𝐿 2
𝐿 3 3
→ 𝐿𝑒𝑞 = 𝐿 + = 𝐿 = × 30 𝑚𝐻 = 45𝑚𝐻
2 2 2
63
Solutions des Exercices
+
D’après la loi les maille :
E Leq UL
𝐸 − 𝑈𝑅 − 𝑈𝐿 = 0
𝑈𝑅 + 𝑈𝐿 = 𝐸
Tel que : 𝑈𝑅 = 𝑅𝑒𝑞 𝑖
𝑑𝑖
𝑈𝐿 = 𝐿𝑒𝑞
𝑑𝑡
𝑑𝑖
Donc on aura : 𝐿𝑒𝑞 + 𝑅𝑒𝑞 𝑖 = 𝐸 (∗)
𝑑𝑡
→ Équation différentielle de premier ordre avec second membre et qui admet une solution
générale : 𝑖 = 𝑖1 + 𝑖2
𝑖1 : solution homogéne
𝑖2 : solution particulière
𝑅𝑒𝑞
𝑑𝑖 𝑅𝑒𝑞 𝑅𝑒𝑞 𝑡 − 𝑡+𝑐𝑠𝑡
→∫ =− ∫ 𝑑𝑡 → ln 𝑖 = − + 𝑐𝑠𝑡 → 𝑖1(𝑡) = 𝑒 𝐿𝑒𝑞
𝑖 𝐿𝑒𝑞 𝐿𝑒𝑞
𝑅𝑒𝑞
− 𝑡 −𝑡 𝐿𝑒𝑞
→ 𝑖1 (𝑡) = 𝐾 𝑒 𝐿𝑒𝑞
𝑜𝑢 𝑏𝑖𝑒𝑛 ∶ 𝑖1 (𝑡) = 𝑘 𝑒 𝜏 /𝜏 =
𝑅𝑒𝑞
• Solution particulière :
à 𝑡 → ∞ , c-à-d en régime permanent (continu), le courant est constant : 𝑖 = 𝑐𝑠𝑡
𝑑𝑖
donc la tension entre les bornes de la bobine : 𝑈𝐿= 𝐿𝑒𝑞 =0
𝑑𝑡
𝐸
On aura : 𝑈𝑅 + 𝑈𝐿 = 𝐸 → 𝑈𝑅 = 𝐸 → 𝑅𝑒𝑞 𝑖 = 𝐸 → 𝑖1 =
𝑅𝑒𝑞
64
Solutions des Exercices
𝐸 −𝐸
𝑖(𝑡 = 0) = 0 → 𝑘𝑒 0 + =0→𝑘=
𝑅𝑒𝑞 𝑅𝑒𝑞
−𝑡 𝐿𝑒𝑞
𝐸
Enfin : 𝑖(𝑡) = �1 − 𝑒 𝜏 � 𝑎𝑣𝑒𝑐 ∶ 𝜏 =
𝑅𝑒𝑞 𝑅𝑒𝑞
𝐸 6 𝐿𝑒𝑞 45×10−3
Application Numérique : = = 3 × 10−3 ; 𝜏 = = = 22,5 × 10−6
𝑅𝑒𝑞 2000 𝑅𝑒𝑞 2×103
−𝑡
𝑖(𝑡) = 3 × 10−3 �1 − 𝑒 𝜏 � ; 𝜏 = 22,5 × 10−6 𝑠
Exercice 3
K
Déterminer les variations de 𝑈(𝑡) :
u (t ) C = 50µF
• La tention aux bornes de la bobine
𝐿𝑑𝑖 E 0 = 10 V i (t )
est égale à : 𝑈𝐿 =
𝑑𝑡
L = 10 mH
1
𝑈(𝑡) = ∫ 𝑖(𝑡). 𝑑𝑡
𝑐
𝑑𝑢
Soit 𝑖(𝑡) = 𝑐
𝑑𝑡
La loi des mailles dans le circuit, après fermeture de l’interrupteur nous donne donc :
𝑑𝑖 1
𝐸0 = 𝑈𝐿 + 𝑈(𝑡) = 𝐿 + � 𝑖 𝑑𝑡
𝑑𝑡 𝐶
𝑑2𝑈
𝐸0= 𝐿𝐶 + 𝑈(𝑡) (1)
𝑑𝑡 2
Equation différentielle du deuxième (second) ordre avec second membre. On peut l’écrire
sous la forme suivant :
65
Solutions des Exercices
1 𝑑2𝑈 2𝜆 𝑑𝑢
+ + 𝑢(𝑡) = 𝑘 (2)
𝜔02 𝑑𝑡 2 𝜔0 𝑑𝑡
𝜆 : facteur d’amortissement
1
𝜔0 = , 𝜆 = 0 , 𝑘 = 𝐸0
√𝐿𝐶
1 𝑑2𝑈
Donc : (1) ↔ + 𝑢(𝑡) = 𝐸0
𝜔02 𝑑𝑡 2
𝑡
𝑢(𝑡) = 𝑘 + 𝐴 𝑐𝑜𝑠 𝜔0 𝑡 ↔ 𝑢(𝑡) = 𝐸0 + 𝐴𝑐𝑜𝑠 � �
√𝐿𝐶
𝑢(𝑡 = 0) = 𝐸0 + 𝐴 = 0 → 𝐴 = −𝐸0
𝑡
D’où : 𝑢(𝑡) = 𝐸0 �1 − cos ( )�
√𝐿𝐶
Exercice 1
T = 1 ms : période
66
Solutions des Exercices
𝑢(𝑡) = 𝑈𝑚 𝑐𝑜𝑠(𝜔𝑡 + 𝜑) ; 𝜑 =?
A l’instant t = 0, 𝑢 = 10 𝑉 ; donc :
𝑢 (𝑡 = 0) = 𝑈𝑚 𝑐𝑜𝑠(𝜔(0) + 𝜑) = 10
→ 𝑈𝑚 𝑐𝑜𝑠 𝜑 = 10
10 10
→ 𝑐𝑜𝑠 𝜑 = = ≅ 0.4717
𝑈𝑚 21.2
𝑈 = 21.2 𝑒𝑗(2000𝜋𝑡+1.08)
Exercice 2
𝑢 (𝑡) = 𝑈𝑚 𝑐𝑜𝑠(𝜔(0) + 𝜑)
𝜋� � 𝜋 𝜋
𝑈1 (55 𝑉 , 90°) ⟺ 𝑈1 = 55 𝑒 𝑗� 2 = 55 �𝑐𝑜𝑠 + 𝑗 sin � = 55𝑗
2 2
𝜋� � 𝜋 𝜋 √2 √2 √2
𝑈2 (75 𝑉 , 45°) ⟺ 𝑈2 = 75 𝑒 𝑗� 4 = 75 �𝑐𝑜𝑠 + 𝑗 sin � = 75 � +𝑗 � = 75 (1 + 𝑗)
4 4 2 2 2
67
Solutions des Exercices
75√2 75√2
𝑈𝑡𝑜𝑡 = 𝑈1 + 𝑈2 + 𝑈3 = �100 + � + 𝑗 �55 + � = 153.03 + 𝑗 108.03
2 2
= 𝑈𝑚 𝑒 𝑗𝜑 = �𝑈𝑡𝑜𝑡 � 𝑒 𝑗 (arg 𝑈𝑡𝑜𝑡)
108.03
l’argument est obtenu par la relation : 𝜑 = 𝑎𝑟𝑐𝑡𝑔 � � = 0.615 𝑟𝑎𝑑
153.03
𝐼 𝑗 10 Ω −𝑗 5 Ω
Exercice 3
Zeq= ZR + ZL + Zc = 20 + j10 - j5 = 20 + j5
𝑈
* on a : 𝑈 = 𝑍𝑒𝑞 𝐼 ⟹ 𝐼 = (∗)
𝑍𝑒𝑞
𝑈
𝐼= → 𝑎𝑟𝑔�𝐼 � = 𝑎𝑟𝑔�𝑈 � – 𝑎𝑟𝑔 �𝑍𝑒𝑞 �
𝑍𝑒𝑞
68
Solutions des Exercices
5
⟹ 𝜑𝑖 = 0 − 𝑎𝑟𝑐𝑡𝑔 � � = −𝑎𝑟𝑐𝑡𝑔(−0.25) = −0.24
20
𝜑𝑖 = −0.24 ( 𝑟𝑎𝑑)
Exercice 1
𝑈 = 𝑍11 𝐼1 + 𝑍12 𝐼2 U1 R2 R3
� 1
U2
𝑈2 = 𝑍21 𝐼1 + 𝑍22 𝐼2
R5
𝑈1
𝑍11 = � = 𝑍𝑒𝑞 = 𝑅𝑒𝑞 R1 R4 I2 =0
𝐼1 𝐼 =0 I1
2
𝑅𝑒𝑞 = 𝑅1 + 𝑅2 ∥ ( 𝑅3 + 𝑅4 + 𝑅5 ) U1 R2 R3
R5
𝑅2 (𝑅3 + 𝑅4 + 𝑅5 )
𝑅𝑒𝑞 = 𝑅1 + = 𝑍11
𝑅2 + 𝑅3 + 𝑅4 + 𝑅5
AN :
3 (1+4+1)
𝑅𝑒𝑞 = 6 + =8Ω ⟹ 𝑍11 = 𝑅𝑒𝑞 = 8Ω
3+1+4+1
𝑈2 R1 R4
𝑍21 = � I1 I2 =0
𝐼1 𝐼 =0
2
I0
U1 R2 R3
On a : 𝑈2 = 𝑅3 𝐼0
R5
69
Solutions des Exercices
𝑅2
𝐼0 = 𝐼
𝑅2 + 𝑅3 + 𝑅4 + 𝑅5 1
Donc :
𝑅3 𝑅2 𝑈2 𝑅3 𝑅2
𝑈2 = 𝐼 ⟹ 𝑍21 = =
𝑅2 + 𝑅3 + 𝑅4 + 𝑅5 1 𝐼1 𝑅2 + 𝑅3 + 𝑅4 + 𝑅5
1×3 1 1
AN : 𝑍21 = = Ω ⟹ 𝑍21 = Ω
3+1+4+1 3 3
Maintenant, pour calculer les deux autres paramètres il faut ouvrir les bornes d’entrée
I1=0 (entrée en circuit ouvert) :
I1 = 0 R1 R4 I2
𝑈2
𝑍22 = �
𝐼2 𝐼 =0
1 𝑰′𝟎 U2
R2 R3
′
𝑍22 = 𝑅𝑒𝑞 = 𝑅3 ∥ ( 𝑅2 + 𝑅4 + 𝑅5 )
𝑅3 (𝑅2 + 𝑅4 + 𝑅5 ) R5
𝑍22 =
𝑅3 + 𝑅2 + 𝑅4 + 𝑅5
AN :
1 (3+4+1) 8 8
𝑍22 = = Ω ⟹ 𝑍11 = Ω
1+3+4+1 9 9
I1 = 0 R1 R4 I2
𝑈1
𝑍12 = � 𝑰′𝟎
𝐼2 𝐼 =0 U2
1 U1 R2 R3
On a : 𝑈1 = 𝑅2 𝐼0′
R5
En utilisant le pont diviseur de courant, on obtient :
𝑅3
𝐼0′ = 𝐼
𝑅3 + 𝑅2 + 𝑅4 + 𝑅5 2
Donc :
𝑅3 𝑅2 𝑈2 𝑅3 𝑅2
𝑈1 = 𝐼 ⟹ 𝑍12 = =
𝑅3 + 𝑅2 + 𝑅4 + 𝑅5 2 𝐼1 𝑅3 + 𝑅2 + 𝑅4 + 𝑅5
3×1 1 1
Application Numérique : 𝑍12 = = Ω ⟹ 𝑍21 = Ω = 𝑍12
1+3+4+1 3 3
Exercice 2
70
Solutions des Exercices
I1 I1
1
U1 R1 𝑗𝑐𝜔 R2 R U1 Ze
𝑈1
Calculons maintenant l’impédance d’entrée : 𝑍𝑒 =
𝐼1
Il s’agit tout simplement de calculer l’impédance équivalente vue des bornes d’entrée :
I1
1
𝑅2 ∥ 𝑅 (en parallèle)
U1 R1 𝑗𝑐𝜔 R2 // R
I1
1
en série avec (𝑅2 ∥ 𝑅)
𝑗𝑐𝜔
U1 R1 Zeq1
1 1 𝑅2 𝑅
Z𝑒𝑞1 = + (𝑅2 ∥ 𝑅) = +
𝑗𝜔𝑐 𝑗𝜔𝑐 𝑅2 +𝑅
I1
𝑍𝑒𝑞1 ∥ 𝑅1 (en parallèle)
U1 Ze
1 𝑅 𝑅
𝑅1 𝑍𝑒𝑞1 𝑅1 �𝑗𝜔𝑐 + 𝑅 2+ 𝑅 �
2
Ze = �𝑍𝑒𝑞1 ∥ 𝑅1 � = =
𝑅1 + 𝑍𝑒𝑞1 𝑅 + 1 + 𝑅2 𝑅
1 𝑗𝜔𝑐 𝑅2 + 𝑅
71
Solutions des Exercices
Exercice 3
Fonction de transfert
ZL jLω 1
Us = Ue = Ue = Ue ZR
ZR + ZL R + jLω 1+ j
R
Lω
𝑈𝑒 ZL 𝑈𝑠
(Pont diviseur de tension)
Us jLω 1
⇒ H= = =
U e R + jLω 1 + j R
Lω
Amplitude 𝑮(𝝎) et phase 𝝋 (𝝎) :
Lω 1
Soit : G (ω ) = H = =
R 2 + ( Lω )
2 2
R
1+
Lω
et
Lω
ϕ (ω ) = arg (H ) = arg ( jLω ) − arg (R + jLω ) = arctg (∞ ) − arctg
R
π Lω
= − arctan
2 R
Pulsation de coupure ω C
Gmax
on a : G(ω ) = 𝐺𝑚𝑎𝑥 = ?
C
2
1 𝑅
𝐺(𝜔) = 2
donc : 𝐺↗ ⟹ � �↘0 ⟹𝜔↗ ⟹𝜔⟶∞ (filtre passe-haut)
𝐿𝜔
�1+� 𝑅 �
𝐿𝜔
𝐺𝑚𝑎𝑥 = 𝐺(𝜔 → ∞) = 1
1 1 𝑅 2
𝐺(𝜔𝑐 ) = = ⟹ 2=1+� �
√2 2
𝐿𝜔𝑐
�1 + � 𝑅 �
𝐿𝜔𝑐
72
Solutions des Exercices
π ω
La phase : ϕ= − arctan
2 ωC
Diagramme de Bode
1
GdB = −10 log 1 + 2
1
= −10 log1 + 2 = −10 log 1 + x − 2 ( )
ω x
ω
c
ϕ = π − arctan x
2
x → 0 + ⇒ GdB ≅ − log x −2 = +20 log x (asymptote oblique, de pente 20dB par décade)
73
Solutions des Exercices
(
GdB = −10 log 1 + x − 2
)
π
ϕ = − arctan x
2
Le diagramme de Bode :
Exercice 1
74
Solutions des Exercices
La diode présenterait donc une différence de potentiel à ses bornes de 2,8 V, ce qui est impossible.
La diode est donc passante et présente à ses bornes une différence de potentiel de 0,7 V.
Déterminer le courant I qui traverse la diode passante :
Calculons maintenant le courant I dans la diode. Soit I1 le courant dans R1 et I2 le courant dans R2.
Orientons ces trois courants vers le bas.
E + VA 10 - 0,7 VA 0,7
On a donc : I1 = = = 93 mA et I2 = = = 17,5 mA
R1 100 R2 40
Exercice 2
Déterminer l’état passant ou bloqué de la diode :
En utilisant la même technique que dans l’exercice C
1, supposons que la diode soit bloquée. Aucun
courant ne circule dans la résistance R2. Le circuit
A
se résume à une simple maille. Comme il n’y a
E= 10 V
pas de chute de potentiel aux bornes de R2, R2= 40Ω
l’anode et la cathode de la diode sont aux mêmes
potentiels. La tension V aux bornes de la diode est
R1=80Ω
nulle, ce qui est tout à fait cohérant avec le fait
que la diode soit bloquée.
Si on suppose que la diode est passante, on a obligatoirement VA-VC=0,7 V ;
Or VC = 10 V ⇒ VA = 10,7 V, ce qui donnerait la configuration suivante :
Courant dans la
diode passante Courant dans R2
A R2
C
10 V 10,7 V 10 V
75
Bibliographie
Bibliographie
76