Diseño, fabricación y medida

de un amplificador de mínimo
ruido de RF basado en
transistor FET




















Ernesto Ávila
Enrique Bronchalo


 Diseño, fabricación y medida de un amplificador de mínimo ruido de RF

En este caso se realizará el diseño de un amplificador de mínimo ruido operando en
2.5GHz, basado en el transistor FET, PHEMT ATF-35143 del fabricante Avago.
El proceso de diseño de va a seguir en una serie de pasos que comienzan con la elección
del transistor y el diseño de la red de polarización y acaban con el diseño de la placa de
circuito impreso del amplificador completo con adaptación de impedancias y máxima
ganancia. Por último se fabricará y montará el amplificador y se medirán sus
características con un analizador de redes vectorial.
Los componentes disponibles, y con los que se va a diseñar el amplificador son los
siguientes:
Substrato FR4. Características medidas: er=4.36; H=1.52mm; T=35um; tgd=0.02.
Condensadores de desacoplo de TDK SMD 0603 de 1.5nF (C1608NP0)
Transistor BJT de alta frecuencia SOT343, ATF-35143 de Avago

1. Elección del transistor. Punto de trabajo

El amplificador que se pretende diseñar está basado en el transistor PHEMT ATF-35143.
El primer paso es visitar la página web del fabricante y descargar el datasheet del
transistor y el modelo del amplificador. En este caso el fabricante ofrece un archivo de
diseño de ADS (atf351430.zap) que se puede importar directamente.
Para insertar el amplificador abrimos ADS y seleccionamos file/unarchive y elegimos el
archivo atf351430.zap. De esta forma tendremos una librería con este componente que
podemos insertar en nuestro workspace de diseño del amplificador de bajo ruido.
Abrimos ahora un nuevo espacio de trabajo de ADS y en DesignKits/Manage libraries
añadimos la librería que se ha creado “Atf35_lib”. Para que aparezca el diseño en
nuestro workspace seleccionamos la opción “Shared”. Una vez insertado el transistor ya
podemos empezar con el diseño del amplificador.

A la vista de los datos del transistor, el punto de trabajo elegido es VDS=2V; ID=15mA. La
tensión de puerta del transistor se debe diseñar para que se cumpla el punto de trabajo
deseado. Para ello inserte el transistor ATF-35143 en una nueva celda y conecte las
fuentes de alimentación en puerta y drenador y un amperímetro para medir la corriente
que circula por el drenador.

Simule el circuito y represente la corriente de drenador. Para ajustar el punto de trabajo
deseado se debe hacer un ajuste fino de la tensión de puerta (fuente SRC2). Para ello se
va a utilizar la herramienta “tuning” que ofrece ADS y que se activa en el símbolo del
diapasón que está junto al de simular.

Se activa el tuning sobre la tensión de puerta y se modifica ligeramente hasta que la
corriente de drenador sea de 15mA. Esto sucede para VGS=-0.58V, por tanto ésta será
nuestra tensión de puerta.

En este caso utilizaremos las dos fuentes para la polarización, por lo que evitamos el uso
de elementos resistivos en el diseño. Por lo tanto ya podemos evaluar el
comportamiento en frecuencia del transistor.

 2. Cálculo de los parámetros S del amplificador.

Una vez diseñada la red de polarización del transistor, insertamos los condensadores de
desacoplo y las bobinas de choke y evaluamos los parámetros S del amplificador. En una
primer momento realizaremos la simulación con componentes ideales y posteriormente
utilizaremos los modelos reales.
Añadimos al diseño las Smart Tools de ADS que permiten evaluar la estabilidad del
amplificador y el ruido del mismo. Para evaluar el ruido del amplificador se debe activar
la pestaña de cálculo del ruido dentro del objeto “S-Parameters” y cambiar la
temperatura de simulación en el objeto “Options” a 16.85ºC (temperatura de cálculo de
ruido estandarizada por el IEEE)


















El esquemático del amplificador con componentes ideales quedaría como se muestra
en la siguiente figura.

Los resultados de simulación se muestran a continuación.

A la vista de los resultados se pueden extraer una serie de características de nuestro
amplificador:
- Está claramente desadaptado tanto a la entrada como a la salida
- La ganancia es moderada (14.5dB)
- La figura de ruido es muy baja (0.24dB) y está en consonancia con lo indicado
por el fabricante
- Quizá lo más importante. El amplificador dista mucho de ser estable y habrá que
actuar sobre el mismo para aumentar su estabilidad.


Una vez evaluado el amplificador con componentes ideales se realiza el diseño del
mismo con componentes reales. Para ello se cambian los condensadores por sus
correspondientes modelos reales, TDK C1608NPO de valor nominal 1.5nF.
Para el desacoplo de la alimentación del sistema se va a diseñar una red basada en una
línea de alta impedancia y longitud l/4 y un radial stub que actuará como condensador
de banda ancha. También se añaden todas las posibles líneas de transmisión necesarias
para la correcta conexión del transistor y las vías necesarias.
El substrato utilizado en este caso es FR4 en el que se han medido sus características
para tener una mayor exactitud en el diseño (h=1.52mm, er=4.36; tgd=0.02).

El esquemático del diseño se muestra en la siguiente figura.

Para la alimentación del transistor, como se ha comentado anteriormente, se ha
diseñado y optimizado una etapa de alimentación compuesta por una línea de alta
impedancia y longitud l/4 y un condensador de banda ancha “radial stub”. Además se
ha añadido un par de líneas para facilitar la soldadura de los cables de alimentación que
irán a las fuentes de DC. Para el diseño de esta etapa se ha realizado un tuning de las
longitudes tanto de la línea l/4 como del radial stub para asegurar que la impedancia
vista a la entrada de la etapa es “infinito” en toda la banda de frecuencias de interés.
Este proceso se resume en las siguientes figuras.



El resultado final es que la longitud del radial stub es de 11mm y la del tramo l/4 de
18mm, con un ancho de línea de 0.4mm para asegurar una impedancia alta.

Otro de los aspectos a considerar es la estabilidad del amplificador. Para aumentar la
misma sin incrementar el ruido del amplificador (por lo cual no podemos introducir
elementos disipativos a la entrada) se ha elegido la opción de introducir unas pequeñas
pérdidas en la conexión de “source”. En este caso se ha considerado suficiente incluir
dos líneas de anchura 0.8mm y longitud 4mm, a las que se les ha añadido la vía de
conexión a tierra. En la siguiente figura se muestra esta conexión.

En el esquemático se ha añadido una Smart tool que calcula directamente la impedancia
que necesita el amplificador para trabajar en condiciones de mínimo ruido.



Los resultados de la simulación se muestran en las siguientes figuras. En ellos se puede
observar como el amplificador está muy desadaptado, por lo que habrá que diseñar las
redes de adaptación de impedancia necesarias para proporcionar bajo ruido a la entrada
y máxima ganancia a la salida. También se observa que la estabilidad ha mejorado
notablemente con la inclusión de las líneas de transmisión en el surtidor del transistor.
La figura de ruido mínima del amplificador es de 0.36dB, y ésta se consigue para una
impedancia vista a la entrada del amplificador de ZIN=(39.39+j27.24)W

 3. Diseño de las redes de adaptación de impedancias

El siguiente paso en el diseño del amplificador es calcular las redes de adaptación de
impedancias.
Al tratarse de un amplificador de mínimo ruido, primero se diseña la red de adaptación
de impedancias de entrada para asegurar el mínimo ruido. Para ello utilizamos la Smart
tool “Impedance Matching” donde seleccionamos la frecuencia (2.5GHz), la impedancia
característica de la línea (50W) y las impedancias a adaptar (recuerde cambiar el signo
de la parte imaginaria. En este caso:

Red de entrada
ZS =50W
ZL =(39.39-j27.24)W

La red de adaptación escogida se muestra en la siguiente figura.

Con esta red, simulamos de nuevo el circuito y obtenemos el valor de la impedancia a la
salida del amplificador. Para tener máxima transferencia de potencia a la salida la
impedancia que debe ver el amplificador es la calculada conjugada. La impedancia vista
es de ZOUT=(46.91-j47.32)W, por lo tanto la impedancia a ajustar es:
(ZOUT)*=(46.91-j47.32)W,

Para obtener la red de adaptación de salida se utiliza de nuevo la Smart tool “Impedance
Matching”, donde los datos de las impedancias son:

Red de salida
ZS =(46.91-j47.32)W
ZL =50W

La red escogida en este caso es la siguiente:

Una vez obtenidas las redes ideales se calculan las dimensiones de las redes reales sobre
el substrato FR4 con la herramienta LineCalc.
El resultado final del esquemático del amplificador es el mostrado en la siguiente figura,
donde se han añadido unas MTEE para la conexión de las líneas de transmisión que
forman las redes de adaptación.

Los resultados simulados del amplificador son los siguientes.



A la vista de los resultados se puede comprobar como el amplificador está bien adaptado
a la frecuencia de diseño, con una ganancia de 12.6dB, un aislamiento en torno a los
16dB y un factor de ruido de 0.53dB.


4. Layout del amplificador

Una vez diseñado el amplificador, se procede a la realización del layout o circuito
impreso. Para ello es aconsejable, puesto que hay componentes que no tienen definido
el layout, realizar un nuevo diseño esquemático con componentes no reales, pero si con
el tamaño adecuado. Este esquemático sólo se utilizará para definir el layout del
amplificador.
Los componentes que se han utilizado en el amplificador tienen el siguiente tamaño:
- Condensadores SMD_0603: : L=1.6mm; W=0.8mm; S=0.5mm
- Transistor ATF-35143-: SOT343

Los componentes discretos con tamaño SMD se pueden encontrar en la librería
“Lumped With Artwork” y para el transistor lo más sencillo es insertar uno de la librería
“Devices JFET” y definir su artwork (layout). Para ello hay que clicar con el botón derecho
del ratón, seleccionar “component/edit component artwork” y asignar el layout SOT343:

Una vez definidos todos los tamaños de los componentes, se genera el layout del diseño
(layout/Generate Layout) y se posicionan los componentes en la posición adecuada. El
layout final del amplificador queda como se muestra en la siguiente figura:




5. Fabricación del amplificador

Una vez realizado el layout del amplificador se procede a la fabricación del mismo. La
fabricación se realizará mediante insoladora y ataque químico, por lo que tendremos
que generar los archivos gerber de fabricación y a partir de ellos con un visor de gerber
un pdf con el fotolito del diseño.
Para general los archivos gerber se selecciona desde la ventana de layout, file/export y
se selecciona el tipo de formato a exportar (Gerber/Drill) y el directorio donde lo
exportará. Esto genera en el directorio un archivo con la capa de cobre del diseño (capa
cond) que podemos cargar con cualquier visor de archivos gerber (en nuestro caso
GerberV) y generamos el pdf con el diseño. En la siguiente figura se muestra el diseño y
el amplificador ya fabricado con ataque químico en un substrato FR4.

















 6. Montaje y medida del amplificador

Una vez fabricado el amplificador se procede al montaje de los componentes del mismo,
incluyendo las vías de conexión a tierra y la alimentación. El montaje se ha realizado de
forma manual con pasta de soldar SMD y un soldador de 25W con punta fina.
La placa finalizada se muestra en la siguiente figura:
















En la siguiente figura se muestran las medidas del amplificador con un analizador de
redes vectorial. Como se puede observar hay una buena similitud entre las medidas
(gráficas rojas) y las simulaciones (gráficas en azul). Hay ciertas diferenecias entre ambas
gráficas que pueden ser debidas a inexactitudes del modelo del transistor y/o al efecto
del montaje manual de los componentes. La ganancia medida a 2.5GHz es de 9.2dB; el
ruido no ha sido medido en laboratorio al no disponer de equipamiento para ello.