UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR

FACULTAD DE INGENIERIA Y ARQUITECTURA

ESCUELA DE INGENIERA ELECTRICA

ELECTRÓNICA I

LABORATORIO 2:

MEDICIÓN DE tox y Vt

CATEDRÁTICO:

GRUPO DE LABORATORIO: 01

INSTRUCTOR:

BR.

ESTUDIANTES:

CIUDAD UNIVERSITARIA, 6 DE NOVIEMBRE DE 2017

RESUMEN

El segundo laboratorio consta de dos partes. Se implementaron circuitos utilizando el circuito

integrado CD4007, con el objetivo de estudiar las características técnicas más relevantes de los
MOSFET; el espesor de la capa de aislante tox de los mismos y la magnitud de Vt (ambos MOSFET
canal n y canal p). Se armaron dos circuitos por cada parte del laboratorio los primeros que estaban
conformados por condensador, resistencia e integrado y los dos últimos con el integrado y
resistencias, los circuitos se analizaron con diferentes fuentes de alimentación como una fuente de
tensión de 5V y un generador de señales conectados a la entrada del circuito. Además, se utilizó una
señal de prueba de onda cuadrada de amplitud 5V y frecuencia de 5KHz.También se hace uso de la
parte tecnológica, utilizando el programa PSPICE, para una mejor visualización de los parámetros de
los circuitos implementados.

MATERIALES Y EQUIPO EMPLEADO EN LABORATORIO

 1 Circuito integrado CD4007.

 1 Condensador de 100pF.
 1 Resistencia de 100KΩ.
 1 Resistencia de 1KΩ.
 1 Resistencia de 2KΩ.
 1 Resistencia de 3KΩ.
 1 Resistencia de 5.1KΩ.
 1 Resistencia de 10KΩ.
 1 Resistencia de 20KΩ.
 1 Resistencia de 30KΩ.
 1 Resistencia de 51KΩ.
 1 Resistencia de 200KΩ.
 1 Resistencia de 300KΩ.
 1 Multímetro digital.
 1 Protoboard con fuentes de voltaje incorporadas ETS-7000 K&N.
 1 Generador de funciones 33210A Agilent Technologies.
 1 Osciloscopio digital DSO1012A Agilent Technologies.

INTRODUCCION

El MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-effect Transistor) es el objeto de estudio en este

laboratorio que es un dispositivo electrónico de tres terminales, el principio básico con el que
funciona es el uso de voltaje entre dos terminales para controlar el flujo de corriente en la tercera.
De esta manera puede utilizarse un dispositivo de tres terminales para obtener una fuente
controlada, es la base del diseño de amplificadores.
Recordando que en el MOSFET la compuerta y la región del canal forman un condensador de placas
paralelas y que la capa de óxido sirve como dieléctrico, el espesor del óxido tox está determinado
por la tecnología del proceso empleado para fabricarlo.

En este laboratorio estudiamos el comportamiento de los MOSFET de varias maneras, por ejemplo,
en la parte 1 con el cálculo del tox a partir de dos circuitos uno con un condensador y resistencia y
el otro con el CD40007, se utilizó el osciloscopio y generador de señales para obtener el tiempo de
subida (tr) y tener una mejor interpretación de los datos; en la parte 2 se procedió a el cálculo de Vt
con la implementación de dos circuitos repetidores de corriente (MOSFET cana p y n
respectivamente), se interpretaran los resultados y realizaran los cálculos pertinentes para
desarrollar de manera eficiente con el contenido requerido del laboratorio.

DESCRIPCION DE CIRCUITOS

PARTE 1: Medición de tox.

Para medir tox se medirá la capacitancia total de los seis transistores en un circuito integrado
CD4007; y luego se calcula tox. La capacitancia se mide indirectamente, por medio de la medición
del tiempo de subida (tr) en un circuito RC. Para un circuito RC, se sabe que:

tr = 2.2 RC

Figura 1. Circuito RC.

Se realizará la implementación del circuito de la figura 1 para probar el tiempo de subida con el
osciloscopio y el generador de señales y se procederá a montar circuito 2 que permite la medición
de la capacitancia total de las compuertas del CD4007.
 Figura 2. Circuito de prueba para medición de tox.

Procedimiento:

 Rise time (tr) en circuito RC

Primero con el circuito de la figura 1 se efectuará la medición de tr con una señal de prueba de onda
cuadrada de amplitud 5V y con una frecuencia de aproximadamente 5KHz.

 Rise time (tr) en circuito MOSFET

Con el circuito de la figura 2, montando el circuito de manera que el CD4007 se pueda quitar sin
afectar el alambrado se hará la medición del tr con y sin CD4007 con el objetivo de determinar la
capacitancia parasita del montaje, se ajustara el generador de señales con el propósito de producir
una onda cuadrada de aproximadamente 0.75V de amplitud con un offset de 1.25V. Este rango de
tensión garantiza que todos los MOSFETs se encuentran en la región de inversión, en donde la
capacitancia de la compuerta se debe principalmente a tox.

Se reportarán los valores medidos de rise time y fall time con y sin el CD4007, constante de tiempo
RC calculada con y sin el CD4007, así como análisis y cálculos para el tox. Además de los valores de
constante de tiempo RC calculada se determinará:

CCON y CSIN y con la diferencia determinar la capacitancia total de la compuerta del chip y con los
datos y disponibles se puede determinar el tox.

Procedimiento Parte II: Determinación de Vt y kn (kp)

Figura 3. Circuito repetidor de corriente (MOSFET canal p).

En el repetidor de corriente se tienen las dos ecuaciones que gobiernan el funcionamiento del
circuito en la rama de M1:
5 − 𝑉𝑆𝐺
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵

𝜇𝑃 𝑐𝑜𝑥 𝑊𝑝
𝐼𝐵 = (𝑉𝑆𝐺 − |𝑉𝑡 |)2
2𝐿𝑝
Si se usan dos valores de RB, se puede resolver para las incógnitas kp y Vt. Además, si usamos
diferentes valores de RLD, entonces se puede conocer el efecto de la longitud del canal (Lambda o
VA). Se usarán dos valores de RB (5.1k y 51 k). El procedimiento es similar para MOSFET canal n.

Figura 4. Circuito repetidor de corriente (MOSFET canal n).

RESULTADOS DE LAS MEDICIONES

Parte 1:
Con el circuito RC conceptual:

Figura 1.1. Resultado de osciloscopio de tr con circuito RC.

Resultados con osciloscopio:

 Figura 1.2. Medición con osciloscopio circuito con CD4007.

Figura 1.3. Medición con osciloscopio sin CD4007.

Por definición para un circuito RC:

tr=2.2RC.

 Valores rise time y fall time con CD4007

Rise time = 15.0us.
Fall time = 13.0us.

 Valores rise time y fall time sin CD4007

Rise time = 10.4us.
Fall time = 9.2us.

Por definición tr es el tiempo que tarda la salida en pasar del 10% al 90% del valor final,por lo
tanto:
  Valores rise time y fall time con CD4007
Rise time = 15.0us(0.8) = 12.0us.
Fall time = 13.0us(0.8) = 10.4us.

𝑡𝑟
Constante de tiempo 𝑅𝐶 = 2.2

12𝑢𝑠
𝑅𝐶 = 2.2
= 5.454𝑢𝑠

5.454𝑢𝑠
𝐶𝑐𝑜𝑛 = (100𝐾Ω)
= 54.545𝑝𝐹

 Valores rise time y fall time sin CD4007 Ω

Rise time = 10.4us(0.8) = 8.32us.
Fall time = 9.2us(0.8) = 7.36us.

𝑡𝑟
Constante de tiempo 𝑅𝐶 = 2.2

8.32𝑢𝑠
𝑅𝐶 = = 3.782𝑢𝑠
2.2

3.782𝑢𝑠
𝐶𝑠𝑖𝑛 = = 37.818𝑝𝐹
(100𝐾Ω)

Del laboratorio se conoce que:

𝐶𝑐𝑜𝑛 = 𝐶𝑔𝑠(𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙) + 𝐶𝑝𝑎𝑟

𝐶𝑠𝑖𝑛 = 𝐶𝑝𝑎𝑟

Por lo tanto:

𝐶𝑔𝑠(𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙) = 𝐶𝑐𝑜𝑛 + 𝐶𝑠𝑖𝑛

𝐶𝑔𝑠(𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙) = 54.454𝑝𝐹 − 37.818𝑝𝐹 = 16.636𝑝𝐹

𝐶𝑔𝑠(𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙) = 3(𝐶𝑔𝑠(𝑛)) + 3(𝐶𝑔𝑠(𝑝)) = 3𝐶𝑜𝑥(𝑊𝑛𝐿𝑛 + 𝑊𝑝𝐿𝑝)

Si Wn = 350um ; Ln = Lp = 10um; Wp = 900um.

𝐾𝑜𝑥𝜖𝑜
Cox= 𝑡𝑜𝑥
; 𝐾𝑜𝑥𝜖𝑜 = 3.9 𝑥 8.85𝑥10−12 𝐹/𝑚

𝐶𝑔𝑠(𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙) = 3𝐶𝑜𝑥(𝑊𝑛𝐿𝑛 + 𝑊𝑝𝐿𝑝)

Despejando para Cox y sustituyendo valores:

 1
𝐶𝑔𝑠(𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙) = 𝐶𝑜𝑥
3(𝑊𝑛𝐿𝑛 + 𝑊𝑝𝐿𝑝)

16.636𝑝𝐹
𝐶𝑜𝑥 = = 443𝑢𝐹/𝑚2
3(900𝑢𝑚(10𝑢𝑚) + 350𝑢𝑚(10𝑢𝑚))

Conocido el valor de Cox se encuentra el tox :

𝐾𝑜𝑥𝜖𝑜
Cox= 𝑡𝑜𝑥

Despejando se obtiene:

𝐾𝑜𝑥𝜖𝑜
𝑡𝑜𝑥 =
𝐶𝑜𝑥

3.9 𝑥 8.85𝑥10−12 𝐹/𝑚

𝑡𝑜𝑥 = = 78.039𝑛𝑚
443𝑢𝐹/𝑚2

Parte 2:

Determinación de Vt y kn (kp)

MOSFET CANAL P:

Ecuaciones 1 y 2 respectivamente:
5 − 𝑉𝑆𝐺
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵

𝜇𝑃 𝑐𝑜𝑥 𝑊𝑝
𝐼𝐵 = (𝑉𝑆𝐺 − |𝑉𝑡 |)2
2𝐿𝑝

Realizando los cálculos para derteminar Vt y Kp del cirucito de la figura 4 el cual es un circuito
repetidor de corriente (MOSFET canal p).

 Tablas circuito figura 3

Para R1 = 5.1KΩ

RB = 5.095KΩ
VSG = 2.706V Medidos
VB = 2.523V
IB = 0.459mA IB = VB /RB
Tabla 1: Mediciones y cálculo de IB para repetidor de corriente con MOSFET tipo p con
R = 5.1KΩ(nominal).
ID = VLD/RLD

Medidos Calculado
RLD VLD VSD ID
1KΩ 0.573V 4.658V 574uA
2KΩ 1.211V 3.996V 605.5uA
3KΩ 1.675V 3.548V 558uA
5.1KΩ 2.620V 2.620V 514uA
10KΩ 4.311V 0.991V 431.1uA
20KΩ 4.914V 0.326V 246uA
30KΩ 5.036V 0.2236V 167uA
51 KΩ 5.119V 0.1273V 100uA
Tabla 2: Mediciones y cálculo de ID para repetidor de corriente con MOSFET tipo p con
R = 5.1KΩ(nominal).

Para R2 = 51.0KΩ

RB = 51.15KΩ
VSG = 1.979V Medidos
VB = 3.992V
IB = 78uA IB = VB /RB
Tabla 3: Mediciones y cálculo de IB para repetidor de corriente con MOSFET tipo p con
R = 51.0KΩ(nominal).

ID = VLD/RLD

Medidos Calculando
RLD VLD VSD ID
5.1KΩ 0.438V 4.932V 85.882uA
10KΩ 0.976V 4.902V 97.66uA
20KΩ 1.662V 3.632V 83.1uA
30KΩ 3.032V 3.440V 0.101mA
51KΩ 3.982V 1.860V 78.07uA
100KΩ 5.448V 0.268V 54.48uA
200KΩ 5.517V 0.0925V 27.585uA
30 0KΩ 5.826V 0.0586V 19.46uA
Tabla 4: Mediciones y cálculo de ID para repetidor de corriente con MOSFET tipo p con
R = 51.0KΩ(nominal).

Para calcular Vt y Kp nos auxiliamos de los datos registrados en tabla 1 y tabla 3:

IB1 = 0.459mA → VSG = 2.706V

IB2 = 78uA → VSG = 1.979V

𝑢𝑝𝐶𝑜𝑥𝑊𝑝
𝐼𝐵 = 2𝐿𝑝
(VSG - |𝑉𝑡|)2
 𝑢𝑝𝐶𝑜𝑥𝑊𝑝
𝑘𝑝 =
2𝐿𝑝
𝑢𝑝𝐶𝑜𝑥𝑊𝑝
𝑘𝑝1 = 𝑘𝑝2 =
2𝐿𝑝
𝐼𝐵2
𝑘𝑝 =
(Vgs − |𝑉𝑡|)2
Igualando 𝑘𝑝1 = 𝑘𝑝2 se obtiene:
𝐼𝐵1 𝐼𝐵2
=
(Vgs − |𝑉𝑡|)2 (Vgs − |𝑉𝑡|)2

0.492𝑚𝐴 78𝑢𝐴
=
(2.706V − |𝑉𝑡|)2 (1.979V − |𝑉𝑡|)2

0.492𝑚𝐴(1.979 − |𝑉𝑡|)2 78𝑢𝐴(2.706V − |𝑉𝑡|)2

=
1 1
(2.706 − |𝑉𝑡 |)2
6.307 =
(1.979 − |𝑉𝑡 |)2
Al ser una ecuación se obtienen dos valores:

|𝑉𝑡| = 1.5004𝑉
|𝑉𝑡| = 2.1855𝑉

Para tomar el valor correcto de Vt se sabe que:

𝑉𝑜𝑣 = 𝑉𝑆𝐺 − 𝑉𝑡
Donde 𝑉𝑜𝑣 debe ser un valor positivo, evaluando en la ecuación para los Vt:

𝑉𝑜𝑣 = 1.979𝑉 − 1.5𝑉 = 0.479𝑉

𝑉𝑜𝑣 = 1.979𝑉 − 2.18𝑉 = −0.201𝑉
Ya que Vov > 0. Entonces:

|𝑉𝑡| = 1.5004𝑉

Calculando Kp y sustituyendo valores:

0.495𝑚𝐴
𝐾𝑝 =
(2.706V − 1.5V)2
𝐾𝑝 = 0.34mA/V2
 𝑢𝑝𝐶𝑜𝑥𝑊𝑝
𝑘𝑝 =
2𝐿𝑝
Con Kp encontrado se despeja para up y se obtiene:
2𝑘𝑝𝐿𝑝
𝑢𝑝 =
𝐶𝑜𝑥𝑊𝑝
Sustituyendo valores:

10(2)(0.34𝑥10−3 )
𝑢𝑝 =
900(443𝑥10−6 )

𝑢𝑝 = 0.01705 𝑚2 /V.s

Para conocer las regiones tríodo y saturación del circuito figura 3 se procede a utilizar los datos de
la tabla 2 y tabla 4 para graficar ID-VSD.

El voltaje VSD en el que se presenta la saturación se denota VSDsat,

VSDsat = VGS – Vt

Región triodo y saturación para R1 = 5.1KΩ

VSDsat = 2.706V – 1.5V

VSDsat = 1.206V

Gráfico 1: ID vs VSD para R1 = 5.1 KΩ.

Región triodo y saturación para R1 = 5.1KΩ

VSDsat = 1.979V – 1.5V

VSDsat = 0.479V

Gráfico 2: ID vs VSD para R1 = 51 KΩ.

Cálculo de VA, λ, y ro:

extrapolando la región de saturación ya que esta presenta como característica la tendencia de una
línea recta se puede obtener el valor VA o lambda (λ), este valor se encuentra calculando la
intercepción de V cuando ID es igual a cero en la ecuación.

Si:
1
𝑉𝐴 =
λ

Donde 𝑉𝐴 = −𝑉𝐷𝑆 𝑠𝑖𝑒𝑛𝑑𝑜 𝑉𝐴 𝑢𝑛 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑝𝑜𝑠𝑖𝑡𝑖𝑣𝑜.

𝜕𝐼𝐷 −1
𝑟𝑜 ≡ [ ]
𝜕𝑉𝐷𝑆 𝑉
𝐺𝑆 =𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒
El gráfico de ID vs VSD para R1 = 5.1 kΩ y R2 = 51KΩ es el siguiente:

Para R1 = 5.1KΩ

Para R2 = 51.0KΩ

Chart Title
650

550

450
ID = 39.619VSD + 395.6
350

250
ID (uA)
ID = 6.0858VDS + 64.759
150

50

-25 -20 -15 -10 -5 -50 0 5 10

-150

-250
VSD (V)

Gráfico 1: Extrapolación de la región de saturación para PMOS con R1= 5.1KΩ y R2 = 51.0KΩ.

Para R1 = 5.1KΩ

La ecuación de la recta es la siguiente:

ID1 =39.619VSD + 395.6

Si 𝐼𝐷 = 0𝐴

para VSD se obtiene:

0 =39.619VSD + 395.6
−395.6
𝑉𝑆𝐷 = = −9.985𝑉
39.619
𝑉𝐴 = 9.985𝑉
 ro = 0.025Ω

Para R2 = 51.0KΩ

La ecuación de la recta es la siguiente:

ID2 = 6.0858VSD + 64.75

Si 𝐼𝐷 = 0𝐴

para VSD se obtiene:

0 =6.085VSD + 64.75
−64.75
𝑉𝑆𝐷 = = −10.64𝑉
6.085
𝑉𝐴 = 10.64𝑉

De la ecuación:

ro = 0.1643Ω

calculando el promedio Va se obtiene:

𝑉𝐴1 + 𝑉𝐴2
𝑉𝐴 =
2
9.985𝑉 + 10.64𝑉
𝑉𝐴 =
2
𝑉𝐴 = 10.313𝑉
1
𝑉𝐴 =
λ

Despejando para λ y sustituyendo valores:

1
λ =
10.313V

λ = 0.0969 𝑉 −1
MOSFET CANAL N:

Ecuaciones 1 y 2 respectivamente:
5 − 𝑉𝑆𝐺
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵

𝜇𝑃 𝑐𝑜𝑥 𝑊𝑝
𝐼𝐵 = (𝑉𝑆𝐺 − |𝑉𝑡 |)2
2𝐿𝑝

Cálculos para determinar Vt y Kn del circuito de la figura 5el cual es un circuito repetidor de corriente
(MOSFET canal n).

 Tablas circuito figura 4

Para R1 = 5.1KΩ

RB = 5.0955KΩ
VSG = 2.2450V Medidos
VB = 3.160V
IB = 0.620mA IB = VB /RB
Tabla 5: Mediciones y cálculo de IB para repetidor de corriente con MOSFET tipo n con
R = 5.1KΩ(nominal).

ID = VLD/RLD

Medidos Calculado
RLD VLD VSD ID
1KΩ 0.690V 5.473V 690uA
2KΩ 1.592V 4.608V 795uA
3KΩ 2.063V 3.442V 687uA
5.1KΩ 3.009V 2.325V 590uA
10KΩ 4.8454V 0.452V 480uA
20KΩ 5.812V 0.169V 290uA
30KΩ 5.916V 0.116V 190uA
51 KΩ 6.166V 0.0676V 120uA
Tabla 6: Mediciones y cálculo de ID para repetidor de corriente con MOSFET tipo n con
R = 5.1KΩ(nominal).

Para R2 = 51.0KΩ

RB = 51.15KΩ
VSG = 1.492V Medidos
VB = 4.153V
IB = 0.081mA IB = VB /RB
Tabla 7: Mediciones y cálculo de IB para repetidor de corriente con MOSFET tipo n con
R = 51.0KΩ(nominal).
ID = VLD/RLD

Medidos Calculado
RLD VLD VSD ID
5.1KΩ 0.398V 4.801V 78.09uA
10KΩ 0.854V 4.904V 85.41uA
20KΩ 1.636V 3.727V 81.8uA
30KΩ 2.736V 2.235V 91.2uA
51KΩ 4.564V 1.406V 89.49uA
100KΩ 6.116V 0.118V 61.16uA
200KΩ 6.288V 0.043V 31.44uA
300KΩ 6.478V 0.028V 21.59uA
Tabla 8: Mediciones y cálculo de ID para repetidor de corriente con MOSFET tipo n con
R = 51.0KΩ(nominal).

Para calcular Vt y Kp nos auxiliamos de los datos registrados en tabla 5 y tabla 7:

IB1 = 0.620mA → VSG = 2.2450V

IB2 = 0.0811mA → VSG = 1.492V

𝑢𝑝𝐶𝑜𝑥𝑊𝑝
𝐼𝐵 = (VSG - |𝑉𝑡|)2
2𝐿𝑝

𝑢𝑝𝐶𝑜𝑥𝑊𝑝
𝑘𝑝 =
2𝐿𝑝
𝑢𝑝𝐶𝑜𝑥𝑊𝑝
𝑘𝑝1 = 𝑘𝑝2 =
2𝐿𝑝
𝐼𝐵2
𝑘𝑝 =
(Vgs − |𝑉𝑡|)2
Igualando 𝑘𝑝1 = 𝑘𝑝2 se obtiene:
𝐼𝐵1 𝐼𝐵2
=
(Vgs − |𝑉𝑡|)2 (Vgs − |𝑉𝑡|)2

0.620𝑚𝐴 0.0811𝑚𝐴
=
(2.45V − |𝑉𝑡|)2 (1.392V − |𝑉𝑡|)2

0.620𝑚𝐴(1.492V − |𝑉𝑡|)2 0.0811𝑚𝐴(2.245V − |𝑉𝑡|)2

=
1 1
(2.245𝑉 − |𝑉𝑡 |)2
7.645 =
(1.492𝑉 − |𝑉𝑡 |)2
Al ser una ecuación se obtienen dos valores:

|𝑉𝑡| = 1.065𝑉
|𝑉𝑡| = 1.692𝑉

Para tomar el valor correcto de Vt se sabe que:

𝑉𝑜𝑣 = 𝑉𝑆𝐺 − 𝑉𝑡
Donde 𝑉𝑜𝑣 debe ser un valor positivo, evaluando en la ecuación para los Vt:

𝑉𝑜𝑣 = 1.492𝑉 − 1.065𝑉 = 0.427𝑉

𝑉𝑜𝑣 = 1.492𝑉 − 1.692𝑉 = −0.20𝑉
Ya que Vov > 0. Entonces:

|𝑉𝑡| = 1.065𝑉

Calculando Kp y sustituyendo valores:

0.620𝑚𝐴
𝐾𝑝 =
(2.245V − 1.065V)2
𝐾𝑝 = 445.27mA/V2
𝑢𝑝𝐶𝑜𝑥𝑊𝑝
𝑘𝑝 =
2𝐿𝑝
Con Kp encontrado se despeja para up y se obtiene:
2𝑘𝑝𝐿𝑝
𝑢𝑝 =
𝐶𝑜𝑥𝑊𝑝
Sustituyendo valores:

10(2)(0.34𝑥10−3 )
𝑢𝑝 =
350(445𝑥10−6 )

𝑢𝑝 = 0.0436 𝑚2 /Vs

Para conocer las regiones tríodo y saturación del circuito figura 3 se procede a utilizar los datos de
la tabla 2 y tabla 4 para graficar ID-VSD.

El voltaje VSD en el que se presenta la saturación se denota VSDsat,

VSDsat = VGS – Vt
Región triodo y saturación para R1 = 5.1KΩ

VSDsat = 2.245V – 1.065V

VSDsat = 1.18V

Gráfico 4: ID vs VSD para R1 = 5.1KΩ.

Región triodo y saturación para R2 = 51.0KΩ

VSDsat = 1.492V – 1.065V

VSDsat = 0.432V

Gráfico 5: ID vs VSD para R2 = 51.0KΩ.

Cálculo de VA, λ, y ro:

Extrapolando la región de saturación ya que esta presenta como característica la tendencia de una
línea recta se puede obtener el valor VA o lambda (λ), este valor se encuentra calculando la
intercepción de V cuando ID es igual a cero en la ecuación.

Si:
1
𝑉𝐴 =
λ
Donde 𝑉𝐴 = −𝑉𝐷𝑆 𝑠𝑖𝑒𝑛𝑑𝑜 𝑉𝐴 𝑢𝑛 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑝𝑜𝑠𝑖𝑡𝑖𝑣𝑜.

𝜕𝐼𝐷 −1
𝑟𝑜 ≡ [ ]
𝜕𝑉𝐷𝑆 𝑉
𝐺𝑆 =𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒

El gráfico de ID vs VSD para R1 = 5.1 kΩ y R2 = 51KΩ es el siguiente:

Para R1 = 5.1KΩ

Para R2 = 51.0KΩ

NMOS ID - VSD

750
ID = 29.133VSD + 569.35

550

350

150

ID (uA)
-50 -40 -30 -20 -10 -50 0 10

-250

-450

ID = 3.1978VSD + 65.872
-650

-850
VSD (V)

Gráfico 6: Extrapolación de la región de saturación para NMOS con R1= 5.1KΩ y R2 = 51.0KΩ.
Para R1 = 5.1KΩ

La ecuación de la recta es la siguiente:

ID = 29.133VSD + 569.35

Si 𝐼𝐷 = 0𝐴

para VSD se obtiene:

0= 29.133VSD + 569.35

−569.35
𝑉𝑆𝐷 = = −19.543𝑉
29.133
𝑉𝐴 = 19.543𝑉
De la ecuación:

ro = 0.0343Ω

Para R2 = 51.0KΩ

La ecuación de la recta es la siguiente:

ID = 3.1978VSD + 65.872

Si 𝐼𝐷 = 0𝐴

para VSD se obtiene:

0 = 3.1978VSD + 65.872
−65.872
𝑉𝑆𝐷 = = −20.604𝑉
3.197
𝑉𝐴 = 20.604𝑉

De la ecuación:

ro = 0.313Ω

calculando el promedio Va se obtiene:

𝑉𝐴1 + 𝑉𝐴2
𝑉𝐴 =
2
 19.54𝑉 + 20.604𝑉
𝑉𝐴 =
2
𝑉𝐴 = 20.072𝑉
1
𝑉𝐴 =
λ

Despejando para λ y sustituyendo valores:

1
λ =
20.0723V
λ = 0.0498 𝑉 −1

DISCUSIÓN

Los datos teóricos concuerdan en gran medida con los datos reales (mediciones de laboratorio), una
forma de comprobar dichos datos fue con la implementación de las gráficas donde se hizo uso del
análisis de dispersión para obtener el conjunto de datos ajustados donde se logró un R2 superior al
0.80 lo que nos dije que la medición en el laboratorio fue aceptable.

Para comprobar

CONCLUSIONES

 Se concluyó la práctica de laboratorio la importancia del MOSFET elementos con tres

terminales cuya característica principal es la transconductacia característica que consiste en
que este produce corriente controlada con tensión.
 El estudio de los MOSFET es de gran importancia ya que la mayor parte de sus aplicaciones
se encuentran en el diseño de circuitos integrados.
 Se logró determinar con los datos tomados en el laboratorio el tox y Vt dos de las
características técnicas que estos presentan.
 Uno de los aspectos más importantes del MOSFET es que utiliza baja potencia para llevar a
cabo su propósito y la disipación de la energía en términos de pérdida es muy pequeña lo
que lo vuelve de gran importancia en el diseño de circuitos, así como también este es un
elemento que trabaja como un interruptor.
 Se comprueba el efecto de longitud del canal lambda o VA del MOSFET con las mediciones
del laboratorio y posterior investigación que la práctica de laboratorio tubo resultados
satisfactorios ya que los datos medidos y teóricos se asemejan en gran medida.
 Con los datos obtenidos en los gráficos efectuados en el laboratorio se ha verificado las
características de operación del MOSFET para canal tipo N y canal tipo P.
BIBLIOGRAFIA

[1] http://courses.ece.wpi.edu/ece4902/labs/lab3/4902_C2013_Lab3.pdf

[2] http://courses.ece.wpi.edu/ece4902/labs/lab1/4902_C2013_Lab1.pdf

[3] Sedra. Circuitos Microelectrónicos, Quinta edición. McGraw-Hill Interamericana, 2006.

[4] Ing.Ramos. Notas de Clase de Electrónica I. Universidad de El Salvador, 2017.

HOJA TECNICA ANEXA