Universidade Federal de Campina Grande - Centro de Engenharia Elétrica e Informática

Dispositivos Eletrônicos – 2017.1

Aluno(a):
Professor: Raimundo Carlos S. Freire
*Não é permitido o porte e o uso de celulares, calculadoras programáveis ou que possam visualizar textos, nem
qualquer outro equipamento eletrônico como celulares, tabletes, etc., Não é permitido ter nenhum material além da
prova que será entregue, como cadernos, livros, papéis (mesmo em branco), etc.

3ª Verificação
1. No circuito da figura 1, Vt = 0,5 V,  = 0, nCox = 20 A/V2, L1 = 2 m, L2 = 5 m, W1 = 4 m e
W2 = 200 m. Encontre os valores de V1 e I. Qual o menor valor de V 2 para que o transistor T2 esteja na
região de saturação. Qual o valor de R que faz V2 = 1 V?
2. No circuito da figura 2, o FET tem V t = 0,5 V,  = 0 e K = 500 A/V2. Com vi = 90mVcoswt,
encontre o valor de vo para VG = 1,0 V e VG = 1,5 V.
3. No circuito da figura 3, nCox = 40 A/V2, L1 = L2 = 1 m, W1 = 2 m, W2 = 80 m, L3 = L4 = 4
m, W3 = W4 = 100 m, VAN = 200 V, VAP = 100 V. Encontre o valor da transcondutância do par
diferencial. Se vi = 1,0 mV senWt, qual o valor de vo (ac)?
4. No circuito da figura 4, Vt = 0,5 V,  = 0, I = 1 mA, K = 1000 A/V2, RG = 5 M, RD = RL = 2 k,
VDD = 5 V. Encontre a tensão cc em VS, as resistências de entrada e de saída Rin e Rout e o ganho vo/vi.
5. O circuito da figura 5 é um circuito lógico CMOS. Na tabela abaixo são mostrados valores de uma
seqüência de entradas de R e S, coloque os valores correspondentes de Q.
R 1 1 0 1 1 1
S 0 1 1 1 0 1
Q

Figura 1 Figura 2 Figura 3 Figura 4

Figura 5

Canal N Canal P
MOSFET de MOSFET de JFET MOSFET de MOSFET de JFET
acumulação depleção acumulação depleção
Vt + - - - + +
K 1/2nCox(W/L) IDSS/Vp2 K 1/2pCox(W/L) IDSS/Vp2
Em condução VGS > Vt VGS < Vt
VDS + -
Na região de VDS > VGS - Vt VDS < VGS - Vt
saturação iD = K(VGS-Vt)2(1+VDS)
ro = |VA|/ID
Na região de VDS < VGS - Vt VDS > VGS - Vt
triodo iD = K[2(VGS-Vt)VDS-VDS2]
rDS = [2K|(VGS-Vt)|]-1