UNIVERSIDADE FEDERAL RURAL DO SEMI-ÁRIDO

CAMPUS PAU DOS FERROS

BACHARELADO EM ENGENHARIA DE COMPUTAÇÃO
TÓPICOS ESPECIAIS EM SISTEMAS DIGITAIS

JORGIANIA VANÉRICA ALVES DIAS

PAU DOS FERROS

2018
TRANSISTOR MOS

O transistor MOS é um dispositivo no qual a corrente no canal entre a fonte e o

dreno é controlada por uma tensão aplicada no gate. Os transistores do tipo nMOS,
possuem portadores majoritários de elétrons, já os transistores do tipo pMOS, possuem
portadores majoritários de lacunas (RAZAVI, 2000).

Fonte Comum

Na fonte comum (FC), a entrada é aplicada à porta e à saída aplicada no dreno.

Em sinais pequenos, o transistor converte as variações de entrada em transformações
proporcionais na corrente do dreno, já a resistência transforma a corrente de dreno na
tensão de saída (RAZAVI, 2000) como pode ser observado na Figura 1.

Figura 1: Fonte comum

Fonte: OKI, 2013.

Na FC, o ganho de tensão é limitado pela tensão de alimentação. Como pode ser
visto na figura 2.

Figura 2: Fonte comum

Fonte: Razavi, 2000.

O modelo de pequenos sinais é dado por:

 𝑣𝑜𝑢𝑡
= −𝑔𝑚 𝑅𝐿
𝑣𝑖𝑛

quando a modulação do canal é desprezada.

Como

𝑊
𝑔𝑚 = √2𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 ( ) 𝐼𝐷
𝐿

Seu ganho é:

𝑊
𝐴 = − √2𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 ( ) 𝐼𝐷 𝑅𝐿
𝐿

A queda de tensão no resistor aumenta quando a corrente no dreno ou a

resistência também aumenta.

Exemplo 1: Calcule o ganho de tensão de pequenos sinais do estágio 𝐹𝐶 com 𝐼𝐷 =

1𝑚𝐴, 𝜇𝑛𝐶𝑜𝑥 = 100𝜇𝐴/𝑉², 𝑉𝑇𝐻 = 0.5𝑉.
Resposta:

𝑊
𝑔𝑚 = √2𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 ( ) 𝐼𝐷
𝐿

1
𝑔𝑚 =
300

𝐴 = −𝑔𝑚 𝑅𝐿 = 3,33

É necessário determinar a tensão-fonte para que a região de operação seja

identificada, podendo ser feita através de:

2𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑇𝐻 + √ = 1.1 𝑉
𝑊
𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 𝐿

Logo, este dispositivo opera na região de saturação e tem uma margem de 0.2 V.
A simulação deste circuito pode ser observada abaixo
Gate Comum ou Porta Comum
Se a entrada aumentar de um pequeno valor ∆𝑉, a tensão gate-fonte do transistor,
diminui pelo mesmo valor. O ganho de tensão é dado por 𝐴 = 𝑔𝑚 𝑅, pois a corrente do
dreno é reduzida de 𝑔𝑚 ∆𝑉 e𝑉𝑜𝑢𝑡 , e aumentada de 𝑔𝑚 ∆𝑉𝑅𝐿 (Razavi, 2000). A topologia
pode ser observada na Figura 3.

Figura 3: Gate comum ou Porta Comum

Fonte: OKI, 2013.

Existe um problema de troca de espaço livre de tensão. Para alcançar um elevado

ganho de tensão, é necessário um valor alto de corrente no dreno ou de resistência.
Exemplo 1: Calcular as impedâncias do estágio PC com polarização

Resposta

1
A direita do nó X, pode ser observada a impedância 𝑅3 || ( ), logo, temos que:
𝑔𝑚

𝑣𝑜𝑢𝑡 𝑣𝑜𝑢𝑡 𝑣𝑥
=
𝑣𝑖𝑛 𝑣𝑥 𝑣𝑖𝑛

1
𝑣𝑜𝑢𝑡 𝑅3 || (𝑔 )
𝑚
= 𝑔𝑚 𝑅𝐷
𝑣𝑖𝑛 1
𝑅3 || (𝑔 ) + R𝑆
𝑚

Dreno Comum

No dreno, a entrada na porta produz uma saída na fonte, caso o dreno esteja
conectado. Caso a tensão na porta seja aumentada de um valor pequeno ∆𝑉𝑖𝑛 e a tensão
porta-fonte irá aumentar, elevando assim, a corrente de fonte e por consequência, a tensão
de saída. Assim, pode-se dizer que o dreno pode funcionar como um deslocador de nível
(Razavi, 2000). A topologia do dreno pode ser observada na figura 4.

Figura 4: Dreno Comum

Fonte: OKI, 2013
Exemplo 1: Projete um dreno comum com polarização, para uma corrente no dreno de
1mA e ganho de tensão de 0.8V. Suponho 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 = 100𝜇𝐴/𝑉², 𝑉𝑇𝐻 = 0.5𝑉, 𝑉𝐷𝐷 = 1.8𝑉
e 𝑅𝐺 = 50 𝑜𝑚ℎ.

Resposta: Sabendo das equações e ao analisar este problema, pode-se perceber que as
𝑊
incógnitas deste problema são 𝑉𝐺𝑆 , 𝐿 , 𝑅𝑆

1 𝑊
𝐼𝐷 = 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )²
2 𝐿

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆

Assim,

1 𝑊
𝐼𝐷 = 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 (𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )²
2 𝐿

Logo, o ganho será dado por:

𝑅𝑆
𝐴=
1
𝑔𝑚 + 𝑅𝑆

2𝐼𝐷
Se fizermos 𝑔𝑚 = 𝑉 , substituindo 𝑉𝐺𝑆 temos:
𝐺𝑆 −𝑉𝑇𝐻

2𝐼𝐷 𝑅𝑆
𝐴=
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑇𝐻 + 𝐼𝐷 𝑅𝑆

Isolando 𝑅𝑆 , tem-se:

𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑇𝐻 𝐴
𝑅𝑆 =
𝐼𝐷 2−𝐴

Substituindo os valores dados mais acima, obtemos tais valores:

𝑅𝑆 = 867 𝑜𝑚ℎ

𝑉𝐺𝑆 = 1,8𝑉 − 867𝑜𝑚ℎ ∗ 1𝑚𝐴 = 0,933𝑉

𝑊
= 107
𝐿
Par Diferencial

Amplificador diferencial é um tipo de amplificador que multiplica a diferença

entre duas entradas pelo ganho diferencial. Ele é o estágio de entrada da maioria dos
amplificadores (Razavi, 2000). Na Figura 5 é apresentado o par diferencial.

Figura 5: Par Diferencial

Fonte: OKI, 2013.

A partir da imagem acima, podemos afirmar que:

𝐼𝑆𝑆
𝐼𝐷1 = 𝐼𝐷2 =
2

𝐼𝑆𝑆
𝑉𝑥 = 𝑉𝑦 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑅𝐷
2

Uma entrada diferencial nula produz uma saída diferencial nula. O nível CM de
𝑅𝐷 𝐼𝑆𝑆
saída vai ser 𝑉𝐷𝐷 − . Para que 𝑀1 e 𝑀2 operem no modo de saturação, a tensão do
2

dreno não pode ficar menor 𝑉𝐶𝑀 − 𝑉𝑇𝐻 :

𝐼𝑆𝑆
𝑉𝐷𝐷 − 𝑅𝐷 > 𝑉𝐶𝑀 − 𝑉𝑇𝐻
2

Fazendo analise do circuito acima para pequenos sinais, temos:

∆𝐼𝐷1 = 𝑔𝑚 ∆𝑉

∆𝐼𝐷2 = −𝑔𝑚 ∆𝑉

∆𝑉𝑥 − ∆𝑉𝑦 = −2𝑔𝑚 𝑅𝐷 ∆𝑉

logo o ganho do de tensão é dado por:

𝐴 = −2𝑔𝑚 𝑅𝐷
Exemplo 1: Projetar um par diferencial MOS para um ganho de tensão de 5 um
orçamento de potência de 2𝑚𝑊, sujeito à condição de que o estágio que segue o par
diferencial requer um nível CM de entra de pelo menos 1.6V. Suponha 𝜇𝑛𝐶𝑜𝑥 =
100𝜇𝐴/𝑉² e 𝑉𝐷𝐷 = 1.8𝑉.
Resposta:
𝑃 2𝑚𝑊
𝐼𝑆𝑆 = = = 1.1𝑚𝐴
1,8 1.8
𝐼𝑆𝑆
= 𝑉𝐷𝐷 − 𝑅𝐷
2
Temos que:
𝑉𝐶𝑀 = 1.6𝑉
𝑅𝐷 = 360𝑜𝑚ℎ
5
Logo, o ganho deve ser de 𝑔𝑚 𝑅𝐷 = 5, assim, 𝑔𝑚 = 360𝑜𝑚ℎ.

Da mesma forma que no exemplo de fonte, este circuito foi projetado e simulado,
como mostra abaixo:
Espelho e Fonte de Corrente

O espelho de corrente é um circuito projetado para copiar a corrente que passa de

um dispositivo ativo por meio do controle de corrente em outro dispositivo ativo,
mantendo a saída constante. Os espelhos são bastantes utilizados em circuitos de
polarização e em circuitos de processamento de sinais, como fontes de correntes que
atuam como amplificadores (OKI, 2013). Como pode ser observado na Figura 6, abaixo.

Figura 6: Espelho de Fonte Comum

Fonte: OKI, 2013

Se um MOSFET com

𝐼𝐷 = 𝑓 𝑉𝐺𝑆

Então,

𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆 =
𝑓

𝑓 𝐼𝑅𝐸𝐹
𝐼𝑜𝑢𝑡 = = 𝐼𝑅𝐸𝐹
𝑓

podemos assumir que M1 e M2 tenham o mesmo tamanho e 𝑉𝐷𝑆.

Como,

𝑉𝐷𝑆1 = 𝑉𝐺𝑆

quando

𝑉𝐷𝑆2 = 𝑉𝐺𝑆

temos que:

𝑉𝐺𝑆1 = 𝑉𝐺𝑆2 = 𝑉𝐺𝑆

 𝑉𝐷𝑆1 = 𝑉𝐷𝑆2 = 𝑉𝐺𝑆

como M1 e M2 tem o mesmo tamanho, suas correntes de drenos são iguais.

Para um transistor MOS na saturação, temos:

1 𝑊
𝐼𝐷 = 𝐾 (𝑉 − 𝑉𝑇 )² (1 + 𝜆𝑉𝐷𝑆 )
2 𝑝 𝐿 𝐺𝑆

Tem-se:

1 𝑊
𝐼𝐷1 = 𝐾𝑝 ( ) (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )² (1 + 𝜆𝑉𝐷𝑆1 )
2 𝐿 1

1 𝑊
𝐼𝐷2 = 𝐾𝑝 ( ) (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )² (1 + 𝜆𝑉𝐷𝑆2 )
2 𝐿 2

Assim,

𝑊
𝐼𝑜𝑢𝑡 𝐼𝐷1 ( 𝐿 ) (1 + 𝜆𝑉𝐷𝑆2 )
2
= =
𝐼𝑅𝐸𝐹 𝐼𝐷2 𝑊
( 𝐿 ) (1 + 𝜆𝑉𝐷𝑆1 )
1

𝐼𝐷1 é bem definido e obedece a geometria dos transistores, juntamente com

(1+𝜆𝑉𝐷𝑆2 )
(1+𝜆𝑉𝐷𝑆1 )
. Caso os 𝑉𝐷𝑆 sejam diferentes, o espelhamento não será perfeito, porém, o erro

é usualmente tolerável.

Exemplo 1: Encontre a corrente M4 se todos os transistores estão na saturação da imagem

abaixo.

Resposta:
Tem-se que:

𝑊
( )
𝐿 2
𝐼𝐷2 = 𝐼𝑅𝐸𝐹 . 𝑊 , |𝐼𝐷3 | = |𝐼𝐷2 |
( )
𝐿 1

𝑊
( )
𝐿 4
e 𝐼𝐷4 = 𝐼𝐷3 . 𝑊
( )
𝐿 3

Tal que

𝑊 𝑊
(𝐿) (𝐿)
2 4
𝐼𝐷4 = 𝛼 . 𝛽. 𝐼𝑅𝐸𝐹 = . . 𝐼𝑅𝐸𝐹
𝑊 𝑊
( ) ( )
𝐿 1 𝐿 3

onde

𝑊 𝑊
(𝐿) (𝐿)
2 4
𝛼= 𝑒𝛽=
𝑊 𝑊
(𝐿) (𝐿)
1 3

O circuito acima é simulado e apresentado logo abaixo com valores impostos

aleatoriamente.
REFERÊNCIAS

Razavi, Behzad. Fundamentos de microeletrônica. Grupo Gen − LTC, 2000.

Oki, Nobuo. Espelhos e Fontes de Correntes. São Paulo: Video, 2013. Color.
Oki, Nobuo. Amplificadores de Estágio Simples (1). São Paulo: Video, 2013. Color.