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de Banda Larga
Palestra para os alunos de pós-graduação de Engenharia
Elétrica da UFES vinculados ao Laboratório de Eletrônica de
Potência e Acionamento Elétrico (LEPAC)
1 – Semicondutores de Potência
- considerados chaves:
- estado fechado ou conduzindo (ON);
- estado aberto ou bloqueado (OFF).
Três grupos de acordo com a controlabilidade:
- Chaves não controladas: estados ON e OFF depende do
circuito de potência. Ex.: diodos.
Tipos:
- uso geral: retificação
- rápidos: tempos na ordem de microssegundos;
- ultra-rápidos: tempos na ordem de nanosegundos;
- Schottky: elevadas correntes e baixas tensões
Laboratório de Eletrônica de Potência
e Acionamento Elétrico
Diodos Schottky
Laboratório de Eletrônica de Potência
e Acionamento Elétrico
Laboratório de Eletrônica de Potência
e Acionamento Elétrico
1.4 – MOSFET
Características:
- dispositivo caracterizado por portadores majoritários;
- chave controlada pela tensão gate fonte (source);
- dispositivo caracterizado por perdas ôhmicas devido a
resistência dreno fonte (Rds), proporcionais a 𝐼𝑑2 ;
- possui um diodo intrínseco (na realidade um transistor) entre
fonte e dreno;
- frequência de comutação elevada (faixa de até MHz);
- capacitâncias intrínsecas afetam os tempos de comutação
gerando perdas;
- não apresenta o 2º. breakdown (ruptura);
- característica ôhmica equilibra o paralelismo.
Laboratório de Eletrônica de Potência
e Acionamento Elétrico
1.6 – Tiristores
Tiristor engloba a família de dispositivos semicondutores
com estrutura de 4 camadas, na sequência: p-n-p-n. A
operação é chaveada de forma biestável.
Características:
- dispositivo comandado na entrada em condução por um pulso de
corrente no gatilho;
- o bloqueio não é controlado, a corrente 𝐼𝐴𝐾 deve ficar menor do
que a corrente de manutenção para bloquear;
- operação com baixas frequências (poucos kHz);
- observar a necessidade do emprego de circuitos de proteção
para dv/dt e di/dt.
Comutação do Tiristor:
- comutação natural em sistemas de corrente alternada ou em
conversores ressonantes;
- comutação forçada através do emprego de circuitos axilares de
comutação.
Laboratório de Eletrônica de Potência
e Acionamento Elétrico
Laboratório de Eletrônica de Potência
e Acionamento Elétrico
Características:
- baixo ganho de bloqueio, faixa de 3 a 5 e por isso requer
elevada corrente para bloqueio. Felizmente o tempo necessário
de corrente elevado está na faixa de µs;
- Para manter todas as ilhas em condução requer uma pequena
corrente contínua de gate.
Estrutura do GTO.
Simbologia do GTO.
Laboratório de Eletrônica de Potência
e Acionamento Elétrico
Introdução
• Silício: semicondutor mais usado na fabricação de alguns componentes
eletrônicos (diodos, transistors, IGBTs, tiristores)
• Baixo custo, grande disponibilidade de matéria-prima
• Novos semicondutores:
• SiC: primeiro componente fabricado em 2001/2002 – Diodos Schottky
(empresa: CREE);
• SiC: várias formas, sendo 4H-SiC e a 6H-SiC as mais comuns;
• Antes da invenção do carbeto ou carboneto de silício, o SiC era o material
sintético mais duro conhecido (Escala de Mohs = 9).
• Uso inicial: abrasivo.
• SiC é extremamente raro na natureza (moissanite).
Dispositivos de banda larga SiC e GaN:
Características e Aplicações
• Semicondutores de banda larga (WBG)
• Carbeto (Carboneto) de Silicio (SiC)
• Nitreto de Galio (GaN)
• Tanto as chaves de SiC como de GaN tem apresentado tensões cada vez maiores.
• A tecnologia do dispositivo é muito dependente da qualidade do material de substrato e do
número de defeitos eletricamente ativos na interface SiO2 /SiC.
• Semicondutores sintetizados alto custo
Aplicações
• Diodos
• Perdas
• Velocidade de comutação
• queda de tensão de condução direta
• Transistores de Potência
• Resistência de condução
• Velocidade de comutação
• Temperatura de operação
Aplicações
Retificadores de potência
Diodo Schottky
Ponto Positivo:
• Perdas inferiores
• Elimina o efeito de recuperação
reversa
• Operação em frequências mais
elevadas
• Estabilidade Térmica
Ponto Negativo:
• Maior queda de tensão direta: 2.5 V
TIRISTORES COM SiC
• Comparações
Comparação entre Diodos Si e SiC
Teste de Recuperação Reversa
tempo de recuperação
reversa:
Si = 217,1 ns
SiC = 160 ns
Redução de 26,3 %
Pico de corrente
reversa:
Si = 3,92 A
SiC = 1,05 A
Redução de 73,2%
Nitreto de Gálio – GaN
O nitreto de gálio (GaN) é um semicondutor que se destaca por possuir um
bandgap largo, no valor de 3,4eV, emitindo/absorvendo comprimentos de onda
na faixa do azul ao ultravioleta.
• Diversas pesquisas estão sendo desenvolvidas sobre o GaN, na tentativa de
se encontrar o óxido adequado;
• Existem duas estruturas mais comuns para os cristais GaN:
Nitreto de Gálio – GaN
PROPRIEDADES:
1. Tensão de Ruptura:
4. Estabilidade Térmica:
1. Optoeletrônica;
2. Lasers, LEDS, leitores Blu-Rays;
3. Rádio frequência pelo bom desempenho em frequências
elevadas;
4. Aplicações de Eletrônica de Potência;
• Vce: 600 V
• Vce (sat): 1.7 V
• Ic = 75 A
• Ic (pico): 280 A (1ms)
• Temperatura junção: 150°C
• Td(on): 22 ns
• Td(off): 130 ns
Si – IGBT – para comparação
Fabricante: IXYS. Modelo: IXDP 20N60B
• Vce: 600 V
• Vce (sat): 2.2 V
• Ic = 32 A
• Ic (pico): 40 A (1ms)
• Temperatura junção: 150°C
• Td(on): 25 ns
• Td(off): 260 ns
SiC – MOSFET
• Vds: 1200 V
• Vgs: -10 a 25 V
• Vth: 2.2 V (Vds = 10 V)
• Id: 47 A
• Ron: 50 mΩ
• Capacitância de entrada: 1900pF
Si – MOSFET – para comparação
• Vds: 1200 V
• Vgs: -20 a 20 V
• Vth: 2.5 V
• Id: 6 A
• Ron: 2,6 Ω
• Capacitância de entrada: 1950 pF
SiC – JFET
• Vds = 1700 V
• Vgs (sat) = 3.42 V
• Ron = 20 mΩ
• Id (T=25°C) = 100 A
• hfe = 104
• Td(on) = 17 ns; Td(off) = 39 ns
• Temperatura Máxima: 175°C
GaN – FET
• Vds = 200 V
• Ron = 10 mΩ
• Id = 31 A
• Vgs = -4 a 6 V
• Vth = 2.5 V
GaN – MOFET:
Parceiros:
• New Products
• March 18, 2015
• GaN Transistors rated for 600V handle up to 15A
http://www.powerpulse.net/story.php?storyID=31828
The latest results from IEMN show more than 1400V breakdown
voltage for both vertical and lateral measurements on ALLOS'
upcoming GaN-on-Si epiwafer product for 1200V devices. A team
around Dr. Farid Medjdoub from IEMN research institute in France
has made devices and conducted measurements on two different
GaN-on-Si epiwafer products supplied by ALLOS Semiconductors of
Germany.
1200V GaN-based Power Modules from VisIC and TSMC
http://powerpulse.net/?post_type=post&p=148780&source=ppd
Published February 6, 2018