INFORME NO 1: AMPLIFICADOR FET

PRESENTADO POR: CARLOS ANDRÉS BONILLA MÉNDEZ ……………………………1094964509

ASIGNATURA: ELECTRONICA II

PROFESOR: GERARDO LÓPEZ

PROGRAMA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

FACULTAD DE INGENIERÍA

UNIVERSIDAD DEL QUÍNDIO

ARMENIA, QUÍNDIO

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 1. CONTENIDO

.....................................................................................................................Pág.

RESUMEN……………………………………………………………………...2

INTRODUCCION………………………………………………………………2

METODOS E INSTRUMENTOS……………………………………………..3

RESULTADOS Y DISCUSIÓN…………………………………………………4

1. Analisis DC…………………………………………………………………………………………………………………5

1. Analisis AC…………………………………………………………………………………………………………………7

CONCLUSIONES……………………………………………………………………10

REFERENCIAS………………………………………………………………………10

RÉSUMEN

En esta práctica de laboratorio se caracterizó el transistor FET 2n5459, el cual, es un

transistor equivalente al especificado en el problema del laboratorio 2n5457, debido a
que el transistor especificado no se encontraba en los simuladores (multisim y proteus),
se optó por tomar su equivalente, además se analizó su comportamiento verificando su
funcionamiento como amplificador hallando las ganancias de voltaje e impedancia de
entrada. Como parte de los datos más relevantes se pudo decir que las especificaciones
de los fabricantes no concuerdan con el funcionamiento del dispositivo hallado a partir
del simulador proteus.

INTRODUCCIÓN

Se requiere caracterizar un transistor 2n5459 mediante el uso del simulador proteus

graficando las curvas características del FET 𝐼𝐷 𝑉𝑆 𝑉𝑔𝑠 e 𝐼𝐷 𝑉𝑆 𝑉𝐷𝑠 , seguidamente se
hace una comparación entre las curvas obtenidas en el simulador y las curvas dadas por
el fabricante. Se necesita analizar el funcionamiento del FET para determinar si

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realmente actúa como un amplificador, como también, hallar las ganancias de voltaje y
la impedancia característica. Por último, obtener la respuesta en frecuencia y hallar la
eficiencia en la transferencia de potencia.
La práctica del laboratorio tiene como propósito comparar los datos obtenidos en las
simulaciones con los datos especificados por el fabricante, además mejorar la habilidad
en el uso de los simuladores como herramienta de análisis de los amplificadores FET.
El voltaje de ruptura dado por el fabricante es 𝑉𝑔𝑠 (𝑜𝑓𝑓) = −2 𝑉 [1]y el obtenido en la
simulación es de -1 V, con lo cual, se puede decir que no todos los datos dados en las
especificaciones son correctos.

MÉTODOS E INSTRUMENTOS.

Tabla no 1: materiales usados para el desarrollo de la práctica.

Simulador proteus
Datasheet 2n5457

Se caracterizó el amplificador que se muestra en la fig. 1 obteniendo las graficas

𝐼𝐷 𝑉𝑆 𝑉𝑔𝑠 e 𝐼𝐷 𝑉𝑆 𝑉𝐷𝑠 , que aparecen en fig. 3 y 5, el amplificador consta de un
transistor FET 2N5459 en “configuración fuente común”, es decir, que la resistencia de
carga se encuentra en el drenaje del transistor con capacitores de acople de 1 uF, una
alimentación DC de 20V y una pequeña resistencia en la fuente de 270 Ω

Fig. 1: circuito amplificador del dispositivo 2N5459.

Fuente: Carlos Andrés Bonilla Méndez.

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 RESULTADOS Y DISCUSIÓN
Para la caracterización del FET se muestra la figura 2, se calculó la gráfica de 𝐼𝐷 𝑉𝑆 𝑉𝑔𝑠
como se muestra en la figura 3 a partir de la caracterización del FET. Se suministró un
voltaje constante de 5V en los terminales dreno-fuente del dispositivo variando el
voltaje en las terminales compuerta fuente y calculando la corriente que circula en el
drenaje, seguidamente se suministro el voltaje constante en la compuerta-fuente
alrededor del 𝑉𝑔𝑠 obtenido en la ecuación cuadrática y se varió el voltaje dreno-fuente
para hallar el voltaje a la salida del dispositivo con su respectiva grafica 𝐼𝐷 𝑉𝑆 𝑉𝐷𝑠 que
se muestra en la figura 5.

Fig. 2: caracterización del FET 2N5459.

Fuente: Carlos Andrés Bonilla Méndez.

IDVSVGS
1.20E-02
1.00E-02
CORRIENTE iD

8.00E-03
6.00E-03
4.00E-03 id

2.00E-03
0.00E+00
-1.5 -1 -0.5 0
VOLTAJE VGS

FIg.3: grafica 𝐼𝐷 𝑉𝑆 𝑉𝑔𝑠 del 2N5457 dada por el fabricante [1]; grafica 𝐼𝐷 𝑉𝑆 𝑉𝑔𝑠 obtenida
a partir de la simulación del 2N5459 con un voltaje Vgs=15V.

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 Fuente: Carlos Andrés Bonilla Méndez.
ANALISIS DC.
Para el análisis DC se trabajó la malla de entrada de figura 4 obteniendo una ecuación
𝑉𝐺𝐺 − 𝑉𝑔𝑠 𝑉𝑔𝑠 2
de entrada: 𝐼𝐷= , la cual, se reemplazó en la ecuación 𝐼𝐷 = (1 − ) ;
𝑅𝑆 𝑉𝑝
obteniendo un 𝑉𝑔𝑠 = −0.494 𝑉 de la ecuación cuadrática, de la cual se obtuvo el otro
valor de voltaje que no pertenece a la región de conducción que no se tuvo en cuenta y
una corriente 𝐼𝐷𝑄 = 2.56 𝑚𝐴 , después de conocer la corriente 𝐼𝐷𝑄 se trabajó la malla
de salida y se obtuvo un voltaje 𝑉𝐷𝑆𝑄 = 9.32 𝑉.

Fig. 4: análisis DC del amplificador 2N5459.

Fuente: Carlos Andrés Bonilla Méndez.

Seguidamente se tomó dos valores cercanos al valor del 𝑉𝑔𝑠 = −0.494 𝑉 calculado, esos
valores son𝑉𝑔𝑠 = −0.55𝑉 𝑦 − 0.4𝑉, dejando estos voltajes constantes, se varió el
voltaje 𝑉𝐷𝑆 obteniendo las graficas de 𝐼𝐷 𝑉𝑆 𝑉𝐷𝑠 como se muestra en la figura 5.

5
 ID VS Vds ID VS VDS
2.5 4
3.5
CORRIENTE ID (mA)
CORRIENTE ID(mA)

2
3
1.5 2.5
2
1 1.5
1
0.5
0.5
0 0
0 0.5 1 1.5 0 0.5 1 1.5
VOLTAJE VDS (V) VOLTAJE VDS(V)

Fig. 5: Parte superior graficas de 𝐼𝐷 𝑉𝑆 𝑉𝐷𝑠 dadas por el fabricante con un 𝑉𝑔𝑠 =
−2.6 𝑉 𝑦 − 3.7 𝑉. Parte inferior graficas de 𝐼𝐷 𝑉𝑆 𝑉𝐷𝑠 con un voltaje constante 𝑉𝐷𝑠 =
−0.55𝑣 𝑦 0.4 𝑣 respectivamente.
Fuente: Carlos Andrés Bonilla Méndez.

Posteriormente, se hallaron los cortes con los ejes de la gráfica de DC a partir de la

ecuación de la malla de salida o recta de carga en DC 𝑉𝐷𝑠 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝐷 (𝑅𝑠 + 𝑅𝑑), donde
el corte con el eje de saturación es 𝐼𝐷𝑠𝑎𝑡 = 4.79 𝑚𝐴 y 𝑉𝐷𝑠𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒 = 20𝑉.

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 ANALISIS AC.
Para el análisis AC se hallo el voltaje en la carga por medio del modelo en AC el cual se
muestra en la figura 6, para poder expresar el voltaje en ac en términos de los voltajes
totales (recta de carga en AC) y hallar los cortes con los ejes. La ecuación obtenida es la
siguiente: 𝑣𝐷𝑠 − 𝑉𝐷𝑠𝑄 = −(𝑖𝐷 − 𝐼𝐷𝑄 )(𝑅𝑠 + (𝑅𝑑 || 𝑅𝑙 )): obteniendo los siguientes
cortes: 𝑖𝐷𝑠𝑎𝑡 = 5.19 𝑚𝐴 y 𝑣𝐷𝑠𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒 = 18.37𝑉. seguidamente, se grafico la recta DC
junto a la recta AC donde se determino el punto de operación gráficamente (figura 7) y
el voltaje máximo del dispositivo 𝑣𝐷𝑠𝑚𝑎𝑥 = 9.05 y una corriente 𝑖𝐷𝑚𝑎𝑥 = 2.25 𝑚𝐴,
hallando así el voltaje máximo en la carga 𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 = −𝑖𝐷𝑚𝑎𝑥 (𝑅𝑑 || 𝑅𝑙 ) = 7.506 𝑉.

Fig.6: modelo en AC del FET 2N5459.

Fuente: Carlos Andrés Bonilla Méndez.

Fig. 8: grafica 𝐼𝐷 𝑉𝑆 𝑉𝐷𝑠 de las rectas DC y AC intercepción en (9.297 V,25.63 mA).

Fuente: Carlos Andrés Bonilla Méndez.

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 PEQUEÑA SEÑAL

En el análisis de pequeña se obtiene la grafica del voltaje en la carga 𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 como se

muestra en la figura 10, a partir del circuito del transistor FET 2N5459 como se muestra
en la figura 10, se colocó en una entrada del osciloscopio el voltaje de salida del
amplificador y otra en el voltaje de entrada 𝑉𝑖 = 800𝑚𝑉, este voltaje a la entrada se
tomó, teniendo en cuenta el voltaje mínimo calculado a partir del modelo hibrido del
transistor donde se obtuvo una ganancia de 𝐴𝑣 = −8.85 𝑉, teniendo en cuenta que el
voltaje máximo es de 𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 = 7.506 𝑉, se calculo el voltaje mínimo 𝑉𝑖𝑚𝑎𝑥 = 848𝑚𝑉.

Fig. 9: Circuito amplificador.

Fuente: Carlos Andrés Bonilla Méndez

Como se puede observar en la figura 10, se tiene la gráfica de la señal de voltaje de

entrada y de salida, representadas con color amarillo y azul respectivamente, donde el
voltaje de entrada tiene un valor 𝑉𝑖 = 800𝑚𝑉, y el voltaje de salida Vo= 6.7 V
aproximadamente, con el cual, se obtiene una ganancia de voltaje de 𝐴𝑣 = −8.37 𝑉.

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Fig. 10: graficas en el osciloscopio de la señal del voltaje salida (azul) y la señal del voltaje
de entrada (amarilla).
Fuente: Carlos Andrés Bonilla Méndez

RESPUESTA EN FRECUENCIA
Se calculan las bajas frecuencias a partir del modelo hibrido del transistor donde se
obtuvo los siguientes valores:
𝑓𝑠 = 591 𝐻𝑧
𝑓1 = 1.607 𝐻𝑧
𝑓2 = 6.65 𝐻𝑧

Tabla no 2. Comparación de los valores obtenidos en la simulación y en la teoría con su

respectivo porcentaje de error.

Variable Teórico Simulado % error

Vgs (V) -0.493 X X
Idq (mA) 2.56 2.56 0
Vdsq (V) 9.32 9.31 0.1
Vomax (V) 7.50 6.70 10.66
Av -8.85 -8.37 5.42
Zin KΩ 99 99 0
Zout kΩ 3.9 X X
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 PL (mW) 1.4 1.22 12.85
PC (mW) 51.2 51.2 0.1
N (%) 2.73 2.38 12.82

Potencia Media en la Carga

Para el análisis de potencia se usa el 𝑉𝑜𝑚á𝑥 = 2.8𝑉 obtenido en la simulación. Este es el voltaje
límite a la salida antes de que se presente el efecto de distorsión debido a la amplitud de la señal
de entrada.

1 (𝑉𝑜𝑚á𝑥 )2 1 (7.5𝑉)2
𝑃𝐿 = ∗ = ∗ = 1.4𝑚𝑊
2 𝑅𝐿 2 20𝐾Ω

Potencia suministrada por la fuente.

Con el valor de 𝐼𝐷𝑄 hallado a partir del circuito simulado en el modelo DC.

𝐼𝐷𝑄 = 2.56𝑚𝐴

𝑃𝐷𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 ∗ 𝐼𝐷𝑄 = 20 𝑉 ∗ 2.56 𝑚𝐴 ≈ 51.2𝑊

Eficiencia
𝑃𝐿 1.4 𝑚𝑊
𝜂= = ∗ 100% = 2.73 %
𝑃𝐷𝐷 51.2 𝑊

CONCLUSIONES

- Los datos especificados por el fabricante, como los son el voltaje de ruptura
𝑉𝑝, la corriente 𝐼𝐷𝑠𝑠 y las graficas 𝐼𝐷 𝑉𝑆 𝑉𝑔𝑠 e 𝐼𝐷 𝑉𝑆 𝑉𝐷𝑠 para el transistor
2N5459 no concuerdan con los datos obtenidos a partir de la simulación.
- Los porcentajes de error entre los calculados teóricamente con los simulados
son muy pequeños porque se tomaron los datos obtenidos en la simulación
del voltaje 𝑉𝑝 y la corriente 𝐼𝐷𝑠𝑠 para el cálculo teórico del voltaje Vgs y la
corriente 𝐼𝐷 así como también el cálculo de las demás variables.
- Se logro determinar que el dispositivo se comporta como amplificador donde
su punto de operación se encuentra en la región lineal.
- La impedancia de entrada del amplificador es grande y la ganancia de voltaje
es pequeña, con lo cual se puede decir que es un amplificador clase A.

REFERENCIAS
- [1] datsheet 2N4557, semiconductor Fairchild.
- Referencias web
- Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, Robert Boylestad,
editorial Pearson.

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