Electrónica Analógica – Comportamiento de un Transistor Bipolar en

Configuración EC, como Amplificador

Diego Miranda1 y Camilo Rojas2
Laboratorio de Electrónica Digital
Departamento de Física, Facultad de ciencias, Universidad Nacional de Colombia
(Presentado, 31 de Agosto de 2009, Bogotá D.C.)

En la practica se analiza el comportamiento de un transistor npn en configuración emisor

común con una entrada DC al emisor-base; la cual se varia para estudiar la curva
característica de salida que en este caso permitió hallar la ganancia de corriente “β” y así
corroborar la relación de corrientes en un transistor; y finalmente determinar la región
activa en que se opero el transistor como amplificador y analizar las señales de entrada y
salida.

In the practice, we analyze the behavior of an npn transistor in common emitter configuration with a DC
input to the emitter-base, which is varied to study the output characteristic curve that allowed us to find the
DC current gain "β" so, in this way we can support the mathematical relation between currents in transistor,
and finally we can determine the forward active mode in which transistor is operated as an amplifier
therefore we analyzed input and output signal.

INTRODUCCIÓN tensión-corriente exponencial usual de una

2N222 es un transistor de tipo NPN, los cuales
son utilizados por lo general para amplificación
de señales, estos transistores tienen tres
patas diferentes, base “b”, colector “c”, emisor
“e”, en la figura 1, se muestra este tipo de
transistor
Figura 1. Transistor tipo NPN.
La corriente colector-emisor puede ser vista
como controlada por la corriente base-emisor
(control de corriente), o por la tensión
base-emisor (control de voltaje). Esto es
debido a la relación tensión-corriente de la
unión base-emisor, la cual es la curva
unión PN (es decir, un diodo).
En el diseño de circuitos analógicos, el control
de corriente es utilizado debido a que es
aproximadamente lineal. Esto significa que la
corriente de colector es aproximadamente β
veces la corriente de la base. Algunos circuitos
pueden ser diseñados asumiendo que la
tensión base-emisor es aproximadamente
constante, y que la corriente de colector es β
veces la corriente de la base. No obstante,
para diseñar circuitos utilizando BJT con
precisión y confiabilidad, se requiere el uso de
modelos matemáticos del transistor como el
modelo Ebers-Moll.
Denotando Ic como la corriente en el colector,
Ib la corriente en la base e Ie la corriente en el
emisor, se tiene la siguiente relación para el
factor de amplificación

1
Cód. 13
2
Cód. 133388

Un transistor puede trabajar en tres diferentes
regiones las cuales están definidas
principalmente por la forma en que son
polarizados.
En la región de saturación la corriente de
colector = corriente de emisor = corriente
máxima. En este caso la magnitud de la
corriente depende del voltaje de alimentación
del circuito y de los resistores conectados en el
colector o el emisor o en ambos.
En la región de corte la corriente de colector =
corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0), en este
caso en voltaje entre el colector y el emisor es el
voltaje de alimentación del circuito.
En una configuración normal, la unión
emisor-base se polariza en directa y la unión
base-colector en inversa. Debido a la agitación
térmica los portadores de carga del emisor
pueden atravesar la barrera de potencial
emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prácticamente todos los portadores que
llegaron son impulsados por el campo eléctrico
que existe entre la base y el colector.
DISEÑO EXPERIMENTAL
Para el montaje experimental se hizo uso de
los siguientes materiales:
1 osciloscopio
1 generador de ondas
1 voltímetro
2 sondas
Una fuente de 5V
1 protoboard
2 transistores 2n2222
Resistencias (1 kΩ, 62kΩ)
Para la práctica se realizo el siguiente circuito
sobre una protoboard, que comúnmente se
conoce como una configuración emisor común
del transistor y conectado a un generador y el
transistor saturado seria un amplificador.
Figura 2. Circuito 1: amplificador.
Inicialmente el montaje requiere que el
generador de un voltaje DC y que se pueda
variar fácilmente, de tal manera que se
estudie el transistor en sus tres regiones de
operación.
Posterior a esto, sí, se coloca una señal
alternante sobre el circuito y se observa su
comportamiento como amplificador; en esta
parte de la práctica se hará uso del
osciloscopio y las dos sondas para analizar las
señales de entrada y de salida.
RESULTADOS Y ANÁLISIS
Inicialmente se quiso estudiar el
comportamiento del transistor en su fase
inicial es decir en la región de saturación, en
esta etapa y cuando el transistor esta sin
polarizarse se puede considerar como dos
diodos contrapuestos, pero al conectar dos
fuentes de voltaje al transistor se comporta de
manera peculiar; de tal forma que, si una de
las fuentes se conecta a la base y al emisor,
entonces una parte del transistor (el emisor )
empieza a transferir electrones hacia la base y
claro se empieza a polarizar, sin embargo la
base es una zona muy delgada y de tal manera
que permita una facilidad a los electrones de
pasar a la zona del colector y no continuar
hacia la fuente inicial. Teniendo en cuenta
esto y al conectar otra fuente de voltaje del
2
 colector al emisor; éste atrae los electrones
que se encuentran en el colector del transistor
y por tanto queda polarizado inversamente.
Ahora bien, si analizamos un poco las
corrientes sobre el transistor encontramos
que llega una corriente al emisor y trata de
seguir por el colector sin embargo una parte
muy pequeña continúa por la base y
recordando la ley de Kirchhoff tenemos:
Así, una aproximación seria;
Sin embargo, es muy útil la condición de que
la corriente del colector sea mucho mayor que
la de la base, y se define la ganancia de
corriente como “β”
Los resultados tomados en la practica sobre
las caídas de voltaje en cada una de las
resistencias Rc Y Rb me permiten determinar
las corriente del transistor y por lo tanto la
ganancia de corriente “β”; los resultados
obtenidos se muestran en la grafica 1.
Ic vs Ib  determinacion de   
0.005
0.004
I colector A 
0.003
0.002
0.001
0.000
I base A 
0 0.00002 0.00004
Grafica 1. I colector Vs I emisor.
Como se puede observar en la grafica hay una
relación lineal que satisface las corrientes del
transistor en una zona inicial, la pendiente de
la grafica corresponde a “β”
Según las especificaciones del transistor
2n2222a su ganancia de corriente puede estar
entre 100-300; por lo tanto el valor de β
corresponde con lo esperado, sin embargo hay
un punto en donde se mantiene constante, lo
cual se debe a que el voltaje sobre la
resistencia del colector esta en su limite dado
por la fuente que se aplica al colector de 5V y
si miramos el valor de la corriente en ese
punto por ley de ohm llegamos a que tiene
una caída de voltaje de 4,82V y por lo tanto no
puede continuar su relación lineal.
Es conveniente aclarar que el transistor en ese
punto ya esta en su región activa pues ya esta
saturado y puede comportarse como un
amplificador, en la siguiente grafica lo
podemos indicar por la región entre 2 y 3.
Grafica 2. I colector Vs V colector-emisor
En una segunda parte de la práctica se
determina el valor de la corriente base y
colector y el voltaje Vce, a partir de las
siguientes variables conocidas:
0.00006 0.00008
Vgenerador = 1.705 V
Vfuente = 5 V
β = 150
3
Rc = 1 KΩ, Rb = 62 KΩ
Y comparando con los datos experimentales
se obtiene, correspondientemente:
Como podemos observar los errores
porcentuales son muy pequeños, y la precisión
de los datos nos indica una buena consistencia
de lo experimental con lo teórico.
Posterior a esto; se fijo el voltaje sobre Rc en
2.5V y con el generador se coloco una señal
sinusoidal de 100mVp a 1 KHz y se observo la
señal de salida en colector – tierra con el
osciloscopio, y se obtuvo un comportamiento
como se muestra en la grafica 3.
Señal de entrada y de salida en el amplifecador EC
2
1
0
V
1
2
5 0 5
T
Grafica 3. Señal de entrada y de salida.
Como se observa en la grafica; la señal de
salida (rojiza) es una señal amplificada en la
amplitud de la señal es decir en el voltaje 2.1
veces con respecto a la señal de entrada
(azulada), también se observa que hay un
desfase de “π” entre las dos señales; sin
embargo se mantiene la frecuencia; éste seria
el comportamiento esperado del circuito
como amplificador, también se aumento el
voltaje de la señal inicial y se observo que la
señal de salida se corta cuando llega a 2,4V.
Finalmente se analiza que el circuito también
puede comportarse como una compuerta
lógica NOT donde utiliza los voltajes sobre el
transistor; si es 5V –> 1 y si es 0V –> 0. Esto
sucede cuando esta en la región de corte o en
la región de saturación que se comporta como
un interruptor abierto o cerrado,
respectivamente.
CONCLUSIONES
1. Se pudo observar un comportamiento
del transistor consistente con el
modelo teórico, haciendo énfasis en la
región activa donde la precisión del
valor “β” permitió determinar otros
valores relevantes en el circuito muy
acordes con lo medido
experimentalmente.
2. Se determino claramente dos de las
regiones de operación de un
transistor; la región de saturación en
que se observo los voltajes sobre
transistor y la región activa en que
funciono como amplificador
eficazmente y también se observo una
región de corte en que se observo un
comportamiento conmutacional.
3. La señal de salida observada en el
osciloscopio mostro claramente la
operación del circuito como
amplificador generando una señal con
una tensión 2.1 veces que la inicial.
4
BIBLIOGRAFIA ANEXOS

Tabla de datos 1:
1
MALVINO, Albert Paul, José Luis Alba
Castro y Carlos López Cortón; Principios de
electrónica; Madrid McGraw-Hill 2000

2
Boylestad Robert, Louis Nashelsky ; tr.
Rodolfo Navarro Salas; Fundamentos de
electrónica; México Prentice-Hall 1997

3
García Arias, Ramiro, José Bestier Padilla
Bejarano, Jhon Jairo Prías Barragán;
Electrónica analógica I - diodos y
transistores; Armenia Arte imagen 2008

4
ONLINE,
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_un
i%C3%B3n_bipolar

5
ONLINE,
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec
_basica/tema6/TEMA6.htm