Osciladores ressonantes do tipo LC

Todos os osciladores LC podem ser representados e reduzidos a simples malhas de

realimentação, como se pode verificar na Figura 6(a). Ao conjunto das condições a
serem satisfeitas, para que exista uma oscilação estável, denomina-se critério de
Barkhausen. Estas condições consistem na existência de um ganho em malha fechada
igual à unidade e que o desvio de fase do sinal oscilatório, ao longo da mesma malha
fechada, seja 0º ou múltiplo de 360º. A partir do momento que estas condições sejam
cumpridas, isto é, que o critério de Barkhausen esteja verificado, o sinal na entrada do
andar de ganho será amplificado e devolvido para a entrada pela malha de
realimentação, resultando numa auto-sustentação do sinal produzido.
Num oscilador LC, o circuito constituído pelo paralelo de uma indutância, L [H], com
um condensador, C [F], também referido em alguma literatura como circuito tanque
(tank circuit), é utilizado com o intuito de fazer cumprir o critério de Barkhausen.
A Figura 6(b) ilustra um simples modelo de um oscilador LC incluindo as perdas no
circuito sob a forma de uma resistência, Rperdas [Ω], em paralelo com o condensador e a
indutância. A resistência “negativa” (dada por -gm-1) será providenciada pelo
amplificador com vista a anular o efeito dissipativo de Rperdas. Na realidade não se trata
de resistência alguma e muito menos negativa, o que se passa é que o amplificador
injecta corrente adicional no paralelo LC na medida certa da corrente que Rperdas dissipa.
Isto faz com que de facto o paralelo LC em termos equivalente se comporte como um
circuito ideal e as oscilações persistam indefinidamente sem ocorrência de
amortecimento. De uma maneira intuitiva conclui-se que um elevado factor de
qualidade, Q, do circuito tanque leva a menores variações na frequência do sinal
produzido no oscilador (mais estável), representando uma melhor ressonância. Para
obter melhores factores de qualidade no projecto do oscilador, os componentes activos e
passivos devem apresentar o mínimo de perdas possíveis (devido a resistências
parasitas).

Fig. 6 – (a) Sistema em malha fechada de um oscilador, e (b) modelo genérico de um

ocilador LC.

Topologias e análise do funcionamento de osciladores LC

Das inúmeras topologias para osciladores LC que existem disponíveis, todas tem em
comum basearem-se num circuito com uma indutância (ou várias indutâncias) ligada em
paralelo com um condensador e com um ou vários componentes activos que simulam o
efeito de resistência “negativa”.
Os osciladores LC mais utilizados são do tipo complementary cross-coupled LC
oscillator, contudo para melhor compreender o seu modo de operação, é imperativo que
primeiro se proceda à análise dos osciladores que lhe deram origem: o all n-MOSFET
cross-coupled LC oscillator e o all p-MOSFET cross-coupled LC oscillator. Possíveis
topologias para estes tipos de osciladores estão representadas na Figura 7.
Fig. 7 – Exemplos de topologias all n-MOSFET cross-coupled LC oscillators: (a) e (b).
Exemplos de topologias p-MOSFET cross-coupled LC oscillators: (c) e (d).

Considerando a topologia da Figura 7(a) e efectuando uma análise DC ao circuito,

conclui-se que ambas as tensões gate-source, Vgs [V], e drain-source, Vds [V], são iguais
ao máximo potencial de alimentação, Vdd [V], ou seja Vgs=Vdd e Vds=Vdd. Desprezando o
efeito do substrato nos MOSFETs, a corrente nos canais desde o terminal drain até ao
terminal source é dada por:

µ nCox W
I ds = ( )(Vgs − Vth ) 2 (1)
2 L

onde µn [cm2V-1s-1] representa a mobilidade dos electrões ao longo da superfície do

canal do MOSFET, Cox é a capacidade do óxido da gate por unidade de área, Vgs é a
tensão entre a gate e a source do MOSFET, Vth [V] é a tensão limiar do MOSFET e
W [µm] e L [µm] são a largura e o comprimento do MOSFET, respectivamente.
Alternativamente, refira-se que é comum designar-se por overdrive, a diferença de
tensões Vod=Vgs-Vth, significando que um MOSFET funciona na zona activa quando a
tensão de overdrive é superior a zero.
Com base na equação (4), o valor da corrente dos MOSFETs da Figura 7(a) é facilmente
calculada. Para poder demonstrar-se a possibilidade deste circuito gerar o efeito de uma
resistência “negativa”, os MOSFETs têm de ser substituídos pelos seus modelos
equivalentes simplificados, conforme apresentado na Figura 8.

Fig. 8 - (a) Circuito eléctrico do all n-MOSFET cross-coupled LC oscillator e (b) o

respectivo modelo DC equivalente.

Esta análise não tem em conta as capacidades internas e por isso, os modelos
equivalentes dos MOSFETs a utilizar são os de baixa frequência. Assim, a
transcondutância (o inverso da resistência) no modo de operação considerado é definida
como:

∂I ds W W
gm = = µ nCox ( )(Vgs − Vth ) = µnCox ( ) I ds (2)
∂Vgs L L

O valor da resistência equivalente, Rth [Ω], vista aos terminais do circuito oscilador é
Rth=-2/gm. Para que este circuito oscile, o módulo da resistência “negativa”, |Rth|, deve
ser menor do que o valor da resistência de perdas, Rperdas, do circuito LC. À razão entre
o módulo do valor da resistência “negativa” e o valor da resistência de perdas
denomina-se factor de segurança de arranque. Para garantir a máxima fiabilidade e
minimizar a probabilidade de falha dos osciladores integrados, geralmente são
projectados para apresentar factores superiores a duas unidades.
A Figura 7(c) ilustra a topologia complementar à analisada, a qual é constituída
unicamente por transístores do tipo p-MOSFET. O modo de funcionamento é idêntico,
bem como a análise de funcionamento com a excepção de algumas diferenças nas
polaridades. Todavia, como a mobilidade dos electrões, µp [cm2V-1s-1], é menor e o
modulo da tensão limiar, Vth, é maior nos transístores p-MOSFET, quando comparados
com os n-MOSFET, será necessário usar uma maior área de layout, W×L [µm2], por
parte dos p-MOSFETs para conseguir obter-se valores de transcondutância idênticos
aos obtidos com transístores n-MOSFET.
No exemplo atrás analisado, as tensões de operação DC estão bem definidas, sendo a
resistência “negativa” exclusivamente dependente dos tamanhos dos MOSFETs e do
valor da tensão de alimentação. Estas limitações de flexibilidade de projecto
conduziram ao desenvolvimento de novas topologias, nomeadamente as topologias
apresentadas nas Figuras 7(b) e 7(d). Estas novas topologias permitem limitar a corrente
de alimentação do circuito, dando uma maior flexibilidade para controlar o valor da
resistência “negativa”. A corrente de polarização denomina-se tail current, Itail [A], e é a
principal responsável pela caracterização da potência média dissipada no circuito em
pleno funcionamento. Em suma, com a introdução destas modificações consegue-se
controlar o valor da resistência “negativa” e o valor da potência média dissipada no
circuito. Portanto, a topologia complemetary cross-coupled LC oscillator resulta da
fusão das duas topologias apresentadas na Figura 7, e o seu circuito esquemático pode
ser observado na Figura 9.

Fig. 9 - Topologia do complementary cross-coupled LC oscillator.

Para a mesma dissipação de potência e com a mesma corrente Itail através dos
transístores p-MOSFET e n-MOSFET, consegue-se obter uma resistência “negativa”
que pode atingir o dobro do valor conseguido com as topologias anteriormente
apresentadas. A resistência “negativa” total presente neste circuito através da
combinação dos cross-coupled MOSFETs em paralelo é:

−2
Rnegativa = (3)
g m NMOS + g m PMOS

Resta a definição da frequência de operação do circuito oscilador LC. Como o oscilador

é constituído por um circuito ressonante LC, a frequência de operação deste circuito é
definida através de:

1
f0 = (4)
2π L(C parasitas + C )

onde f0 [Hz] é o valor da frequência central do oscilador LC, L [H] é o valor da

indutância do circuito oscilador, C [F] é o valor do condensador a utilizar no oscilador,
e Cparasitas [F] representa as capacidades parasitas que existem entre a gate e a source
dos MOSFETs, as quais não foram anteriormente contabilizadas. Estas capacidades
parasitas estão em paralelo com o condensador e a indutância.
Em resumo, as principais vantagens que a topologia complementary cross-coupled LC
oscillator apresenta quando comparada com as versões all n-MOSFET e all p-MOSFET
cross-coupled LC oscillator incluem a oferta de uma maior transcondutância para um
dado valor de corrente de polarização, permitindo reduzir a dissipação de potência e
área de layout gasta pelos componentes activos. Adicionalmente, possui uma melhor
comutação por parte dos MOSFETs cross-coupled, ao mesmo tempo que utiliza uma
única indutância, evitando problemas inerentes ao facto de os valores das indutâncias
serem diferentes devido às tolerâncias quando utilizadas aos pares. Possui ainda uma
menor queda de tensão DC nos MOSFETs, resultando numa menor velocidade de
saturação destes componentes, reduzindo-se assim o ruído de fase. Para além destas
vantagens, destaca-se a particularidade deste oscilador ser diferencial, facto que o torna
mais imune a ruídos que possam perturbar o sinal ondulatório gerado. Note-se que tais
ruídos podem ser provenientes do meio físico onde o sinal RF foi transmitido ou até
mesmo da sua fonte de alimentação.
A única desvantagem desta topologia é o efeito das capacidades parasitas dos
MOSFETs que serão adicionadas à capacidade fixa que constitui o circuito LC do
oscilador, como se pode constatar na equação (7), fazendo com que o valor da
frequência central do oscilador apresente um desvio ligeiro do valor teórico.

Dimensionamento de um oscilador LC
Tomando como base o circuito esquemático da Figura 9, refira-se que os transístores
M1, M2, M3 e M4 providenciam o efeito de resistência “negativa” ao circuito
condensador em paralelo com a indutância através de realimentação positiva. Para que
as oscilações cresçam, o inverso da transcondutância deve ser maior que o valor da
resistência de perdas, Rperdas [Ω], entre os terminais IN1 e IN2.
O circuito ressonante é composto por uma indutância (normalmente da ordem dos nH) e
um condensador (normalmente da ordem dos pF) que para frequências superiores a
1 GHz devem ser preferencialmente integrados com o microchip que contém os
circuitos RF (on-chip) ou alternativamente do tipo montagem superficial (do tipo
SMD – Surface Mounting Device). A escolha do tipo de indutância é um aspecto
decisivo no projecto global de um sistema RF, pois o factor de qualidade, Q, das
indutâncias on-chip é muito inferior ao conseguido com um componente externo. As
indutâncias externas apresentarem muito facilmente factores de qualidade superiores a
60, ao passo que as indutâncias on-chip só conseguem atingir um factor de qualidade
de 10 após optimização do layout físico. Em aplicações muito específicas que exijam
indutâncias on-chip com factores de qualidade superiores e por essa razão, excepcionais
pode recorrer-se à micromaquinagem volúmica para remoção do substrato abaixo da
indutância. Isto permite aumentar o factor de qualidade das indutâncias. Note-se ainda
que um elevado factor qualidade reduz a potência dissipada no circuito ressonante, uma
vez que reduz o valor da resistência de perdas que está em paralelo com a indutância e
com o condensador.
Uma vez iniciadas as oscilações por efeito do ruído térmico com energia suficiente para
arrancar o funcionamento do circuito, a amplitude da oscilação crescerá
indefinidamente até um valor limitado por uma corrente de polarização ou até à
saturação do circuito. Por vezes há a necessidade de limitar a corrente de polarização
(tail current) para controlar-se a dissipação de potência.
Em face de tudo isto, o primeiro parâmetro a determinar é o valor da transcondutância
do circuito oscilador que garante uma oscilação estável. Para garantir um bom arranque
da oscilação, os transístores M1, M2, M3 e M4 - devem ter valores de W suficientemente
grandes - para que o ganho, A, no arranque do oscilador seja tal que:

A = g m × R perdas ≥ 2 (5)
É interessante notar que este valor do ganho é superior à unidade, violando o critério de
Barkhausen! Na realidade, o ganho é inicialmente superior à unidade para que o circuito
arranque mas, assim que as amplitudes das oscilações aumentam, os transístores entram
na sua zona de funcionamento linear (ou triode region) fazendo com que este ganho em
regime permanente tenda para a unidade, verificando assim o critério de Barkhausen.
Para obter o valor da transcondutância é necessário também saber o valor da resistência
de perdas, a qual é obtida a partir do factor de qualidade da indutância e que é:

L × 2πf 0
R perdas = (6)
Q

onde Q é o valor do factor de qualidade da indutância, L o valor da indutância, f0 é o

valor da frequência a que a indutância vai operar e Rs é o valor da resistência série da
indutância. A partir do valor da resistência série, Rs, é possível obter o valor da
resistência de perdas: Rperdas=Q2Rs. Assumir um ganho, A=3 para o arranque do
oscilador constitui uma boa regra e a partir da equação (8), obtém-se a transcondutância
gm .
O segundo passo consistirá em dimensionar os tamanhos (e.g., W×L) dos MOSFETs,
tendo por base a transcondutância Gm previamente obtida. Isto é feito assumindo que
todos os MOSFETs M1, M2, M3 e M4 possuem um comprimento de canal, L [µm], igual
ao valor mínimo permitido pela tecnologia e assumindo a mesma largura, W [µm], para
os n-MOSFETs M1 e M4, cujo valor deve ser muito maior que o comprimento - uma
boa regra é considerar W=W1=W2=100 µm. Depois é só obter a corrente drain-source,
Ids [A], nos MOSFETs:

g m2
I ds = (7)
W
2 µnCox ( )
L

Conhecidas as correntes Ids dos n-MOSFETs e assumindo que são iguais nos
p-MOSFETs, então as larguras destes são:

L2,3 g m2
W2 = W3 = (8)
2 µ pCox I ds

O passo final consiste na obtenção do tamanho, W×L, de M5 tendo por base que a
corrente Itail que percorre o seu canal é o dobro da corrente Ids anteriormente obtida, por
forma que:

W5 2 I tail
( )= (9)
L5 µ nCox (Vgs 5 − Vth ) 2

onde Vgs5 [V] é a tensão entre a gate e a source de M5, a qual deve ser superior à sua
tensão limiar, Vth, para assegurar o bom funcionamento do circuito.