Tema 5.

Transistor de Efecto Campo (FET)

Joaquín Vaquero López

Electrónica, 2007 Joaquín Vaquero López 1

Transistor de Efecto Campo (FET): Índice

5.1) Introducción a los elementos de 3 terminales

5.2) Transistor de Efecto Campo FET (Field Efect Transistor): Estructura.

Efecto Campo. Comparativa FET-BJT.

5.3) Zonas de funcionamiento. Modelos. Curvas características V-I.

Polarización. Aplicaciones.

5.4) Transistor de Efecto Campo MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET):

Estructura.

5.5) Zonas de funcionamiento. Curvas características V-I. Polarización.

Modelos.

5.6) Configuraciones. Inversor. Seguidor de voltaje. Seguidor de corriente.

5.7) Aplicaciones. Transistor real.

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 Introducción a los elementos de 3 terminales

 Hasta ahora se han visto componentes de 2 terminales, con una curva

característica V-I. Los componentes de 3 terminales tienen 3 pares de
posibles curvas características V-I. Dos de ellas son suficientes para definir el
componente.
 Esas dos curvas características son la curva V-I de entrada y la curva V-I
de salida. La curva característica V-I de salida es un conjunto de curvas en
función de uno de los parámetros de entrada.
Entrada ie is Salida
Componente de 3
terminales

ve vs

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 Introducción a los elementos de 3 terminales

Componentes de 3 terminales:

BJT: Fuente de corriente (salida) FET: Fuente de corriente (salida)

controlada por corriente (entrada). controlada por tensión (entrada).
Ganancia de corriente. Transconductancia (gm).
Terminales: Base, Emisor y Colector Terminales: Puerta, Drenador y Fuente

vBC vGD

ib ig
ic id
C D
B
BJT G
FET
vBE vCE vGS vDS

ie is

E S
J. Bardeen, W.H. Brattain, y W. Shockley, 1948 W. Shockley, 1952

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 Introducción a los elementos de 3 terminales

Clasificación de los componentes de 3 terminales.

npn
BJT
pnp

Canal p Canal p
JFET
Canal n
Canal n

FET Enriquecimiento
Canal p
MOSFET
Deplexión
Canal n

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 Transistor de efecto campo JFET

Estructura y símbolo del transistor. Canal n y Canal p

Terminales: Puerta, Drenador y Fuente. Componente simétrico.

D
G
iG ~ 0 iD
+
p
Canal n n - G
S D
p+ iS

G S

G D
iG ~ 0 iD
n+
Canal p S p+ D
+
G
n
iS
G
S

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 Transistor de efecto campo JFET

Efecto campo. Canal n

 Tensión VDS y VGS al aire: iD proporcional a VDS. Máxima iD determinada por la
sección del canal n. Resistencia.

iD
VDS
- +
D iD
iD

S G D +
G p+ p+ G - VDS
n+ p+ n+

n
n-

Sustrato p
S vDS

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 Transistor de efecto campo JFET

Efecto campo. Canal n

 Tensión VDS y VGS cortocircuitado: Polarización p-n inversa. Aparece zona de
transición o agotamiento. Se estrecha el canal de conducción. iD proporcional a
VDS hasta un valor máximo iDSS (Corriente de drenaje de saturación).
Comportamiento no lineal.

Zona de
agotamiento o iD
iD
transición de la
unión p-n D
VGS=0
i DSS

G G +
VDS
p+ p+ -

n-

S vsat vDS

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 Transistor de efecto campo JFET

Efecto campo. Canal n

 Tensión VDS y VGS polarizado en inversa: Polarización p-n más inversa que
VGS=0. Zona de transición mayor. Canal de conducción más estrecho. iD
proporcional a VDS hasta un valor máximo. Comportamiento no lineal.
Zona de iD
agotamiento o
iD
transición de la
unión p-n D VGS=0V

VGS=-1V

G G +
VGS=-2V
p+ p+ -

- -
VGS VGS
n-
+ +
VGS corte

S VDSsat vDS

Canal p: Igual funcionamiento pero cambiando el signo de VGS

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 Transistor de efecto campo JFET

Comparativa JFET- BJT

 Sólo circulan portadores mayoritarios, es unipolar, no bipolar como el BJT
 Fabricación más sencilla y de menor tamaño. Fabricación de C.I.
 Funcionan como resistencia y amplificador. Facilidad de integración de C.I.
 Gran impedancia de entrada. Idealmente no consume corriente por la puerta.
 Es simétrico.
 Más estables con la Tª. Generan menos ruido.
 Mayor capacidad de manejar potencia.
 Almacenan carga. Posibilidad de utilización como unidades de memoria.
 Peor respuesta en frecuencia (alta capacidad).
 Sensibles a la ESD.
 Alguno presenta poca linealidad.

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 Transistor de efecto campo JFET

Zonas de funcionamiento

 Zona Lineal: Para una determinada tensión VGS>VTR la iD varía linealmente según se
incrementa VDS hasta una Vsat . Vsat ~VGS -VTR

G D Si VGS  VTR y 0  VDS  Vsat ( VGS  VTR )

 
VGS VDS
iD  k  2VGS  VTR VDS  VDS
iD iDSS
2
; k
S
VTR2

 Zona de Saturación: Para una determinada tensión VGS>VTR, si VDS>Vsat la iD

permanece constante aunque aumente VDS.

G D Si VGS  VTR y VDS  Vsat ( VGS  VTR )

iD  k  VGS  VTR  ; k 
VGS iD VDS 2 iDSS
VTR2
S

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 Transistor de efecto campo JFET

Zonas de funcionamiento

 Zona de Corte: Para una determinada tensión VGS<VTR en canal está estrangulado y
no circula la corriente iD.
G D
VGS VDS iD  0

 Zona de ruptura: Si estando en la zona de saturación se aumenta mucho VDS se

produce la ruptura del componente.

 No hay Zona inversa: El componente es simétrico.

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 Transistor de efecto campo JFET

Curvas características V-I. Canal n

Característica V-I de entrada

iD VDS = Cte.
• La iDSS es la corriente de drenaje de
Conducción saturación

• En la zona de saturación:
iD  k  VGS  VTR  ; k 
2 iDSS
iDSS VTR2
iG>0 no existe
Corte • Útil para obtener parámetros del
componente.
vTR vGS

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 Transistor de efecto campo JFET

Curvas características V-I. Canal n

Característica V-I de salida

• La salida depende de la VGS:

iD VGS>VTR Zona Activa o Saturación

VDS  VGS VTR
Zona saturación
iD  f VDS ,VTR 
iDSS VGS=0V VGS<VTR Zona de Corte iD  0
VGS=-1V
Zona lineal • La potencia disipada limita el área de
VGS=-2V
operación segura:

PFET  iD ·vDS  Pmax  Cte.

VGS corte • En la zona activa la iD no es plana, tiene un

ligera pendiente positiva
Zona corte vDS
VDSsat

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 Transistor de efecto campo JFET

Polarización. Análisis en CC. Recta de carga.

 Obtención del Pto. de Operación.

• Circuito de salida
iD
VDD VDD  iD ·RD  VDS
iD 
RD VGS=0V
Punto de operación Q • Recta de carga a la salida
VGS=-1V VDD
VDS  0 iD 
VGS=-2V
RD
iD  0 VDS  VDD

VGS corte • Pto. De Operación. Intersección de la

recta de carga con la curva del valor de
VDQ VDS  VDD
VDSsat vDS VGS conectado en la entrada.

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 Transistor de efecto campo JFET

Aplicaciones

 Interruptores analógicos o digitales.

 Etapas de entrada a amplificadores diferenciales.
 Amplificadores especiales.

 Resistencias controladas por tensión.

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 Transistor de efecto campo MOSFET

Estructura y símbolo del MOSFET de enriquecimiento. Canal n y Canal p

Terminales: Puerta, Drenador y Fuente. Componente simétrico.

SiO2
D
S G D
iD
iG ~ 0
Canal n n n
G
Sustrato p iS

S
SiO2
S G D D
iD
iG ~ 0
Canal p p p

Sustrato n G
iS

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 Transistor de efecto campo MOSFET

Funcionamiento. MOSFET de enriquecimiento de canal n

 Tensión VDS y VGS: La tensión VGS atrae electrones del sustrato hacia la capa aislante
de SiO2, creando un canal. La corriente iD comienza a circular cuando la tensión VDS
supera un umbral VTR. El sustrato p se conecta a la fuente. En transistores usados en C.I.
el sustrato puede estar conectado a otra tensión. VDS
- +
VGS
- + iD
G SiO2

S D

n+ n+

Canal n
Sustrato p generado

Conectado a S

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 Transistor de efecto campo MOSFET

Estructura y símbolo del MOSFET de empobrecimiento. Canal n y Canal p

Terminales: Puerta, Drenador y Fuente. Componente simétrico.

SiO2
D
S G D
iD
iG ~ 0
Canal n n n
Canal n G
Sustrato p iS

S
SiO2
D
S G D
iD
iG ~ 0
Canal p p p
Canal p G
Sustrato n iS

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 Transistor de efecto campo MOSFET

Funcionamiento. MOSFET de empobrecimiento o deplexión canal n

 Tensión VDS y VGS: Existe un canal n físicamente. La corriente iD comienza a circular
cuando se aplica una tensión VDS. Una tensión VGS positiva atrae electrones del sustrato
hacia la capa aislante de SiO2, aumentando el canal. Una tensión VGS negativa saca
electrones del canal, empobreciéndolo. Para un determinado valor de VGS negativa (umbral
VTR ) el canal se estrangula y no permite la circulación de corriente
VDS
- +
VGS
- + iD
G SiO2

S D

n+ n+

Canal n
Sustrato p existente

Conectado a S

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 Transistor de efecto campo MOSFET

Zonas de funcionamiento

 Zona Lineal: Para una determinada tensión VGS>VTR la iD varía linealmente según se
incrementa VDS hasta una Vsat . Vsat ~VGS -VTR

G D Si VGS  VTR y 0  VDS  Vsat ( VGS  VTR )

 
VGS VDS
iD  k  2VGS  VTR VDS  VDS
iD iDSS
2
; k
S
VTR2

 Zona de Saturación: Para una determinada tensión VGS>VTR, si VDS>Vsat la iD

permanece constante aunque aumente VDS.

G D Si VGS  VTR y VDS  Vsat ( VGS  VTR )

iD  k  VGS  VTR  ; k 
VGS iD VDS 2 iDSS
VTR2
S

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 Transistor de efecto campo MOSFET

Zonas de funcionamiento

 Zona de Corte: Para una determinada tensión VGS<VTR en canal está estrangulado o
no se ha formado y no circula la corriente iD.
G D
VGS VDS iD  0

 Zona de ruptura: Si estando en la zona de saturación se aumenta mucho VDS se

produce la ruptura del componente.

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 Transistor de efecto campo MOSFET

Curvas características V-I. Enriquecimiento canal n

Característica V-I de entrada

iD VDS = Cte.

• No hay iDSS (corriente de drenaje de

Conducción saturación), para VGS =0, la iD=0

• En la zona de saturación:
 mA 
iD  k  VGS  VTR  ; k  2 
2
V 
Corte  

vTR vGS

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 Transistor de efecto campo MOSFET

Curvas características V-I. Enriquecimiento canal n

Característica V-I de salida

• La salida depende de la VGS:
iD
VDS  VGS VTR VGS>VTR Zona Activa o Saturación
Zona saturación
VGS=5V
iD  f VDS ,VTR 
VGS<VTR Zona de Corte iD  0
VGS=4V
Zona lineal
• La potencia disipada limita el área de
VGS=3V
operación segura:
VGS=2V
PFET  iD ·vDS  Pmax  Cte.
VGS corte
• En la zona activa la iD no es plana, tiene un
Zona corte vDS
VDSsat ligera pendiente positiva

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 Transistor de efecto campo MOSFET

Polarización. Análisis en CC. Recta de carga.

 Obtención del Pto. de Operación.

iD • Circuito de salida

VDD VDD  iD ·RD  VDS

iD  VGS=5V
RD
Punto de operación Q
• Recta de carga a la salida
VGS=4V
VDD
VDS  0 iD 
VGS=3V RD
VGS=2V iD  0 VDS  VDD

VGS corte • Pto. De Operación. Intersección de la

recta de carga con la curva del valor de
VDQ VDS  VDD
VDSsat vDS VGS conectado en la entrada.

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 Transistor de efecto campo MOSFET

Configuraciones.

 Amplificador inversor de tensión.

VDD • Suponiendo zona de saturación:

VGS  VTR y VDS  VGS  VTR
RD
 mA 
iD  k  VGS  VTR  ; k  2 
2
V 
 
iD

• Polarización CC (Pto. de operación o trabajo):

D
G
Vs
VDD  iD ·RD  VDS

S Vs  VDS
Ve
• Se comprueba la suposición

VGS  VTR y VDS  VGS  VTR

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 Transistor de efecto campo MOSFET

Configuraciones.

 Seguidor de tensión. • Suponiendo zona de saturación:

VGS  VTR y VDS  VGS  VTR
VDD
 mA 
iD  k  VGS  VTR  ; k 2
2

D V 
iD  
G • Polarización CC (Pto. de operación o trabajo):
VDD  iS ·RS  VDS
S Vs  iS ·RS ; iS  iD
VE  iS ·RS  VGS
Ve
RS iD Vs • Se comprueba la suposición
VGS  VTR y VDS  VGS  VTR
• Hay realimentación

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 Transistor de efecto campo MOSFET

Configuraciones

 Seguidor de corriente.
VDD • Suponiendo zona de saturación:
VGS  VTR y VDS  VGS  VTR
RD  mA 
iD  k  VGS  VTR  ; k  2 
2
V 
 
iD
• Polarización CC (Pto. de operación o trabajo):
Vs  VDD  iD ·RD
i
D Vs iD  ie  Cte. VGS  VTR  D
G k
VDS  Vs  VGS
S
• Se comprueba la suposición
VGS  VTR y VDS  VGS  VTR
Ie

VSS

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 Transistor de efecto campo MOSFET

Aplicaciones

 Interruptores analógicos o digitales.

 Etapas de entrada a amplificadores diferenciales.
 Amplificadores especiales.

 Resistencias controladas por tensión.

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 Transistor de efecto campo MOSFET

Transistor JFET y MOSFET real.

 Sus características varían con la temperatura. En general, el incremento de
temperatura produce una disminución de la tensión umbral Puerta-Fuente (GS) y una
disminución de la pendiente ID-VGS. Aparece un punto de coeficiente de temperatura 0. La
corriente en la unión p-n de un JFET aumenta con la temperatura.
 La curva característica de salida no es plana en su Zona de Saturación, tiene un ligera
pendiente positiva, determinada por la longitud del canal. (Modulación de la longitud del
canal).
 La tensión máxima que soporta un transistor entre terminales es finita. Por encima de
ellas se rompe el componente.

 La máxima corriente viene limitada por la capacidad de disipación de potencia del

componente.

 La existencia de capacidades y resistencia parásitas hacen que la velocidad de

respuesta del transistor sea limitada.

 Sensible a descargas electroestáticas.

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