氧化與擴散

Oxidation and Diffusion

 主題
• 高溫化學氣相沉
• 硬體設備 積法(CVD)
– 磊晶矽沉積
• 氧化
– 多晶矽沉積
• 擴散 – 氮化矽沉積
• 退火 • 快速加熱製程(RTP)
– 佈植後退火 系統
– 合金熱處理 – 快速加熱退火
– 快速加熱氧化
– 再流動
• 未來的趨勢
 定義
• 熱製程是在高溫操作的製造程序，其溫
度經常較鋁的熔點高
• 加熱製程通常在高溫爐進行，一般稱之
為擴散爐
• 早期的半導體工業已廣泛的應用在擴散
摻雜的製程
 積體電路製程流程
材料 積體電路生產廠房

化學機械 介電質沉 測試
金屬化 研磨 積
晶圓

加熱 離子佈植與 蝕刻與光 封裝
光阻剝除 阻剝除
製程
光罩

微影製程 最後測試

設計
 水平式爐管
• 熱製程中一般使用的工具
• 一般稱為擴散爐
• 屬於多重管路系統
排氣

氣體輸 製程爐管 裝載系統

送系統

控制系統
 高溫爐控制系統功能圖

電腦

微控器 微控器 微控器 微控器 微控器

裝載站 真空系統
爐管界面電 排氣界 氣體面板
界面電 界面電路
路板 面電路 界面電路
路板 板
板 板
 氣體輸送系統示意圖

MFC 至製程
MFC 爐管
MFC

控制閥
調壓器

氣體鋼瓶
 氧化的氧來源
• 乾式氧化---高純度的氧氣
• 水蒸氣
– 氣泡式系統
– 沖洗式系統
• 氫和氧, H2 + O2 → H2O
• 氯源,再匣極氧化過程抑制移動的離子
– 無水氯化氫,HCl
– 三氯乙烯 (TCE),三氯乙烷 (TCA)
 擴散源
• P型摻雜物
– B2H6, 燒焦巧克力和太甜的味道
– 有毒易燃且易爆的
• N型摻雜物
– PH3, 腐魚味
– AsH3, 像大蒜的味道
– 有毒易燃且易爆的
• 吹除淨化的氣體
– N2
 沉積源
• 做為多晶矽和氮化矽沉基的矽源:
– 矽烷, SiH4, 會自燃, 有毒且易爆炸
– 二氯矽烷, SiH2Cl2, 極易燃
• 氮化矽沉積的氮源:
– NH3, 刺鼻的, 讓人不舒服的味道, 具腐蝕性
• 多晶矽沉基的摻雜物
– B2H6, PH3 和 AsH3
• 吹除淨化的氣體
– N2
 退火源

• 高純度的氮氣 ,大部分的退火製程使用.
• H2O 經常做為PSG 或 BPSG 再流動製程時的
周圍氣體.
• 較低等級的氮氣使用在閒置吹除淨化製程.
 排氣系統

• 再釋放前要先移除有害的氣體
• 有毒的,易燃的,易爆炸的,具腐蝕性的氣體.
• 燃燒室移除大部分有毒的,易燃的,易爆炸的
氣體
• 洗滌室用水移除燃燒後的氧化物和具腐蝕
性的氣體.
• 處理後的氣體排放到大氣.
 裝載晶圓, 水平式系統
晶圓

製程
到排氣端
氣體
製程爐管 晶
承
載 舟
架
裝載晶圓, 垂直式系統

晶圓

塔架
 反應室
• 高純度石英
– 高溫穩定性
– 適當基本的清洗

• 缺點
– 易碎的
– 一些金屬離子
– 不能作為鈉的屏障
 水平式高溫爐
晶圓
加熱線圈

石英
爐管
氣流

溫度 中心帶區
平坦帶區

距離
• 包含3~4個爐管 (反應室)
• 每一個爐管的溫度控制系統分開
Horizontal Furnace
 垂直式高溫爐, 製程位置
製程反
製程反應
應室
室 加熱
加熱器 器
晶圓

晶圓
塔架
塔架
Vertical Furnace
Calibration parameters:
160
Boat size: 160 wafers
Boat pitch: 0.14 inch
Wafer size: 8 inches
Elevator speed: 9.29 cm/min
Cool down delay: 20 minutes
4 Filler (dummy) wafers
1 Test wafer

75 Production
wafers

1 Test wafer

75 Production
wafers

1 Test wafer
4 Filler (dummy) wafers
1
 石英管清洗
• 對沉積高溫爐製程避免粒子污染物特別
重要
• 在生產工廠外面, 反應室外
– 氫氟酸 (HF)儲存槽
– 每一次移除石英的薄層
– 受限於石英關的生命期
• 反應室內部清洗
– 在管的內部產生電漿
– 在電漿中從 NF3 分解離開污染物產生氟元素
自由基
 碳化矽管
• 優點
– 較高的熱穩定性
– 較好的金屬離子阻擋
• 缺點
– 比較重
– 比較貴
 垂直石英爐
• 製程管以垂直方向置放
• 較小的佔地面積– cost down
• 較好的污染物控制
‐‐氣體流動從上到下
‐‐對於層氣流的控制有較好的均勻性
‐‐粒子大部分落在最上面的晶圓，而不會掉到底
下的晶圓
• 較好的晶圓控制
‐‐當控制較大直徑尺寸的晶圓數量時，作用在水
平爐管的承載架的力矩也很高
‐‐在垂直高溫爐的晶圓塔架則是零力矩
• 較低的維護成本和較高的晶圓處理量
 氧化
• 矽和氧產生反應
• 產生穩定的氧化物
• 廣泛的使用在 IC 製造

Si + O2 → SiO2
 矽氧化製程
原始的矽表面

二氧化矽 矽
O2

O2 O2 O2
O2
O2 O2 O2
O2
O2
O2 O2
O2 O2
O2
55% 45%
 氧化的應用‐擴散的阻擋

• 硼(B)和磷(P)在二氧化矽的擴散速率比在矽的
擴散速率來的低
• 二氧化矽可做為擴散遮蔽

摻雜物

二氧化矽 二氧化矽

矽
氧化的應用‐屏蔽氧化層

摻雜離子

光阻 光阻

矽基片

屏蔽氧化層
 STI製程中的襯墊氧化層和阻擋氧化層
氮化矽 槽溝蝕刻
襯墊氧化層
矽
槽溝填充

氮化矽 USG
襯墊氧化層
矽
阻擋氧化層 USG

矽
USG CMP; USG 退火; 氮化矽 和 襯墊氧化層剝除
 襯墊氧化層的應用

• 緩衝氮化矽的高應力張力
• 預防應力產生矽的缺陷
襯墊氧化層

氮化矽

矽基片
 元件絕緣的應用

• 相鄰元件間的電性絕緣
• 全區覆蓋式氧化層
• 矽的局部氧化 (LOCOS)
• 厚的氧化層厚度, 通常是 3,000 到 10,000 Å
 全面場區覆蓋氧化製程

矽
晶圓清洗
二氧化矽

矽
活化區 場區氧化

場區氧化層

矽
氧化物蝕刻
 矽的局部氧化製程
襯墊氧化層
氮化矽
P型基片
襯墊氧化, 氮化矽沉積及圖案化

氮化矽
SiO2
p+ P型基片 p+ 絕緣摻雜 p+
LOCOS 氧化
鳥嘴
SiO2
p+ P型基片 p+
絕緣摻雜 p+
氮化矽以及襯墊氧化層剝除
 犧牲氧化層的應用
• 從矽晶表面移除缺陷
犧牲氧化層
STI USG
P型井區 N型井區
犧牲氧化層
STI USG
P型井區 N型井區
剝除犧牲氧化層
匣極氧化層
STI USG
P型井區 N型井區
匣極氧化層
 氧化層的應用
氧化層名稱 厚度 應用 應用的時間

原生氧化層 15 - 20 Å 不必要的 -

屏蔽氧化層 ~ 200 Å 佈植 70年代中期至今

遮蔽氧化層 ~ 5000 Å 擴散 60年代到70年代中期

場區及局部氧化層 3000 - 5000 Å 絕緣 60年代到90年代

襯墊氧化層 100 - 200 Å 氮化矽應力緩衝層 60年代至今

犧牲氧化層 <1000 Å 缺陷移除 70年代至今

匣極氧化層 30 - 120 Å 匣極介電質 60年代至今

阻擋氧化層 100 - 200 Å 淺溝槽絕緣 80年代至今

 氧化前的清洗

• Particulates
• Organic residues
• Inorganic residues
• Native oxide layers
 Sources and Related Effects
of Various Contaminations
Contamination Possible Source Effects

Particles Equipment, ambient, gas, DI Lower oxide breakdown,

water, Chemical
Metal Equipment, chemical, RIE, I/I
Organic Vapor in room, residue of PR,
storage containers, chemical
poly-Si and metal bridging-
induced low yield
Low breakdown filed,
junction leakage, reduced
minority lifetime, Vt shift
Change in oxidation rate

Microroughness Initial wafer material, chemical Low oxide breakdown field,

low mobility of carrier

Native oxide Ambient moisture, DI water, Degraded gate oxide, low

rinse quality of epi-layer, high
contact resistance, poor
silicide formation
 Wafer Wet‐Cleaning Chemicals
Chemical Mixture Description(all
Contaminant Name cleans are followed by a DI water Chemicals
rinse)
Piranha Sulfuric acid ／ hydrogen
H2SO4/H2O2/H2O
(SPM) peroxide／DI water
Organics
SC-1 Ammonium hydroxide ／ NH4OH/H2O2/H2
(APM) hydrogen peroxide／DI water O
SC-1 Ammonium hydroxide／ NH4OH/H2O2/H2
Particles
(APM) hydrogen peroxide／DI water O
SC-2 Hydrochloric acid／hydrogen
HCl/H2O2/H2O
Metallics (not (HPM) peroxide／DI water
Cu) Piranha Sulfuric acid／hydrogen
H2SO4/H2O2
(SPM) peroxide／DI water
DHF Hydrofluoric acid／water
HF/H2O
Native Oxides solution(will not remove copper)
BHF Buffered Hydrofluoric acid NH4F/HF/H2O
Typical Wafer Wet‐Clean Sequence
H2SO4/H2O2 120 - 150°C 10 min
1:1 to 4:1

HF/H2O Room Temp. 1 min

1:10 to 1:50

DI H2O Room Temp.

NH4OH/H2O2/H2O
70 - 90°C 10 min
1:1:5 to 0.05:1:5
SC-1

DI H2O Room Temp.

HCl/H2O2/H2O
80 - 90°C 10 min
1:1:6
SC-2

DI H2O Room Temp.

 乾氧化反應機構

• Si + O2 SiO2
• 氧氣來自於氣體
• 矽來自於基片
• 氧分子必須擴散穿過氧化層，才能
和底下的矽原子產生化學反應
• 越厚的薄膜成長速率越低
 氧化速率區域的說明圖
線性成長區域
B
X= t
A
氧化層厚度

擴散限制區域

X=√Bt

氧化時間

• 氧化膜越厚，氧化速率越慢.
• 氧分子需要更多的時間擴散穿越氧化層和矽基片進行反應.
 <100>矽乾氧氧化反應

1.2
<100> 矽乾氧氧化反應 1200 °C
1.0
氧化層厚度 (微米)

0.8 1150 °C

1100 °C
0.6
1050 °C
0.4 1000 °C
950 °C
0.2
900 °C
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
氧化時間 (小時)
 濕 (蒸氣) 氧氧化反應
• Si + 2H2O SiO2 + 2H2
• 高溫狀態下，H2O 會解離成 H 和 H‐O
• H‐O 在二氧化矽比在氧擴散較快
• 濕氧氧化反應比乾氧氧化反應的成長速
率高.
• 較厚的氧化層, LOCOS氧化層
• 乾氧氧化有較好的品質
製程 溫度 薄膜厚度 氧化時間

乾氧氧化 1000 ° C 1000 Å ~ 2 小時

濕氧氧化 1000 ° C 1000 Å ~ 12 分鐘

 <100>矽 濕氧 氧化反應
1150 °C
<100> 矽濕氧氧化反應
3.0 1100 °C

1050 °C
2.5
氧化層厚度 (微米)

1000 °C
2.0
950 °C
1.5 900 °C

1.0

0.5

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
氧化時間 (小時)
 影響氧化速率的因素

• 溫度
• 化學反應, 濕氧氧化或乾氧氧化
• 厚度
• 壓力
• 晶圓方位 (<100> vs. <111>)
• 矽的摻雜物
Wet oxide– water source

• Boiler
• Bubbler
• Flush
• Pyrogenic
 煮沸式系統(Boiler)
加熱的氣體管路 加熱的前段管路

製程爐
MFC 排氣
管

蒸氣氣泡
水
加熱器
 氣泡式系統(Bubbler)

氮氣 N2 + H2 O 製程爐
MFC
管
加熱的氣體管路
排氣
水 氮氣氣泡

加熱器
 沖洗式系統(Flush)

水
熱平板

製程爐
N2 MFC
管

加熱器
 氫氧燃燒蒸氣系統(Pyrogenic)
氫氣燃燒, 2 H2 + O2 → 2 H2O

O2
H2 到排氣
端

製程爐管 晶舟
熱偶計 承載架

• 優點
– 全氣體系統
– 可以準確的控制氣流的流量
• 缺點
– 必須使用易燃且易爆的氫氣
• 典型的H2:O2 比例介於 1.8:1 到 1.9:1.
 快速加熱氧化(RTO)

• 次微米深度元件的匣極氧化層
• 非常薄的氧化薄膜, < 30 Å
• 在高溫時有較佳的溫度控制, 晶圓內以及晶
圓對晶圓的均勻性.
• 為達到元件的需求使用快速加熱氧化製程.
 高壓氧化
• 較快的成長速率
• 降低氧化的溫度:
– 1 大氣壓. = –30 °C
• 較高的介電質強度

不鏽鋼套管

高壓惰性氣體
高壓氧
化物氣
體 石英製程反應室
 高壓氧化
成長10,000 Å 厚的濕氧氧化層的氧化時間

溫度 壓力 時間

1 大氣壓 5 小時

1000 。C 5大氣壓 1小時

25大氣壓 12 分鐘

在五小時內成長10,000 Å厚的濕氧氧化層的氧化溫度

時間 壓力 溫度

1 大氣壓 1000 。C

5 小時 10大氣壓 700 。C
 測量氧化層

• 厚度
• 匣極氧化層
• 均勻性
• 崩潰電壓
• C-V曲線特徵
• 色彩對照表
• 橢圓光譜儀
• 反射光譜儀
 擴散

• 擴散是常見的物理現象
• 物質散佈方向是從高濃度到低濃度
• 二氧化矽做為擴散的遮蔽層
• 在半導體製程的摻雜中廣泛的使用
• “擴散爐” 和 “擴散區間”
擴散摻雜製程說明
摻雜物

摻雜物

接面深度
矽
 擴散

遮蔽氧化層 遮蔽氧化層

p+ p+
N型矽 N型矽
 熱積存

• 高溫下摻雜物的原子擴散較快
D = D0 exp (–EA/kT)
• 較小的圖形尺寸, 較少的空間提供摻雜物熱
擴散，較少的熱積存
• 熱積存在驅入階段決定離子佈植後熱製程
的溫度和時間
 熱積存的說明

匣極

S/D 佈植 過量的熱積存
 熱積存
1100 1000 900 800 T (°C)
1 μm 0.5 μm
2 μm
1000

0.25 μm 資料來源:
100
Chang and Sze,
ULSI
熱積存 (sec)

10 Technology

7 8 9 10
104/T (K)
 擴散摻雜製程

• 摻雜物濃度與接面深度兩者與溫度相關
• 沒有方法可以單獨控制兩個因素
• 摻雜物等向擴散的剖面
• 1970年代中期被離子佈植製程取代
 擴散摻雜製程

• 二氧化矽做為不易通過的遮蔽
• 沉積摻雜物氧化層
• 覆蓋層氧化反應
– 預防摻雜物擴散到氣態
• 驅入
 擴散摻雜製程
• 氧化, 微影製程技術 和 氧化蝕刻
• 預積: 
B2H6 + 2 O2 → B2O3 + 3 H2O
• 覆蓋層氧化反應: 
2 B2O3 + 3 Si → 3 SiO2 + 4 B
2 H2O + Si → SiO2 + 2 H2
• 驅入
– 硼擴散到矽基片
 擴散摻雜製程
• 氧化, 微影製程技術 和 氧化蝕刻
• 沉積擴散物氧化: 
4POCl3 + 3O2 → 2P2O5 + 3Cl2
• 覆蓋氧化反應
2P2O5 + 5Si → 5SiO2 + 4P
– 磷集中在矽表面
• 驅入
– 磷擴散的矽基片
 晶圓清洗

矽基片
 氧化

二氧化矽

矽基片
 摻雜區域圖形

光阻
二氧化矽

矽基片
 二氧化矽蝕刻

光阻
二氧化矽

矽基片
 光阻剝除

二氧化矽

矽基片
 晶圓清洗

二氧化矽

矽基片
 摻雜物氧化沉積

摻雜氧化物

二氧化矽

矽基片
 覆蓋氧化反應

二氧化矽

矽基片
五氧化二磷氧化沉積和覆蓋氧化反應
推 溫度 溫度 摻雜沉積 覆蓋 釋入 溫度 拉
升高 穩定. 氧化 氮氣 下降
反應

溫度

N2 流量

POCl3 流量

O2 流量

晶圓
位置
井區佈植和驅入
P+
光阻
N型井區
P型磊晶

P型磊晶 N型井區
利用硼的擴散在超淺接面形成的製程

• 小元件需要超淺接面
• 硼本身具有小和輕的特質，可以具有高
佈植能以達到深度的要求
• 在研發淺接面形成時，應用可控制的熱
擴散製程
 表面清洗

金屬矽
化合物
側壁空間層 側壁空間層

淺溝 淺溝
槽絕 槽絕
緣 矽基片 緣
 硼矽玻璃化學氣相沉積法
金屬矽
化合物

側壁空間層 側壁空間層
硼矽玻璃

淺溝 淺溝
槽絕 槽絕
緣 矽基片 緣
 快速加熱步驟摻雜物驅入
金屬矽
多晶矽 化合物

匣極氧化層
硼矽玻璃

淺溝
淺溝 槽絕
槽絕 矽基片 緣
緣
 剝除硼矽玻璃

多晶矽 金屬矽化
匣極氧化層 合物

淺溝 淺溝
槽絕 槽絕
緣 矽基片 緣
摻雜量測‐四點探針測量

V Rs = ρ/t
P1 P2 P3 P4

S1 S2 S3

摻雜區域

基片
退火和快速加熱製程
 佈植後退火
• 能量較高的離子會損傷晶格結構
• 非晶矽有較高的電阻係數
• 需要額外的能量(如：熱)來幫助原子回復
晶格結構
• 僅僅單晶結構的摻雜物可以被活化
 佈植後退火
• 單晶結構有最低的位能
• 原子傾向於停留在晶格位置
• 熱能提供原子作快速熱運動所需要的能量
• 原子尋找並停留在位能最低的單晶晶格位
置
• 溫度越高, 退火越快
 離子佈值之前

晶格原子
 離子佈值之後

晶格原子 摻雜原子
 晶體缺陷

晶格原子 摻雜原子
 退火製程

晶格原子 摻雜原子
 合金熱處理

• 幫助不同原子彼此結合成化學鍵形成金
屬合金的加熱製程. 
• 廣泛的用在金屬矽化物的形成
• 自我對準金屬矽化物 (salicide)
– 鈦金屬矽化合物, TiSi2
– 鈷金屬矽化物, CoSi2
• 高溫爐和快速加熱製程
 金屬矽化物
• 較多晶矽的電阻低
• 做為匣極材料和金氧半電晶體的區域內
部連線
• 做為電容電極
• TiSi2, WSi2 是最常被使用的金屬矽化物
• CoSi2, MoSi2等亦被使用
 鈦金屬矽化物製程

• 氬氣濺鍍清洗
• 鈦 物理氣相沉積
• 快速加熱製程退火, ~700 °C
• 鈦剝除, H2O2:H2SO2
 鈦金屬矽化物製程
鈦

多晶矽

STI n+ n+ USG p+ p+
Ti 沉積

鈦金屬矽化物

STI n+ n+ USG
USG p+ p+
退火
側壁空間層 鈦金屬矽化物

STI n+ n+ USG
USG p+ p+
Ti 剝除
 鋁矽合金
• 在矽的表面生成
• 防止矽鋁交互擴散造成尖凸現象( junction 
spiking)
 接面尖凸現象

Al Al Al
SiO2
p+ p+
N型矽
 再流動

• 流動的表面圓滑平坦
• 使微影技術和金屬化製程更容易
• 溫度越高，流動結果越好
• 熱積存決定再流動的溫度和時間
• 較高的摻雜物濃度需要較低的流動溫度
 PSG再流動製程說明
PSG
沉積 SiO2
LOCOS
n+ n+ p+ p+
p+ p+ N-型井區
P型基片

PSG
再流動 SiO2
LOCOS
n+ n+ p+ p+
後 p+ p+
N型井區
P型基片
 再流動

• 未摻雜矽玻璃 (USG)在非常高溫 (T > 1500 °C)

開始變軟，由於表面張力作用流動
• PSG 和 BPSG在明顯較低的溫度(< 1100 °C 降
到 850 °C)變軟
• 磷也可以捕獲鈉
• PSG 和 BPSG通常使用在 金屬沉積前的介電
質層(PMD)
 退火概要
• 最常使用的退火製程是離子佈植後退火、合
金退火和再流動
• 在離子佈植製程後需要熱退火恢復晶格的結
構和活化摻雜物原子
• 熱退火協助金屬和矽反應形成金屬矽化物
 退火概要
• 金屬退火可幫助形成較大的晶粒和減少電阻
性
• PSG 或BPSG再流動將介電質表面圓滑平坦
化，幫助微影技術製程和金屬化製程
• 快速加熱製程已成為退火製程成用的技術
 退火概要
• 快速加熱製程的優點
– 較快的昇溫速率(75 ~ 150 °C/sec)
– 較高的溫度 (上升到 1200 °C)
– 較快的製程
– 摻雜物擴散最小化
– 對熱積存有較好的控制
– 晶圓對晶圓均勻性較好的控制
高溫沉積製程
 什麼是化學氣相沉積

化學氣相沉積
• 氣體或蒸氣在基板表面產生化學反應並在
表面形成固態副產品做為沉積的薄膜
• 其他的副產品是會離開表面的氣體.
• 廣泛使用在IC 製程中的金屬、介電質和矽
的薄膜沉積.
高溫化學氣相沉積

• 磊晶
• 多晶矽
• 氮化矽
 磊晶矽

• 提供高品質的矽基片，不含氧跟碳
• 雙載子元件需要使用
• 高速的金氧半電晶體(CMOS) 元件
 磊晶矽
• 高溫(~1000 °C) 製程.
• 矽烷 (SiH4), 二氯矽烷 (DCS ,SiH2Cl2)或三
氯矽烷(TCS,SiHCl3) 做為矽的來源氣體
• 氫氣做為製程氣體和清洗氣體
• 三氫化砷(AsH3), 三氫化磷 (PH3),和氫化
硼(B2H6)做為摻雜氣體
 磊晶矽沉積

• 矽烷製程
加熱 (1000 °C)

SiH4 → Si +   H2
矽烷 磊晶矽 氫氣

• 二氯矽烷製程
加熱 (1150 °C)

SiH2Cl2 → Si +   2HCl
二氯矽烷 磊晶矽 氯化氫
 磊晶矽摻雜

• N‐型摻雜物

加熱(1000 °C)

AsH3 → As   +   3/2 H2
三氫化砷 砷 氫
加熱 (1000 °C)

PH3 → P   +   3/2 H2
三氫化磷 磷 氫
 磊晶矽摻雜

• P‐型摻雜

加熱 (1000 °C)

B2H6 → 2 B   +   3 H2
氫化硼 硼 氫
 磊晶矽
• 經常是在晶圓製造時沉積(“生長”) 而不
是IC生產工廠
• 生產工廠的磊晶製程: 例如有摻雜物的
濃度和磊晶厚度的特殊需求
• 單晶圓磊晶製程
 多晶矽

• 高溫穩定性
• 合乎常理有較佳的傳導性
• 用來做為匣極材料和金氧半電晶體的區
域內部連線
• 同時也被廣泛的用來做為DRAM晶片的電
容器電極
 多晶矽
• 高溫爐(~700 °C)低壓化學氣相沉積(LPCVD)
製程
• 矽烷 (SiH4) 或二氯矽烷 (DCS,SiH2Cl2) 做為
矽源氣體.
• 氮氣做為清洗氣體
• 三氫化砷(AsH3), 三氫化磷(PH3),和氫化硼
(B2H6)用來做為摻雜物氣體
 多晶矽沉積

• 矽烷製程
加熱 (750 °C)

SiH4 → Si +   H2
矽烷 多晶矽 氫

• DCS process
加熱 (750 °C)

SiH2Cl2 → Si +   2HCl
二氯矽烷 多晶矽 氫
 多晶矽摻雜

• N‐型摻雜
加熱 (750 °C)

AsH3 → As   +   3/2 H2
三氫化砷 砷 氫

加熱 (750 °C)

PH3 → P   +   3/2 H2
三氫化磷 磷 氫
 多晶矽摻雜

• P‐型摻雜

加熱 (750 °C)

B2H6 → 2 B   +   3 H2
氫化硼 硼 氫
 矽烷(SiH4)製程與溫度的關係

• 單晶矽基板
• 矽烷做為來源氣體
• T > 900 °C  沉積單晶矽
• 900 °C > T > 550 °C 沉積多晶矽
• T < 550 °C沉積非晶矽
 矽烷製程的溫度與晶體結構

晶界

晶粒

T<550 °C 550 °C <T< 900 °C T > 900 °C

非晶矽 多晶矽 單晶矽
 多晶矽低壓化學氣相沉積系統

MFC 製程管

MFC
MFC
晶圓 燃燒室
控制閥
吹除淨化氮氣
製程氮氣

調壓器
SiH4

洗滌室

排氣
 多晶矽沉積製程

• 系統閒置時注入吹除淨化氮氣氣 • 注入氮氣氣流：設定製程氣壓 (~250 

流 毫托) 
• 系統閒置時注入製程氮氣氣流 • 開啟SiH4氣流並關掉氮氣，開始沉
積
• 注入製程氮氣氣流，載入晶圓
• 關掉矽烷氣流並打開匣極活門，抽
• 注入製程氮氣氣流時降下製程爐
真空回到基本氣壓
管(鐘型玻璃罩)
• 關閉匣極活門，注入氮氣並將氣壓
• 觀掉氮氣氣流，抽真空使反應室
提高到一大氣壓力
氣壓降至基本氣壓 (< 2毫托)
• 注入氮氣氣流以降低晶圓溫度，升
• 注入氮氣氣流，穩定晶圓溫度並
起鐘型玻璃罩
檢查漏氣
• 注入製程氮氣氣流，卸載晶圓
• 觀掉氮氣氣流，抽真空回到基本
氣壓 (< 2毫托) • 系統閒置時注入吹除淨化氮氣氣流
 多晶矽沉積系統
WSix 沉積反應室 RTA 反應室

多晶矽沉
積反應室

晶圓傳輸機械臂
冷卻室

晶圓裝載站
 氮化矽

• 緻密的材料
• 廣泛的作為擴散阻擋層和鈍化保護介電質層
• 低壓化學氣相沉積法(LPCVD)【前段】和電漿
增強型化學氣相沉積法(PECVD)【後段】
• LPCVD 氮化矽製程經常使用一個帶有真空系
統的高溫爐
 氮化矽的應用

• 矽的局部氧化形成製程做為阻擋氧氣擴散的遮蔽
氧化層
• 在淺溝槽絕緣形成的製程，被當作化學機械研磨
的停止層
• 金屬沉積前的介電質層做為摻雜物的擴散阻擋層
• 蝕刻停止層
矽的局部氧化(LOCOS)製程
襯墊氧化層
氮化矽
P型基板
襯墊氧化, 氮化矽沉積和圖案化

氮化矽
SiO2
p+ P型基板 p+ 隔絕摻雜 p+
LOCOS氧化
鳥嘴
SiO2
p+ P型基板 p+ 絕緣摻雜 p+
氮化矽和襯墊氧化層剝除
 淺溝槽絕緣製程
氮化矽 襯墊氧化層和LPCVD氮化矽
襯墊氧化層
矽

蝕刻氮化矽和襯墊氧化層

氮化矽 光阻 光阻
襯墊氧化層
矽

剝除光阻
氮化矽
襯墊氧化層
矽
 淺溝槽絕緣製程的襯墊氧化層與阻擋氧化層
溝槽蝕刻
氮化矽
襯墊氧化層
矽
溝槽填充

氮化矽 未摻雜矽玻璃
襯墊氧化層
矽
未摻雜 未摻雜矽玻璃 化學氣
阻擋氧化層
矽玻璃 相沉積法; 氮化矽, 襯墊
氧化層剝除

矽
 自我對準接觸窗蝕刻停止層

光阻 光阻

BPSG BPSG 側壁空

氧化層 間層

氮化矽 TiSi2 多晶矽

匣極
n+ n+ n+
P型矽
 氮化矽沉積

• 矽烷或二氯矽烷作為矽的來源氣體
• 氨(NH3)做為氮的來源氣體
• 氮氣做為淨化的氣體

3 SiH2Cl2 + 4 NH3 → Si3N4 + 6 HCl + 6 H2

或
3 SiH4 + 4 NH3 → Si3N4 + 12 H2
 氮化矽的LPCVD 系統示意圖
加熱器
製程反應室
晶圓

塔架
MFC
MFC

MFC
MFC

幫浦 燃燒室
吹除淨化氮氣

控制閥
製程氮氣

NH3
SiH2Cl2

洗滌室
調壓器

排氣
高溫化學氣相沉積法的未來趨勢

• 更多的晶圓使用快速加熱化學氣相沉
積法
• 可以將只成整合在群集工具
 高溫爐沉積概要

• 多晶矽和氮化矽是兩種在高溫爐沉積最
常用的薄膜
• 矽烷和二氯矽烷是兩種經常做為矽源氣
體.
• 在沉積時多晶矽可以使用磷化氫, 砷化氫
或硼化氫做為摻雜氣體進行摻雜
快速加熱製程
 快速加熱製程(RTP)

• 主要在佈植後快速加熱退火(RTA)製程
• 快速昇溫, 100 到 150 °C/sec (水平高溫爐昇
溫速率約15 °C/min)
• 減少熱積存和較簡單的製程控制
 快速加熱製程(RTP)

• 單晶圓快速加熱化學氣相沉積 (RTCVD) 反應
室可以用來沉積多晶矽和氮化矽
• RTCVD反應室可以在群集工具和其他製程反
應室整合在同一個系統中
• 薄膜氧化厚度小 (< 40 Å) 和用對於晶圓對晶
圓均勻控制的快速加熱氧化製程差不多
快速加熱製程(RTP)反應室示意圖

晶圓 外端反應室

製程 石英反
氣體 應室

鎢—鹵素燈管 紅外線高溫計
 加熱燈管陣列

頂部燈管
底部燈管

晶圓
 快速加熱製程
(RTP) 反應室
照片提供：Applied Materials, Inc
 退火和摻雜物擴散

• 當溫度>1100 °C，退火速率較擴散為快
• 佈植後的製程需要高溫與溫度急昇
• 單晶圓快速加熱製程工具已經開始應用
 退火和摻雜物擴散

• 高溫摻雜物原子的擴散
• 高溫爐由於熱容量較大使得昇溫速率較
低 (~10 °C/min)
• 高溫爐退火製程需要花費較常的時間，
摻雜物擴散無法減低
• 晶圓兩端的退火情形不均勻
退火速率和擴散速率

退火速率

擴散速率

溫度
 退火後摻雜物擴散

匣極

快速加熱退火 高溫爐 退火
 RTP 比高溫爐的優勢

• 昇溫速率較快(75 到 150 °C/sec)
• 溫度較高 (可到 1200 °C)
• 製程較快
• 摻雜物擴散最小化
• 較佳的熱積存控制能力
• 較佳的晶圓對晶圓的均勻性
 RTP製程溫度的改變

裝載 昇溫 退火 降溫 卸載晶圓
晶圓

N2 流動
溫度

時間
 熱氮化反應

• 氮化鈦物理氣相沉積(PVD)
• 用氨氣進行熱氮化

NH3 + Ti → TiN + 3/2 H2

 氮化鈦製程
鈦

二氧化矽

鈦 氮化鈦

二氧化矽
 快速加熱氧化製程(RTO)

• 超薄的匣極氧化層< 30Å
• 較佳的晶圓對晶圓的均勻性
• 較佳的熱積存控制能力
 RTP / RTO製程示意圖

裝載晶 昇溫1及 RTO RTA 降溫 卸載晶

圓 昇溫2 圓

O2 流量 溫度

HCl流量

N2流量
時間
 未來的趨勢

• 快速加熱製程 (RTP)
• 臨場製程監測
• 群集工具

• 高溫爐製程將繼續使用在非關鍵性的加
熱製程
 RTCVD 反應室
燈座 加熱燈管
晶圓

反應物

反應物及副
產品

晶圓冷卻反 石英窗
應室壁 IR高溫計
 RTP溫度和高溫爐

高溫爐

RTP
溫度

室溫.

時間
 群集工具示意圖

RTO/RTP RTCVD
α-Si反
反應室
應室

HF 蒸氣 轉換室 冷卻
蝕刻反應 反應
室 室

裝載站 卸載站
 快速加熱製程的概要

• 快速
• 較佳的製程控制
– 熱預算
– 晶圓對晶圓的均勻性
• 摻雜物擴散最小化
• 群集工具, 容易將製程整合
 Conclusion
• 氧化, 擴散, 退火, 和沉積
• 濕氧化成長速率較高，乾氧化氧化層薄膜的品
質較好，先進的工廠主要採用乾氧化
• IC工業的摻雜製程中，利用二氧化矽做為擴散
遮蔽層
• LPCVD 多晶矽和前段的氮化矽沉積
• 退火處理使晶圓恢復單晶結構和活化摻雜物
• RTP: 較佳的熱控制能力，快速又能減少摻雜物
的擴散
• 高溫爐: 高產量和低成本，未來IC生產工產會繼
續使用進行較不重要的加熱製程