Fonderie D3 Solidification PDF

SOLIDIFICATION DES MÉTAUX ET ALLIAGES
GERMINATION Condition de stabilité des germes - Rôle de la surfusion

Germination homogène - Germination hétérogène - inoculation
CROISSANCE DU SOLIDE Croissance à l’échelle atomique : rôle de l ’interface solide-liquide

Croissance à l ’échelle de la microstructure
Effets thermiques : interface plan et dendrite
Effets diffusionnels
Structures de solidification des alliages
SOLIDIFICATION DIRIGÉE Diffusion sans convection dans le liquide

Diffusion et brassage dans le liquide
solidification monocristalline
Purification par fusion de zone
SOLIDIFICATION EUTECTIQUE Mécanisme de formation et morphologies des eutectiques
DÉFAUTS DE SOLIDIFICATION Retassure et porosité

Hétérogénéités chimiques : ségrégations mineure et majeure
Les gaz dans les métaux
Inclusions
Solidification - procédés et simulation du moulage 1 Mise en forme des métaux - Master MAM - A. Ikhlef
Lois de la solidification des métaux
QUALITÉ DES PRODUITS DE MOULAGE
CHOIX DE L’ ALLIAGE
- Propriétés de fonderie
- Propriétés d’utilisation
CHOIX DU PROCÉDÉ
DE MOULAGE - Possibilités techniques
LES
- Prix de revient
PARAMÈTRES
DE LA QUALITÉ STRUCTURE DE
SOLIDIFICATION
DÉFAUTS DE
FONDERIE
LES PROCESSUS À MAÎTRISER
LOIS DE LA SOLIDIFICATION
- ÉCOULEMENT DU MÉTAL LIQUIDE
À l ’échelle microscopique et - ÉCHANGES THERMIQUES MÉTAL - MOULE

à l’échelle macroscopique
- GERMINATION
- CROISSANCE ET PHÉNOMÈNES THERMIQUES
- CROISSANCE ET DIFFUSION ATOMIQUE
OPÉRATIONS DE FONDERIE
TRACÉ DES PIÈCES
CONCEPTION DU MOULE – NOYAUX
REMPLISSAGE DU MOULE
SYSTÈME D ’ALIMENTATION
ANALYSE THERMIQUE ET SOLIDIFICATION
CAS D ’UN MÉTAL PUR
SOLIDIFICATION
Refroidissement Croissance
À TEMPÉRATURE
du liquide du solide
CONSTANTE
Température
TE = Ts =Tf
Surfusion ∆T
Solide
Échauffement du
Germination liquide résiduel
dégagement de
chaleur latente
Début de la fin de la
solidification
solidification
temps
Chaleur spécifique Chaleur latente de Chaleur spécifique

Q L = CL . ∆T solidification L (J/m3) Q S = CS . ∆T
ANALYSE THERMIQUE ET SOLIDIFICATION
CAS D’UN ALLIAGE
Début de la fin de la
solidification solidification
Température
dégagement de T1 : Début de la solidification

chaleur latente T1 P1
T M P N
T1 à T2 : Intervalle de
solidification
T2 P2
T : Équilibre liquide - solide
T2 : fin de solidification
temps
CS C0 CL
Chaleur spécifique
Chaleur spécifique
SOLIDE GÉNÉRALEMENT HÉTÉROGÈNE

Q L = CL . ∆T
Q S = CS . ∆T
Chaleur latente
de solidification (Rem : le solide est homogène si
L (J/m3) la vitesse de refroidissement est très faible)
LA GERMINATION
Condition de stabilité des germes
Rôle de la surfusion
Germination homogène – germination hétérogène - inoculation
Diagramme de transformation
LA GERMINATION
SOLIDIFICATION AVEC SURFUSION CINÉTIQUE

Température de début de
solidification à l’équilibre
Liquide
TE
∆T
Surfusion
cinétique
Liquide + Fin de
Liquide en Solide
solide solidification
surfusion
Début de
solidification
Temps
OÙ APPARAISSENT LES GERMES ?
LA GERMINATION
OÙ APPARAISSENT LES GERMES ?
TE
∆T
Temps
Germes
« hétérogènes »
Germe
Liquide
« homogène »
Creuset
LA GERMINATION HOMOGENE
ÉNERGIE DE FORMATION D’UN GERME HOMOGÈNE
Formation d ’un germe « homogène » Énergie
1
Création d ’une
interface Liquide Interface
E interface = Aire germe γ sl
liquide/solide d’aire A
γ = Énergie superficielle en J/m2
Transformation Germe solide L ΔT

liquide - solide : de volume VS E volumique = −Volume (germe )
2 T LS
Chaleur et ordre de surface A
(Enthalpie et entropie)
L : Chaleur latente de solidification en J/m3
ÉNERGIE DE FORMATION DU GERME
L . ΔT
E gf = − Volume germe + Aire germe . γ sl
TE
Dégagement de la chaleur Consommation d’énergie
(chaleur latente de solidification) (énergie de surface)
VARIATION DE L’ÉNERGIE DE FORMATION DU GERME
Cas d’un germe sphérique de rayon r 4 π r3 2r

V= A = 4 π r2
3
L . ΔT
E gf = − Volume germe + Aire germe . γ sl
TE
ENERGIE EN FONCTION DU RAYON
4π r 3 L . Δ T
À UNE TEMPÉ
TEMPÉRATURE DONNÉ
DONNÉE E gf =− + 4π r 2 . γ
3 TE
Barrière énergétique
E*
16 π γ 3 T 2
E* =
3 L2 (ΔT )
2
Énergie
2 γ TE
r* =
L (ΔT )
rayon
Rayon critique r*
STABILITÉ DES GERMES GERMINATION HOMOGÈNE
Cas d’un germe sphérique de rayon r
Un germe est stable si sa croissance conduit à une diminution de l’énergie

Donc si la taille du germe r > taille critique r*
2 γ TE
r* =
L (ΔT )
Parmi tous les germes préprésents seuls ceux dont la taille est
supé
supérieure à la taille critique seront stables
E*
E3
E4
E2
E1 rayon
r1 r2 r* r3 r4
E2 > E1 Germes instables E 4 < E3

Germes stables
COMMENT AUGMENTER LE NOMBRE GERMINATION HOMOGÈNE
DE GERMES STABLES ?
Diminuer la taille critique et l’énergie critique
2 γ TE 16 π γ 3 T 2
r* = TE, L et γ
E* =
L (ΔT ) caractéristiques du matériau 3 L2 (ΔT )
2
Action sur la surfusion
La quantité de germes stables augmente avec la surfusion ΔT
Valeurs de la surfusion calculées en germination homogène : ∆T # 0,2 Tf (en K)
∆T (Pb) # 120 °C
Exemples :
∆T (Al) # 186 °C
Valeurs expérimentales : ∆T # 2 à 10 °C
LA GERMINATION EST RAREMENT DE NATURE HOMOGÈNE
COMMENT AUGMENTER LE NOMBRE GERMINATION HOMOGÈNE
DE GERMES STABLES ?
Diminuer l’énergie critique par germination hétérogène E * < E *( homo)
Action sur le support : inoculation
= Ehom ogène . f (θ )
* *
SOLIDE (S)
Ehétérogène
θ 0 8 25 45 90
θ
f (θ ) = (2 + cos θ ) (1 − cos θ )2
1 f(θ) 0 7 10-5 7 10-3 0,06 0,5
SUPPORT (P) 4
LIQUIDE (L)
θ est l angle de contact métal / support
Pour des angles < 45° l’énergie de germination est négligeable:

Valeurs de la surfusion utile très faibles : ∆T # 2 à 10 °C
LA GERMINATION EST LE PLUS SOUVENT DE NATURE HÉTÉROGÈNE

ELLE EST FORTEMENT FAVORISEE PAR L’INOCULATION
GERMINATION
SURFUSION - INOCULATION
Il existe une taille critique des germes

ΔT
>0
2 γ TE 1 ΔX
- la surfusion r * = Réduction de la
L ΔT
16 π γ 3TE2 f ( θ ) taille critique des germes
- la présence d’un support (inoculant) E* =
3 L2 (ΔT )2
Dans la pratique
RÔLE DE LA VITESSE DE REFROIDISSEMENT POUR

- diminuer la taille critique
- affiner la taille du grain du solide
RÔLE DE L INOCULATION POUR

- minimiser la barrière énergétique Al Si7 Mg non inoculé
- augmenter le nombre de germes stables
TiB2
Al Si7 Mg inoculé
VITESSE DE GERMINATION
nombre de germes formés par unité de temps dn/dt

GERME
atomes
UN GERME DEVIENT STABLE s’il RÔLE DE LA
reçoit de nouveaux atomes lui DIFFUSION
permettant d’atteindre la taille critique
∆G* = Énergie de formation ∆GA = Énergie d’activation

⎛ C .TE ⎞
d ’un germe de rayon r* de la diffusion V g = V0 exp ⎜⎜ − ⎟
2⎟
⎝ T.( ΔT) ⎠
avec V0 = 1039 m-3 s-1
Vitesse de germination
⎛ − ΔG ⎞ ⎛ ⎞
⎟ exp ⎜ − ΔG A ⎟
*
V germination = A exp ⎜
⎜ kT ⎟ ⎜ kT ⎟
⎝ ⎠ ⎝ ⎠
probabilité d’existence probabilité de gagner

Vg = X surfusion
de germes critique un atome supplémentaire
critique
Température TE
DIAGRAMME DE TRANSFORMATIONS
TE
Surfusion critique TE
Température
Surfusion critique
Température
Courbes en C
Vitesse de germination Temps
TE
Peu de germes mais

Température
gros grain
croissance très rapide
Germes en nombre important

grain fin
Croissance rapide
Nombreux germes Grain très fin

Croissance très lente
Temps
LA CROISSANCE DU SOLIDE
Croissance à l’échelle atomique : Rôle de l ’interface solide-liquide
Croissance à l ’échelle Effets thermiques

de la microstructure Rôle de la surfusion
Croissance plane
Croissance dendritique
Zone de peau
Structure de solidification des alliages : Zone colonnaire
Zone équiaxe
CINÉTIQUE DE LA SOLIDIFICATION
1) LA TRANSFORMATION LIQUIDE-SOLIDE MET EN JEU
-LA GERMINATION ET
-LA CROISSANCE DU SOLIDE Vitesse de

à l échelle de la microstructure solidification
Vitesse de
Vitesse de croissance
germination
2) LA CINÉTIQUE DE LA SOLIDIFICATION DÉPEND DE
Vitesse de germination :
- Surfusion
- Inoculation Température
Vitesse de croissance : Surfusion Surfusion

- Fixation des atomes sur l interface critique
- Surfusion
- Transport de matière et de chaleur
CROISSANCE DU SOLIDE À L’ÉCHELLE ATOMIQUE
Apport et fixation
d ’atomes
sur l’interface
solide liquide Pas ou peu de sites :
Nombreux sites de Nécessité de formation de
fixation : germes secondaires à
marches, lacunes, .. Interface rugueux Interface l’interface
(métalliques - lisse
céramiques) (céramiques
polymères)
À L’ÉCHELLE ATOMIQUE, LA CROISSANCE DES GERMES
EST CONTRÔLÉE PAR LA NATURE DE L’INTERFACE
CROISSANCE DU SOLIDE À L’ECHELLE MICROSCOPIQUE
Liquide
Suivant la nature de l’alliage

L+S
et sa composition
on doit distinguer deux
β
types de microstructures Solide
Solide
α
α+β
a) b)
ALLIAGE DE COMPOSITION TYPE (a) ALLIAGE DE COMPOSITION TYPE (b)
La solidification conduit à un solide

constitué par une seule phase La solidification conduit à un
La microstructure est le plus solide constitué par deux phases
souvent DENDRITIQUE La microstructure est dite
EUTECTIQUE
CROISSANCE DU SOLIDE À L’ECHELLE MICROSCOPIQUE
Suivant la nature de l’alliage et sa composition Liquide

on doit distinguer deux types de microstructures
L+S
β
Solide
ALLIAGE DE COMPOSITION TYPE (c) α
Solide
α+β
La solidification conduit d’abord à un

solide monophasé puis le reste du a) c) b)
liquide conduit à un solide constitué
par deux phases
La microstructure est un mélange de
dendrites pro eutectiques
et d’eutectique
CROISSANCE DU SOLIDE
LA MICROSTRUCTURE DENDRITIQUE
Les dendrites se présentent sous deux formes :
ÉQUIAXE OU COLONNAIRE
La microstructure dendritique
équiaxe
La microstructure dendritique
colonnaire
(solidification dirigée)
Formation des dendrites : le front de solidification
LES EFFETS THERMIQUES : DÉFINITIONS ⎛ dT dT dT ⎞

Gradient de température grad T = ⎜⎜ ; ; ⎟⎟
⎝ dx dy dz ⎠
Problème à une dimension dT
G=
dx
SOLIDE LIQUIDE
dx
Vitesse de solidification R=
dt
Température
Tliquide L ou ΔH
Chaleur latente de solidification (J/m3)
Tinterface GL
Tsolide
GS Conductivité thermique (W/m K) K
Flux de chaleur
caractérise la puissance thermique transmise
Flux de chaleur dans le liquide
par le matériau
dans le solide
Distance x
Densité de flux thermique J (J/m2 s) J=

dQ
Quantité de chaleur traversant une dAdt
unité de surface de matériau en une unité de temps
LE FRONT DE SOLIDIFICATION
Température
ÉCHELLE MACROSCOPIQUE TL
Le front de solidification = TLiquidus
limite solide/liquide
QL
Surface +/- plane se trouvant
Ts
à la température du liquidus
SOLIDE LIQUIDE
Distance
Front de
solidification
ÉCHELLE MICROSCOPIQUE
Front de solidification à
morphologie perturbée
(fluctuations de T TLiquidus
température, TSolidus
Atténuation
composition, chocs
du plissage
mécaniques, etc.)
?
Plissage de
l’interface
Amplification
Détails du front de solidification du plissage
LE FRONT DE SOLIDIFICATION Phénomènes thermiques et diffusionnels

T TE L
Creuset Solide Liquide
S TS
Solidification %B
T TE
Diffusion atomique
TS
Température
Écoulement de la chaleur
Exemple de front de solidification

Radiation + Conduction
Convection Conduction + Convection
CONDUCTION : Chocs sans déplacement de matière

RADIATION : Transmission par un milieu transparent DIFFUSION : déplacement des atomes
CONVECTION : déplacement d ’un fluide
CROISSANCE DES CRISTAUX
Dans le cas général A L’ÉCHELLE DE LA MICROSTRUCTURE

(métaux purs ou alliages)
LA CROISSANCE DES GERMES EST CONTRÔLÉE PAR
Interface liquide -solide

- LA REDISTRIBUTION DES ÉLÉMENTS D’ALLIAGE
Diffusion : Lois de Fick
Écoulement de la chaleur
- L’ÉVACUATION DE LA CHALEUR SPÉCIFIQUE
- L’ÉVACUATION DE LA CHALEUR LATENTE DE SOLIDIFICATION
Les effets thermiques : Loi de Fourier
Dégagement de la chaleur
latente de solidification
Diffusion atomique
LES EFFETS THERMIQUES : Loi de Fourier
SOLIDE LIQUIDE ⎛ dT dT dT ⎞
grad T = ⎜⎜ ; ; ⎟⎟ Gradient de température
⎝ dx dy dz ⎠
dx
R=
Température
Vitesse de solidification
Tliquide dt
Tinterface GL L = ΔH Chaleur latente de solidification L (J/m3)
Tsolide K (W/m K) Conductivité thermique

GS Flux de chaleur
dQ
Flux de chaleur dans le liquide J= Densité de flux thermique J (J/m2 s)
dans le solide dAdt
Distance x
LOI DE FOURIER
Application au solide
La densité de flux thermique (J) J = − K gradT J s = − K s Gs
est proportionnelle
dT
au gradient de température. J x = −K Application au liquide
dx
J l = − K l Gl
CROISSANCE DU SOLIDE / Cas d’un métal pur
Î Quantité de chaleur évacuée par le solide à

SOLIDE LIQUIDE travers la surface A pendant dt :
δ Qs = J s A dt = - K s Gs A dt
Î Quantité de chaleur provenant du liquide

Température
Tliquide
Tinterface GL δ QL = J l A dt - L A dx =
Tsolide δ QL = -K l Gl A dt - L A dx
GS Flux de chaleur Î À l ’interface :
dans le liquide
Flux de chaleur
dans le solide QL δ QS = δ QL
QS
Distance x K S GS = K L GL + L R
K S GS - K L GL LA VITESSE DE SOLIDIFICATION EST CONTRÔLÉE

V solidifica tion = R = PAR LES PROCESSUS D’ÉVACUATION DE LA CHALEUR
L
La solidification
ΔT K G K ⎛ ΔT ⎞
GL = Vs = s s − L ⎜ ⎟ est contrôlée par le signe de ΔT
Δx L L ⎝ ΔX ⎠ Donc par LA SURFUSION
CROISSANCE-MÉTAL PUR
GRADIENT POSITIF DANS LE LIQUIDE

SOLIDE SOLIDE LIQUIDE
LIQUIDE
Température
TL : Température
du liquide
TL
TE : Température TE GL
de solidification
Température
Solide
TL > TE GL > 0 TA
Gs QL
Distance x
Pas de surfusion
Les protubérances de
TLiquide > TLiquidus l’interface se trouvent
Distance
dans un liquide surchauffé

ΔT > 0
K s G s K L ⎛ ΔT ⎞ Les protubérances ne peuvent

Vs = − ⎜ ⎟ plus croître
L L ⎝ ΔX ⎠
Vs Il y a atténuation du plissage
lorsque ΔT et l’interface reste plan
LA CROISSANCE EST DITE PLANE
CROISSANCE DU SOLIDE et SURFUSION
SURFUSION CINETIQUE GRADIENT NÉGATIF DANS LE LIQUIDE
SOLIDE LIQUIDE T
Tl < TLS
QL
Température
Température
t TE
TLS
Gs
GL
Solide Germes stables dans le
TL GL < 0
liquide en surfusion
Distance x Distance
La protubérance se trouve
ΔT < 0 dans un liquide en surfusion
TL < TLS
ΔT ΔT
< 0 et plus élevé
ΔX ΔX
SURFUSION EN AVANT K s G s K L ⎛ ΔT ⎞
DE L’INTERFACE Vs = − ⎜ ⎟
L L ⎝ ΔX ⎠
Il y a amplification du plissage de l’interface LA CROISSANCE EST

Et croissance exagérée de la protubérance DITE DENDRITIQUE
CROISSANCE DU MÉTAL PUR
LE FRONT DE SOLIDIFICATION
Gradient positif Gradient négatif
SOLIDE LIQUIDE SOLIDE LIQUIDE

Température
Température
TL
TE TE
Solide Solide TL
GL > 0 GL < 0
Distance x Distance x
Croissance plane Croissance dendritique

LA CROISSANCE DENDRITIQUE
LA DENDRITE
Cristal initial qui se développe

sous la forme d un tronc primaire
puis de branches secondaires
Germe
Dendrites dans un alliage FeNi40
Axe
primaire
Grain
Axe
secondaire
Axe Joint de grain
tertiaire
CROISSANCE DENDRITIQUE
LA DENDRITE
TAILLE DE LA DENDRITE d SDAS = k t ns
Mesurée par la distance entre branches secondaires

Dépend de la durée de la solidification ts SDAS
DIRECTION DE CROISSANCE DE LA DENDRITE

métal cubique :
axe primaire // direction<100>
Liée à la croissance sur les sites de l ’interface
Elle suit certaines directions cristallographiques
Elle dépend
1. Du support (germination hétérogène sur paroi, inoculation)
2. De la direction d’écoulement de la chaleur (compétition)
ORIENTATION DES DENDRITES
Croissance Croissance
équiaxe colonnaire
CAS DES ALLIAGES
Etude des effets de la redistribution des éléments d’alliage
CROISSANCE DU SOLIDE LES EFFETS DIFFUSIONNELS
SOLIDIFICATION DANS LES CONDITIONS D ’ÉQUILIBRE T’

CONDITION D’ÉQUILIBRE : liquide
T0
Température
Température
Refroidissement très lent permettant une T
diffusion complète dans le solide et le liquide Tf
A
solide +
B
liquide
Exemple : Alliage AB monophasé de teneur nominale en B : C0
mB m B = M C0
C0 =
M solide
T0 : Germination Germes de teneur CS0
De T0 à TF : Intervalle de solidification CS0 CS C0 CL %B
T : Équilibre liquide/solide
Cs
Coefficient de partage k=
CL
Bilan de matière :
Solide de masse Ms m B = M C0
et de teneur CS Liquide de masse ML C L M L + C S M S = M C0
et de teneur CL mB = mBL + mBS = C L M L + C S M S
M s C L − C0
Partage et redistribution fraction solidifiée : fs = =
du soluté M C0 − C s
ALLIAGES : CROISSANCE DU SOLIDE
LES EFFETS DIFFUSIONNELS
Diffusion complète
SOLIDIFICATION DANS LES CONDITIONS D ’ÉQUILIBRE
dans le solide et le liquide
T0
C0
Température
CS 0
T’
Solide homogène Liquide homogène
liquide
Moins riche en B Légèrement enrichi T0
T T
Tf
CL
solide +
C0 liquide
CS
INTERFACE S-L
CS 0
solide
Tf
Solide homogène
de teneur C0 CS0 CS C0 CL %B
CS = C0
LA COMPOSITION DU SOLIDE FORMÉ

EST HOMOGÈNE À TOUT INSTANT
SOLIDIFICATION DANS LES CONDITIONS HORS D ’ÉQUILIBRE

Cas de la solidification équiaxe d’un alliage
AB monophasé de teneur nominale en B : C0
T0
L
Lorsque le refroidissement est
rapide la diffusion des éléments T
d’alliage dans le solide en
formation est limitée L+S
S
1 T0 : Début de la cristallisation :
Germes de teneur CS0
Cso Cs C0 Cl CE
liquide
2 T : Croissance du solide :
L’équilibre liquide/solide n’est réalisé qu’à
C
l’interface avec un coefficient de partage k = s
CL
LE SOLIDE A UNE
COMPOSITION
Cs
HÉTÉROGÈNE À
L’ÉCHELLE DU GRAIN
Cso

Cas de la solidification DIRIGÉE d’un alliage AB monophasé de teneur nominale en B : C0
La composition du liquide résiduel dépend des effets de convection : convection naturelle, brassage ?
AVEC BRASSAGE SANS BRASSAGE

1) L’homogénéisation complète
L’homogénéisation du liquide est possible du liquide n’est pas possible
2) La diffusion des éléments est possible à
courte distance (zone de diffusion)
Solide formé hétérogène
Solide formé hétérogène
Variation de la concentration
Liquide enrichi à l’interface
C*L CL
CL
C0 C0
Liquide enrichi Liquide initial

CS 0 homogène
loin de l’interface
CS 0
Position Position
SOLIDIFICATION DANS LES CONDITIONS HORS D ’ÉQUILIBRE LIQUIDE BRASSÉ
L
T0
L+S
T
Solidus
d’équilibre T’ Eutectique
Tf
Solide formé hétérogène Solidus S
fictif
Cso Cs C0 Cl CE
CL
C0
La composition moyenne du solide est
Liquide enrichi représentée par un solidus fictif
CS 0
L’intervalle de solidification est modifié
Position
t = 0 : liquide t > 0 : liquide + solide

Masse M MS ML
Fraction solide Fraction liquide

Teneur en B du liquide
Ms ML
mB fs = fL =
C0 = M M
M
Teneur en B du solide Teneur en B du liquide
mBS mBL
CB( S ) ( ou CS ) = CB( L ) ( ou CL ) =
Ms ML
Coefficient de partage à l interface
C
k= s
CL
BILAN DE MATIÈRE (cas d un alliage AB de teneur c0)
CONSERVATION DE B mB = mBL + mBS

t = 0 : liquide t > 0 : liquide + solide mBS

CS = dmBs = Cs dM s
Ms
Masse M MS ML
mBL
m CL = mBL = CL M L
C0 = B mB = C0 M
CL
ML
M
C0
Cs Cs = kCL
k=
CL
Ms
fs =
CLM L M
dmBs = Cs dM s
Ms
mBs = ∫0
Cs dM s
CE
Ms
CONSERVATION DE B mB = mBL + mBS = CL M L + ∫
0
CS dMS
C0 CS
C S = k C0 (1 − f s )
k −1
Équation de Scheil-Gulliver
Solide hétérogène
SOLIDIFICATION DANS LES CONDITIONS HORS D ’ÉQUILIBRE LIQUIDE NON BRASSÉ
T0 L
T
La diffusion des éléments est possible à courte distance L+S

dans la couche voisine de l’interface : couche de diffusion
S
Cso Cs C0 Cl CE
Le soluté est rejeté en avant de l’interface

Solide formé hétérogène Sa répartition est gérée par les lois de la diffusion
Liquide enrichi à l’interface dans le solvant
CL
C*L
CL
C0
Comment varie CL?
C*S
CS 0
Position
Liquide loin de
l’interface de
concentration C0
x
ÉTUDE QUANTITATIVE EN RÉGIME STATIONNAIRE
1° La vitesse de solidification R = dx/dt dC L (x , t ) dC L dx dC

est constante et représente la vitesse = =R L
dt dx dt dx dC (x , t ) d 2C ( x , t )
de rejet de l’élément d ’alliage R +D =0
dx dx 2
dC L (x , t ) d 2C L ( x , t )
2° C(x,t) solution de la 2ème loi de Fick = − DB / L
dt dx 2
CL
⎛ 1−k ⎛ R ⎞⎞
C L = C0 ⎜⎜ 1 + exp⎜ − x ⎟ ⎟⎟ couche de diffusion
⎝ k ⎝ D ⎠⎠
Teneur en élément d’alliage dans la

couche de diffusion
D x
Xd =
R
Hétérogénéité à l échelle de la pièce en solidification orientée
C0
CS 0
T0 L
T
L+S
S C*L
CL
Cso Cs C0 Cl CE C0
C*S
CS 0
LIQUIDE
REDISTRIBUTION DU SOLUTÉ :
DIFFUSION et BRASSAGE (convection)
C0
SOLIDE
SOLIDE HÉTÉROGÈNE
SÉGRÉGATION
LES PERTURBATIONS AU
NIVEAU DE L INTERFACE
C1 CL
liquide de plus en plus riche
COMPOSITION
C0
x
Température de liquidus
de plus en plus basse
CS 0 CS INTERFACE S-L
T LIQUIDUS
L
T0 T0
TEMPÉRATURE
T
TLIQUIDE
T1
L+S
T1
TSOLIDE
S Eutectique x
Cs CL CE La température du liquide devient inférieure à celle du liquidus

C0 C1
Il y a donc apparition d’une surfusion structurale
LA SURFUSION SRUCTURALE
♫ Les conditions de refroidissement imposent le gradient de température dans le liquide

♪ La variation de la composition du liquide modifie la température du liquidus
LA TEMPÉRATURE DE DÉBUT DE SOLIDIFICATION

Dans la zone perturbée, comparer
ET LA TEMPÉRATURE DU LIQUIDE
APPARITION D’UNE ZONE T LIQUIDUS TLIQUIDE

LIQUIDE EN SURFUSION
Surfusion = TLiquidus - TLiquide T0
TEMPÉRATURE
C’EST LA SURFUSION CHIMIQUE
Ou SURFUSION SRUCTURALE
∆T x
TSOLIDE
IL Y A LA POSSIBILITÉ D’UNE CROISSANCE DENDRITIQUE MÊME EN PRÉSENCE

D’UN GRADIENT DE TEMPÉRATURE POSITIF DANS LE LIQUIDE
Hétérogénéités à l échelle du cristal
T0 L
T
Cœur du cristal pauvre en élément d’alliage
L+S Périphérie du cristal riche en élément d’alliage
S
CsoCs C0 Cl CE
GRADIENT POSITIF DANS LE LIQUIDE /

SOLIDIFICATION et SURFUSION STRUCTURALE
CAS DES ALLIAGES
Hétérogénéités à l échelle du cristal
SOLIDE LIQUIDE
LA CROISSANCE
TL < TLS EST
Température
TLS DENDRITIQUE
TL
Solide
GL > 0
Distance x
Liquide
enrichi en
surfusion
LA SURFUSION STRUCTURALE Influence du gradient thermique

GL : Gradient de température dans le liquide (K/m)
TA T1 TE V : Vitesse de solidification (m/s)
T1-T2 : Intervalle de solidification de l’alliage
LIQUIDUS D : Coefficient de diffusion du soluté dans le métal de base
T2
SOLIIDUS Il y a surfusion en avant de l’interface (GL1) si
C0 G L T1 − T2
<
SOLIDE LIQUIDE VS D B/A
GL2
TEMPÉRATURE
G*L
GL1 Cette condition est réalisée dans la
plupart des alliages métalliques
TE =TLiquidus
TLiquide
CROISSANCE DENDRITIQUE
TAILLE DE LA DENDRITE d SDAS = k t ns
Mesurée par la distance entre branches secondaires

Dépend de la durée de la solidification ts SDAS
DIRECTION DE CROISSANCE DE LA DENDRITE

métal cubique :
axe primaire // direction<100>
Liée à la croissance sur les sites de l ’interface
Elle suit certaines directions cristallographiques
Elle dépend
1. Du support (germination hétérogène sur paroi, inoculation)
2. De la direction d’écoulement de la chaleur (compétition)
ORIENTATION DES DENDRITES
Croissance Croissance
équiaxe colonnaire
CROISSANCE / EN RÉSUMÉ
Pas de Dans ce cas, la croissance est contrôlée par

surfusion les seuls effets thermiques (voir cas métal pur) Croissance plane
Surfusion La surfusion concerne une très faible épaisseur

en avant du front de solidification
faible
Croissance cellulaire
Surfusion Avec un coefficient de diffusion D de l ordre de

10-9 m2/s, dans les conditions ordinaires d élaboration,
les alliages courants présentent un rapport
T1 − T2 GL ΔT
≈ 10 11 ≈ 1000 <
D V D
La condition de surfusion est souvent réalisée
Croissance dendritique
Exemples
FRONT DE SOLIDIFICATION ET
SURFUSION STRUCTURALE
liquide
Évolution du front de solidification

avec la vitesse de solidification en
présence d’un gradient thermique
de 110 °C/cm
SOLIDIFICATION PROGRESSIVE DANS LES

CONDITIONS HORS D ’ÉQUILIBRE
APPLICATION : CI
PURIFICATION DES MÉTAUX
C*
Solide homogène
contenant une impureté I 0
Zone fondue
C*
C*
0
SOLIDE HÉTÉROGÈNE 1 passe
CI
C*
n passes
0
LES STRUCTURES DE SOLIDIFICATION
ZONE DE PEAU
ZONE COLONNAIRE OU BASALTIQUE
ZONE ÉQUIAXE
LES STRUCTURES DE SOLIDIFICATION
TL TLS
Température
Température
TL TLS
Température
TL
TLS
- Inoculation
- Surfusion
COULÉE :
SURFUSION - Brassage
CINÉTIQE Dégagement de la
chaleur latente
Germination
intense NOUVELLE
Diminution de GERMINATION
la surfusion
FORMATION DE LA ZONE CROISSANCE FORMATION

DE PEAU COLONNAIRE D ’UNE ZONE ÉQUIAXE
STRUCTURES DE SOLIDIFICATION
FACTEURS FAVORABLES
À LA FORMATION
D ’UNE ZONE ÉQUIAXE
- Surchauffe faible
- Inoculation
- Brassage
- Surfusion structurale
LA SOLIDIFICATION EUTECTIQUE
MÉCANISME DE FORMATION DE L’EUTECTIQUE
DIFFÉRENTES MORPHOLOGIES D’EUTECTIQUE
SOLIDIFICATION EUTECTIQUE
MÉCANISME
DISTANCE INTER LAMELLAIRE
2λ
distance inter lamellaire

λ
Cte
λ2 =
Vsol
Vitesse de solidification
MORPHOLOGIES DE L’EUTECTIQUE
INTÉRÊT DES ALLIAGES

EUTECTIQUES
Température de fusion
la plus basse
Intervalle de solidification
Faible, voire nul
Interface plan
Défauts de solidification
limités
LA SOLIDIFICATION DIRIGÉE
PRINCIPE DU PROCÉDÉ
SELECTION DES DENDRITES
SOLIDIFICATION COLONNAIRE
SOLIDIFICATION MONO CRISTALLINE
LA SOLIDIFICATION DIRIGÉE
BUT : ORIENTATION DES DENDRITES
1. Choisir le support (germination hétérogène)
2. Orienter l’écoulement de la chaleur pour orienter la

croissance des dendrites
3. Éviter la formation de nouveaux germes (Pas de

surfusion structurale)
Chaleur
Solidification
Il faut réaliser les conditions de
la solidification colonnaire
Refroidisseur
CONDITIONS DE LA
SOLIDIFICATION COLONNAIRE
CONDITION DE FAIBLE SURFUSION
TA T1 TE
LIQUIDUS Cette condition peut être exprimée en

fonction de l’intervalle de solidification
T2
SOLIIDUS G L T1 − T2
≈
C0 V D
SOLIDE LIQUIDE
GL2
Condition réalisée si :
TEMPÉRATURE
G*L
TE =TLiquidus Le gradient de température dans le liquide est élevé
et si la vitesse de solidification est faible
TLiquide
GL : Gradient de température dans le liquide (K/m)

V : Vitesse de solidification (m/s)
T1-T2 : Intervalle de solidification de l’alliage
D : Coefficient de diffusion du soluté dans le métal de base
SOLIDIFICATION DIRIGÉE
DISPOSITIF
STRUCTURE
COLONNAIRE
SÉLECTION DES DENDRITES
STRUCTURE MONOCRISTALLINE

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SOLIDIFICATION DES MÉTAUX ET ALLIAGES

GERMINATION  Condition de stabilité des germes - Rôle de la surfusion

CROISSANCE DU SOLIDE  Croissance à l’échelle atomique : rôle de l ’interface solide-liquide

SOLIDIFICATION DIRIGÉE  Diffusion sans convection dans le liquide

SOLIDIFICATION EUTECTIQUE  Mécanisme de formation et morphologies des eutectiques

DÉFAUTS DE SOLIDIFICATION  Retassure et porosité

QUALITÉ DES PRODUITS DE MOULAGE

LES PROCESSUS À MAÎTRISER

À l ’échelle microscopique et - ÉCHANGES THERMIQUES MÉTAL - MOULE

- CROISSANCE ET PHÉNOMÈNES THERMIQUES

- CROISSANCE ET DIFFUSION ATOMIQUE

TRACÉ DES PIÈCES

CONCEPTION DU MOULE – NOYAUX

CAS D ’UN MÉTAL PUR

Chaleur spécifique Chaleur latente de Chaleur spécifique

CAS D’UN ALLIAGE

dégagement de T1 : Début de la solidification

SOLIDE GÉNÉRALEMENT HÉTÉROGÈNE

 Condition de stabilité des germes

 Germination homogène – germination hétérogène - inoculation

SOLIDIFICATION AVEC SURFUSION CINÉTIQUE

OÙ APPARAISSENT LES GERMES ?

OÙ APPARAISSENT LES GERMES ?

Formation d ’un germe « homogène » Énergie

Transformation Germe solide L ΔT

ÉNERGIE DE FORMATION DU GERME

Cas d’un germe sphérique de rayon r 4 π r3 2r

Cas d’un germe sphérique de rayon r

Un germe est stable si sa croissance conduit à une diminution de l’énergie

E2 > E1 Germes instables E 4 < E3

Diminuer la taille critique et l’énergie critique

Action sur la surfusion

La quantité de germes stables augmente avec la surfusion ΔT

Valeurs de la surfusion calculées en germination homogène : ∆T # 0,2 Tf (en K)

LA GERMINATION EST RAREMENT DE NATURE HOMOGÈNE

Diminuer l’énergie critique par germination hétérogène E * < E *( homo)

Action sur le support : inoculation

θ est l angle de contact métal / support

Pour des angles < 45° l’énergie de germination est négligeable:

LA GERMINATION EST LE PLUS SOUVENT DE NATURE HÉTÉROGÈNE

Il existe une taille critique des germes

RÔLE DE LA VITESSE DE REFROIDISSEMENT POUR

RÔLE DE L INOCULATION POUR

nombre de germes formés par unité de temps dn/dt

∆G* = Énergie de formation ∆GA = Énergie d’activation

probabilité d’existence probabilité de gagner

Vitesse de germination Temps

Peu de germes mais

Germes en nombre important

Nombreux germes Grain très fin

 Croissance à l’échelle atomique : Rôle de l ’interface solide-liquide

 Croissance à l ’échelle Effets thermiques

1) LA TRANSFORMATION LIQUIDE-SOLIDE MET EN JEU

-LA CROISSANCE DU SOLIDE Vitesse de

2) LA CINÉTIQUE DE LA SOLIDIFICATION DÉPEND DE

Vitesse de croissance : Surfusion Surfusion

À L’ÉCHELLE ATOMIQUE, LA CROISSANCE DES GERMES

EST CONTRÔLÉE PAR LA NATURE DE L’INTERFACE

Suivant la nature de l’alliage

La solidification conduit à un solide

Suivant la nature de l’alliage et sa composition Liquide

La solidification conduit d’abord à un

La microstructure est un mélange de

GERMINATION Condition de stabilité des germes - Rôle de la surfusion

CROISSANCE DU SOLIDE Croissance à l’échelle atomique : rôle de l ’interface solide-liquide

SOLIDIFICATION DIRIGÉE Diffusion sans convection dans le liquide

SOLIDIFICATION EUTECTIQUE Mécanisme de formation et morphologies des eutectiques

DÉFAUTS DE SOLIDIFICATION Retassure et porosité

Condition de stabilité des germes

Germination homogène – germination hétérogène - inoculation

Croissance à l’échelle atomique : Rôle de l ’interface solide-liquide

Croissance à l ’échelle Effets thermiques