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Samsung lanza su primer Z-SSD: más rápido que

los Intel Optane
Escrito por Juan Diego de Usera 30 de enero de 2018 a las 13:00

3-4 minutos

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Samsung acaba de presentar su nuevo SSD denominado Samsung

ZS985 Z-SSD. Este nuevo modelo cuenta con una capacidad interna de
800 GB y monta la nueva memoria Z-NAND que se caracteriza por
ser hasta tres veces más rápida que la actual memoria V-NAND
que el fabricante está empleando ahora mismo en los SSD que está
sacando al mercado.

Desarrollado por completo durante el pasado año 2017, el nuevo

Samsung ZS985 Z-SSD está pensado para proveer un medio de
almacenamiento y caché para aplicaciones que requieren una
caché de datos de muy alta velocidad, como pueden ser las
aplicaciones actuales de Inteligencia Arti�cial, los centros de Big Data
o aplicaciones del Internet de las Cosas que requieren conexiones a
datos veloces, �ables y de muy baja latencia.

Dado el incremento exponencial que estamos viendo en el desarrollo

de aplicaciones para los segmentos antes mencionados, no es de
extrañar que cada vez salgan más SSDs que quieran capitalizar este
sector. Un sector que, hasta este momento, era el campo de juego de
los actuales Intel Optane con su veloz arquitectura interna y memoria
NAND. Pero parece que Samsung ha invertido bien el tiempo desde
que éste se presentó a la hora de crear un nuevo dispositivo que es
todavía más rápido que le modelo de Intel y que le puede crear no
pocos quebraderos de cabeza.

El Samsung ZS985 Z-SSD es el SSD más

rápido del mundo
El nuevo Z-SSD de un solo puerto y cuatro carriles emplea, como ya he
comentado, los chips Z-NAND que proporcionan un rendimiento de
lectura de cada célula hasta 10 veces mayor que los chips V-NAND de
3 bits, junto con una RAM LPDDR4 de 1,5 GB y un controlador de alto
rendimiento. Armado con algunos de los componentes más avanzados
de la industria, el Z-SSD de 800 GB tiene un rendimiento de lectura
aleatoria 1.7 veces más rápido (llegando hasta los 750K IOPS), y
cinco veces menos latencia de escritura (16 microsegundos), en
comparación con un NVMe SSD PM963, basado en 3 bits de chips
V-NAND. El Z-SSD también ofrece una velocidad de escritura aleatoria
de hasta 170K IOPS, que es quizás donde �ojea un poco.

Debido a su alta con�abilidad, el Z-SSD de 800 GB garantiza hasta 30

grabaciones de unidad por día (DWPD) durante cinco años, o un total
de 42 petabytes. Eso se traduce en el almacenamiento de un total de
aproximadamente 8,4 millones de películas full HD de un tamaño de
5GB durante un período de cinco años. La con�abilidad del nuevo
Z-SSD destaca aún más por un tiempo medio entre fallos (MTBF) de
dos millones de horas.