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Introducción

El MOSFET de enriquecimiento está normalmente en corte cuando la tensión de


puesta es cero. La única forma de obtener corriente es mediante una tensión de
puerta positiva. Cuando la puerta es positiva, atrae electrones libres dentro de la
región p, y éstos se recombinan con los huecos cercanos al dióxido de silicio.
Cuando la tensión de puerta es lo suficientemente positiva, todos los huecos
próximos al dióxido de silicio desaparecen y los electrones libres empiezan a
circular desde la fuente hacia el drenador. Esta capa conductora se denomina
capa de inversión tipo n. Cuando existe, los electrones libres pueden circular
fácilmente desde la fuente hacia el drenador. Cuando VGS=0, el MOSFET de
enriquecimiento está en corte al no haber canal de conducción entre la fuente y el
drenador. Bajo el terminal de Puerta existe una capa de óxido (SiO2) que impide
prácticamente el paso de corriente a su través; por lo que, el control de puerta
se establece en forma de tensión. La calidad y estabilidad con que es posible
fabricar estas finas capas de óxido es la principal causa del éxito alcanzado
con este transistor, siendo actualmente el dispositivo más utilizado. Además,
este transistor ocupa un menor volumen que el BJT, lo que permite una mayor
densidad de integración. Comencemos con la estructura básica del MOSFET,
seguido de sus símbolos.
Se trata de una estructura MOS, de cuatro terminales, en la que el substrato
semiconductor es de tipo p poco dopado. Los circuitos de polarización típicos
para MOSFET enriquecido, son similares al circuito de polarización utilizados
para JFET. La principal diferencia entre ambos es el hecho de que el MOSFET
de enriquecimiento típico sólo permite puntos de funcionamiento con valor positivo
de VGS para canal n y valor negativo de VGS para el canal p. Para tener un valor
positivo de VGS de canal n y el valor negativo de VGS de canal p, es adecuado
un circuito de auto polarización. Por lo tanto, hablamos de recorte de
realimentación y circuito divisor de tensión para mejorar el tipo MOSFET.

http://esimerobotica.tripod.com/MOSFET2.pdf

http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-transistor-mosfet
conclusiones

Cuando VGS=0, el MOSFET de enriquecimiento está en corte al no haber canal


de conducción entre la fuente y el drenador

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