UVOD

Svi inženjeri imaju svakodnevno posla sa materijalima. Oni izraðuju i obraðuju materijale,
projektuju komponente i strukture korišæenjem materijala, vrše izbor odgovarajuæih materijala,
analiziraju defekte u materijalima, ili prosto veruju da æe korišæeni materijali adekvatno
funkcionisati.
Kao odgovorni inženjeri, zainteresovani smo za poboljšanje proizvoda koje projektujemo ili
izraðujemo. U tu svrhu, neophodno je poznavati vezu primena-karakteristike-struktura/sastav-
sinteza/obrada. Promenom jednog od ta èetiri faktora, jedan ili nekoliko preostalih se takoðe menja.
Zato je neophodno odrediti kako su ta èetiri faktora meðusobno povezana, da bi se konaèno dobio
željeni proizvod.
Primena. Elektrotehnièki materijali se prema primeni mogu podeliti, u širem smislu, na
poluprovodnike, provodnike, superprovodnike, magnetike i dielektrike. Poluprovodnici se
primenjuju za izradu mikroelektronskih i optoelektronskih kola, sa daljom aplikacijom u
kompjuterskoj tehnici, telekomunikacijama, industrijskoj i mernoj elektronici, HI-FI tehnici itd.
Provodnici se uglavnom koriste za izradu provodnih žica u izolovanim provodnicima i kablovima,
provodnih veza u mikroelektronskim kolima, otpornika, grejaèa, termospregova za merenje
temperature, topljivih osiguraèa, elektriènih kontakata, lemova, baterija i akumulatora.
Superprovodnici služe za izradu superprovodnih namotaja snažnih elektromagneta i generatora, kao
i Džozefsonovih mernih naprava ultravisoke taènosti, sa perspektivama dalje primene za
superprovodne pogone, kablove za prenos energije bez gubitaka, i još mnoge druge koje bi mogle
doneti novu revoluciju u elektrotehnici. Dielektrici se pretežno koriste kao izolacija kablova i
energetskih postrojenja, ali i za izradu prikljuènica, optièkih kablova, kondenzatora, teènokristalnih
displeja, piezoelektriènih pretvaraèa i dr. Magnetici se primenjuju za izradu jezgara elektriènih
mašina, stalnih magneta za energetiku, elektroniku, mernu i HI-FI tehniku, kao i memorijskih
elemenata.
Karakteristike. Karakteristike materijala mogli bi smo podeliti u dve kategorije: fizièke i
mehanièke.
Fizièke karakteristike, koje ukljuèuju elektrièno, toplotno, optièko, dielektrièno, magnetno i
hemijsko ponašanje, zavise i od strukture/sastava i od sinteze/obrade materijala. Èak i male promene
u sastavu prouzrokuju znaèajne promene u elektriènoj provodnosti mnogih poluprovodnièkih
materijala; male kolièine neèistoæa menjaju boju stakla ili polimera. Odstupanje od optimalne
temperature sinterovanja magnetnih keramika pogoršava njihova svojstva; slièno važi i za
superprovodne materijale. Osim toga, hemijska degradacija materijala znaèajno zavisi od defekata u
njihovoj strukturi.
Mehanièke karakteristike opisuju kako materijal reaguje na primenjenu silu. Najznaèajnije
mehanièke karakteristike su èvrstoæa, plastiènost, tvrdoæa, žilavost, elastiènost i zamor.
Konstrukcioni materijali moraju u fazi izrade delova razlièitih oblika biti dovoljno plastièni, da bi
potom pogodnim termièkim tretmanom postali iznutra dovoljno èvrsti, žilavi i otporni na zamor, ali
ponekad i površinski tvrdi, kako bi zadržali stalni oblik pri eksploataciji; isto se može postiæi
kombinovanjem dvaju materijala potrebnih svojstava.

1
 Struktura/Sastav. Sastav materijala, odreðen njihovom hemijskom kompozicijom, diktira
njihove fizièke i mehanièke osobine, a nameæe i metode sinteze i obrade, kao i njihovu primenu.
Gasovi veæ na nivou molekula imaju zasiæene kovalentne hemijske veze izmeðu atoma, što
ne favorizuje njihovo udruživanje u teènu ili èvrstu formu; tek pri nižim temperaturama ili višim
pritiscima dolazi do formiranja slabih sekundarnih hemijskih veza izmeðu molekula, i kondenzacije
gasova u teènu ili èvrstu formu. Zbog stabilne hemijske strukture molekula gasova, sa èvrsto
vezanim valentnim elektronima, gasoviti materijali su elektrièni i toplotni izolatori. Ovo važi i za
neke teènosti, poput ulja, mada vodeni rastvori kiselina, baza i soli, tzv. elektroliti, predstavljaju
provodnike elektriène struje zbog disocijacije molekula u pozitivne i negativne jone.
Najveæi broj materijala u elektrotehnici primenjuje se u èvrstoj formi. Ovo stanje, najèešæe
velike mehanièke èvrstoæe i termièke stabilnosti, rezultat je jakih meðuatomskih hemijskih veza:
kovalentnih, jonskih ili metalnih. Kovalentne veze karakteristiène su za polimerne makromolekule;
osim toga one su dominantne i u poluprovodnicima, pošto dodavanje donorskih ili akceptorskih
primesa dovodi do formiranja nezasiæenih kovalentnih veza, koje su veoma pokretne pod dejstvom
elektriènog polja. Zbog zasiæenosti i usmerenosti kovalentnih veza, nastalih sparivanjem valentnih
elektrona susednih atoma, materijali sa èisto kovalentnim vezama se ne mogu plastièno deformisati,
usled nemoguænosti nedestruktivne promene rasporeda atoma. Jonske veze poseduju dielektrièni
kristali i keramike, sa èvrsto lokalizovanim elektronima na pozitivnim i negativnim jonima, zbog
èega su slabi provodnici elektriciteta i toplote; pošto se joni meðusobno èvrsto drže u materijalu
elektrostatièkim silama, ovi materijali se ne mogu plastièno deformisati, zbog nemoguænosti
nedestruktivnog narušenja lokalne elektrostatièke neutralnosti materijala. Metalne veze su odlika
metala, kod kojih su pozitivni joni okruženi osloboðenim valentnim elektronima, formirajuæi
elektrièno stabilnu strukturu. Zbog slobodnih valentnih elektrona, ovi materijali su dobri elektrièni i
toplotni provodnici, ali su i mehanièki lako obradivi (plastièni) jer svaka deformacija u rasporedu
jona u metalu brzo dovodi do pregrupisavanja slobodnih elektrona i postizanja nove lokalne
elektriène neutralnosti materijala.
Ukoliko je raspored atoma ili jona u materijalima sa pomenuta tri tipa hemijskih veza
pravilan, reè je o monokristalima. Monokristalna forma je posebno znaèajna za fizièke
karakteristike poluprovodnika, pošto znaèajno poveæava brzinu kretanja elektrona ili šupljina u
njima, odnosno brzinu rada mikroelektronskih poluprovodnièkih kola (èipova). Pošto se
monokristali teško izraðuju u složenijoj makroskopskoj formi (žice, folije, limovi i sl.), to se metali,
superprovodnici i neki dielektrici (kondenzatorske keramike) izraðuju u polikristalnoj formi, koja
predstavlja zrnastu strukturu meðusobno haotièno orijentisanih mikroskopskih monokristala
(kristalita). Granice kristalnih zrna predstavljaju prepreku pri mehanièkoj deformaciji metala, pa
zato sitnozrnasta struktura obezbeðuje veæu mehanièku èvrstoæu i tvrdoæu, dok krupnozrnasta
struktura obezbeðuje veæu plastiènost i žilavost metala.
Neki èvrsti materijali nemaju ni monokristalnu ni polikristalnu strukturu, i oni spadaju u
nekristalne materijale. Takvi su amorfni materijali (sa strukturom pothlaðene teènosti), polimeri (sa
dugolanèanim makromolekulima, meðusobno povezanim slabim ili jakim hemijskim vezama, što
obezbeðuje veliku elastiènost nekih polimera) i teèni kristali (sa parakristalnom strukturom, izmeðu
kristala i teènosti, u kojoj se kruti dugolanèani molekuli meðusobno drže slabim hemijskim
vezama). Amorfnu strukturu imaju kvarcna optièka vlakna, kao i neki magnetni materijali, dok
polimernu strukturu imaju termoplasti (odlièni izolatori), duroplasti (tvrde plastike) i elastomeri
(gume), kao i neki novi organski poluprovodnici i provodnici; teènokristalna struktura obezbeðuje
neobiènu kombinaciju optièkih i elektriènih svojstava nekih organskih materijala. U nekristalne
strukture mogu se uvrstiti i kompoziti, koji predstavljaju kombinaciju žilave matrice jednog
materijala i tvrde ili èvrste granularne, vlaknaste ili slojevite faze drugog materijala (metala,
keramike, polimera).
Sinteza/obrada. Veæina materijala se dobija hemijskom preradom ruda ili nafte, uz neke
dodatne hemijske sinteze. Po dobijanju materijala željenog hemijskog sastava, pristupa se postupku
obrade materijala u cilju dobijanja završnog proizvoda. U ove postupke spadaju rast monokristala
(debeloslojnih i tankoslojnih, u mikroelektronskoj tehnologiji), sinterovanje (keramika i
kompozita), livenje (metala, keramika, polimera, kompozita), oblikovanje (presovanje, izvlaèenje,
valjanje, savijanje i kovanje metala, ekstruzija polimera), rezanje (struganje, glodanje, brušenje,
bušenje, rezanje navoja metala), spajanje (zavarivanje, lemljenje, zakivanje metala), termièka
obrada (kaljenje, oporavljanje, rekristalizacija metala, kojima se kontroliše velièina zrna, broj
defekata u strukturi i mehanièka svojstva metala), termohemijska obrada (cementacija, nitriranje

2
metala, titan-nitriranje, siliciranje, hromiranje, alitiranje, za otvrdnjavanje površine mašinskih
delova izloženih habanju), hemijska obrada (niklovanje i hromiranje metala, radi zaštite od
korozije), itd.
Karakteristike i struktura elektrotehnièkih materijala odluèujuæe odreðuju njihovu primenu i
tehnološke postupke izrade. Zato æe najpre biti razmotreni teorijski osnovi strukture i karakteristika
elektrotehnièkih materijala.
U Gl. 1 biæe razmotrena struktura èvrstih kristalnih materijala (veoma znaèajna za rad
savremenih elektronskih naprava), dok æe Gl. 4 biti posveæena strukturi èvrstih nekristalnih
materijala (koja takoðe predstavlja znaèajan kvalitet u nekim aspektima primene u elektrotehnici).
O eksperimentalnim metodama karakterizacije materijala biæe reèi u Gl. 5.
Za objašnjenje transportnih, elektriènih i toplotnih svojstava provodnika dovoljna je primena
uprošæenog modela negativno naelektrisanog elektronskog gasa u polju pozitivno naelektrisanih
jona u kristalu, što je pokazano u Gl. 2. Osim toga, ovaj model omoguæava prirodnu podelu
materijala na provodnike, poluprovodnike i dielektrike, kao i objašnjenje kontaktnih svojstava
razlièitih tipova poluprovodnièkih spojeva.
Ipak mnoge karakteristike èvrstih tela ne mogu se objasniti u okviru pomenutog modela
elektronskog gasa. Za objašnjenje toplotne provodnosti dielektrika, visokotemperaturskog
mehanizma elektriène otpornosti materijala, kao i dielektriènih, optièkih, magnetnih i
superprovodnih osobina materijala - neophodno je uzeti u obzir i dinamiku jona u materijalu i/ili
njihovu interakciju sa elektronima, kao i interakcije izmeðu samih elektrona (koje se zanemaruju u
modelu elektronskog gasa), o èemu æe biti reèi u Gl. 3.
Uporedne karakteristike elektrotehnièkih materijala date su u Gl. 6, gde su razmotrena
svojstva i primene poluprovodnika, provodnika, dielektrika, magnetika i superprovodnika. Dodaci
D.4-10 sadrže detaljnije tablice uporednih karakteristika pojedinih tipova materijala.
Dodajmo da je u Dodacima D.1-2 dat repetitorijum iz kvantne mehanike i statistièke fizike,
kao i skup osnovnih znanja iz ovih oblasti neophodnih za razumevanje fizièkih karakteristika
elektrotehnièkih materijala. Èitaocima koji nemaju prethodna znanja iz kvantne mehanike i
statistièke fizike preporuèuje se da prvo prouèe Dodatke D.1-2, pa da potom poènu sa izuèavanjem
osnovnog udžbenièkog materijala.
Konaèno, u Dodatku D.3 dat je repetitorijum iz fizièke elektronike poluprovodnika, koji
pokriva razlièite poluprovodnièke strukture, i znaèajan je za razumevanje inženjeringa i primene
poluprovodnièkih materijala.

3
 1 STRUKTURA ÈVRSTIH KRISTALNIH MATERIJALA

Èvrsto stanje je jedan od oblika u kome se pojavljuje materija. Veæina materijala može se
dobiti u èvrstom stanju, pa èak i gasovi, ako se rashlade na dovoljno niske, bliske apsolutnoj nuli,
temperature1). Iz molekularne fizike poznato je da se èvrsto stanje odlikuje prostorno periodiènim
rasporedom strukturnih jedinica (atoma, jona ili molekula)2). Spoljašnje ispoljavanje takvog pravilnog
rasporeda strukturnih jedinica je pravilna geometrijska forma - kristal. Ako su strukturne jedinice
savršeno pravilno rasporeðene u celoj zapremini posmatranog tela, tada se za njega kaže da je
monokristal. Na Sl. 1.1(a) i (b) prikazan je dvodimenzioni model raspodele atoma kristala, ako rešetka
sadrži jednu, odnosno dve vrste atoma.

Sl. 1.1 Dvodimenzioni model kristala sa (a) jednom i (b) dve vrste atoma.
Spoljašnji oblik kristala je u vidu poliedara, koji se prema ispoljenoj makrosimetriji dele na 32
klase. Ako se, pak, posmatra mikrosimetrija kristala (simetrija kristalnih struktura) svi kristali se mogu
klasifikovati u 230 prostornih grupa. Prostornoj strukturi kristala posveæen je Od 1.1.
Pravilna geometrijska forma kristala posledica je zakonomerne raspodele fizièkih interakcija
izmeðu strukturnih jedinica (atoma, jona ili molekula) u kristalu. Prikaz razlièitih vrsta fizièkih
interakcija izmeðu strukturnih jedinica u kristalu, koje se obièno nazivaju hemijskim vezama, dat je u
Od. 1.2.
Savršeno pravilna geometrijska forma kristala je idealizacija. Realan kristal sadrži i razne vrste
nesavršenosti (defekte), prisutne u manjem ili veæem stepenu, opisane u Od. 1.3. Jedan od oblika
nesavršenosti je i pojava veæeg broja razlièito orijentisanih kristalnih zrna, unutar kojih postoji pravilan
raspored strukturnih jedinica. Dimenzije ovih kristalnih zrna su bar stotinak meðuatomskih rastojanja,
a ovakav materijal naziva se polikristal.

1)
Neke od gasova neophodno je podvrgnuti i povišenom pritisku (npr. helijum prelazi u èvrsto stanje pri T=1,45 K i
p=37@10 5 Pa).
2)
O èvrstim materijalima koji ne poseduju prostorno periodièni raspored strukturnih jedinica biæe reèi u Gl. 4.

4
 1.1 PROSTORNA STRUKTURA KRISTALNIH TELA
Kristali3) imaju pravilnu geometrijsku formu, koja se matematièki izražava odreðenom vrstom
simetrije. Klasifikacija kristala prema vrstama simetrije vrši se matematièkim metodama teorije grupa.
U nastavku odeljka biæe opisane razlièite simetrije kristala, kao i metodologija njihove klasifikacije.
Takoðe, biæe dat detaljan prikaz nekoliko kristalnih struktura koje su najzastupljenije u prirodi.

1.1.1 Translaciona simetrija

U uvodnom delu veæ je reèeno da je pravilna forma kristala posledica zakonomernog rasporeda
strukturnih jedinica (atoma, jona ili molekula), odnosno simetrija odreðenog tipa. Ove simetrije mogu
biti raznolike, ali ipak za sve kristale je zajednièka prostorna periodiènost. Drugim reèima, kristali
poseduju translacionu simetriju.
Periodièan raspored geometrijskih taèaka (koje šematski predstavljaju ravnotežne položaje
strukturnih jedinica u kristalu), smeštenih u prostoru na takav naèin da svaka taèka ima identièno
okruženje, naziva se kristalna rešetka (ponekad se naziva i Braveovom (Bravais) rešetkom). Jasno je
da translaciona simetrija (i sa njom povezana kristalna rešetka) predstavlja izvesnu idealizaciju, pošto
se pri tome zanemaruju toplotna kretanja atoma (koja postoje i na temperaturi apsolutne nule) i
konaène razmere kristala. No, za mnoga pitanja ta idealizacija je nebitna.
Ako se u proizvoljnu taèku rešetke (ove taèke obièno se nazivaju èvorovima) postavi
koordinatni poèetak i izaberu tri nekomplanarna vektora koji povezuju tu taèku sa tri druge taèke
rešetke, onda je oèigledno da se bilo koja druga taèka rešetke može dosegnuti linearnom kombinacijom
ta tri vektora. Posebno, ako se svaki èvor rešetke može dosegnuti pomoæu vektora translacije

(1.1)

onda se ai (i=1,2,3) nazivaju primitivnim vektorima. Ovi vektori definišu važan deo prostora poznat kao
primitivna æelija kristalne rešetke; ova primitivna æelija pridružena je samo jednom èvoru rešetke.
Njen znaèaj je u tome što se ceo prostor može reprodukovati beskonaènim ponavljanjem primitivnih
æelija, èija je zapremina
(1.2)

Treba istaæi izvestan aspekt proizvoljnosti pri izboru primitivne æelije kristalne rešetke. Za
kristalnu rešetku prikazanu na Sl. 1.2(a), data su tri tipa primitivne æelije na Sl. 1.2(b). Svaka od njih
može biti ravnopravno korišæena kao primitivna æelija, jer je svaka pridružena samo jednom èvoru
rešetke i obrazuje najmanju moguæu zapreminu datu izrazom (1.2).

3)
Ubuduæe, ako drugaèije nije reèeno, pod kristalom æe se podrazumevati monokristal.

5
 Sl. 1.2 Kristalna rešetka (a) može imati više tipova primitivnih æelija (b).
Na Sl. 1.3(a) i (b) prikazane su primitivne æelije površinskicentrirane i prostornocentrirane
kubiène kristalne rešetke4). Sa ovih slika vidi se da primitivne æelije koje imaju oblik paralelopipeda,
nemaju simetriju kocke, koju inaèe poseduje kristalna rešetka). U ovim sluèajevima mogu se izabrati
drugi vektori koji definišu elementarnu æeliju, koja ima simetriju kristalne rešetke (ovi vektori ai su
meðusobno ortogonalni i usmereni duž tri ivice kocke, Sl. 1.3(a) i (b)), primitivna jer sadrži više od
jednog èvora kristalne rešetke. Ponekad je izbor elementarnih æelija korisniji jer one poseduju
unutrašnju simetriju rešetke.

Sl. 1.3 Primitivne æelije (a) površinskicentrirane i (b) prostornocentrirane kubiène rešetke.
Uprkos reèenom, izvesni problemi zahtevaju korišæenje alternativne primitivne æelije koja
poseduje punu simetriju rešetke. Æelija tog tipa može se konstruisati polovljenjem ortogonalnim
ravnima svih linija koje spajaju dati èvor sa susednim; odgovarajuæu æeliju formiraju preseène ravni.
Ovaj tip primitivne æelije naziva se Vigner-Zajcova (Wigner-Seitz) æelija i ona je ilustrovana na Sl.
1.4(a)-(c) za dvodimenzionu rešetku, prostornocentriranu i površinskicentriranu kubiènu rešetku.
Treba pomenuti da se èesto koristi i termin jedinièna æelija, kao zajednièki za primitivnu i
elementarnu æeliju, jer ponekad poslednje dve nije nužno razlikovati.
S obzirom da èvrsto telo nije niz geometrijskih taèaka, rešetka se u fizièkom smislu može bolje
razumeti ako se neki strukturni motiv, sastavljen od atoma ili jona, pridruži svakom èvoru rešetke na
istovetan naèin. Time se dobija kristalna struktura. Ako je, na primer, kristalna rešetka data na Sl.

4)
O vrstama kristalnih rešetki biæe detaljnije govora u Od. 1.1.4 (v. i Sl. 1.14).

6
 Sl. 1.4 Vigner-Zajcove primitivne æelije (a) dvodimenzione rešetke, (b) prostornocentrirane i (c)
pobršinskicentrirane kubiène rešetke.
1 . 5 (a ), a s t rukturni motiv je 0E, tada kristalna struktura ima izg le d
prikazan na Sl. 1.5(b), gde je svakom èvoru rešetke pridružen strukturni motiv od po dva atoma 0E) koji
uvek treba da budu isti po rasporedu i orijentaciji.

Sl. 1.5 Prikaz (a) dvodimenzione kristalne rešetke i (b) odgovarajuæe kristalne strukture sa
dvoatomskim bazisom 0E pridruženim svakom èvoru.
Kristalne strukture se dele na proste i složene, prema tome da li strukturni motiv sadrži jedan
ili više atoma. Složene strukture mogu se zamisliti kao nekoliko prostih, pomerenih na odreðen naèin
jedna u odnosu na drugu. Iz prethodno reèenog sledi da prosta kristalna struktura ima primitivnu æeliju
koja sadrži jedan atom, dok primitivna æelija složene kristalne strukture sadrži onoliki broj atoma koliko
ih ima strukturni motiv. Èesto se kaže da složene kristalne strukture imaju bazis, koji je odreðen brojem
i položajem atoma u strukturnom motivu. Na taj naèin, primenjujuæi na jedan èvor kristalne rešetke,
kome je pridružen bazis (strukturni motiv), skup svih operacija translacione simetrije (izraz (1.1)), može
se generisati složena kristalna struktura.

1.1.2 Reciproèna rešetka. Prva Briluenova zona. Milerovi indeksi

U prethodnom odeljku definisana je translaciona simetrija kristala i s njom u vezi pojam
kristalne, odnosno Braveove rešetke. Translaciona simetrija rešetke nameæe periodièan oblik mnogim
fizièkim velièinama koje opisuju kristalnu strukturu (jedna od takvih velièina je potencijalna energija
kristala U(r)). Takve periodiène velièine, s periodima ai (i=1,2,3) rešetke,
(1.3)

7
gde je R dato izrazom (1.1), mogu se razviti Furijeov (Fourier) red

(1.4)

S obzirom na periodiènost funkcije U(r) (izraz (1.3)), iz (1.4) sledi da mora biti exp(iKR)=1,

tj. (m-ceo broj), za sve celobrojne vrednosti n1, n2 i n3. Ovo je

kada je
(1.5)

Tri skalarne jednaèine (1.5) odreðuju u potpunosti vektor K, za koji se dobija izraz (v. Zad 1.1)

(1.6)

gde su uvedeni novi vektori:

(1.7)

Pri tome je korišæena èinjenica da mešoviti proizvod primitivnih vektora ai (i=1,2,3) daje zapreminu
primitivne æelije V0 (izraz (1.2)). Iz izraza (1.7) oèigledno je da vektori Ai zadovoljavaju relaciju

(1.8)

gde je korišæen Kronekerov (Kronecker) simbol äij. Vektori Ai (i=1,2,3) i K imaju dimenziju reciproène
dužine l-1; ako se vektori Ai (i=1,2,3) definišu kao primitivni vektori u novom reciproènom prostoru,
onda vektor K predstavlja vektor translacije u tom prostoru (v. izraz (1.6)). Vektorom K može se
dosegnuti svaki èvor reciproène rešetke, baš kao što se vektorom R može dosegnuti svaki èvor
kristalne rešetke5). Paralelepiped, formiran na vektorima Ai, naziva se primitivna æelija reciproène
rešetke; može se pokazati (v. Zad. 1.2) da je njena zapremina jednaka [A1A2A3]=2ð/V0, gde je
V0=[a1a2a3] zapremina primitivne æelije direktne rešetke. Kao i u direktnom prostoru, primitivna æelija
u reciproènom prostoru može se izabrati da ima punu simetriju rešetke; ova Vigner-Zajcova æelija u

5)
Treba napomenuti da se kristalna rešetka, koja odgovara datoj reciproènoj rešetki, naziva i direktnom rešetkom i
da je reciproèna rešetka specifièna za svaki tip Braveove rešetke.

8
reciproènom prostoru odreðuje tzv. prvu Briluenovu (Brillouin) zonu (v. Zad. 1.3, gde je ovo
ilustrovano na primeru dvodimenzione kvadratne rešetke).
Fizièki smisao prve Briluenove zone postaje jasan ako se posmatra talasna funkcija elektrona
u kristalnoj rešetki. Ona ima oblik tzv. Blohovih funkcija (Bloch) [1]6)

(1.9)

gde je uk(r) preiodièna funkcija, s periodom rešetke:

(1.10)

Izraz (1.9) pokazuje da je talasna funkcija elektrona, koji se kreæe u periodiènom elektriènom polju
kristala, modulisani ravanski talas. Vektor k naziva se kvazitalasnim vektorom, jer nije jednoznaèno
odreðen (za razliku od sluèaja slobodnog elektrona). Naime, kombinujuæi (1.9) i (1.10) dobija se
(1.11)

Ako se u (1.11) izvrši smena k6k+K, gde je K vektor translacije reciproène rešetke (izraz (1.6)), tada
se korišæenjem (1.1), (1.6) i (1.8) vidi da talasna funkcija elektrona (1.11) ostaje neizmenjena. To znaèi
da su fizièki neekvivalentne vrednosti kvazitalasnog vektora odreðene unutrašnjošæu primitivne æelije
reciproène rešetke (k=q1A1+q2A2+q3A3, gde je 0#qi#1 (i=1,2, 3)), dok su sve ostale taèke (kN=k+K)
reciproènog prostora fizièki ekvivalentne. Pošto prva Briluenova zona i predstavlja primitivnu æeliju
reciproène rešetke (nije suštinski što je to Vigner-Zajcova primitivna æelija), to je sada sasvim jasan
njen fizièki znaèaj: vrhovi svih fizièki neekvivalentnih vektora k leže unutar prve Briluenove zone! Zato
se preostala oblast k-prostora (ostale Briluenove zone) može preslikati na prvu Briluenovu zonu (v. Zad.
1.3 za sluèaj dvodimenzione kvadratne rešetke, i Od. 2.1 za jednodimenzioni sluèaj).
Pored pomenutog objašnjenja vezanog za fizièki znaèaj prve Briluenove zone, koja predstavlja
Vigner-Zajcovu primitivnu æeliju reciproène rešetke, znaèaj reciproène rešetke je veliki i u rešavanju
mnogih drugih fizièkih problema (teorija difrakcije talasa u kristalu itd.) Uopšte, analitièki opis kristala
može se znatno uprostiti ako se koristi pojam reciproène rešetke [2]. U nastavku æe biti pokazano da
postoji tesna veza meðu vektorima reciproène rešetke i atomskim ravnima direktne rešetke.
Atomska ravan neke Braveove rešetke je ravan koja sadrži najmanje tri nekolinearna èvora
rešetke. Oèigledno je, zbog translacione simetrije Braveove rešetke, da proizvoljna takva ravan sadrži
beskonaèno èvorova rešetke, koji obrazuju u toj ravni dvodimenzionu Braveovu rešetku. Mnoštvo
paralelnih meðusobno jednako udaljenih atomskih ravni èini skupinu ekvivalentnih ravni, koje zajedno
sadrže sve taèke trodimenzione Braveove rešetke. Jasno je da razbijanje na skupine ekvivalentnih
atomskih ravni nije jednoznaèno, pa je nužna njihova klasifikacija. Ona se ostvaruje pomoæu tzv.
Milerovih (Miller) indeksa (hkl), koji se definišu na sledeæi naèin: neka jedna od atomskih ravni, iz
svoje skupine, odseca tri odseèka s1, s2 i s3 (merenim u jedinicama a1, a2 i a3) na koordinatnim osama
a1, a2 i a3. Formirajuæi odnos reciproènih vrednosti odseèaka, a potom ga izražavajuæi preko odnosa tri
najmanja cela broja, dobijaju se Milerovi indeksi (hkl): h:k:l =s1-1:s2-1:s3-1. Na Sl. 1.6(a)-(c) data su tri
predstavnika skupina ravni oznaèenih Milerovim indeksima (100), (110) i (111), za prostu kubiènu
Braveovu rešetku.
Ukoliko je zbog simetrije odgovarajuæe Braveove rešetke više neparalelnih skupina atomskih
ravni fizièki ekvivalentno (na primer, u prostom kubiènom kristalu skupine (100), (010) i (001) su
ekvivalentne), tada se koristi simbol {hkl} (u malopreðašnjem primeru {100}).
Sada æe biti pokazano da je vektor reciproène rešetke Khkl=hA1+kA2+lA3 normalan na ravan sa
Milerovim indeksima (hkl). Oèigledno da krajevi vektora a1/h, a2/k i a3/l leže u ravni (hkl) pa zato

6)
Elektronska gustina u kristalu, ñ(r) srazmerna je verovatnoæi nalaženja elektrona u okolini taèke r, koja je u
kvantnoj mehanici srazmerna kvadratu modula elektronske talasne funkcije *Ø(r)* 2 (pregled osnovnih
kvantnomehanièkih postulata, kao i važnijih njihovih posledica dat je u Dodatku D.1, na kraju udžbenika). S obzirom
na izraze (1.9-10), dobija se *Ø(r+R)*2 =*Ø(r)*2 , odnosno elektronska gustina je periodièna funkcija, što odražava
periodièni raspored elektrona u kristalu. Zato Blohove funkcije elektrona u kristalu i imaju formu (1.9-10).

9
vektori (a1/h - a2/k) i (a2/h - a3/l) leže u ravni (hkl). Da bi se dokazalo da je vektor reciproène rešetke
Khkl normalan na ravan (hkl), dovoljno je pokazati da je

što sledi iz izraza (1.8). Može se, dakle, reæi da su Milerovi indeksi neke atomske ravni koordinate
najmanjeg vektora reciproène rešetke Khkl, normalnog na datu ravan, u sistemu koordinata zadanom
osnovnim vektorima reciproène rešetke.

Sl.1.6 Predstavnici skupina ravni oznaèenih Milerovim indeksima (a) (100), (b) (110) i (c) (111) za
prostu kubiènu Braveovu rešetku.
Pošto se isti Milerovi indeksi (hkl) koriste i za oznaèavanje ravni i, normalnog na tu ravan,
vektora reciproène rešetke, to se za oznaèavanje pravca u direktnoj rešetki koristi oznaka [n1n2n3], gde
su n1, n2 i n3 tri najmanja cela broja èiji je odnos n1:n2:n3 jednak odnosu dužina (u jedinicama a1, a2 i
a3) komponenti vektora pravca po osama a1, a2 i a3. Razlozi simetrije nameæu fizièku ekvivalentnost
nekihpravacaukristalu,kojiseondaobeležavajukao<nnn>
1 2 3 (naprimer,ukubiènomkristalupravci

nazivaju se pravcem <100>; kod pravaca oznaka oznaèava

komponentu sa znakom minus, -1).
U nastavku biæe odreðeno rastojanje dhkl izmeðu susednih ravni skupine (hkl). Jedinièni vektor
normale na ravan (hkl) dat je izrazom n=Khkl/Khkl, jer pravac vektora reciproène rešetke Khkl odreðuje
normalu na ravan (hkl). Tada je (v. Sl. 1.7)

pošto r odreðuje proizvoljnu taèku ravni (hkl) može se uzeti

r=a1/h, pa poslednji izraz postaje

(1.12)
Sl.1.7 Normala na ravan (hkl)
odreðena je vektorom reciproène
rešetke Khkl.
gde je ponovo korišæen izraz (1.8). Izraz (1.12) važi za
proizvoljnu kristalnu rešetku, a u sluèaju proste kubiène rešetke svodi se na

(1.13)

10
jer je u tom sluèaju ,ai,=a, ái=90E (i=1,2,3), zbog èega je

(1.14)

Treba dodati, na kraju, da je reciproèna rešetka od reciproène rešetke - direktna rešetka (v. Zad. 1.4).

1.1.3 Simetrije kristalne strukture

U prethodnim odeljcima opisivana je i korišæena samo translaciona simetrija Braveovih rešetki.
Tako, postojanje i najvažnija svojstva reciproène rešetke zavise samo od postojanja trojke primitivnih
vektora ai direktne rešetke, a ne od bilo kakvih relacija meðu njima. Èinjenica je da translaciona
simetrija ima najveæu važnost za opštu teoriju èvrstog stanja kristalnih materijala. No, èinjenica je i to
da postoji raznolikost kristalnih struktura u èijoj osnovi leži ne samo translaciona, veæ i neke duge vrste
simetrije.

S tim u vezi uvedimo pojam operacije simetrije, posmatrajuæi kretanje objekta (na primer
kristala) na takav naèin da ostavlja svoj otisak na prethodnoj lokaciji. Ako se posle tog kretanja
orijentacija objekta poklapa sa svojim prethodnim otiskom, na može se otkriti da se objekat kretao.
Takva vrsta kretanja naziva se operacijom simetrije.
Sada æemo razmotriti listu operacija simetrije koje deluju u obiènom, euklidovskom prostoru,
tj. one operacije koje deluju na takav naèin da ostavljaju objekat u istoj ili ekvivalentnoj poziciji. Pri
tome æe objekat koji podvrgavamo operacijama simetrije biti kristalna (Braveova) rešetka. Pošto je
dominantna operacija simetrije Braveove rešetke operacija translacije za vektor R (izraz (1.1)), koja
translira beskonaènu Braveovu rešetku u položaj ekvivalentan prvobitnom, to sve ostale operacije
simetrije moraju biti usklaðene sa translacionom simetrijom. Ovo, kao što æemo videti, nameæe izvesna
ogranièenja na neke od dole definisanih operacija simetrije: Cn, óh, óv, Sn, i i.
! Cn: to je operacija koja ostvaruje rotaciju za ugao 2ð/n, oko ose fiksirane u prostoru, gde je n - ceo
broj. Uz to, možemo imati Cnk, koja predstavlja k-puta ponovljenu rotaciju za ugao 2ð/n, dakle 2ðk/n,
oko iste ose. Jasno je da je Cnn isto što i C1, jer predstavlja rotaciju za 2ð, a to je isto kao i da objekat
nije uopšte pokretan. Celobrojno n naziva se multiplicitetom ose (za Braveovu rešetku on može imati
samo vrednosti n=1, 2, 3, 4 i 6, v. Zad. 1.5), a osa se naziva n-tostrukom osom. Ukoliko sistem ima više
od jedne ose simetrije onda se ona osa sa najvišim multiplicitetom naziva glavnom osom. Efekat
rotacije Cn može se videti na Sl. 1.8(a), na kojoj je taèka B nova pozicija taèke A, dok je osa rotacije
normalna na ravan crteža.
! óv: ako razmatramo vertikalnu ravan, fiksiranu u prostoru, koja sadrži glavnu osu (koja se uvek uzima
kao vertikalna) onda je operacija koja ostvaruje refleksiju (ogledalsko preslikavanje) u toj ravni
definisana kao óv. Nov položaj B, taèke A, posle takve operacije prikazan je na Sl. 1.8(b).
! óh: ova operacija ostvaruje refleksiju u horizontalnoj ravni, ortogonalnoj na glavnu osu. Nov položaj
B, taèke A smeštene iznad ravni, je lik u ogledalu ispod ravni kao što je prikazano na Sl. 1.8(c). Uoèimo
da postoji samo jedna horizontalna ravan refleksije, dok vertikalnih može biti mnogo.
! Sn: ovo je takozvana nesvojstvena rotacija, koja je definisana kao uzastopna primena rotacije oko
glavne ose reda n i refleksije óh, pri èemu redosled operacija nije bitan. Novi položaj B taèke A, posle
ove operacije može se videti na Sl. 1.8(d). Pošto red ose rotacije u kristalu može imati samo vrednosti
n=1, 2, 3, 4 i 6, to i ove tzv. rotorefleksione ose mogu biti samo navedenog reda.
! i=S2: ovo je takoðe nesvojstvena operacija simetrije i naziva se inverzijom. Pod dejstvom ove
operacije Dekartove (Descartes) koordinate (x,y,z) transformišu se u (-x,-y,-z). Otuda je jasno da mora
postojati centar simetrije O, takav da svaka druga taèka može da se spoji sa sebi ekvivalentnom pomoæu
prave koja prolazi kroz O. Nov položaj B, taèke A, posle inverzije prikazan je na Sl. 1.8(e).

11
Sl. 1.8 Preslikavanje taèke A u taèku B delovanjem operacija simetrije: (a) rotacije oko vertikalne
ose Cn , (b) refleksije u vertikalnoj ravni óv , (c) refleksije u horizontalnoj ravni óh , (d) nesvojstvene
rotacije Sn i (e) inverzije i; sa x - je oznaèena taèka iznad, a sa o - ispod ravni crteža.
Sve pomenute skupine operacija simetrije ostavljaju bar jednu taèku sistema nepokretnom. Na
primer, bilo koja taèka na osi rotacije, u ravni refleksije ili centar inverzije ostaæe nepokretni.
Istaknimo da se sve operacije simetrije mogu podeliti na svojstvene i nesvojstvene (nekada se
nazivaju i operacijama prve i druge vrste). Razlika izmeðu njih je fizièka: Prve se mogu zamisliti kao
sukcesija infinitezimalnih pomeranja posmatranog objekta, što sa drugima nije sluèaj. Na primer,
svojstvene opercije su translacije i Cn dok su nesvojstvene óh, óv, Sn i i.
Kao posledica odreðenog rasporeda strukturnih jedinica (atoma, jona ili molekula) u kristalu,
mogu postojati i kombinovane operacije simetrije, koje se sastoje od netrivijalnih translacija (translacije
za razlomljeni deo konstante rešetke) i rotacija ili refleksija. Takvi elementi simetrije su tzv. zavojne
ose i ravni klizanja, èije je delovanje prikazano na Sl. 1.9(a) i (b), i koje predstavljaju suštinski nove
transformacije simetrije.

Sl. 1.9 Ilustracija delovanja (a) zavojne ose treæeg reda i (b) ravni klizanja sa netrivijalnom
translacijom za polovinu konstante rešetke.

Sveukupnost razmotrenih operacija simetrije rešetke omoguæuje da se izvrši klasifikacija svih

moguæih kristalnih struktura u 230 prostornih grupa simetrije, o èemu æe biti više reèi u narednom
odeljku.

1.1.4 Klasifikacija kristalnih struktura

12
 Problem klasifikacije svih moguæih kristalnih struktura je veoma složen i neophodno ga je
obaviti u nekoliko koraka.
Najpre, biæe razmotrena klasifikacija prostih kristalnih struktura, koje se dobijaju kada se
kristalnoj (Braveovoj) rešetki pridruži bazis (strukturni motiv) od jednog atoma, koji poseduje
maksimalnu, sfernu simetriju. Na taj naèin se ne gubi ni jedna od simetrija kristalne rešetke, usled èega
æe se nadalje govoriti o klasifikaciji Braveovih rešetki (a ne prostih kristalnih struktura). U prethodnom
odeljku pokazano je da potupuna grupa simetrije Braveove rešetke sadrži samo operacije sledeæeg
oblika:

1. translacije za vektore R (izraz (1.1));

2. operacije Cn, óv, óh, Sn i i (n=1, 2, 3, 4 i 6), koje ostavljaju nepokretnom neku taèku rešetke;
3. operacije koje se mogu ostvariti putem uzastopne primene operacija tipa 1. i 2.

Kao prvo, zbog daljeg uprošæenja problema klasifikacije, najpre æe biti razmotrene samo
operacije tipa 2., koje ostavljaju nepokretnom jednu od taèaka Braveove rešetke. Podgrupe koje
formiraju ove operacije simetrije, predstavljaju podgrupe potpunih grupa7) simetrije Braveovih rešetki,
i nazivaju se taèkastim grupama Braveovih rešetki.
Sve operacije tipa 2. obrazuju sledeæe taèkaste grupe [3]:

! Cn: grupe sadrže samo osu rotacije n-tog reda (v. Sl. 1.10(a));
! Cnv: to su grupe simetrije pravilne piramide, koje imaju osu rotacije n-tog reda i n simetrièno
rasporeðenih ravni refleksije koje prolaze kroz tu osu;
! Cnh: osim ose rotacije n-tog reda, grupe sadrže ravan refleksije normalnu na tu osu;
! Sn: grupe sadrže samo rotorefleksionu osu n-tog reda (gde je n-paran broj, da bi grupe sadržale
identiènu operciju simetrije Snn);
! Dn: grupe sadrže glavnu osu rotacije n-tog reda i n osa rotacije drugog reda, simetrièno rasporeðenih
u ravni normalnoj na glavnu osu (Sl. 1.10(b));
! Dnh: to su grupe simetrije pravilne prizme, koje sadrže sve elemente grupe Dn plus ravan refleksije
normalnu na glavnu osu n-tog reda;
! Dnd: grupe sadrže sve elemente grupa Dn plus ravni refleksije koje sadrže osu n-tog reda i dele na pola
uglove meðu osama 2. reda;
! T: to je grupa rotacija tetraedra, koja ima èetiri ose 3. reda i tri ose 2. reda, kao što je prikazano na
Sl. 1.11(a) i (b);

7)
Ovde pojam grupe treba shvatiti u matematièkom znaèenju. U sluèaju klasifikacije kristala, elementi grupe su
operacije simetrije kristala, dok je grupna operacija uzastopnost primene operacija simetrije na datom kristalu [3]. U
istom smislu definiše se i pojam podgrupe.

13
 Sl. 1.10 Prikaz operacija simetrije (a) grupe Sl. 1.11 Grupa T ima (a) èetiri ose 3. reda i (b)
Cn i (b) grupe Dn. tri ose 2. reda.

Sl. 1.12 Grupa O je grupa rotacija pravilnog oktaedra (a) dobijenog pravilnim zarubljivanjem
rogljeva kocke, i sadrži (b) tri ose 4. reda, èetiri ose 3. reda i šest osa 2. reda.
! Th: ova grupa sadrži sve elemente grupe T, plus centar simetrije (i sa njim povezanu operaciju
prostorne inverzije);
! Td: to je grupa simetrije tetraedra i ima podgrupu T; tako Td sadrži sve elemente grupe T, zajedno sa
šest ravni refleksije i tri rotorefleksione ose 4. reda;
! O: to je grupa rotacija pravilnog oktaedra; oktaedar se može formirati od kocke zarubljivanjem
njenih rogljeva na pravilan naèin, prikazan na Sl. 1.12(a). Pravilan oktaedar je zato invarijantan u
odnosu na sve operacije simetrije kocke; kocka prikazana na Sl. 1.12(b) ima tri ose 4. reda, koje prolaze
kroz centre naspramnih strana, èetiri ose 3. reda koje spajaju dijagonalne rogljeve i šest osa 2. reda koje
spajaju centre naspramnih paralelnih ivica;
! Oh: to je grupa simetrije kocke i sadrži sve elemente grupe O, plus centar simetrije.
Kao drugo, translaciona simetrija (izraz (1.1)) nameæe ogranièenja na maloèas nabrojane grupe
taèkastih simetrija, kojima moraju da udovoljavaju Braveove rešetke, odnosno proste kristalne
strukture.

14
 Postoje tri takva ogranièenja:

1. Kao što je veæ ranije reèeno, translaciona simetrija je usaglašena samo sa osama rotacije 1, 2, 3, 4,
i 6-og reda (v. Zad. 1.5);
2. Pošto uporedo sa vektorom translacije rešetke R postoji vektor translacije rešetke - R, to su Braveove
rešetke invarijantne u odnosu na inverziju i;
3. Treæe ogranièenje navodimo bez dokaza [3]; ako taèkasta grupa Braveove rešetke sadrži simetriju
Cn (gde je n>2), to ona poseduje i simetriju Cnv.

Analizom svih prethodno prebrojanih taèkastih grupa simetrije, može se ustanoviti [3] da samo
sledeæih sedam grupa udovoljava navedenim ogranièenjima: S2, C2h, D2h, D4h, D3d, D6h i Oh. Ove taèkaste
grupe simetrije obrazuju 7 kristalnih sistema, koji imaju sledeæe nazive: triklinièni (S2), monoklinièni
(C2h), ortorombièni (D2h), tetragonalni (D4h), trigonalni (D3d), heksagonalni (D6h) i kubièni (Oh). Objekti
sa simetrijama ovih taèkastih grupa Braveove rešetke prikazani su na Sl. 1.13.8):

Sl. 1.13 Objekti sa simetrijama taèkastih grupa Braveove rešetke koji pripadaju kristalnim
sistemima: (a) trikliniènom, (b) monokliniènom, (c) ortorombiènom, (d) tetragonalnom, (e)
trigonalnom, (f) heksagonalnom i (g) kubiènom.
Kao treæe, ako se ne ogranièava samo na operacije taèkaste simetrije veæ razmotri potpuna grupa
simetrije Braveove rešetke, pokazuje se [3] da Braveova rešetka može imati jednu od 14 tipova
Braveovih rešetki, sa gledišta simetrije. Svakom kristalnom sistemu pripada jedna ili više Braveovih
rešetki, èije su elementarne æelije prikazane na Sl. 1.14. Ovih èetrnaest moguæih tipova kristalne rešetke
(prostih kristalnih struktura) otkrio je Brave 1845. godine. Mada su na Sl. 1.14 prikazane elementarne
æelije odgovarajuæih rešetki, da bi se istakla pripadnost odgovarajuæem kristalnom sistemu, u svakoj
od èetrnaest Braveovih rešetki jedinièna æelija se može izabrati tako da sadrži jedan èvor, tj. da bude
primitivna. To je prikazano na Sl. 1.15.
Kao èetvrto, sada æe biti prikazani rezultati analogne analize sprovedene ne za Braveove rešetke
(proste kristalne strukture), veæ za proizvoljne kristalne strukture. Potrebno je razmotriti strukture koje
se dobijaju ako se proizvoljni objekat (bazis) podvrgne translacijama Braveove reštke, i klasifikovati
grupu simetrije takvih struktura. One zavise kako od simetrije objekta (bazisa, odnosno strukturnog
motiva, koji sada ima više atoma i zato nižu simetriju od sferne) tako i od simetrije Braveove rešetke.
Ako se opet prvo razmatraju taèkaste grupe simetrije vidi se da u sluèaju složenih kristalnih struktura
ogranièenja, koje nameæe translaciona simetrija, slabe i ostaje samo ogranièenje na red ose rotacije:
n=1, 2, 3, 4 i 6. Analizom taèkstih grupa [3] ispostavlja se da postoje 32 kristalografske taèkeste grupe
simetrije, koje odgovaraju 32-ema klasama kristala. Trideset i dve kristalografske taèkaste grupe
moguæe je formirati iz sedam taèkastih grupa Braveove rešetke, razmatrajuæi sistematski sve moguæe
naèine snižavanja simetrije objekata na Sl. 1.13, opisanih tim grupama. Simetrija ovih objekata snižava
se kada se svakom èvoru Braveove rešetke pridruži bazis (strukturni motiv) od dva ili više atoma,
rasproeðenih u prostoru na odreðen naèin - diktiran takoðe razlozima simetrije, koji su u krajnjoj liniji

8)
Za parametre rešetki korišæene su oznake a 1 =a, a 2 =b i a 3 =c.

15
diktirani zakonima meðuatomskih sila u kristalu. Prema tim zakonima je i neophodno da formirane
strukture udovoljavaju pravilima simetrije. Otuda atomi u bazisu i ne mogu imati bilo kakav položaj.
Ovaj problem se rešava elegantno matematièki, nalaženjem svih podgrupa sedam taèkastih Braveovih
grupa; ukoliko se neke podgrupe sreæu u više kristalnih sistema, klasifikuju se u sistem sa najnižom
simetrijom. Ovakav izbor ima fizièko opravdanje; malo je verovatno da bi atomi kristala, koji pripadaju
odgovarajuæoj kristalnoj klasi, obrazovali Braveovu rešetku simetrièniju nego što je to neophodno za
ostvarenje te klase (to je povezano sa minimumom termodinamièkog potencijala kristala). Ako bi
slièna, malo verovatna, situacija ostvarila kristal bi se nalazio u metastabilnom stanju i mala
perturbacija, kao npr. zagrevanje, prevela bi ga u ravnotežno stanje sa manje simetriènom Braveovom
rešetkom.

Sl. 1.14 Elementarne æelije èetrnaest Braveovih rešetki, sa naznakom pripadnosti odgovarajuæem
kristalnom sistemu i geometrijskim parametrima: (a) prosta triklinièna, (b) prosta monoklinièna, (c)
baznocentrirana monoklinièna, (d) prosta ortorombièna, (e) baznocentrirana ortorombièna, (f)
prostornocentrirana tetragonalna, (j) prosta romboedarska (trigonalna), (k) prosta heksagonalna,
(l) prosta kubièna, (m) površinskicentrirana kubièna i (n) prostornocentrirana kubièna.

16
 Sl.1.15 Primitivne æelije èetrnaest Braveovih rešetki (oznake (a)-(n) iste su kao i na Sl. 1.14).
Iz ovog primera se vidi da je za ostvarivanje principa kristalizacije u Braveovu rešetku najniže
simetrije neophodna moguænost neprekidnog prelaza posredstvom sukcesija infinitezimalnih
deformacija Braveove rešetke više simetrije u nižu. To nije ostvarljivo za sluèaj heksagonalne i
ortorombiène Braveove rešetke, usled èega je pridruživanje svih kristalnih klasa ortorombiènom
sistemu uslovno, pošto se sve one, koje su podgrupe D6h, mogu ostvariti i u heksagonalnom sistemu.
Veza izmeðu kristalnih sistema, Braveovih rešetki i kristalnih klasa9) data je u prve tri kolone Tabl. 1.1.
Kao peto, ako se sada više ne ogranièi na operacije taèkaste simetrije, veæ se one kombinuju sa
operacijama translacione simetrije i operacijama simetrije vezanim za postojanje zavojnih osa i ravni
klizanja (koje u sebi sadrže netrivijalne translacije, v. Sl. 1.9), broj grupa simetrije znatno poraste:
postoji 230 razlièitih grupa simetrije složenih kristalnih rešetki (sa bazisom) - 230 prostornih grupa,
koje vrše potpunu klasifikaciju [4] svih kristalnih struktura. Raspodela prostornih grupa po kristalnim
sistemima i klasama prikazana je u poslednjoj koloni Tabl. 1.1.
Broj razlièitih, u ovom odeljku analiziranih, grupa simetrije naveden je u Tabl. 1.2, odakle se
vidi i metodološki postupak klasifikacije kristala.
Interesantno je napomenuti da su klasifikaciju kristalnih struktura izvršili 1891. godine,
nezavisno jedan od drugog, Fedorov i Šenflis (Schönflis), i to iskljuèivo matematièkom analizom.
Kasniji eksperimenti u ispitivanju strukture kristala raznim tipovima difrakcije (v. Od. 5.1), sasvim su
potvrdili ovu klasifikaciju - nema ni jednog kristala u prirodi koji ne poseduje jednu od 230 prostornih
grupa simetrije!

1.1.5 Proste i složene kristalne strukture. Predstavnici

Na kraju odeljka 1.1.1 pomenuto je da se kristalne strukture mogu klasifikovati na proste i
složene, prema tome da li strukturni motiv (bazis), koji se pridružuje svakom èvoru jedne od 14
Braveovih rešetki, poseduje jedan ili više atoma. Kao što je reèeno, bazis se opisuje koordinatama
taèaka (centara oko kojih osciluju atomi) u granicama primitivne æelije: sveukupnost koordinata svih
neekvivalentnih atoma (neekvivalentnim nazivamo one atome koji se ne mogu poklopiti primitivnim
translacijama R, izraz (1.1)) koji pripadaju datoj primitivnoj æeliji, izraženih u delovima perioda rešetke
ai (i=1,2,3), daje bazis rešetke. Atomi rasporeðeni unutar primitivne æelije su neekvivalentni u odnosu
na atome koji se nalaze u èvorovima.
Atomi ili joni, kao strukturni elementi kristala, poseduju odreðenu dimenziju i formu. U
kristalohemiji je odomaæeno razmatrati atome (jone) u rešetki kao sfere odreðenog polupreènika, koji
se naziva atomskim radijusom. Sistem atomskih radijusa, razraðen u kristalohemiji, dozvoljava
prikazivanje svih postojeæih kristalnih struktura kao pakovanje sfera, pri èemu je gustina tog pakovanja

9)
Korišæene oznake taèkastih grupa (kao i ranije operacija simetrije) su po Šenflisu; postoje takoðe i oznake po
Flintu, kao i meðunarodne [2].

17
za razlièite strukture maksimalno moguæa - to znaèi da se sfere moraju meðusobno dodirivati u
najveæem moguæem broju taèaka. Ovako gusto, visoko simetrièno pakovanje je u stvarnosti samo
rezultat zakonomerne raspodele u prostoru fizièkih interakcija meðu atomima (jonima) u kristalnoj
strukturi. Te interakcije opisane su u odgovarajuæim fizièkim teorijama èvrstog stanja i one ne svedoèe
uvek o neizbežnosti pojave gustog pakovanja - s tim u vezi zakoni obrazovanja kristalnih struktura ne
mogu se svesti na
Tablica 1.1 Veza izmeðu kristalnih sistema, Braveovih rešetki,
kristalnih klasa i moguæih kristalnih struktura
KRISTALNI Braveove rešetke Taèkaste Broj
SISTEMI grupe prostornih
(Kristalne grupa
klase) kristalnih
struktura
TRIKLINIÈNI Prosta triklinièna E 1
Ci 1
MONOKLINIÈNI Prosta monoklinièna, C1h 4
baznocentrirana monoklinièna C2 3
C2h 6
ORTOROMBIÈNI Prosta ortorombièna, C2v 22
baznocentrirana ortorombièna, D2 9
prostornocentrirana ortorombièna, D2h 28
površinskicentrirana ortorombièna
TETRAGONALNI Prosta tetragonalna, C4 6
prostornocentrirana tetragonalna C4v 12
C4h 6
S4 2
D2d 12
D4 10
D4h 20
TRIGONALNI Prosta romboedarska C3 4
(trigonalna) S6 2
C3v 6
D3 7
D3d 6
HEKSAGONALNI Prosta heksagonalna C6 6
C3h 1
C6h 2
C6v 4
D3h 4
D6 6
D6h 4
KUBIÈNI Prosta kubièna, T 5
površinskicentrirana kubièna, Th 7
prostornocentrirana kubièna Td 6
O 8
Oh 10
7 14 32 230

Tablica 1.2 Taèkaste i prostorne grupe Braveovih rešetki i kristalnih struktura

Braveove rešetke Kristalografske strukture
(sfernosimetrièni (bazis proizvoljne simetrije)
bazis)
Broj taèkastih 7 32
grupa (7 kristalnih sistema) (32 kristalne klase)
Broj prostornih 14 230
grupa (14 Braveovih rešetki) (230 kristalnih struktura)
èisto geometrijske relacije. Uprkos tome, opisivanje izuèavane strukture, a u mnogim sluèajevima i

18
predskazivanje moguæe strukture na osnovu opštih kristalohemijskih zakonomernosti, moguæe je sa
uspehom izvršiti pomoæu principa najgušæeg pakovanja sfera10). Gustina pakovanja karakteriše se
odnosom izmeðu zapremine koju zauzimaju sami atomi i celokupne zapremine elementarne æelije - ovaj
odnos je tzv. relativna gustina pakovanja kristalne rešetke; drugi pokazatelj gustine pakovanja je tzv.
koordinacioni broj, koji predstavlja broj najbližih susednih atoma koji okružuju bilo koji atom u rešetki
(ovi atomi formiraju tzv. prvu koordinacionu sferu).
Od 230 moguæih prostornih kristalnih struktura, pomenutih u prethodnom odeljku, nemaju sve
jednaku zastupljenost u prirodi, dok poneke nemaju ni jednog, do sada otkrivenog. Mi æemo ovde
pomenuti najzastupljenije u prirodi.
Razmotrimo najpre prostornocentriranu kubiènu strukturu, koja se dobija kada se svakom
èvoru Braveove prostornocentrirane Braveove rešetke pridruži strukturni motiv od jednog atoma; to je
dakle jedna prosta kristalna struktura, èiji je izgled prikazan na Sl. 1.16. Druga isto tako važna prosta
kristalna struktura, je površinskicentrirana kubièna struktura, koja nastaje pridruživanjem strukturnog
motiva od jednog atoma - svakom èvoru Braveove površinskicentrirane kubiène rešetke. Njen šematski
prikaz dat je na Sl. 1.17. Neki hemijski elementi koji kristališu obrazujuæi ove dve strukture navedeni
su u Tabl. 1.3 i 1.4.

Sl. 1.16 Elementarna æelija Sl. 1.17 Elementarna æelija

prostornocentrirane kubiène rešetke. površinskicentrirane kubiène rešetke.
Tablica 1.3 Neki elementi s monoatomskom površinskicentriranom kubiènom kristalnom
strukturom,
s velièinom parametra rešetke a
Element a (10-10 m) Element a (10-10 m)
Ag 4,09 ã-Fe (1164 K) 3,56
Al 4,05 Ir 3,84
Au 4,08 â-Ni 3,52
â-Co 3,55 Pb 4,95
Cu 3,61 Pt 3,92
Tablica 1.4 Neki elementi s monoatomskom prostornocentriranom kubiènom kristalnom
strukturom,
s velièinom parametra rešetke a
Element a (10-10 m) Element a (10-10 m)
Cr 2,88 Nb 3,30
á-Fe 2,87 W 3,16
Mo 3,15 Na 4,23 (5 K)
Jedna od najrasprostranjenijih u prirodi je heksagonalna gustopakovana kristalna struktura. Ona se
dobija kada se svakom èvoru Braveove heksagonalne rešetke pridruži strukturni motiv od dva atoma,
èiji je bazis dat vektorima O i (a1+a2+a3)/3; prikaz ove strukture dat je na Sl. 1.18, dok su neki elementi
koji kristališu po ovoj strukturi dati u Tabl. 1.5.

10)
I veoma složene polimerne strukture, sastavljene od dugoèlanih makromolekula, povinjavaju se principu gustog
pakovanja (v. Od. 4.3).

19
 Sl. 1.18 Elementarna æelija heksagonalne Sl. 1.19 Elementarna æelija dijamantske
gustopakovane rešetke. rešetke.

Tablica 1.5 Neki elementi s heksagonalnom gustopakovanom kristalnom strukturom, s

velièinom parametara rešetke a i c
Element a (10-10 m) c (10-10 m) c/a
Cd 2,98 5,62 1,89
á-Co 2,51 4,07 1,62
Zn 2,66 4,95 1,86
"Idealno"11) - - 1,63

Izuzetno važna za poluprovodnièku tehnologiju je dijamantska kristalna struktura, jer po njoj

kristališu silicijum i germanijum. To je složena kristalna struktura sa dvoatomskim bazisom O i
a(i+j+k)/4, pridruženim svakom èvoru Braveove površinskicentrirana kubiène rešetke (Sl. 1.19). Neki
elementi sa dijamantskom kristalnom strukturom dati su u Tabl. 1.6. Podvucimo da -70% svih
elemenata kristališe po jednoj od èetiri do sada pomenute kristalne strukture!

Tablica 1.6 Neki elementi s dijamantskom kristalnom strukturom, s velièinom parametra

rešetke a
Element a (10-10 m) Element a (10-10 m)
Si 5,43 C (dijamant) 3,57
Ge 5,66 á-Sn (sivi) 6,49

U Tabl. 1.7 date su karakteristiène velièine za prostornocentriranu, površinskicentriranu i

dijamantsku kubiènu rešetku, kao i za heksagonalnu gustopakovanu rešetku (v. Zad. 1.6-9). Vidi se da
je najveæa gustina pakovanja postignuta u površinskicentriranoj kubiènoj i heksagonalnoj
gustopakovanoj rešetki, unutar kojih atomi zauzimaju 74% zapremine elementarne æelije; kod njih je
i koordinacioni broj najveæi - 12.
Heksagonalna gustopakovana i dijamantska kubièna kristalna struktura klasifikovane su u
složene, jer im se strukturni motiv sastoji od dva atoma koji nisu smešteni u èvorove odgovarajuæih
Braveovih rešetki. Meðutim, kao složene kristalne strukture treba smatrati i one
Tablica 1.7 Osnovne karakteristike najvažnijih tipova kristalnih rešetki

Karakteristike Prostornocentrirana Površinskicentrirana Dijamantska

kubièna
Heksagonalna
gustopakovana
kubièna rešetka kubièna rešetka rešetka rešetka
Koordinacioni broj 8 12 4 12
Atomski polupreènik r,
izražen preko
parametra rešetke a
Maksimalni broj atoma 2 4 8 6
u elementarnoj æeliji

11)
U heksagonalnoj gusto pakovanoj kristalnoj rešetki je a 1 =a 2 =a i a 3 =c=(8/3)1/2 a, v. Zad 1.9.

20
 Relativna gustina
pakovanja

kod kojih se atomi ili joni dve vrste elemenata nalaze u èvorovima Braveove rešetke. Iz razloga
translacione simetrije kristala, ovakve strukture treba smatrati složenim, sa bazisom od dva atoma
razlièitih hemijskih elemenata - pridruženim svakom èvoru Braveove rešetke. Na primer, kristalna
struktura NaCl može se opisati kao Braveova površinskicentrirana kubièna rešetka sa bazisom, koji
se sastoji od jona Na+ u taèki O i jona Cl- u taèki ai/2 pridruženog svakom èvoru rešetke. Ova struktura
je prikazana na Sl. 1.20. Strukturu ovog tipa imaju neka hemijska jedinjenja navedena u Tabl. 1.8.

Sl. 1.20 Elementarna æelija rešetke tipa NaCl. Sl. 1.21 Elementarna æelija sfaleritne rešetke.
Na Sl. 1.21 prikazana je sfaleritna kristalna struktura, koja ima dvoatomski bazis O i a(i+j+k)/4,
kao u sluèaju dijamantske strukture, s tim što te položaje zauzimaju atomi dva razlièita hemijska
elementa. Najpoznatije jedinjenje sa ovakvom strukturom je ZnS, pa se ova struktura ponekad naziva
"zincblende". Ovako kristališe niz poznatih poluprovodnièkih jedinjenja, od kojih su neki prikazani u
Tabl. 1.9.

Tablica 1.8 Neka jedinjenja sa strukturom NaCl, sa velièinom parametra rešetke a

Jedinjenje a (10-10 m) Jedinjenje a (10-10 m)
NaCl 5,64 AgBr 5,77
NaBr 5,97 MgO 4,21
KCl 6,29 MgS 5,20
KBr 6,60 CaO 4,81
AgCl 5,55

Tablica 1.9 Neka jedinjenja sa sfaleritnom kristalnom strukturom, sa velièinom parametra

rešetke a
Jedinjenje a (10-10 m) Jedinjenje a (10-10 m)
ZnS 5,41 GaP 5,45
ZnSe 5,67 GaAs 5,65
ZnTe 6,09 GaSb 6,12
CdS 5,82 InP 5,87
CdTe 6,48 InAs 6,04
HgS 5,85 InSb 6,48
HgSe 6,08 SiC 4,35
HgTe 6,43

Podvucimo, na kraju, da sve vrednosti date u tablicama odgovaraju sobnoj temperaturi i

normalnom atmosferskom pritisku, ako drugaèije nije navedeno.

1.2 HEMIJSKE VEZE U ÈVRSTIM TELIMA

U prethodnom odeljku o strukturi èvrstih kristalnih materijala upoznali smo se sa klasifikacijom

21
ovih struktura (u 230 prostornih grupa), s obzirom na karakter simetriènog rasporeda strukturnih
jedinica (atoma, jona ili molekula) u kristalu. Ovakav simetrièan raspored strukturnih jedinica posledica
je zakonomerne prostorne raspodele fizièkih interakcija meðu njima. Predmet ovog odeljka biæe prikaz
fizièkih interakcija koje se ispoljavaju izmeðu strukturnih jedinica u kristalu.
Pravilna geometrijska forma kristala svedoèi o tome da meðu njegovim strukturnim jedinicama
postoje privlaène sile, koje se na rastojanjima r0-10-10m uravnotežavaju odbojnim silama. Pri takvoj
konfiguraciji strukturnih jedinica kristal poseduje minimalnu potencijalnu energiju, što odgovara
stabilnom stanju kristala. Prikaz odbojne, privlaène i rezultantne sile, kao i njihovi doprinosi
potencijalnoj energiji sistema sastavljenog od dve strukturne jedinice (smeštene u taèkama O i A), dat
je na Sl. 1.22(a) i (b). Pošto se potencijalna energija odreðuje s taènošæu do na konstantan sabirak, to
se uvek može uzeti U=0 za . Iz potencijalne krive interakcije strukturnih jedinica U(r), koja se
inaèe uobièajeno daje za prikaz interakcije, može se dobiti i sila koja deluje izmeðu njih na rastojanju
r: gde je r=OA radijus-vektor povuèen iz taèke O u taèku A.

Sl. 1.22 Prikaz (a) odbojne, privlaène i rezultantne sile izmeðu strukturnih jedinica kristala, kao i
(b) njihovi doprinosi potencijalnoj energiji sistema.
U stanju stabilne ravnoteže na T=0 K, strukturne jedinice imaju minimalnu energiju õ0=-
U0+õk0,12) i vibriraju oko ravnotežnog položaja r0, izmeðu taèaka AN0 i AO0 na potencijalnoj krivoj (v.
Sl. 1.22(b)). Dovoðenjem energije kristalu, njegova temperatura raste, baš kao i energija vibracija
strukturnih jedinica. One sada vibriraju izmeðu taèaka AN i AO (Sl. 1.22(b)) i zbog asimetriènosti
potencijalne krive U(r) položaj ravnoteže r pomera se udesno. Drugim reèima, srednje rastojanje
izmeðu strukturnih jedinica kristala se poveæava, èime se i objašnjava mehanizam toplotnog širenja tela
(v. Od. 3.12), kao i promena agregatnog stanja kristala pri temperaturi topljenja Tt, kada se ravnotežni
položaj toliko pomeri udesno, da privlaèna sila izmeðu strukturnih jedinica na tom rastojanju padne
ispod kritiène vrednosti za dati kristal - koji se zato topi.

Tablica 1.10 Elektronske energije veze (kohezije) u nekim jonskim,

kovalentnim, metalnim i molekularnim kristalima, sa
uporednim prikazom njihovih elektriènih svojstava

Kristalna Elektrièna
Vrsta veze Materijal Energija veze (eV)
struktura svojstva

12)
-predstavlja energiju tzv. nultih vibracija, koju poseduju atomi u kristalima na temperaturi apsolutne nule.
Postojanje energije nultih vibracija na T=0 K, posledica je Hajzenbergovih (Heisenberg) relacija neodreðenosti (v.
Dodatak D.1.4), prema kojima èestica lokalizovana u nekoj oblasti prostora a ne može mirovati; njen srednji impuls

je , a srednja kinetièka energija : m-je masa èestice, S=h/2ð-je Dirakova (Dirac)

konstanta, dok je h-Plankova (Planck) konstanta [5].

22
 LiF NaCl-tipa 10,9
NaCl NaCl-tipa 8,0
Jonska Dielektrici
KBr NaCl-tipa 6,9
AgBr NaCl-tipa 5,4
C Dijamantska 7,4
Si Dijamantska 4,6
Kovalentna Poluprovodnici
Ge Dijamantska 3,9
InSb Sfaleritna 3,4
á-Fe UCKR 4,3
Au PCKR 3,8
Metalna Provodnici
Cu PCKR 3,5
Na UCKR 1,1
Cl2 Tetragonalna 0,30
Ar PCKR 0,08
Van der Valsova H2 Dielektrici
Heksagonalna 0,01
He Heksagonalna 0,003

Razmotrimo sada karakter interakcija izmeðu strukturnih jedinica u kristalu. Kao što je veæ
pomenuto, za r<r0 izmeðu strukturnih jedinica u kristalu preovlaðuje odbojna interakcija, koja ima u
svojoj osnovi kvantnomehanièko poreklo. Naime, pri takvom zbližavanju atoma (jona) dolazi do
uzajamnog prodiranja elektronskih oblaka. Pošto Paulijev (Pauli) princip iskljuèenja (v. Dodatak
D.1.15) ne dozvoljava da se dva ili više elektrona nalaze u istom kvantnom stanju, to dolazi do snažnog
odbijanja pomenutih atoma (jona). Kvantnomehanièka teorija [6] odbojnih sila atoma (jona) daje za
potencijalnu energiju izraz oblika13) BAexp(-r/b), gde su B i b pozitivne konstante. Ukoliko se, pak, dva
atoma (jona) u kristalu naðu na rastojanju r>r0, izmeðu njih preovlaðuje privlaèna interakcija, što se
vidi na Sl. 1.22(a). Uobièajena je podela ovih interakcija na jonske, kovalentne, metalne i
molekularne (Van-der-Valsove (Van der Waals)), mada je ona uslovna - kao što æemo se kasnije
uveriti.
U Tabl. 1.10 date su uporedne vrednosti elektronskih energija veze (kohezije) za kristale sa
pomenutim tipovima interakcija (hemijskih veza), koje se ponekad koriste i kao kriterijum za
klasifikaciju elektrotehnièkih materijala na dielektrike, poluprovodnike i provodnike (o druga dva
kriterijuma biæe reèi u Od. 2.1.1 i 2.5.1).
Razmotrimo sada svaku od navedenih interakcija (veza) ponaosob.

1.2.1 Jonske veze

Tipièni predstavnici jonskih kristala su halogenidi alkalnih metala (na primer NaCl, v. Sl. 1.20).
Kod njih elektroni prelaze sa atoma metala na atom halogena, tako da se kristal može razmatrati kao
skup pozitivnih jona Na+ i negativnih jona Cl-, koji imaju sferno simetriène elekronske konfiguracije
atoma susednih inertnih gasova (Ne i Ar, respektivno). Rentgenostrukturna analiza je dokazala da je
meðu jonskim sferama elektronska gustina veoma mala, što opravdava aproksimaciju ovih jedinjenja
kao skupine pozitivnih jona alkalnih metala i negativnih jona halogenih elemenata. Veze unutar kristala
obezbeðuju se uglavnom na raèun elektrostatièkih privlaènih sila izmeðu suprotno naelektrisanih jona,
zbog èega svaki jon teži da se okruži što veæim brojem jona suprotnog znaka. Ovo omoguæava
razmatranje strukture jonskog kristala kao sistema sfera odreðenog radijusa, gusto upakovanih u neku
prostornu rešetku. Energija privlaèenja je kulonovske prirode i otuda obrnuto srazmerna rastojanju:

gde je e-naelektrisanje elektrona, g0-dielektrièna propustljivost vakuuma i A-Madelungov

konstanta (Madelung je 1918. godine odredio konstantu A, rešavajuæi matematièki zadatak

izraèunavanja potencijalne energije ravnotežnog stanja jonskog kristala, (v. Zad. 1.10)). Zbog

13)
Pre razvoja kvantne mehanike za potencijalnu energiju odbijanja uziman je empirijski oblik B@r -9 .

23
dugodometnog karaktera kulonovskih sila, u kvantitativnoj teoriji neophodno je uraèunati interakciju
centralnog jona i sa daljim jonima oba znaka: zato se ceo kristal može razmatrati kao gigantski molekul.
Zbog dugodometnih kulonovskih interakcija jona u kristalu, jonske veze nazivaju se nezasiæenim.
Kako nema slobodnih elektrona u jonskim kristalima, oni imaju izolaciona elektrièna svojstva
u èvrstom stanju. Meðutim, u vodenim rastvorima (ili pri višim temperaturama) disosuju na pozitivne
i negativne jone, èime im se poveæava elektrièna provodnost. Zbog svojih izolacionih elektriènih
svojstava (pod normalnim uslovima), jonski kristali spadaju u dielektriène materijale, sa najveæim
elektronskim energijama veze (kohezije), kao što se vidi iz Tabl. 1.10.
Struktura jonskih kristala uzrokuje i da se pod dejstvom spoljašnjeg elektriènog polja razdvajaju
centri ekvivalentnog pozitivnog i negativnog naelektrisanja u jediniènoj æeliji, što dovodi do promene
elektriènog dipolnog momenta kristala. Upravo sposobnost promene dipolnog momenta i dovodi do
jake apsorpcije elektromagnetnog zraèenja u jonskim kristalima (v. Od. 5.3).
Materijali sa jonskim vezama imaju slabu sposobnost obrade deformacijom zbog narušavanja
elektriène ravnoteže izmeðu susednih jona, koji se protive promeni prostornog rasporeda. Ovi materijali
su zato mehanièki èvrsti i tvrdi, ali i krti pri jaèim udarima.

1.2.2 Kovalentne veze

Za razliku od jonske veze, kovalentna se ne može interpretirati pojmovima klasiène fizike. Da
bi se objasnila usmerenost, zasiæenost i kratkodometnost kovalentne veze neophodno je koristiti
kvantnomehanièke osobenosti ponašanja sistema identiènih èestica (u ovom sluèaju elektrona u
atomskom omotaèu). Najprostiji primer ovakve veze postoji u molekulu H2, èiju su prirodu objasnili
Hajtler (Heitler) i London (London) 1927. godine. Uprošæeno govoreæi, približavanjem dva atoma
vodonika u jednom trenutku dolazi do meðusobnog prekrivanja elektronskih orbita dva vodonikova
atoma. Pošto su elektroni identiène èestice, njih je principijelno nemoguæe meðusobno razlikovati14),
tako da ovu situaciju možemo tretirati kao vezu dva vodonikova jezgra, od kojih svako ima dva
elektrona u svom omotaèu - oni istovremeno pripadaju obema jezgrima. Pri tome spinovi elektrona
moraju biti antiparalelni zbog Paulijevog principa iskljuèenja (v. Dodatak D.1.15), koji ne dozvoljava
da dva elektrona imaju iste sve kvantne brojeve (moraju im se razlikovati bar spinski kvantni brojevi).
U takvom sluèaju formiraæe se stabilna, kovalentna veza, i molekul H2 dobija stabilnu elektronsku
konfiguraciju najbližeg inertnog gasa (He). Raspodela elektronske gustine u dva interagujuæa
vodonikova atoma prikazana je na Sl. 1.23; sluèaj (a) odgovara paralelnim spinovima elektrona
(odbijanje zbog Paulijevog principa iskljuèenja), dok sluèaj (b) odgovara antiparalelnim spinovima
(formiranje molekula H2 posredstvom kovalentne veze) [7].

Sl. 1.23 Raspodela elektronske gustine izmeðu dva interagujuæa vodonikova atoma (a) sa
elektronima paralelnih i (b) antiparalelnih spinova.
Slièno tome molekuli O2 i Cl2 obrazovaæe stabilne elektronske konfiguracije najbližih inertnih
gasova (Ne i Ar, v. Sl. 1.24), koji poseduju u spoljašnjoj elektronskoj ljusci po osam elektrona.

14)
To je èist kvantnomehanièki efekat, bez klasiènog analoga, a kao postulat, može se intuitivno prihvatiti, imajuæi u
vidu Hajzenbergove relacije neodreðenosti za koordinatu i impuls, što onemoguæava definiciju trajektorije
kvantnomehanièke èestice i samim tim njenu preciznu identifikaciju (na osnovu njenih koordinata i impulsa).

24
 Sl. 1.24 Šematski prikaz elektronskih konfiguracija valentnih ljuski atoma H, Cl i O i njihovih
molekula H2 , Cl2 i O2 .

Recimo nešto o stabilnim konfiguracijama elektronskih ljuski u atomima [8]. Iz atomske fizike
poznato je da se u tzv. jednoelektronskoj aproksimaciji samosaglašenog polja (poznatoj i kao Hartri-
Fokova (Hartree-Fock) aproksimacija) stanje svakog elektrona karakteriše sa èetiri kvantna broja {n,
l, lz, sz}, gde je n - glavni kvantni broj (n=1, 2, 3, ...), l - orbitalni kvantni broj (l=0, 1, ... , n-1), lz -
magnetni kvantni broj (lz=0, ±1,...,±l), a sz -magnetni kvantni broj spina (sz=±1/2), dok je višelektronsko
stanje atoma proizvod ovakvih jednoelektronskih, uz ogranièenje nametnuto Paulijevim principom
iskljuèenja, po kome u višelektronskom stanju ne mogu postojati dva jednoelektronska stanja sa
istovetna sva èetiri kvantna broja. U atomskoj fizici se pokazuje da jednoelektronska stanja poseduju
energetske nivoe koji zavise samo od glavnog i orbitalnog kvantnog broja (Enl), pri èemu su nivoi skoro
po pravilu utoliko viši ukoliko su n i l veæi. Takvim redom se i popunjavaju elektronske podljuske (n,l)
u Mendeljejevom periodnom sistemu elemenata, uz izvesne izuzetke gde se pokazuje da je energetski
pogodnije popunjavanje ne podljuske sa uveæanim orbitalnim kvantnim brojem l (dopuštenim pri datom
glavnom kvantnom broju n), veæ one podljuske sa višim glavnim kvantnim brojem, a s umanjenim
orbitalnim.
U dosadašnjem razmatranju pretpostavljeno je da elektroni praktièno meðusobno ne
interaguju15). Ukoliko se uzme u obzir i njihova interakcija, dobijaju se tzv. Hundova (Hundt) pravila,
koja kažu da elektroni popunjavaju nepopunjenu podljusku (n,l) tako da ta podljuska (odnosno atom)
poseduje maksimalni sumarni spin S, dopušten Paulijevim principom, i pri ovom spinu i maksimalni
sumarni orbitalni moment L. Ovo znaèi da na nepopunjenoj podljusci (n,l) postoji težnja da elektronski
spinovi budu paralelni (sa sz=+1/2) i sa što višim magnetnim kvantnim brojem (poèev od lz=l pa
naniže), uz poštovanje Paulijevog principa iskljuèenja. Ukoliko se uzme u obzir i interakcija spinskih
i orbitalnih momenata elektrona (tzv. spin-orbitna interakcija) dobija se i totalni momenat J osnovnog
stanja atoma: za atome sa podljuskom (n,l) popunjenom manje od polovine je J=L-S, a za one sa
podljuskom (n,l) popunjenom više od polovine, J=L+S. Postojanje totalnog momenta J je od izuzetnog
znaèaja za magnetna svojstva atoma i materijala (v. Od. 3.3)!
Najstabilnije su one konfiguracije koje sadrže sasvim popunjene elektronske podljuske - one
odgovaraju upravo inertnim gasovima. Helijum (He) ima popunjen nivo {(1,0)}, neon (Ne) nivoe
{(1,0),(2,0),(2,1)}, argon (Ar) nivoe {[Ne],(3,0),(3,1)} gde su sa [Ne] oznaèeni svi nivoi popunjeni kod
neona) itd.

Treba uoèiti da kod kovalentnih veza posmatramo samo poslednju, nezasiæenu elektronsku
ljusku (tzv. valentna ljuska), jer su niže popunjene elektronima i, zbog Paulijevog principa iskljuèenja,
hemijski neaktivne, kao i da je pri tome neophodno uzeti u obzir i meðuelektronske interakcije
valentnih elektrona.
Razmotrimo jednu strukturu važnu za nauku o poluprovodnicima (v. Od. 1.3.2). To je struktura
silicijuma (Si) i germanijuma (Ge); njihovi atomi imaju po èetiri elektrona u valentnoj ljusci i deobom

15)
To je tzv. jednoelektronska aproksimacija (v. Dodatak D.1.14).

25
elektrona sa èetiri suseda (v. Sl. 1.30(a)) obrazuju stabilnu elektronsku konfiguraciju odgovarajuæih
susednih inertnih gasova (Ar i Kr, respektivno). Ove èetiri veze usmerene su u pravcu ivica tetraedra,
u èijim rogljevima se nalaze atomi - kristalna rešetka po kojoj kristališu je otuda dijamantska. (v. Sl.
1.19).
Zbog prostorne usmerenosti i zasiæenosti kovalentnih veza, geometrija kristala datog tipa ne
može se sa veæom taènošæu dobiti iz analize karaktera gustog pakovanja atomskih sfera.
Zbog usmerenosti, zasiæenosti i jaèine kovalentnih veza, materijali sa kovalentnim vezama su
mehanièki èvrsti i tvrdi, ali i krti pri jaèim udarima.
Pošto su valentni elektroni lokalizovani izmeðu najbližih suseda, to kovalentni kristali slabo
provode elektriènu struju u èistom stanju. Meðutim, kontrolisanim dopiranjem primesama (najèešæe
III- i V-valentnim, v. Od. 1.3.2) provodnost im se poveæava, zbog èega se ovi materijali svrstavaju u
poluprovodnike, sa elektronskom energijom veze nižom nego kod dielektriènih jonskih kristala (v.
Tabl. 1.10).

1.2.3 Metalne veze

Ako bi materijali posedovali iskljuèivo jonske i kovalentne veze, bez primesa i defekata u svojoj
strukturi, onda oni praktièno ne bi imali slobodne elektrone, jer su pomenute veze veoma èvrste. No,
iskustvo nas uèi da ima jedna klasa materijala koja poseduje u sebi slobodne elektrone - metali. Metalne
kristale moguæe je predstaviti kao sveukupnost pozitivnih jona u èvorovima kristalne rešetke,
potopljenih u "gas" negativnih elektrona. Interakcija se ostvaruje izmeðu sveukupnusti pozitivnih jona
i elektronskog "gasa" (v. Sl. 1.25). Kao i kovalentna veza, taj tip veze se karakteriše deobom
zajednièkih elektrona, ali tu je broj valentnih elektrona (jedan do tri) manji od broja najbližih atomskih
(jonskih) suseda, usled èega se svi valentni elektroni potpuno kolektiviziraju, sa sposobnošæu
"slobodnog" (u kvantnomehanièkom smislu) premeštanja u jonskoj rešetki.
Posledica postojanja slobodnih elektrona je velika elektrièna i toplotna provodnost metala, jer
se slobodni elektroni mogu kretati pod dejstvom spoljašnjeg elektriènog polja kao i usled temperaturnog
gradijenta izmeðu krajeva metala. Sposobnost slobodnih elektrona da apsorbuju svetlosnu energiju koja
pada na metalnu površinu èini metal neprozirnim, sem ako se radi o veoma tankim filmovima debljine
nekoliko nm. I visoka plastiènost i kovnost, takoðe su posledica moguænosti slobodnog kretanja
elektrona pri deformaciji kristalne rešetke metala, èime se neprekidno uspostavlja lokalna elektrièna
neutralnost metala tokom plastiène deformacije. Elektronska energija veze metalnih kristala je niža od
one i kod jonskih i kovalentnih kristala (v. Tabl. 1.10).
Kao što vidimo, ovaj šematski model i pored svoje uprošæenosti može uspešno da objasni
svojstva metala, s tim što treba samo uzeti u obzir èinjenicu da je idealni gas kvazislobodnih elektrona
pri svim praktièki ostvarivim temperaturama jako degenerisan (tj. podvrgava se kvantnoj Fermi-
Dirakovoj (Fermi-Dirac) statistici, v. Od. 2.4).

Sl.1.25 Kristalna rešetka metala sa pozitivnim jonima i elektronskim »gasom«.

Kaže se da je gas degenerisan kada srednja kinetièka energija njegovih konstituenata više nije
proporcionalna apsolutnoj temperaturi ( =3kT/2), veæ dolaze do izražaja kvantne nulte oscilacije

konstituenata, sa srednjom kinetièkom energijom (v. fusnotu 12). Tempera

degeneracije (gde poèinju da dominiraju kvantni feomeni) moguæe je oceniti iz uslova degenerisanog

26
gasa

(1.15N)

Oblast lokalizacije a èestica gasa, može se povezati sa njihovom koncentracijom n=1/a3, pa

zamenom u prethodnu relaciju dobija se

(1.15O)

odakle je temperatura degeneracije

(1.16)

Za elektronski gas u metalima je n-1029 m-3, me=9,1A10-31 kg; koristeæi vrednosti Bolcmanove
i Dirakove konstante (k=1,38A10-23 J/K, S=1,05A10-34 Js), temperatura degeneracije elektronskog gasa
je Tdeg-104 K, što znaèi da je elektronski gas degenerisan praktièno pri svim temperaturama pri kojima
postoji èvrsto stanje materije!

1.2.4 Van der Valsove veze

Ova vrsta veze odgovorna je za postojanje tzv. molekularnih kristala, kod kojih u procesu
kristalizacije molekuli zadržavaju svoju individualnost. U èvorovima kristalne rešetke se nalaze
molekuli. Neposredni fizièki uzrok postojanja Van der Valsovih sila je pojava indukovanih i
fluktuacionih dipola i, vezanih sa njima, dipolnih momenata (v. Sl. 1.26). Za dva dipola na rastojanju
r, potencijalna energija privlaèenja je -r-6, jer elektrièno polje indukovano od strane jednog dipola
opada -r-3 (v. Zad. 1.11). Van der Valsove veze su kratkodometne i znatno slabije od prethodno
pomenuta tri tipa veze, pa dolaze do izražaja tek onda kada iz odreðenih razloga (zatvorenost
elektronskih ljuski, zasiæenost valentnih veza u molekulima èija se interakcija posmatra) ne postoje
kovalentne, jonske ili metalne veze. Tipièni predstavnici kod kojih se javljaju ove veze su kristali
inertnih gasova. Oni su obrazovani po principu gustog pakovanja jer su Van der Valsove veze, kao i
jonske i metalne, nezasiæene i neusmerene. Pošto su Van der Valsove sile slabog intenziteta, to
molekularni kristali imaju nisku taèku topljenja, kao i isparavanja. Tako, kristali joda pri normalnom
atmosferskom pritisku isparavaju na 39,6 EC. Elektronska energija veze im je veoma mala (v. Tabl.
1.10), iako spadaju u dielektrike pošto nemaju slobodnih elektrona u kristalu.

27
 Sl.1.26 Raspodela elektronske gustine izmeðu dva atoma u funkciji meðusobnog rastojanja, za
sluèaj Van der Valsovih interakcija.
Savremene predstave o fizièkoj prirodi hemijskih veza u molekulima (kristal - gigantski
molekul) baziraju se na fundamentalnoj pretpostavci o zajednièkom efektu dugodometnih kulonovskih
sila i kratkodometnih sila preklapanja elektronskih oblaka, a takoðe i jonskih i polarizacionih efekata.
Otuda je jasno da se èetiri navedena tipa veza ne javljaju u èistom obliku, veæ samo jedan od tipova
interakcija preovlaðuje nad drugim i time odreðuje svojstva jedinjenja. Iz do sada izloženog sledi da
se razlièiti tipovi meðuatomskih veza samo kvantitativno razlikuju po raspodeli elektronske gustine
izmeðu atoma, a nikako u kvalitativno razlièitim prirodama interakcije. Moglo bi se reæi da se razlièiti
tipovi veze svode, u suštini, na razlièiti stepen kolektiviziranosti elektrona meðu atomima u materijalu.
Pomenimo na kraju da postoji jedan intermedijarni tip izmeðu
jonske i Van der Valsove veze, tzv. vodonièna veza. U opštem sluèaju
ona se uspostavlja izmeðu vodonika i elektronegativnih elemenata male
zapremine atoma (N, O, F). Naime, atom vodonika uobièajeno stvara
jednu kovalentnu vezu, no, zbog jakog elektrostatièkog polja protona
može formirati sa elektronegativnim jonima i jonsku vezu - dakle
vodonièna veza je u osnovi jonska. Treba uoèiti da elektronegativni
Sl. 1.27 Šematski prikaz elementi velikih radijusa (kao Cl), nemaju težnju za obrazovanje
vodoniène veze izmeðu vodoniène veze, zbog manje koncentrisanog elektrostatièkog polja.
atoma H i O (vertikalne Vodoniène veze nisu jake, no ipak su izvanredno važne u mnogim
crtice). strukturama16). Primer ove vrste veze dat je na Sl. 1.27.

1.3 NESAVRŠENOSTI U KRISTALNOJ STRUKTURI

U dosadašnjem izlaganju kristalni materijali posmatrani su idealizovano, sa savršenom

ureðenošæu kristalne strukture. Ali jasno je da nam stvarnost nudi i izvesna odstupanja od ovakve
idealizovane slike - tada se susreæemo sa pojmom nesavršenosti (defekata) kristala. Po definiciji, svako
drastièno odstupanje od periodiènosti u kristalu - predstavlja nesavršenost17). S obzirom na raznolikost
pojavnosti ovih nesavršenosti, nužno se suoèavamo i sa problemom njihove klasifikacije. Najopštija
klasifikacija bila bi prema tome na koliko je dimenzija (n) u atomskom domenu ogranièena oblast
nesavršenosti - prema ovome mogu postojati taèkaste (n=0), linijske (n=1), površinske (n=2) i

16)
Na primer u proteinima, èije se enzimske reakcije odigravaju izvanredno brzo baš zbog male jaèine vodonièkih
veza, kojima su enzimi vezani za supstrat; sekundarna spiralna struktura molekula DNK je takoðe, posledica
vodonièkih veza [9].
17)
Sva realna tela imaju strukturne nesavršenosti, ali ih uzimamo u obzir tek onda kada je uticaj ovih defekata na
osobine materijala veoma izražen i kada se izvesne pojave (jaèina i plastiènost metala, difuzija, jonska provodnost,
postojanje centara bojenja) ne mogu objasniti teorijom savršenog kristala.

28
zapreminske (n=3) nesavršenosti, koje pri meðusobnoj interakciji mogu obrazovati i složene
nesavršenosti. U ovom odeljku ogranièiæemo se na prikaz taèkastih, linijskih i površinskih
nesavršenosti, uz napomenu da su tipiène zapreminske nesavršenosti u osnovi makroskopske prirode
(pore, pukotine itd.).
Taèkaste nesavršenosti mogu se podeliti na vakancije (Šotkijevi (Schottky) defekti),
intersticijske (meðuèvorne ili Frenkeljeve (FrenkelN)) defekte i primese stranih atoma (koje mogu biti
rasporeðene kako u èvorovima rešetke osnovnog kristala, tako i izmeðu njih).
Linijske nesavršenosti nazivaju se i dislokacijama, meðu kojima razlikujemo iviène i zavojne.
Tipièan primer površinskih nesavršenosti su granice kristalnih zrna.
Razmotrimo posebno nabrojane tipove nesavršenosti.

1.3.1 Šotkijevi i Frenkeljevi defekti

Na Sl. 1.28(a) prikazan je sluèaj vakancije ili Šotkijevog defekta, pri kojem atomi, napustivši
svoje mesto u rešetki odlaze na površinu kristala; unutar kristala ostaje prazno mesto - vakancija. Sa
slike se jasno vidi da u ovom procesu kristal smanjuje specifiènu gustinu, na raèun poveæanja svoje
zapremine.
Fizièki uzroci obrazovanja vakancija povezani su sa toplotnim vibracijama atoma, èije
amplitude imaju karakter statistièke raspodele. Od ukupnog broja atoma u kristalu, neki imaju dovoljnu
kinetièku energiju da napuste svoje ravnotežne položaje (v. Sl. 1.28(a)) i difunduju u zapreminu
kristala. Ako se oni kreæu kroz kristal sve dok ne izaðu na površinu, formira se Šotkijev defekat.

Sl. 1.28 Šematski prikaz (a) vakancije (Šotkijevog defekta) i (b) intersticijskog (Frenkeljevog)
defekta u dvodimenzionom kristalu.
No, èesto se dešava da atom, napustivši svoj ravnotežni položaj, ne doðe do površine kristala
veæ zauzme mesto u prostoru izmeðu èvorova (tzv. intersticijski položaj). Ovakav par,
vakancija+intersticijski atom, naziva se Frenkeljev defekat (v. Sl. 1.28(b)).
Pošto i Šotkijev i Frenkeljev defekat u osnovi dovode do obrazovanja vakancije u rešetki, iz
prethodnih kvalitativnih razmatranja jasno je da koncentracija ovih defekata zavisi od temperature i od
energije obrazovanja vakancija. Ova energija nije jednaka za pomenute dve vrste defekata: kod
Frenkeljevog, ona je jednaka energiji izbacivanja atoma iz ravnotežnog položaja, dok je kod Šotkijevog,
ovoj energiji potrebno dodati i energiju koja se gubi na izlaženje atoma na površinu kristala. Imajuæi
u vidu statistièki karakter obrazovanja vakancija, povezan sa Maksvel-Bolcmanovom (Maxwell-
Boltzmann) raspodelom po energiji vibracija atoma u rešetki, koncentracija vakancija æe takoðe imati
takvu zavisnost18)

18)
Može se pokazati [10] da se ovakav karakter raspodele koncentracije dobija iz uslova minimuma
termodinamièkog potencijala, za kristal u termalnoj ravnoteži. Znaèi da su vakancije prisutne èak i u tom sluèaju - a
matematièki izraz te èinjenice je raspodela Maksvel-Bolcmanovog tipa.

29
 (1.17)

gde je õvak - energija formiranja vakancija (razlièita za Šotkijev i Frenkeljev defekat), a N -

koncentracija atoma u kristalu. Iz (1.17) vidi se da se energija formiranja vakancije može odrediti
snimanjem eksperimentalne zavisnosti ln(Nvak/N)=f(1/T), koja predstavlja pravu sa nagibom -õvak/k.
Zavisnost koncentracije vakancija od temperature može se odrediti merenjem promene specifiène
elektriène otpornosti Äñ sa temperaturom. Naime, pošto je promena specifiène elektriène otpornosti
proporcionalna koncentraciji vakancija (jer one deluju kao centri rasejavanja, v. Od. 3.1.1), to æe i Äñ
imati istu temperatursku zavisnost:

(1.18)

gde je C - konstanta. Zagrevanjem uzorka na temperaturu T1, a potom njegovim naglim hlaðenjem
(zamrzavanjem stanja vakancija), ostaje broj vakancija karakteristièan za temperaturu T1 - što je
posledica èinjenice da pri naglom hlaðenju nema moguænsti popunjavanja vakancija atomima. Na ovaj
naèin moguæe je snimiti zavisnost lnÄñ=f(1/T), odakle se odreðuje õvak.
Koristeæi (1.17), izvršimo grubu procenu zavisnosti koncentracije vakancija od temperature. Na
primer, za N=1029 m-3 i õvak=1 eV dobija se Nvak-1012 m-3 na T=300 K, dok je na T=800 K koncentracija
vakancija Nvak-1022 m-3, što pokazuje da Nvak izrazito raste sa porastom temperature.

1.3.2 Primesni atomi

Najvažniji tip defekata za poluprovodnièku tehnologiju predstavljaju atomi primesa. Njihovim
dodavanjem (dopiranjem) u osnovni materijal (najèešæe Si) postižu se željene karakteristike
poluprovodnika i poluprovodnièkih naprava. Iako po svom karakteru predstavljaju defekte u kristalnoj
strukturi, tu se ispoljava njihov koristan aspekt. Nasuprot ovome, kod metala je pristustvo primesa
štetno, jer dovodi do pojaèanog rasejanja provodnih elektrona pri proticanju elektriène struje (v. Od.
3.1.1), što poveæava specifiènu elektriènu otpornost metala. S tim u vezi uobièajeno je da se sluèajni
defekti ovog tipa nazivaju neèistoæama, dok se oni dobijeni kontrolisanim dodavanjem (dopiranjem)
stranih atoma nazivaju primesama.

Sl. 1.29 Prikaz (a) supstitucijskog i (b) intersticijskog dvodimenzionog èvrstog rastvora.
Atomi primesa mogu sa osnovnim kristalom obrazovati dva tipa èvrstih rastvora: supstitucijski
i intersticijski (v. sl 1.29(a) i (b)). U prvom sluèaju atomi primese nalaze se u èvorovima kristalne
rešetke, a u drugom izmeðu èvorova. Prioritet nastanka jedne od ovih moguænosti uslovljen je
geometrijskim i elektrohemijskim faktorima [11] (tzv. Hjum-Roterijeva pravila). Shodno ovim
pravilima supstitucijske primese moguæe su samo ako se polupreènik primesnog atoma ne razlikuje za
više od 15% od atoma osnovnog kristala. U suprotnom sluèaju javila bi se nedopustiva naprezanja u
okviru ovog kristala. Slièno, intersticijske primese mogu da egzistiraju samo ako im je polupreènik
manji od 59% polupreènika atoma osnovnog kristala, zbog velièine preostalog meðuatomskog prostora
u rešetki (ovo je naroèito kritièno kod metala, gde su atomi u kristalu gusto upakovani).
Za teoriju i praksu poluprovodnika od naroèitog znaèaja su supstitucijski èvrsti rastvori kristala

30
silicijuma i primesnih atoma iz III i V grupe Mendeljejevog periodnog sistema elemenata.
Iz Od. 2.2.2 znamo da silicijum obrazuje u kristalu èetiri kovalentne veze sa svojim susedima,
èime svaki od njih postiže stabilnu elektronsku konfiguraciju susednog inertnog gasa, argona. Šematski
"dvodimenzioni" prikaz silicijumskog kovalentnog besprimesnog kristala dat je na Sl. 1.30(a).
Formiranjem supstitucijskog èvrstog rastvora silicijuma i primesnih atoma V grupe periodnog sistema
svaki primesni atom formiraæe èetiri kovalentne veze, sparujuæi svoje elektrone sa elektronima susednih
atoma silicijuma. No, onaj peti valentni elektron ostaje nesparen i slabo vezan za matièni atom, tako
da se i pri temperaturama znatno nižim od sobne jonizije - kolektivizirajuæi se, postavši provodnim
elektronom (slièno provodnim elektronima u metalu). Pošto ovi petovalentni atomi daju elektrone
kristalnoj strukturi, oni se nazivaju donorima. Šematski prikaz "dvodimenzionog" silicijumskog
kristala sa jednim donorskim atomom dat je na Sl. 1.30(b).
Energija jonizacije donora može se proceniti korišæenjem izraza za energiju jonizacije atoma
sliènog vodoniku, iz Borovog (Bohr) modela atoma [12]:

(1.19)

Za sluèaj atoma okruženog susedima, pojavljuje se uticaj sredine izražen relativnom dielektriènom
propustljivošæu gr, koja smanjuje za toliko puta silu elektrostatièkog privlaèenja elektrona i jezgra - zato
se može uzeti efektivno naelektrisanje jezgra Ze/gr, pa gornji izraz postaje za atom slièan vodoniku

(1.20)

tu je masa elektrona me zamenjena tzv. efektivnom masom elektrona mn*, koja je rezultat kretanja
elektrona u periodiènom polju kristala, koje mu menja pokretljivost - to se formalno uzima u raèun
uvoðenjem mn* (v. Od. 2.2). Poreðenjem (1.19) i (1.20) dobija se

(1.21)

Znajuæi da je energija jonizacije atoma vodonika (Z=1) u slobodnom stanju oko 13,6 eV, kao i da je za
silicijum gr.12 i mn*/me.0,3, dobija se Äõd.0,06 eV19).

19)
U sluèaju dopiranja šestovalentnim primesnim atomima, koji daju po dva nesparena elektrona (Z=2) kristalnoj
strukturi, energija jonizacije ovih elektrona je Z 2 =4 puta veæa (Ä.0,24 eV), pa se zato ove primese nazivaju
dubokoležeæim; analogno važi i za dvovalentne akceptorske primese. Za sedmovalentne i jednovalentne primese
(Z=3), aktivacione energije su još veæe (Z 2 =9 puta: Äõ.0,54 eV).

31
 Sl. 1.30 Šematski prikaz »dvodimenzionog« silicijumskog kovalentnog (a) besprimesnog kristala,
(b) kristala sa jednim donorskim atomom i (c) kristala sa jednim akceptorskim atomom.
U sluèaju supstitucijskog èvrstog rastvora silicijuma i trovalentnih primesnih atoma, svaka
primesa obrazovaæe sa susednim atomima silicijuma tri kovalentne veze, dok æe jedna veza ostati
nezasiæena. Šematski prikaz dvodimenzionog silicijumskog kristala sa jednim akceptorskim atomom
dat je na Sl. 1.30(c). Rasuðivanje analogno onom koje je dovelo do izraza (1.21) pokazuje da je
potrebna mala energija da trovalentna primesa zahvati jedan valentni elektron nekog od susednih atoma
silicijuma u kristalu. Pošto sada primesni atom ima sposobnost da pri vrlo niskim temperaturama prima
elektron od suseda, on se naziva akceptorom (o donorima i akceptorima, i uopšte o primesnim
poluprovodnicima biæe još reèi u Od. 2.4.3).

1.3.3 Dislokacije
U osnovi, linijska nesavršenost (dislokacija) predstavlja narušenje pravilne strukture rešetke duž
neke linije (otvorene ili zatvorene), koja se završava na površini kristala. Ova linija predstavlja granicu
izmeðu pomerenog i nepomerenog podruèja kristala.
Prema naèinu postanka postoje dva tipa ovih nesavršenosti: iviène i zavojne dislokacije (v. Sl.
1.31(a) i (b)). Kod iviène dislokacije atomske ravni se mogu zamisliti kao stranice jedne knjige kod
koje nedostaje polovina jedne strane, pri èemu postoji težnja da se susedne strane na mestu nedostajuæe
približe, kako bi ponovo uspostavile periodiènu strukturu kristala svuda osim u blizini dislokacione
linije. Zavojna dislokacija oznaèava granicu koja nastaje klizanjem jednog dela kristala u odnosu na
drugi, nepokretan deo.

Sl. 1.31 Prikaz (a) iviène i (b) zavojne dislokacije.

Dislokacije se mogu otkriti procesom hemijskog nagrizanja površine ispitivanog materijala.

32
Specijalno odabranim hemikalijama skida se površinski sloj atoma, naroèito na krajevima dislokacionih
linija, gde je struktura kristala defektna. Na ovaj naèin formiraju se udubljenja pravilnog oblika (kao
na Sl. 1.32), èiji broj po jedinici površine predstavlja meru gustine dislokacija.
U opštem sluèaju, dislokacije nastaju pri rastu kristala, a mogu da budu i rezultat mehanièkih
naprezanja u kristalu. Izgleda da je brzina rasta monokristala povezana sa rastom kristala oko zavojne
dislokacione linije. Naime, ako se pretpostavi da su kristali savršeni i da rastu sloj po sloj, taj bi proces
bio veoma spor zbog slabe privlaène sile koju ostvaruje savršena kristalna ravan na atom (Sl. 1.33(a)).
Veæa privlaèna sila ostvaruje se na atom u kristalnom "stepeniku" (Sl. 1.33(b)), a još veæa u "uglu" (Sl.
1.33(c)). No, u svim tim sluèajevima pojavljuje se problem "nukleacije sledeæeg sloja". Ovo se uspešno
razrešava ako se pretpostavi da se rast kristala vrši oko zavojne dislokacije (Sl. 1.33(d)), èime teorija
i eksperiment postižu usaglašenost u pogledu brzine rasta kristala [10].

Sl. 1.32 Izgled krajeva dislokacionih linija na Sl. 1.33 Prikaz dinamike ugraðivanja atoma
hemijski nagriženoj površini. (prikazanog kockicom) u kristal (a) ravne
površine, (b) sa »stepenikom«, (c) sa »uglom«
i (d) zavojnom dislo-
kacijom.
Interesantno je nešto reæi i o interakcijama
dislokacija sa taèkastim defektima u kristalu [10]. Ova vrsta interakcija odgovorna je za poveæanu
mehanièku èvrstoæu realnih slabo pripremljenih kristala (kod kojih broj vakancija nije smanjen
zagrevanjem, pa potom laganim hlaðenjem do sobne temperature) u odnosu na one pažljivo
pripremljene. Naime, pokazuje se da interakcije taèkastih defekata i dislokacija spreèavaju širenje
poslednjih, što rezultira u poveæanoj èvrstoæi ovakvog kristala. Upravo u vezi sa objašnjenjem ovog,
naizgled, paradoksa (da je kristal sa manje nesavršenosti slabiji u pogledu mehanièke èvrstoæe) i uveden
je pojam dislokacija i shvaæena njihova uloga pri deformaciji. No, èitalac ne bi trebalo da bude u
zabludi: savršen kristal je ipak najveæe èvrstoæe, ali ovakav kristal je izuzetno teško napraviti (s tim što
ako veæ ima dislokacija u kristalu, onda je bolje da ima i ostalih defekata, koji spreèavaju razvoj
dislokacija pri mehanièkom naprezanju). Da bi se uverili u to, posmatrajmo najpre savršen kristal, kod
kojeg želimo da izvršimo pomeraj kristalne strukture za dužinu parametra kristalne rešetke po ravni AB,
u pravcu delovanja mehanièke sile F (v. Sl. 1.34(a)).

33
 Sl. 1.34 Mehanièka èvrstoæa (a) savršenog kristala znatno je veæa nego kod (b) kristala sa iviènom
dislokacijom.
Da bi se to ostvarilo potrebno je pomeriti sve atome iznad ravni klizanja AB za dužinu parametra
rešetke. Energija potrebna za ovakvu deformaciju jednaka je proizvodu energije veze atoma u kristalu
sa brojem atomskih parova duž ravni AB. Meðutim, ako imamo linijsku nesavršenost u rešetki, kod
koje se ravan klizanja AB poklapa sa granicom dva bloka, na koju je postavljeno jezgro iviène
dislokacije (v. Sl. 1.34(b)), potreban rad pokazuje se oko 100 puta manji nego u sluèaju savršene
strukture. Naime, pod dejstvom sile F slojevi 3, 4 i 5 neæe se praktièno pomerati, dok æe se sloj 2
pomeriti za polovinu parametra rešetke, postavljajuæi se u prirodni položaj naspram sloja 3N. Jedino æe
se raskinuti veza izmeðu slojeva 1 i 1N, za šta je potreban rad na deformaciju (kako pokazuje raèun) oko
100 puta manji nego kod kristala bez nesavršenosti.
Na kraju ovog odeljka o nesavršenostima kristalne strukture, pomenimo da bi elektrièna
provodnost jonskih kristala bila znatno manja (odnosno bila bi specifièna elektrièna otpornost znatno
veæa, ño106 Ùm) kada u njima ne bi bilo defekata, jer prisustvo vakancija omoguæuje kretanje jona od
jedne do druge vakancije pod dejstvom elektriènog polja. Slièno tome, difuzija dva kristala jednog u
drugi bila bi skoro nemoguæa da nema dislokacija i vakancija, koje omoguæavaju ubacivanje stranih
atoma u kristal i dalju difuziju kroz njega. Jasno je da temperatura ubrzava ovaj proces, pre svega zbog
poveæanja broja vakancija, a zatim i zbog poveæanog srednjeg rastojanja izmeðu atoma kristala, što
omoguæava lakše "provlaèenje" primesnih atoma u novi položaj u rešetki (time se objašnjava i
principijelna, ali mala, moguænost difuzije u idealnom kristalu).

1.3.4 Granice kristalnih zrna

Veæina realnih kristala, sa iskljuèenjem veoma pažljivo napravljenih, sastoji se od mnoštva
slabo razorijentisanih kristalnih zrna, èineæi polikristal. Kristalna zrna (dimenzija reda stotinak
meðuatomskih rastojanja) razdvojena su zajednièkom ravnom površinom, koja se naziva granicom
zrna. Kada je razlika u orijentaciji susednih zrna mala, govori se o malougaonoj granici zrna. Ova
granica se može predstaviti kao uzastopnost iviènih dislokacija (v. Sl. 1.35) ili zavojnih.

Sl. 1.35 Malougaona granica kristalnih zrna u polikristalu.

Struktura polikristalnog materijala zavisi od postupaka toplotne i mehanièke obrade materijala,
koji veoma utièu na njegova mehanièka [13] i elektrièna svojstva. Granice kristalnih zrna (kao i ostali
defekti) spreèavaju širenje dislokacija, èime poveæavaju mehanièku èvrstoæu materijala.

34
 1.4 ZADACI

1.1 Polazeæi od tri skalarne jednaèine (1.5) u tekstu

(1)

gde su ai - primitivni vektori direktne rešetke, pokazati da se može izvršiti razlaganje vektora K

(2)

po tzv. primitivnim vektorima reciproène rešetke

(i, j, k = 1, 2, 3 sa cikliènim permutacijama indeksa), gde je V0=[a1a2a3] - zapremina primitivne æelije

direktne rešetke, koju obrazuju vektori ai (i=1, 2, 3).

REŠENJE :

Razložimo vektor K po tri nekomplanarna vektora a2×a3, a3×a1, a1×a2, normalna na

odgovarajuæe primitivne vektore a1, a2, a3:
(3)

Skalarnim množenjem izraza (3) primitivnim vektorima ai (i=1, 2, 3), dobija se

(4)

gde je korišæena osobina mešovitog proizvoda

kao i jednaèina (1). Iz jednaèine (4) dobijaju se koeficijenti ái

èijom se zamenom u izraz (3) dobija traženo razlaganje (2) vektora K po tzv. primitivnim vektorima
reciproène rešetke

35
 (5)

1.2 Dokazati da je zapremina primitivne æelije reciproène rešetke jednaka Vp=(2ð)3/V0, gde je
V0=[a1a2a3] zapremina primitivne æelije direktne rešetke.

REŠENJE :

Zapremina primitivne æelije reciproène rešetke jednaka je Vp=[A1A2A3], gde su Ai (i=1, 2, 3)

primitivni vektori u reciproènom prostoru (izraz (5) u Zad. 1.1). Izrazivši vektor A2 preko primitivnih
vektora direktne rešetke

i koristeæi relacije ortogonalnosti (1.8) u tekstu

dobija se

gde je u treæem koraku korišæena i osobina vektorskog proizvoda tri vektora

1.3 Pokazati da Vigner-Zajcova primitivna æelija u reciproènom prostoru odreðuje prvu Briluenovu
zonu. Ilustrovati to na primeru dvodimenzione kvadratne rešetke.

REŠENJE :

Prva Briluenova zona može se lako formirati metodom Vignera i Zajca. Naime, granice
Briluenovih zona predstavljaju vrednosti kvazitalasnog broja k, pa je za te vrednosti energija elektrona
jednaka õ (0)(k) =õ (0)(k+K), što se za sluèaj kvazislobodnih elektrona može napisati u obliku

36
 odakle se dobija uslov

(1)

koji zadovoljava kvazitalasni vektor k na granici Briluenovih

zona. Ovaj uslov se može lako analizirati (Sl. 1): skup svih ravni
Sl. 1 Slikoviti prikaz uslova (1), koje prolaze normalno kroz sredinu vektora K daje ravni
korišæenog pri konstrukciji Vigner- diskontinuiteta energije u k-prostoru.
Zajcove primitivne æelije. Odavde je jasno da se prva Briluenova zona može
formirati spajanjem jednog èvora reciproène rešetke sa najbližim
susednim èvorovima, a zatim povlaèenjem normalnih ravni kroz
sredine duži: zapremina ogranièena tim ravnima predstavljaæe prvu Briluenovu zonu.

Sl. 2 Prikaz konstrukcije Briluenovih zona dvodimenzione kvadratne rešetke.

Iskoristiæemo ovaj metod da konstruišemo Briluenove zone dvodimenzione kvadratne rešetke.
Reciproèna rešetka æe takoðe biti kvadratna sa periodom 2ð/a (a-period Braveove (direktne) kvadratne
rešetke). Izgled zona prikazana je na Sl. 2. Kao što se vidi, sve zone imaju istu površinu (zapreminu u
trodimenzionom sluèaju) i mogu se preslikati na prvu zonu translacijama za ni(2ð/a) (ni=0, ±1, ±, ...;
i=1, 2).

1.4 Dokazati da je reciproèna rešetka od reciproène rešetke - direktna rešetka.

REŠENJE :

Formirajmo, saglasno izrazu (5) u Zad. 1.1, vektore bi po vektorima Aj (i, j =1, 2, 3):

37
gde su korišæeni izrazi Vp=[A1A2A3]=(2ð)3/V0 i V0=[a1a2a3] za zapremine primitivnih æelija u
reciproènom prostoru. Slièno se dobija i da je b2=a2 i b3=a3, èime je pokazano da je reciproèna rešetka
od reciproène rešetke - direktna rešetka.

1.5 Dokazati da za Braveovu rešetku multiplicitet ose rotacije može biti samo n=1, 2, 3, 4 i 6.

REŠENJE :

Izvršimo jednostavnu geometrijsku analizu dvodimenzionog kristala, èija je rešetkina konstanta

a (Sl. 1). Sa A i B su obeleženi susedni nizovi atoma. Niz A sadrži m atoma koji se nalaze meðusobno
na rastojanjima koja su celobrojni umnošci rešetkine konstante. Odstojanje izmeðu atoma 1 i m biæe
(m-1)a. Ako se pretpostavi da rotacija za ugao á predstavlja operaciju simetrije ove rešetke, tada rotacija
oko atoma 2 (u smeru obrnutom kretanju kazaljke na satu) treba da premesti atom 1 u položaj 1N.
Slièno, rotacijom atoma m (u smeru kazaljke na satu) oko atoma m-1, doseže se položaj atoma mN.
Oèevidno je, pošto su u pitanju bile operacije simetrije za datu rešetku, da položaji 1N i mN pripadaju
nizu atoma B kristalne rešetke, pa usled translacione simetrije rešetke njihovo meðusobno rastojanje
X treba da je celobrojan umnožak konstante rešetke, nAa, gde je n - ceo broj.
Sa Sl. 1, pomoæu jednostavnih trigonometrijskih razmatranja, je
(1)

odakle je

(2)

Sl. 1 Prikaz uz izvoðenje izraza Pošto su n i m celi brojevi, i -1#cosá#1, to prethodna jednaèina
(1), na primeru dvodimenzione ima rešenje samo u pet sluèajeva:
kristalne rešetke.

za koje (n-m) uzima redom vrednosti

{-5, -4, -3, -2 i -1}. Njihovom zamenom u (2) dobija se da za te vrednosti cosá ima vrednosti cosá={-1,
-1/2, 0, 1/2, 1}, koje odgovaraju uglovima rotacije á={ð, 2ð/3, ð/2, ð/3, 0}, što znaèi da su redovi
rotacione ose simetrije n={2, 3, 4, 6 i 1}. (Po definiciji je red rotacione ose simetrije n=2ð/á - svaka
celobrojna vrednost).

1.6 Kod jediniène æelije kubiène prostornocentrirane kristalne rešetke izraèunati:

(a) broj atoma po elementarnoj æeliji,
(b) koordinacioni broj,
(c) zauzetu i nezauzetu zapreminu, kao i relativnu gustinu pakovanja i
(d) minimalno rastojanje izmeðu atoma u rogljevima.

REŠENJE :

38
 Šematski prikaz rasporeda atoma u elementarnoj æeliji kubiène prostornocentrirane kristalne
rešetke dat je na Sl. 1. pri èemu se u aproksimaciji gustog pakovanja atomskih sfera pretpostavlja da
se atomi u rogljevima dodiruju sa centralnim atomom smeštenim u preseku dijagonala kocke.

Sl.1 Šematski prikaz rasporeda atoma u elementarnoj æeliji kubiène prostornocentrirane kristalne
rešetke.

(a) Broj atoma po elementarnoj æeliji je 2, s obzirom da jednoj elementarnoj æeliji pripada u celini jedan
atom u centru, i sa po 1/8 osam atoma u rogljevima: 1+8A(1/8)=2.

(b) Koordinacioni broj (broj najbližih suseda podjednako udaljenih od proizvoljnog atoma u rešetki)
je ovde 8, jer je centralni atom podjednako udaljen od osam najbližih suseda u rogljevima.
(c) Pošto se centralni atom dodiruje sa atomima u rogljevima, to mora biti odakle je
polupreènik atoma , gde je a - parametar ove kristalne rešetke (Sl. 1). S obzirom da u
elementarnoj æeliji imaju 2 atoma, to je zapremina zauzeta ovim atomima

dok je nezauzeta zapremina

Relativna gustina pakovanja je odnos zauzete i ukupne zapremine elementarne æelije:

(d) Minimalno rastojanje izmeðu atoma u rogljevima jednako je

1.7 Kod jediniène æelije kubiène površinskicentrirane kristalne rešetke izraèunati:

(a) broj atoma po elementarnoj æeliji,
(b) koordinacioni broj,

39
(c) zauzetu zapreminu, kao i relativnu gustinu pakovanja i
(d) minimalno rastojanje izmeðu atoma u rogljevima.

REŠENJE :
Šematski prikaz rasporeda atoma u elementarnoj æeliji kubiène površinskicentrirane kristalne
rešetke dat je na Sl. 1, pri èemu su u aproksimaciji gustog pakovanja atomskih sfera pretpostavlja da
se atomi u rogljevima dodiruju sa atomom smeštenim u preseku dijagonala strane kocke.

(a) Broj atoma po elementarnoj æeliji je 4, s obzirom da jednoj elementarnoj æeliji pripada sa po 1/8
osam atoma u rogljevima, i sa 1/2 šest atoma u preseku dijagonala strana kocke: 8A(1/8)+6A(1/2)=4.

(b) Koordinacioni broj jednak je 12, što se vidi sa Sl. 2.

(c) Pošto se atom smešten u preseku dijagonala strana kocke dodiruje sa atomima u rogljevima, to mora
biti odakle je polupreènik atoma gde je a - parametar ove kristalne rešet
S obzirom da u elementarnoj æeliji ima 4 atoma, to je zapremina zauzeta ovim atomima

Relativna gustina pakovanja jednaka je

Sl. 1 Šematski prikaz rasporeda atoma u Sl. 2 Proizvoljni atom u ovoj kristalnoj rešetki
elementarnoj æeliji kubiène ima 12 najbližih suseda.
površinskicentrirane kristalne rešetke.

(d) Minimalno rastojanje izmeðu atoma u rogljevima jednako je

40
1.8 Kod jediniène æelije dijamantske kristalne rešetke izraèunati:

(a) broj atoma po elementarnoj æeliji,

(b) koordinacioni broj,
(c) zauzetu zapreminu, kao i relativnu gustinu pakovanja i
(d) minimalno rastojanje izmeðu atoma u rogljevima.

REŠENJE :

Dijamantska kristalna rešetka može se predstaviti kao

superpozocija dve površinskicentrirane kubiène kristalne
rešetke, pomerene jedna u odnosu na drugu duž dijagonale
kocke za 1/4 te dijagonale (Sl. 1).

(a) Broj atoma po elementarnoj æeliji je 8, s obzirom da jednoj

elementarnoj æeliji pripada sa po 1/8 osam atoma u rogljevima,
sa 1/2 šest atoma u preseku dijagonala strana kocke, i u celini 4
atoma koji potièu od druge (pomerene duž dijagonale kocke za
1/4 te dijagonale) površinskicentrirane kubiène kristalne rešetke:
8A(1/8)+6A(1/2)+4=8.

(b) Koordinacioni broj je 4, jer se svaki "pomereni" atom nalazi

u centru tetraedra u èijim se rogljevima nalaze "nepomereni"
Sl. 1 Šematski prikaz rasporeda atomi površinskicentrirane kubiène kristalne rešetke.
atoma u elementarnoj æeliji
dijamantske kristalne rešetke. (c) Pošto se "pomereni" (za 1/4 dijagonale kocke) atom dodiruje
sa "nepomerenim" atomima (u rogljevima tetraedra), to mora
biti odakle je polupreènik atoma gde je a - parametar ove kris
(Sl. 1). S obzirom da u elementarnoj æeliji ima 8 atoma, to je zapremina zauzeta ovim atomima

Relativna gustina pakovanja jednaka je

(d) Minimalno rastojanje izmeðu atoma u rogljevima jednako je

1.9 Kod jediniène æelije heksagonalne gustopakovane kristalne rešetke odrediti:

(a) broj atoma po elementarnoj æeliji,
(b) koordinacioni broj,
(c) zauzetu zapreminu, kao i relativnu gustinu pakovanja i
(d) minimalno rastojanje izmeðu atoma u rogljevima.

41
 REŠENJE :

Heksagonalna gustopakovana kristalna rešetka ima elementarnu æeliju u obliku pravilne

šestostrane prizme, sa atomima smeštenim u rogljevima prizme, u preseku dijagonala osnova prizme
i unutar prizme na polovini visine a iznad težišta svakog drugog ravnostranog trougla pravilne
šestougaone osnove (Sl. 1).

(a) Broj atoma po elementarnoj æeliji je 6, s obzirom da jednoj elementarnoj æeliji pripada sa po 1/6
dvanaest atoma u rogljevima, sa 1/2 dva atoma u preseku dijagonala osnova prizme, i u celini 3 atoma
smeštena unutar prizme na polovini visine a iznad težišta svakog drugog ravnostranog trougla pravilne
šestougaone osnove: 12(1/6)+2(1/2)+3=6.

(b) Koordinacioni broj jednak je 12, što se vidi sa Sl. 2.

(c) Pošto se atomi smešteni unutar prizme na polovini visine, a iznad težišta svakog drugog
ravnostranog trougla šestougaone osnove, dodiruju sa susedima u osnovama, formirajuæi tetraedre, to
mora biti 2r=a, odakle je polupreènik atoma r=a/2, gde je a - parametar ove kristalne rešetke (Sl. 1).
S obzirom da u elementarnoj æeliji ima 6 atoma, to je zapremina zauzeta ovim atomima

Da bi izraèunali relativnu gustinu pakovanja, potrebno je naæi i zapreminu elementarne æelije. Pri tome,
uoèimo da visina elementarne æelije c i ivica osnove a nisu meðusobno nezavisni. Naime, visina
elementarne æelije jednaka je dvostrukoj visini pomenutih tetraedara (c=2h), a s druge strane je visina
tetraedra . Odatle se dobija odnos Imajuæi ovo u vidu, zapremina elem
æelije jednaka je

Sl. 1 Šematski prikaz rasporeda atoma u Sl. 2 Proizvoljni atom u ovoj kristalnoj rešetki
elementarnoj æeliji heksagonalne ima 12 najbližih suseda.
gustopakovane kristalne rešetke.
Relativna gustina pakovanja jednaka je

Vidimo da je relativna gustina pakovanja heksagonalne gustopakovane kristalne rešetke jednaka

42
relativnoj gutini pakovanja površinskicentrirane kubiène kristalne rešetke.

(d) Minimalno rastojanje izmeðu atoma u rogljevima jednako je nuli, jer se oni meðusobno dodiruju.

1.10 Za jonski kristal PbTe (koji kristališe kao NaCl) odrediti Madelungovu konstantu, pretpostavljajuæi
da izmeðu jona deluju kulonovske sile Fc=q1q2/4ðg0r2 i odbojne sile (kvantnomehanièkog porekla), koje
se mogu modelirati empirijskim potencijalom Br-9, gde je B - neka konstanta.

REŠENJE :

Odredimo potencijalnu energiju izmeðu dva jednostruko naelektrisana raznoimena jona:

(1)

Konstanta B može se odrediti iz uslova ravnotežnog meðusobnog položaja (minimum potencijalne

energije dU/dr=0)

Tada izraz (1) za potencijalnu energiju ravnotežnog stanja dobija izgled

(2)

Zamislimo kristalnu rešetku formiranu od elementarnih æelija tipa NaCl, datu na Sl. 1.20 u
tekstu, gde umesto Na i Cl jona sada stoje joni Pb i Te. Na rastojanju r=a/2 atom Pb ima 6 najbližih
susednih atoma Te; na rastojanju dati atom Pb ima za susede 12 atoma Pb; na rastojanju ima
8 atoma Te za susede; na rastojanju 2r dati atom Pb ima 6 atoma Pb kao susede, itd. Pošto se atomi
olova meðusobno odbijaju, a olova i telura privlaèe, izraz za potencijalnu energiju biæe (s obzirom na
formu (2))

gde je

Madelungova konstanta.

1.11 Dokazati da je u sluèaju molekularnih (Van-der-Valsovih) interakcija, sila koja deluje izmeðu

43
molekula kratkodometna i da opada sa rastojanjem -r-7.

REŠENJE :

Zamislimo neutralne molekule u nekom èvrstom telu. Dopustimo da zbog meðusobne blizine
molekula dolazi do deformacije jednog molekula, tako da se njegovi centri efektivnih (pozitivnih i
negativnih) naelektrisanja - ne poklapaju. Ako se ovi centri nalaze na rastojanju l, ovaj molekul može
se (u elektriènom smislu) prestaviti kao dipol, dipolnog momenta pe=qAl, gde je q - efektivno pozitivno
naelektrisanje (Sl. 1). U taèki A, na rastojanju r (rol) od ose dipola, elektrièno polje koje formira ovaj
dipol jednako je vektorskoj sumi doprinosa polju od pozitivnog (E1(A)) i negativnog naelektrisanja
(E2(A)): E=E1(A)+E2(A). Pošto su ova polja usmerena duž jedne prave, to je rezultujuæe polje intenziteta

Odbacujuæi malu velièinu l2nr2 dobija se

(1)

Sl. 1 Prikaz elektriènog polja koje formira Sl. 2 Indukovanje dipolnog momenta molekula
elektrièni dipol na rastojanju r (u taèki A). pod dejstvom elektriènog polja E.
Polje tog molekula (dipola) izaziva deformacije susednih molekula, indukujuæi tako i kod njih
dipolne momente. Naime, polje tog dipola deluje na pozitivno jezgro molekula silom odbijanja, a na
negativni elektronski oblak - silom privlaèenja, što i izaziva deformaciju molekula (Sl. 2). Moment
indukovanog dipola jednak je peN=qAlN, gde je lN krak dipola. Intenzitet spoljašnjeg elektriènog polja E
je reda velièine 104-106 V/m, dok je intenzitet polja koje èini pozitivno naelektrisano jezgro na
elektronskoj orbiti jednak Ej=q/4ðg0ra2-1011 V/m (jer je radijus atoma ra-10-10 m). Zato je sila F1, koja
deluje na elektron od strane spoljašnjeg elektriènog polja, mnogo manja od F2, kojom jezgro deluje na
elektron - zbog èega je pomeraj elektronskog oblaka znatno manji od radijusa orbite. Sa Sl. 2 vidi se
da je

44
odakle je Indukovani dipolni moment je

(2)

Velièina áe.4ðg0ra3 naziva se elektronskom polarizabilnošæu molekula (u statièkom polju, v. Od. 3.2.2).
Kombinovanjem (1) i (2) dobija se

(3)

Sl.3 Interakcija dva dipola s momentima pe i peN na rastojanju r (slika uz izraz (4)).
Ako se dva molekula, jednako orijentisanih dipolnih momenata pe i peN, nalaze nedaleko jedan
od drugog, izmeðu njih æe delovati privlaèna sila (Sl. 3), intenziteta

(4)

Zamenom (3) u (4) dobija se konaèno izraz za molekularnu (Van der Valsovu) silu

(5)

što je trebalo i pokazati. Pošto sila opada po zakonu -r-7, to je jasno da je ona veoma kratkog dometa,

45
što se sasvim slaže sa eksperimentom. S obzirom na definiciju potencijalne energije
jasno je da potencijalna energija opada po zakonu U-r-6.

1.5 Literatura
[1] N.W. Ashcroft, N.D. Mermin, Solid State Physics (Holt, Rinehart&Winston: New York, 1976),
Ch. 8.
[2] N.N. Kushta, Vvedenie v kristalogarfiyu (Vishaya shkola: Lvov, 1976).
[3] A. Ansel'm, Vvedenie v teoriyu poluprovodnikov, (Nauka: Moskva, 1978), Gl. 2.
[4] E.S. Fedorov, Simmetriya i struktura kristalov, (Nauka, Moskva, 1949).
[5] B.M. Javorskiy, A.A. Pinskiy, Osnovy fiziki, (Nauka: Moskva 1974), Gl. 70.
[6] A. Animalu, Intermediate Quantum Theory of Crystalline Solids, (Prentice-Hall: New Jersey,
1977), Ch. 3.
[7] W.J. Moore, Fizièka hemija, (Nauèna knjiga: Beograd, 1962), Gl. 11.
[8] L.D. Landau, E.M. Lifshic, Kvantovaya mehanika, (Nauka: Moskva, 1974), Gl. 10.
[9] J.D. Watson, Molekularna biologija gena, (Nauèna knjiga: Beograd, 1977), Gl. 4.
[10] Ref. 1, Ch. 30.
[11] È. Petroviæ, Osnovi tehnologije elektrotehnièkog materijala, (Nauèna knjiga: Beograd, 1976), Od.
3.7.3.1.
[12] Ref. 5, Gl. 71.
[13] Ref. 11, Gl. 4.

46
Uvod.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1 Struktura èvrstih kristalnih materijala. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.1 Prostorna struktura kristalnih tela. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.1.1 Translaciona simetrija.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.1.2 Reciproèna rešetka. Prva Briluenova zona. Milerovi indeksi.. . . . . . . 7
1.1.3 Simetrije kristalne strukture. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.1.4 Klasifikacija kristalnih struktura.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.1.5 Proste i složene kristalne strukture. Predstavnici. . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.2 Hemijske veze u èvrstim telima.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
1.2.1 Jonske veze. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
1.2.2 Kovalentne veze. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
1.2.3 Metalne veze. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
1.2.4 Van der Valsove veze. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
1.3 Nesavršenosti u kristalnoj strukturi. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
1.3.1 Šotkijevi i Frenkeljevi defekti.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
1.3.2 Primesni atomi. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
1.3.3 Dislokacije. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
1.3.4 Granice kristalnih zrna. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
1.4 Zadaci.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
1.5 Literatura. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

47