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TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT)

Carlos Adrián Jarro Pineda, cjarrop@est.ups.edu.ec

Darío Josué Oviedo Duran doviendo@est.ups.edu.ec

David Patricio Sinche Solís, dsinche@est.ups.edu.ec

Edisson Rafael Pintado León, epintadol@est.ups.edu.ec

Jonnathan Ignacio Quinteros Sacoto jquinteross@est.ups.edu.ec

Diego Fernando Zhinín Auquilla, dzhinina@est.ups.edu.ec Commented [JPJP1]:

 elevado, permitiendo que el dispositivo activo pueda utilizarse

Abstract— previously, it has been studied the materials from which
the main solid state electronic devices, the semiconductors, are
formed, studying the simplest semiconductor device, the junction
diode. Device, which as we have seen, consists of two differentiated
parts with a terminal in each of them, that is, it is a two-terminal
device. Following the study, we saw the semiconductor device
consisting of three different zones, with two P and N junctions and a
terminal in each of the zones, or what is the same, this is a three-
terminal device, " The transistor. "
The discovery of the transistor at the beginning of the 20th century
(1947) marked the beginning of the era of electronics. In just 60
years the development experienced and the degree of penetration in
everyday life has been such that nowadays it is difficult to think about
what life would be like without computers, telephony, radio,
television ... And it has been, precisely, the discovery of the transistor
the "culprit" of this technological revolution
Keywords: technological revolution, the transistor,
semiconductor
I INTRODUCCION
Los transistores de unión bipolar o transistores bipolares
(Bipolar Junction Transistor, BJT) son unos dispositivos
activos de tres terminales que constituyen el elemento
fundamental en multitud de aplicaciones que van desde la
amplificación de señales, al diseño de circuitos lógicos digitales
y memorias.
El principio básico de funcionamiento de un transistor bipolar
es el uso de la tensión existente entre dos de sus terminales para
controlar la corriente que circula a través del tercero de ellos.
De esta forma, un transistor bipolar podría utilizarse como una
fuente dependiente que, como hemos
establecido en el Capítulo anterior, es el elemento fundamental
del modelo de un amplificador de señal. Además, la tensión de
control aplicada puede provocar que la corriente en el tercer
terminal del transistor bipolar cambie de cero a un valor
como un conmutador con dos estados lógicos, que es el
elemento básico en el diseño de circuitos digitales
Commented [JPJP2]: You must write correctly this paragraph.
II OBJETIVOS
Objetivo general:
 Investigar sobre los transistores de unión bipolar(BJT)
Objetivos específicos:
 Conocer los tipos de transistores (BJT)
 Analizar los tipos de encapsulados
 Realizar los cálculos del disipador de calor
III MARCO TEÓRICO
El Transistor BJT Commented [JPJP4]: Poner como subtitulo este tema en
Aunque existen otros tipos de transistores en este caso se formato IEEE.
analizara el transistor de unión bipolar, también conocido por
las iniciales de su denominación en ingles BJT (Bipolar
Junction Transistor). El término “bipolar” hace referencia al
hecho de que en la conducción de la corriente intervienen los
dos tipos de portadores (electrones y huecos). El término
“junction (unión)”, hace referencia a la estructura del
dispositivo, ya que tenemos dos uniones P y N en el transistor
y mediante la polarización de estas uniones se consigue
controlar el funcionamiento del dispositivo.
El transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede
variar en función de la señal de entrada. Esta variación de
resistencia provoca que sea capaz de regular la corriente que
circula por el circuito al que está conectado. (Transfer Resistor).
Constitución interna de un BJT
El transistor bipolar es un dispositivo formado por tres regiones
semiconductoras, entre las cuales se forman unas uniones Commented [JPJP3]: Corregir el salto de línea innecesario.
(uniones PN). En la figura 1 observamos el aspecto útil para
análisis de un transistor bipolar. Siempre se ha de cumplir que

el dopaje de las regiones sea alterno, es decir, si el emisor es
tipo P, entonces la base será tipo N y el colector tipo P. Esta
estructura da lugar a un transistor bipolar tipo PNP. Si el emisor
es tipo N, entonces la base será P y el colector N, dando lugar a
un transistor bipolar tipo NPN.
FIG. 1 Estructura de un TRT bipolar
.
El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio, en el cual
se difunden impurezas, de forma que se obtengan las tres
regiones antes mencionadas. En la figura 2 vemos el aspecto
típico de un transistor bipolar real, de los que se encuentran en
cualquier circuito integrado. Sobre una base n (substrato que
actúa como colector), se difunden regiones p y n+, en las que se
ponen los contactos de emisor y base.
FIG. 2 Estructura real de un TRT
Estructura física
Es de señalar que las dimensiones reales del dispositivo son
muy importantes para el correcto funcionamiento del mismo.
Obsérvese la figura 3, en ella se pretende dar una idea de las
relaciones de tamaño que deben existir entre las tres regiones
para que el dispositivo cumpla su misión.
FIG. 3 Dimensiones de un TRT
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La zona central se denomina base, y las laterales emisor y
colector. Cada una de las zonas consta de un terminal por donde
extraer las corrientes. Estos terminales se representan por la
inicial del nombre de la zona respectiva: E (emitter), B (base) y
C (colector).
• El emisor ha de ser una región muy dopada (de ahí la
indicación p+). Cuanto más dopaje tenga el emisor, mayor
cantidad de portadores podrá aportar a la corriente.
• La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga
lugar poca recombinación en la misma, y prácticamente toda la
corriente que proviene de emisor pase a colector, como veremos
más adelante. Además, si la base no es estrecha, el dispositivo
puede no comportarse como un transistor, y trabajar como si de
dos diodos en oposición se tratase.
• El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor.
Las características de esta región tienen que ver con la
recombinación de los portadores que provienen del emisor. En
posteriores apartados se tratará el tema.
Tipos de transistor Commented [JPJP5]: Citar la fuente bibliográfica de las
figuras.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección
del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se
ve en el gráfico de cada tipo de transistor.
FIG. 4 Tipos de transistor
Transistor bipolar NPN.
Está formado por una capa fina tipo p entre dos capas n,
contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio o
silicio, presentando las tres zonas mencionadas (E, B, C). El
emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base, en
la base se gobiernan dichos portadores y en el colector se
recogen los portadores que no puede acaparar la base.
Unión emisor: es la unión PN entre la base y el emisor y la unión
colectora: es la unión PN entre la base y colector. Cada una de
las zonas está impurificada en mayor o menor grado, La base
100 veces menos que el colector o emisor, esta tiene menor
tamaño, después el emisor y a 2 veces de espesor el colector.

FIG. 5 Transistor tipo NPN
Transistor bipolar PNP.
El BJT PNP está formado también por un cristal semiconductor
con tres regiones definidas por el tipo de impurezas, las
tensiones de continúa aplicadas son opuestas a las del NPN.
Las corrientes fluyen en sentido contrario al del NPN. Por lo
demás, este dispositivo es similar al. El PNP desde el emisor
emite huecos, controlada por la base. El exceso de huecos que
no pueden recombinarse en la base, va a parar al colector.
FIG. 6 Transistor tipo PNP
Tipos de encapsulados
TIPOS DE ENCAPSULADOS
Encapsulados de transistores
Los transistores por fuera están encapsulados de diferentes
formas y tamaños, dependiendo de la función que vayan a
desempeñar. Hay varios encapsulados estándares y cada
encapsulado tiene una asignación de terminales que puede
consultarse en un catálogo general de transistores.
Independientemente de la cápsula que tengan, todos los
transistores tienen impreso sobre su cuerpo sus datos, es decir,
la referencia que indica el modelo de transistor. Por ejemplo, en
los transistores mostrados a la derecha se observa la referencia
"MC 140"
3
FIG. 7 Encapsulados de transistores. Fuente [8]
Tipos de encapsulados
Cápsula TO-3 Commented [JPJP6]: No se puede observar la jerarquía de los
Se utiliza para transistores de gran potencia, que siempre suelen títulos y subtítulos.
llevar un radiador de aluminio que ayuda a disipar la potencia
que se genera en él.
Está fabricado de metal y al trabajar con corrientes elevadas se
le suele poner un disipador ya que desprende gran cantidad de
calor.
Arriba a la izquierda vemos su distribución de terminales,
observando que el colector es el chasis del transistor. Nótese
que los otros terminales no están a la misma distancia de los dos
agujeros.
A la derecha vemos la forma de colocarlo sobre un radiador,
con sus tornillos y la mica aislante. La función de la mica es la
de aislante eléctrico y a la vez conductor térmico. De esta
forma, el colector del transistor no está en contacto eléctrico con
el radiador.
FIG. 8 Capsula tipo TO-3. Fuente [8]
Cápsula TO-220.
Se utiliza para transistores de menos potencia, para reguladores
de tensión en fuentes de alimentación y para tiristores y triacs
de baja potencia.
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Generalmente necesitan un radiador de aluminio, aunque a

veces no es necesario, si la potencia que van a disipar es
reducida.
Abajo vemos la forma de colocarle el radiador y el tornillo de
sujeción. Se suele colocar una mica aislante entre el transistor y
el radiador, así como un separador de plástico para el tornillo,
ya que la parte metálica está conectada al terminal central y a
veces no interesa que entre en contacto eléctrico con el radiador.

FIG. 11 Capsula tipo TO-92. Fuente [8]

Cápsula TO-18.
Se utiliza en transistores de pequeña señal. Su cuerpo está
formado por una carcasa metálica que tiene un saliente que
indica el terminal del Emisor.
FIG. 9 Capsula tipo TO-220. Fuente [8]

Cápsula TO-126.
Se utiliza en transistores de potencia reducida, a los que no
resulta generalmente necesario colocarles radiador.
Arriba a la izquierda vemos la asignación de terminales de un
transistor BJT y de un Tiristor.
Abajo vemos dos transistores que tienen esta cápsula colocados
sobre pequeños radiadores de aluminio y fijados con su tornillo FIG. 12 Capsula tipo TO-18. Fuente [8]
correspondiente.

Cápsula miniatura.
Se utiliza en transistores de pequeña señal. Al igual que el
anterior, tienen un tamaño bastante pequeño.

FIG. 10 Capsula tipo TO-126. Fuente [8]

Cápsula TO-92.
Es muy utilizada en transistores de pequeña señal.
En el centro vemos la asignación de terminales en algunos
modelos de transistores, vistos desde abajo.
Abajo vemos dos transistores de este tipo montados sobre una
placa de circuito impreso. Nótese la indicación "TR5" de la
serigrafía, que indica que en ese lugar va montado el transistor
número 5 del circuito, de acuerdo al esquema electrónico
FIG. 13 Capsula tipo miniatura. Fuente [8]
Capsula TO-92
Este transistor pequeño es muy utilizado para la amplificación
de pequeñas señales. La asignación de patitas (emisor – base –
colector) Commented [JPJP7]: Copia textual de [8], no hay un trabajo de
redacción ni comprencion del trabajo.
IV CALCULO DISIPADOR DE CALOR
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Los dispositivos semiconductores como TRIAC, transistores,

MOSFET, reguladores de tensión, etc., suelen manejar
potencias de cierta magnitud y su tamaño suele ser pequeño.
Por efecto
Joule, cualquier cuerpo que conduce corriente eléctrica pierde
parte de su energía en forma de calor. En los semiconductores,
este calor se genera en la unión PN y, si la temperatura pasara
de un límite, provocaría la fusión térmica de la unión.

FIG. 16 Tabla de propiedades.

Ecuación a utilizar
𝐓𝐣− 𝐓𝐚
𝐑 𝐝𝐚 = − (𝐑 𝐣𝐜 + 𝐑 𝐜𝐝 ) ; En unidades de ®C/W
𝐏

𝑅𝑑𝑎 : Resistencia Termica entre el disipador y el aire.

𝑇𝑗 : Temperatura de la unión semiconductora.

𝑇𝑎 : Temperatura del aire circundante.

𝑃: Potencia disipada en forma de calor por el transistor. 𝐼𝐶 ∗ 𝑉𝐶𝐸

𝑅𝑗𝑐 : Resistencia térmica entre la unión y la capsula.

FIG. 14 Diagrama potencia- temperatura. 𝑅𝑐𝑑 : Resistencia térmica entre la capsula y el disipador. Pasta
0.8 a 1.5

Los valores de Rjc, Tj salen de la información o datasheet del

Modelo físico del conjunto del dispositivo- disipador elemento que estamos diseñando el disipador.

FIG. 15 Resistencias físicas de transferencia de calor. FIG. 17 Rcd en mica o capsula.

Calculo de un disipador
Los disipadores de calor son unos elementos complementarios
que se usan para aumentar la evacuación de calor del
componente al que se le coloque hacia el aire que lo rodea. Esto
trae como consecuencia que se reduce la temperatura de trabajo
del componente ya que la cantidad de calor que se acumula en
él es menor que sin disipador.
Parámetros de diseño
Coeficiente de seguridad (K)
K= 0.5 para un diseño normal con temperatura moderada.
K=0.6 para economizar en tamaño de disipador.
K=0.7 cuando el disipador permanezca en posición vertical y
en el exterior.

(𝑻𝒋 ∗𝒌)−𝑻𝒂
𝑹𝒅𝒂 = − (𝑹𝒋𝒄 + 𝑹𝒄𝒅 ) ; en unidades de ®C/W
𝑷

Ejemplo:
Se diseñó una fuente reguladora de voltaje con limitación de
corriente con un TIP35C, cuya potencia máxima disipada es de
13.23 w, en un lugar cuya temperatura ambiente es de 20 C
¿Cuál es el disipador más apropiado que se le debe acoplar al
transistor?
FIG. 18 Datasheet TIP35C
(𝑇𝑗 ∗𝑘)−𝑇𝑎
𝑅𝑑𝑎 = − (𝑅𝑗𝑐 + 𝑅𝑐𝑑 )
𝑃
(150∗0.7)−20
𝑅𝑑𝑎 = − (1𝑐/𝑤 + 1𝑐/𝑤)
13.23𝑤
𝑹𝒅𝒂 = 𝟒. 𝟒𝟐𝟒 𝑪/𝑾
Mientras más grande sea el valor de Rda, más pequeño va a ser
el tamaño del disipador de calor.
V APLICACIONES (PATENTE)
Los transistores bipolares han encontrado aplicaciones en
diferentes aspectos de la vida diaria del ser humano, en especial,
en simplificar circuitos electrónicos, buscando eficacia y ahorro
de energía en los circuitos aplicados.
Ese el caso de la patente PCT/MX2008/000027, presentada por
Rovira Noel León, Samaniego Norma Frida Roffe, Rico
Manuel Mereno y otros pertenecientes al Instituto Tecnológico
Y De Estudios Superiores De Monterrey, en el cual describen
un dispositivo de iluminación con ahorro de energía basado en
leds. Este dispositivo utiliza la técnica denominada "barrido",
en la cual un grupo de LEDs se encienden y apagan en una
frecuencia imperceptible para el ser humano; con el fin de
disminuir el consumo de energía requerido para iluminación.
Dicho barrido se logra gracias a un circuito que determina la
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secuencia y tiempos de encendido de cada LED o grupo de
LEDs.
El dispositivo cuenta con un arreglo de transistores BJP, NPN,
que pueden realizar una conmutación a los LEDs. En este
sistema el modelo de transistor no es definitivo ni especifico.
En la figura 19 se presenta el circuito diseñado para este
dispositivo.
FIG. 19 Esquema electrico del dispositivo. Fuente [7]
Este invento no se limita solamente a usar LEDs, sino que puede
utilizarse para controlar otro tipo de elementos que puedan ser
secuenciados sin alterar su funcionamiento o vida útil.
VI CONCLUSIONES
 Los transistores son unos elementos que han
facilitado, en gran medida, el diseño de los circuitos
electrónicos. Se puede comentar que con el invento de
estos dispositivos han dado un giro enorme a nuestras
vidas, y a que en casi todos los aparatos electrónicos
se encuentran presentes. Se conocieron los distintos
tipos de transistores, así como su aspecto físico, su
estructura básica y las simbologías utilizadas,
pudiendo concluir que todos son distintos y que por
necesidades del hombre se fueron ideando nuevas
formas o nuevos tipos de transistores.
 El funcionamiento de un transistor bjt. Ya sea npn o
pnp, depende de la polarización que se le aplica en sus
terminales, ya que una mala polarización podría
funcionar mal todo el circuito en el que se le aplique o
el usuario no podría tener los resultados satisfactorios Commented [JPJP8]: No son conclusiones, son apreciaciones
que validan ningún tipo de aporte del trabajo.
VII BIBLIOGRAFIA
[1] J. Brophy , Electrónica fundamental para científicos, España: Reverte
S.A., 1979.
[2] A. A. J.M BENAVENT, Electrónica de potencia, teoria y aplicaciones,
Alfaomega, 2000.
[3] T. P. Robet , Electronic Devices and Circuits, 7ma edicion ed., Prentice
Hall, 2006.
[4] G. W. Neudeck, El transistor bipolar, segunda ed., Ed. Addison-Wesley
Iberoamericana, 1994.
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[5] M. R. y. G. C. C.J. Savant, Diseño electrónico. Circuitos y sistemas, Ed.

Addison-Wesley Iberoamericana, 1994.
[6] A. R. Hambley, Electrónica, Vuelapluma, 2001.
[7] N. León Rovira, N. F. Roffe Samaniego, M. Moreno Rico, J. P. Hurtado
Pacheco y O. M. Barrón Cano, «Dispositivo de iluminacion con ahorro
de enregia basado en Leds». México Patente 200700257, 14 Noviembre
2008. [En línea]. Available:
https://patentscope.wipo.int/search/en/detail.jsf?docId=WO2008108623
[8] J. Aladro, «Transistores,» Departamento de Electrónica y Tecnología de
Computadores, 24 Octubre 2005. [En línea]. Available:
http://electronica.ugr.es/~amroldan/asignaturas/curso03-
04/cce/practicas/encapsulados/encapsulados.htm. [Último acceso: 27
Octubre 2017].