ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

DEPARTAMENTO DE AUTOMATIZACIÓN Y
CONTROL INDUSTRIAL

INFORME

LABORATORIO DE
ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Práctica #: 05 Tema: TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO MOSFET

Realizado por:

Alumno (s):ALEXIS GUAMÁN FIGUEROA Grupo: LEP_GR10_1

ANA MARÍA CHICAIZA
VLADIMIR VARGAS

(Espacio Reservado)
Fecha de entrega: ____ / ____ / ____ f. ______________________
año mes día Recibido por:

Sanción: ________________________________________________

Semestre: OCT - MAR _____

ABR - SEP _____ 2017
 LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

PRÁCTICA N°5

TEMA: TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO MOSFET

OBJETIVOS:

• Diseñar el circuito de control para un MOSFET de potencia.

• Conocer las características de conmutación de los MOSFET’s

INFORME

1. Presentar las respectivas formas de onda obtenidas en el osciloscopio para los

diferentes literales del procedimiento.

Señal PWM obtenida mediante ARDUINO

La señal PWM obtenida

mediante la programación
específica de la plataforma
ARDUINO, garantiza la correcta
realización de la presente
práctica de laboratorio. La
misma se ha generado a una
frecuencia de 10kHz. Y con una
relación de trabajo de 0,5 para
el respectivo ejercicio de
laboratorio. Sin embargo, el
programa actual permite la
salida de la señal PWM a una
frecuencia variable de 1kHz a
30kHz, como lo solicita el
Fig. 1 Señal PWM obtenida mediante ARDUINO para una
trabajo preparatorio además de
frecuencia de 10kHZ y una relación de trabajo de 0.5.
una relación de trabajo variable
de 0,1 a 0,9, mismos valores que
se varían por los
potenciómetros adicionados a
los pines 0 y 1 analógicos de la
placa de Arduino.
Formas de onda obtenidas con el osciloscopio para una carga tipo resistiva (R).

Siguiendo las formas de onda de

encendido (respuesta dinámica)
del MOSFET, se obtiene la figura
2, en la que se muestra el
tiempo de retardo o Td (delay
time) tabulado en la hoja de
datos presente y anexo de éste
documento. Td=1,2us.

Fig. 2 Respuesta dinámica para el tiempo de retardo del

circuito tipo R.

La respuesta dinámica para el tn

Fig. 3 Respuesta dinámica para el tn del circuito tipo R.
o tiempo de establecimiento, en
el que el voltaje entre el drain y
el source del MOSFET decae y la
corriente del gate se estabiliza
se presenta en la figura 3, en la
cual se ha presentado además
una variación en la corriente del
gate, probablemente por la
presencia de un pico generado
en la señal pwm de la parte de
control del presente circuito.
Los datos se encuentran
tabulados en la hoja de datos
presente y anexo de éste
documento. Tn=5.4us.

En la figura 4 se presenta el
tiempo de almacenamiento o ts
(storage time) en el cual se
puede apreciar un tiempo
relativo de espera para el
apagado del MOSFET. El ts es de
1us. Los datos se encuentran
tabulados en la hoja de datos
presente y anexo de éste
documento.

Fig. 4 Respuesta dinámica para el ts del circuito tipo R.

 Siguiendo con la respuesta
dinámica del MOSFET para una
carga del tipo resistiva se tiene
en último lugar la figura 5 en
donde se muestra el tiempo de
caída de la corriente del gate Tf
(falling time). Tf= 1.6us. en éste
instante se produce el tiempo
de apagado correspondiente a
la suma del Ts+Tf, en donde la
corriente de la base decae y
nuevamente aparece el Vds. Los
datos se encuentran tabulados
en la hoja de datos presente y
Fig. 5 Respuesta dinámica para el tf del circuito tipo R. anexo de éste documento.

En la figura 6, se puede apreciar

la respuesta dinámica de las
potencias presentes para los
tiempos de encendido como
para los tiempos de apagado.
Esta gráfica se obtiene mediante
la herramienta del osciloscopio
de MATH la cual permite
multiplicar las señales de Voltaje
entre el drain y el source con la
corriente del drain, obteniendo
de ésta manera lo solicitado.

Fig. 6 Respuesta dinámica para la Pon y Poff del circuito

tipo R.

A continuación, se muestra la
potencia activa, y aparente para
el circuito del MOSFTET con
carga resistiva además del
factor de potencia. Es necesario
dividir éste valor por 100 por
motivos de equipos de
diferentes marcas utilizados en
la presente práctica. Los datos
se encuentran tabulados en la
hoja de datos presente y anexo
de éste documento.

Fig. 7 Respuesta de potencia mediante el analizador para

el MOSFET de carga tipo R.
Formas de onda obtenidas con el osciloscopio para una carga tipo resistiva (R).

Siguiendo las formas de onda de

encendido (respuesta dinámica)
del MOSFET, se obtiene la figura
8, en la que se muestra el
tiempo de retardo o Td (delay
time) para el circuito de carga
resistiva – inductiva, el mismo
que se encuentra tabulado en la
hoja de datos presente y anexo
de éste documento. Td=1.6us.

Fig. 8 Respuesta dinámica para el tiempo de retardo del

circuito tipo RL.

La respuesta dinámica para el tn

o tiempo de establecimiento, en
el que el voltaje entre el drain y
el source del MOSFET decae y la
corriente del gate se estabiliza
se presenta en la figura 9. Los
datos se encuentran tabulados
en la hoja de datos presente y
anexo de éste documento.
Tn=1.6us.

Fig. 9 Respuesta dinámica para el tn del circuito tipo RL.

En la figura 10 se presenta el
tiempo de almacenamiento o ts
(storage time) en el cual se
puede apreciar un tiempo
relativo de espera para el
apagado del MOSFET. El ts es de
6.4us. Los datos se encuentran
tabulados en la hoja de datos
presente y anexo de éste
documento.

Fig. 10 Respuesta dinámica para el ts del circuito tipo RL.

 Siguiendo con la respuesta
dinámica del MOSFET para una
carga del tipo resistiva -
inductiva se tiene la figura 11 en
donde se muestra el tiempo de
caída de la corriente del gate Tf
(falling time). Tf= 1.6us. en éste
instante se produce el tiempo
de apagado correspondiente a
la suma del Ts+Tf, en donde la
corriente de la base decae y
nuevamente aparece el Vds. Los
datos se encuentran tabulados
en la hoja de datos presente y
anexo de éste documento.
Fig. 11 Respuesta dinámica para el tf del circuito tipo RL.

En la figura 12, se puede

apreciar la respuesta dinámica
de las potencias presentes para
los tiempos de encendido como
para los tiempos de apagado.
Esta gráfica se obtiene mediante
la herramienta del osciloscopio
de MATH la cual permite
multiplicar las señales de Voltaje
entre el drain y el source con la
corriente del drain, obteniendo
de ésta manera lo solicitado.

Fig. 12 Respuesta dinámica para la Pon y Poff del circuito

tipo RL.

A continuación, se muestra la
potencia activa, y aparente para
el circuito del MOSFTET con
carga resistiva - inductiva
además del factor de potencia.
Es necesario dividir éste valor
por 100 por motivos de equipos
de diferentes marcas utilizados
en la presente práctica. Los
datos se encuentran tabulados
en la hoja de datos presente y
anexo de éste documento.

Fig. 13 Respuesta de potencia mediante el analizador para

el MOSFET de carga tipo RL.
 2. Comentar los resultados obtenidos en los literales 6.1 y 6.2.

• 6.1. Para el circuito diseñado en el literal 4.4 del trabajo preparatorio, observar formas
de onda de voltaje, corriente y potencia, además comprobar que el elemento esté trabajando
en las regiones de corte y óhmica.

Las formas de onda resultantes del análisis se presentan en el presente documento, en el

numeral 1, en dónde se presentan las formas de onda de voltaje y corriente para cada caso, es
decir para carga resistiva y para carga resistiva más inductiva. Cada gráfica se encuentra
debidamente comentada. Adicional a esto, se puede determinar mediante las gráficas antes
mencionadas que evidentemente el MOSFET se encuentra trabajando en las regiones de corte
y óhmica para cada caso, puesto que si se produce el disparo del mismo. La señal de control
PWM generada mediante la placa de Arduino es fundamental para el desarrollo de ésta práctica
puesto que es necesario que sea a 10kHz de frecuencia que debe trabajar la señal de control,
sin embargo en la señal generada se han presentado unos picos de inestabilidad en la generación
de ésta señal de control, la misma que ha causado pequeñas variaciones en las señales de
corriente del gate resultantes para el análisis de la respuesta dinámica del MOSFET, sin embargo
no resulta un inconveniente puesto que aún son evidentes los cambios en las formas de onda
para cada tiempo.

• 6.2. A una relación de trabajo aproximada de 0.5 con el módulo matemático del
osciloscopio, multiplicar las ondas de voltaje y corriente para observar la curva de potencia
disipada en el dispositivo, para una frecuencia de las solicitadas en el preparatorio.

El resultado de éste literal se presenta en las figuras 6 y 12 para carga resistiva y para carga
resistiva más inductiva respectivamente. La respuesta dinámica de la potencia disipada en el
dispositivo a una frecuencia de 10kHz y una relación de trabajo de 0,5 se ha obtenido mediante
la herramienta del modelo matemático del osciloscopio del laboratorio (MATH) el cual permite
al usuario multiplicar la señal de voltaje con la señal de corriente (Vds*Ig). La señal resultante es
la forma de onda de la potencia disipada en el dispositivo MOSFET al momento de la
conmutación, para ambos casos, de carga resistiva y de carga resistiva – inductiva.
A pesar de ser circuitos similares, el uso de una carga inductiva en serie con la carga resistiva
implica una variación en el comportamiento de la respuesta dinámica de la potencia disipada
para cada caso respectivamente. Además del uso de un diodo de conmutación rápida para
permitir la disipación de la corriente almacenada por el inductor es necesario para dicho análisis.

3. Calcular analíticamente la potencia de disipación del MOSFET para las condiciones de

los literales 6.3 y 6.5, utilice los tiempos obtenidos experimentalmente. Comparar
estos resultados con los del literal 6.4. Además adjuntar una tabla con los parámetros
característicos del MOSFET usado en la práctica (Vds, Vsat, Is, Ifuga).

Datos generales de los parámetros característicos usados en la práctica:

𝑓𝑓 = 10 𝑘𝑘𝑘𝑘𝑘𝑘

1 1
𝑇𝑇 = = = 0.1 𝑚𝑚𝑚𝑚
𝑓𝑓 10𝑘𝑘𝑘𝑘𝑘𝑘

𝑎𝑎 = 0.5 ∗ 𝑇𝑇 = 50 𝑢𝑢𝑢𝑢
 𝑏𝑏 = 𝑇𝑇 − 𝑎𝑎 = 1𝑚𝑚𝑚𝑚 − 50𝑢𝑢𝑢𝑢 = 50 𝑢𝑢𝑢𝑢

𝐸𝐸 = 40 𝑉𝑉

𝐼𝐼𝑓𝑓 = 0

𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 = 2 𝑉𝑉 𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝 𝑰𝑰𝑰𝑰𝑰𝑰 𝟔𝟔𝟔𝟔𝟔𝟔

PARA CARGA TIPO R:

𝐼𝐼𝐷𝐷 = 180 𝑚𝑚𝑚𝑚

𝐼𝐼 = 1.44 𝐴𝐴

En el encendido se tiene:

𝑡𝑡𝑑𝑑 = 1.2𝑢𝑢𝑢𝑢

𝑡𝑡𝑛𝑛 = 5.4𝑢𝑢𝑢𝑢

𝑡𝑡𝑜𝑜𝑜𝑜 = 𝑡𝑡𝑑𝑑 + 𝑡𝑡𝑛𝑛 = 1.2𝑢𝑢𝑢𝑢 + 5.4𝑢𝑢𝑢𝑢 = 6.6 𝑢𝑢𝑢𝑢

En el apagado, se tiene:

𝑡𝑡𝑓𝑓 = 1.6 𝑢𝑢𝑢𝑢

𝑡𝑡𝑠𝑠 = 1 𝑢𝑢𝑢𝑢

𝑡𝑡𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 = 𝑡𝑡𝑓𝑓 + 𝑡𝑡𝑠𝑠 = 1.6 𝑢𝑢𝑢𝑢 + 1 𝑢𝑢𝑢𝑢 = 2.6 𝑢𝑢𝑢𝑢

Cálculo de pérdidas de disipación:

a) Potencia de disipación 1 (estática):

𝑏𝑏−𝑡𝑡𝑡𝑡−𝑡𝑡𝑡𝑡+𝑡𝑡𝑡𝑡
1
𝑃𝑃1 = � 𝐸𝐸 ∗ 𝐼𝐼𝐼𝐼 𝑑𝑑𝑑𝑑
𝑇𝑇
0

Como 𝐼𝐼𝑓𝑓 = 0:

𝑃𝑃1 = 0 𝑊𝑊

b) Potencia de disipación 2 (estática):

𝑡𝑡𝑛𝑛
1 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷−𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 − 𝐸𝐸 𝐼𝐼 − 𝐼𝐼𝑓𝑓
𝑃𝑃2 = � �� � 𝑡𝑡 + 𝐸𝐸� �� � 𝑡𝑡 + 𝐼𝐼𝐼𝐼� 𝑑𝑑𝑡𝑡
𝑇𝑇 𝑡𝑡𝑛𝑛 𝑡𝑡𝑛𝑛
0

Como 𝐼𝐼𝑓𝑓 = 0:
 𝑡𝑡𝑛𝑛
1 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷−𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 − 𝐸𝐸 𝐼𝐼
𝑃𝑃2 = � �� � 𝑡𝑡 + 𝐸𝐸� � 𝑡𝑡� 𝑑𝑑𝑑𝑑
𝑇𝑇 𝑡𝑡𝑛𝑛 𝑡𝑡𝑛𝑛
0

5.4 𝑢𝑢𝑢𝑢
1 2 − 40 1.44 𝐴𝐴
𝑃𝑃2 = � �� � 𝑡𝑡 + 40� � 𝑡𝑡� 𝑑𝑑𝑑𝑑
0.1𝑚𝑚𝑚𝑚 5.4 𝑢𝑢𝑢𝑢 5.4 𝑢𝑢𝑢𝑢
0

1
𝑃𝑃2 = (0.000059) 𝑊𝑊
0.1𝑚𝑚𝑚𝑚

𝑃𝑃2 = 591.36 𝑚𝑚𝑚𝑚

c) Potencia de disipación 3 (estática):

𝑎𝑎−𝑡𝑡𝑡𝑡−𝑡𝑡𝑡𝑡+𝑡𝑡𝑡𝑡
1
𝑃𝑃3 = � 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷−𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 ∗ 𝐼𝐼𝐼𝐼 𝑑𝑑𝑑𝑑
𝑇𝑇
0

𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷−𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 ∗ 𝐼𝐼𝐼𝐼
𝑃𝑃3 = (𝑎𝑎 − 𝑡𝑡𝑡𝑡 − 𝑡𝑡𝑡𝑡 + 𝑡𝑡𝑡𝑡)
𝑇𝑇

2 𝑉𝑉 ∗ 180 𝑚𝑚𝑚𝑚
𝑃𝑃3 = (50 𝑢𝑢𝑢𝑢 − 1.2 𝑢𝑢𝑢𝑢 − 5.4 𝑢𝑢𝑢𝑢 + 1 𝑢𝑢𝑢𝑢)
0.1 𝑚𝑚𝑚𝑚

𝑃𝑃3 = 159.84 𝑚𝑚𝑚𝑚

d) Potencia de disipación 4 (estática):

𝑡𝑡𝑓𝑓
1 𝐸𝐸 − 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷−𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 𝐼𝐼𝑓𝑓 − 𝐼𝐼
𝑃𝑃4 = � �� � 𝑡𝑡 + 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷−𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 � �� � 𝑡𝑡 + 𝐼𝐼� 𝑑𝑑𝑑𝑑
𝑇𝑇 𝑡𝑡𝑓𝑓 𝑡𝑡𝑓𝑓
0

Como 𝐼𝐼𝑓𝑓 = 0:

𝑡𝑡𝑓𝑓
1 𝐸𝐸 − 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷−𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 𝐼𝐼
𝑃𝑃4 = � �� � 𝑡𝑡 + 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷−𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 � ��− � 𝑡𝑡 + 𝐼𝐼� 𝑑𝑑𝑑𝑑
𝑇𝑇 𝑡𝑡𝑓𝑓 𝑡𝑡𝑓𝑓
0

1.6 𝑢𝑢𝑢𝑢
1 40 − 2 1.44 𝐴𝐴
𝑃𝑃4 = � �� � 𝑡𝑡 + 2� �− 𝑡𝑡 + 1.44 𝐴𝐴� 𝑑𝑑𝑑𝑑
0.1𝑚𝑚𝑚𝑚 1.6 𝑢𝑢𝑢𝑢 1.6 𝑢𝑢𝑢𝑢
0

1
𝑃𝑃4 = (0.000017) 𝑊𝑊 =
0.1𝑚𝑚𝑚𝑚

𝑃𝑃4 = 168.96𝑚𝑚𝑚𝑚

e) Potencia de disipación totales:

𝑃𝑃𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡 = 𝑃𝑃1 + 𝑃𝑃2 + 𝑃𝑃3 + 𝑃𝑃4
 𝑃𝑃𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑡𝑡𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 = 0 + 591.36 𝑚𝑚𝑚𝑚 + 159.84 𝑚𝑚𝑚𝑚 + 168.96 𝑚𝑚𝑚𝑚

𝑃𝑃𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡 = 920.16 𝑚𝑚𝑚𝑚

Comparación:

Las pérdidas de disipación obtenidas en la parte experimental son 2.82 W, mientas

que las obtenidas matemáticamente son 920.16 mW, es decir, son mayores las
pérdidas en la parte experimental, esto se debe a que, para dicho cálculo se ha
asumido que la corriente de fuga es 0A además que la calibración de la pinza de
prueba podría variar por el hecho de que no corresponde a la pinza original del
dispositivo analizador de potencia.

PARA CARGA TIPO RL:

𝐼𝐼𝐷𝐷 = 180 𝑚𝑚𝑚𝑚

𝐼𝐼 = 1.36 𝐴𝐴

En el encendido se tiene:

𝑡𝑡𝑑𝑑 = 1.6 𝑢𝑢𝑢𝑢

𝑡𝑡𝑛𝑛 = 1.6 𝑢𝑢𝑢𝑢

𝑡𝑡𝑜𝑜𝑜𝑜 = 𝑡𝑡𝑑𝑑 + 𝑡𝑡𝑛𝑛 = 1.6 𝑢𝑢𝑢𝑢 + 1.6 𝑢𝑢𝑢𝑢 = 3.2 𝑢𝑢𝑢𝑢

En el apagado, se tiene:

𝑡𝑡𝑓𝑓 = 1.6 𝑢𝑢𝑢𝑢

𝑡𝑡𝑠𝑠 = 6.4 𝑢𝑢𝑢𝑢

𝑡𝑡𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 = 𝑡𝑡𝑓𝑓 + 𝑡𝑡𝑠𝑠 = 1.6 𝑢𝑢𝑢𝑢 + 6.4 𝑢𝑢𝑢𝑢 = 8 𝑢𝑢𝑢𝑢

Cálculo de pérdidas de disipación:

a) Potencia de disipación 1 (estática):

𝑏𝑏−𝑡𝑡𝑡𝑡−𝑡𝑡𝑡𝑡+𝑡𝑡𝑡𝑡
1
𝑃𝑃1 = � 𝐸𝐸 ∗ 𝐼𝐼𝐼𝐼 𝑑𝑑𝑑𝑑
𝑇𝑇
0

Como 𝐼𝐼𝑓𝑓 = 0:
 𝑃𝑃1 = 0 𝑊𝑊

b) Potencia de disipación 2 (estática):

𝑡𝑡𝑛𝑛
1 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷−𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 − 𝐸𝐸 𝐼𝐼 − 𝐼𝐼𝑓𝑓
𝑃𝑃2 = � �� � 𝑡𝑡 + 𝐸𝐸� �� � 𝑡𝑡 + 𝐼𝐼𝐼𝐼� 𝑑𝑑𝑑𝑑
𝑇𝑇 𝑡𝑡𝑛𝑛 𝑡𝑡𝑛𝑛
0

Como 𝐼𝐼𝑓𝑓 = 0:

𝑡𝑡𝑛𝑛
1 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷−𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 − 𝐸𝐸 𝐼𝐼
𝑃𝑃2 = � �� � 𝑡𝑡 + 𝐸𝐸� � 𝑡𝑡� 𝑑𝑑𝑑𝑑
𝑇𝑇 𝑡𝑡𝑛𝑛 𝑡𝑡𝑛𝑛
0

1.6 𝑢𝑢𝑢𝑢
1 2 − 40 1.36 𝐴𝐴
𝑃𝑃2 = � �� � 𝑡𝑡 + 40� � 𝑡𝑡� 𝑑𝑑𝑑𝑑
0.1𝑚𝑚𝑚𝑚 1.6 𝑢𝑢𝑢𝑢 1.6 𝑢𝑢𝑢𝑢
0

1
𝑃𝑃2 = (1.5957𝑥𝑥10−8 ) 𝑊𝑊
0.1𝑚𝑚𝑚𝑚

𝑃𝑃2 = 0.16 𝑚𝑚𝑚𝑚

c) Potencia de disipación 3 (estática):

𝑎𝑎−𝑡𝑡𝑡𝑡−𝑡𝑡𝑡𝑡+𝑡𝑡𝑡𝑡
1
𝑃𝑃3 = � 𝑉𝑉𝐷𝐷𝑆𝑆−𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 ∗ 𝐼𝐼𝐼𝐼 𝑑𝑑𝑑𝑑
𝑇𝑇
0

𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷−𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 ∗ 𝐼𝐼𝐼𝐼
𝑃𝑃3 = (𝑎𝑎 − 𝑡𝑡𝑡𝑡 − 𝑡𝑡𝑡𝑡 + 𝑡𝑡𝑡𝑡)
𝑇𝑇

2 𝑉𝑉 ∗ 180 𝑚𝑚𝑚𝑚
𝑃𝑃3 = (50 𝑢𝑢𝑢𝑢 − 1.6 𝑢𝑢𝑢𝑢 − 1.6 𝑢𝑢𝑢𝑢 + 6.4 𝑢𝑢𝑢𝑢)
0.1 𝑚𝑚𝑚𝑚

𝑃𝑃3 = 191.52 𝑚𝑚𝑚𝑚

d) Potencia de disipación totales:

𝑃𝑃𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡 = 𝑃𝑃1 + 𝑃𝑃2 + 𝑃𝑃3

𝑃𝑃𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡 = 0 + 0.16 𝑚𝑚𝑚𝑚 + 191.52 𝑚𝑚𝑚𝑚

𝑃𝑃𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡 = 191.68 𝑚𝑚𝑚𝑚

Comparación:

Las pérdidas de disipación obtenidas en la parte experimental son 1.86 W, mientas

que las obtenidas matemáticamente son 191.68 mW, es decir, son mayores las
pérdidas calculadas en la parte práctica, al igual que en el caso calculado para una
 carga resistiva, esta variación se debe a que, para dicho cálculo se ha asumido que
la corriente de fuga es 0A y de la misma forma, por la calibración de la pinza de prueba
podría variar por el hecho de que no corresponde a la pinza original del dispositivo
analizador de potencia.

4. Conclusiones y recomendaciones.

Alexis Guamán Figueroa

• El MOSFET presenta grandes ventajas ante el TBJ como por ejemplo tiempos de
encendido y apagado más pequeños, mayor manejo de potencia, mejor trabajo en altas
frecuencias, adicional a esto, el MOSFET no tiene zona de segunda avalancha, razón por
la cual éste dispositivo permite trabajar sin problemas con mayores voltajes y corrientes,
sin embargo, esto implica mayores pérdidas en la conmutación a diferencia de un TBJ.
• Al utilizar una carga inductiva, es necesario el uso de un diodo acoplado de en modo
antiparalelo a la carga, para éste caso en particular en la aplicación de la práctica se debe
utilizar específicamente un diodo de conmutación rápida, esto se debe a que el inductor
almacena energía a través de la corriente que circula por el mismo, ésta corriente debe
ser conducida por el diodo conectado en antiparalelo, para que la conmutación del
MOSFET no se vea afectada al momento de la conexión o desconexión.
• El MOSFET es un dispositivo semiconductor controlado por el voltaje en el gate en el
Vgs, el cual es muy sensible a la estática, razón por la cual, se recomienda manipular con
mucho cuidado sus terminales físicos, se podría utilizar una pulsera antiestática o
manipularlo mediante pinzas.

Ana María Chicaiza

• Los mosfets de potencia tienen tres regiones de operación: región de corte, región
óhmica y región de saturación. Una de las consideraciones que deben tenerse en cuenta
para realizar el diseño de un circuito de disparo es que, para emplear mosfets en
aplicaciones relacionadas con electrónica de potencia, se busca que el dispositivo opere
en región de corte y en región óhmica.

• Al trabajar con carga resistiva en la práctica anterior realizada con TBJs se tuvo que el
tiempo de encendido es 11,2 𝑢𝑢𝑢𝑢, mientras que al emplear un MOSFET este tiempo se
redujo a 6,6 𝑢𝑢𝑢𝑢. Algo similar ocurre con el tiempo de apagado, ya que en el circuito con
TBJ se obtuvo que este tiempo es 36us y al trabajar con mosfet el tiempo se redujo a 2.7
𝑢𝑢𝑢𝑢; ocurre algo similar al comparar los resultados obtenidos para carga R, con esto se
cumplió con una de las características de los mosfet que implica que los tiempos de
conmutación son pequeños. La disminución del tiempo de conmutación al trabajar con
mosfets de potencia en comparación a trabajar con TBJs de potencia es una de las
ventajas más influyentes para optar trabajar con mosfetss.

• Al comparar los tiempos obtenidos durante la parte experimental para el circuito con
carga resistiva y con carga RL, se ha obtenido que el tiempo de encendido con carga R
(𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡= 6,6𝑢𝑢𝑢𝑢) es mayor al tiempo con obtenido al abastecer una carga RL (𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡=3,2 𝑢𝑢𝑢𝑢),
es decir que, el encendido del mosfet es más rápido al conectarse una carga RL. En
cuanto al tiempo de apagado, el circuito con carga R (𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡= 2.7 𝑢𝑢𝑢𝑢) es menor al tiempo
 en un circuito con carga RL (𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡=8,0 𝑢𝑢𝑢𝑢),es decir que, el apagado es más rápido para
circuitos conectados a cargas R.

Vladimir Vargas

• Según la teoría al agregar el inductor se reducen los tiempos de conmutación debido a

la carga y descarga del mismo esto se lo comprueba ya que la potencia obtenida resulta
menor para el segundo circuito y ya que la potencia activa obtenida depende
únicamente se la carga resistiva, se le puede atribuir este comportamiento a la carga
inductiva.
• Los MOSFET tienen la ventaja de trabajar a frecuencias muy elevadas, como se pudo
apreciar durante la practica a una frecuencia de 10KHz la distorsión presentada fue
incluso menor que la obtenida durante la practica con TBJs, a esta frecuencia la única
desventaja que poseen se presenta con cargas inductivas las cuales requieren de diodos
especiales para poder.
• Las pérdidas que presentan los MOSFET son menores que las del transistor, las mayoría
de estas se presentan al momento de conmutar el transistor para su apagado, es decir
durante t rv ya que la energía almacenada en el inductor hace esta tarea más complicada.
Por eso se recomienda escoger bien el diodo que se vaya a utilizar en caso de tener
cargas inductivas.
• Revisar la corriente que requiere el MOSFET para su correcto funcionamiento y en base
a esto elegir la resistencia que forma parte del acoplamiento y circuito de activación del
MOSFET.

5. Bibliografía:

• MOHAN N, ROBBINS W, UNDELAND T; ELECTRÓNICA DE POTENCIA – Convertidores,

aplicaciones y diseño; 3ra edición; Mc Graw Hill.
• FAIRCHILD; INTRODUCTION TO POWER MOSFETS and their Applications;
www.fairchildsemi.com
• MUHAMMAD H. RASHID; POWER ELECTRONICS Third Edition.
• Documento DATASHEET para el IRF620; disponible online en:
http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/view/22393/STMICROELECTRONICS/IRF620.html