DISEÑO DE AMPLIFICADOR RF

Circuitos Analógicos 3

Presentado por:
Cristhian Sebastian Bolaños Portilla
Astrid Daniela Narvaez lopez
Cristhian Javier Pacichana Matituy
Beimar Jhoan Rojas Becerra

Presentado a:
Ing. Hermes Fabián Vargas Rosero

Facultad de Ingeniería Electrónica y Telecomunicaciones

Universidad del Cauca
Popayán
2018
 Requerimiento
Diseñar un amplificador RF que opere a una frecuencia de 1.8 GHz y que tenga una
potencia de salida de 20 W, además se debe analizar el uso de los parámetros S y
la carta de Smith.

Solución
Para empezar con el análisis primero debemos definir el transistor que usaremos,
para efectos prácticos y de facilidad de diseño se usara el transistor ATF-34143,
que me proporciona una baja figura de ruido, un fácil control de poder, buena
estabilidad térmica, un alto poder de ganancia entre otros.
A continuación se muestran las tablas con los valores de parámetros s que brinda
el fabricante en el datasheet.
El diagrama de nuestra red es el siguiente:

Para nuestro caso los parámetros que nos interesan están en la región de 1.8 GHz,
de esta forma la matriz de los parámetros S queda:
0.78 0.083
|𝑆| = [ ]
6.843 0.28
Se necesita tener los parámetros S en forma rectangular:
−0.329 − 𝑗0.706 0.073 + 𝑗0.038
𝑆=[ ]
−0.952 + 𝑗6.776 −0.095 − 𝑗0.263
Como el transistor no cumple con la condición de factor Rollet:

Seguiremos analizando las condiciones de estabilidad del amplificador:

Se hace necesario definir las regiones e la carta de Smith donde el transistor será
estable. En términos de los parámetros S, las condiciones para que una red sea
incondicionalmente estable a una frecuencia dada, son las siguientes:

|Γ𝑠 | < 1
|Γ𝐿 | < 1
𝑆12 𝑆21 Γ𝐿
|Γ𝑖𝑛 | = |𝑆11 + |<1
1 − 𝑆22 Γ𝐿
𝑆12 𝑆21 Γ𝑠
|Γ𝑜𝑢𝑡 | = |𝑆22 + |<1
1 − 𝑆11 Γ𝑠
Estas ecuaciones establecen a los elementos como elementos pasivos además de
que establecen las condiciones para satisfacer la estabilidad incondicional. Antes
de pasar al siguiente paso se hace necesario un análisis gráfico con la carta de
Smith que es de mucha utilidad en transistores condicionalmente inestables.
Para el caso de este transistor existen unos llamados círculos de estabilidad donde
se cumple el caso limite |Γ𝑖𝑛 | = 1 o |Γ𝑜𝑢𝑡 | = 1.
De esta forma el círculo de estabilidad a la salida (que son los valores de Γ𝐿 para
|Γ𝑖𝑛 | = 1) esta dado por un radio y centro de:
𝑆12 𝑆21
𝑟𝐿 = | |
|𝑆22 |2 − |∆|2
(𝑆22 − ∆𝑆11∗ )∗
𝐶𝐿 =
|𝑆22 |2 − |∆|2
Y el círculo de estabilidad a la entrada (que son los valores de Γ𝑠 para |Γ𝑜𝑢𝑡 | = 1)
esta dado por un radio y centro de:
𝑆12 𝑆21
𝑟𝑠 = | |
|𝑆11 |2 − |∆|2
 (𝑆11 − ∆𝑆22∗ )∗
𝐶𝑠 =
|𝑆11 |2 − |∆|2
Se pasara al cálculo de ∆ con la ecuación:

∆= 𝑆11 𝑆22 − 𝑆12 𝑆21

∆= (−0.154 − 𝑗0.153) − (−0.326 + 𝑗0.458)
∆= 0.172 − 𝑗0.611 = 0.634∠ − 74.277
Luego se procede a hallar los valores del radio y centro de las circunferencias:
−0.326 + 𝑗0.458
𝑟𝐿 = | | = 1.737
0.0784 − 0.4019
−0.469 + 𝑗0.585
𝐶𝐿 = = −1.452 − 𝑗1.809
−0.3235
−0.326 + 𝑗0.458
𝑟𝑠 = | | = 2.77
0.6084 − 0.4019
−0.473 + 𝑗0.809
𝐶𝑠 = = −2.292 + 𝑗3.919
0.2065
Antes de comenzar el diseño del amplificador se debe definir que condición de
estabilidad de carga y generador se encuentra en función de los parámetros S del
transistor, para ello se trazan sobre la carta de Smith los círculos de estabilidad
como se mira en la siguiente imagen, donde se ha trazado el circulo de estabilidad
del generador con azul y el de carga con rojo para una frecuencia de 1.8 GHz
(1800 MHz) con ayuda el software microwave office.
Con esta grafica podemos definir al transistor como condicionalmente estable, con
región estable en el plano Γ𝐿 interior a la circunferencia de estabilidad y en el plano
Γ𝑠 exterior a la otra circunferencia de estabilidad.
Lo anterior nos sirve de guía para determinar bajo qué condiciones podemos diseñar
las etapas de adaptación de entrada y salida del transistor. Ahora bien, una vez
asegurada la estabilidad, el diseño se puede guiar hacia la optimización de la
ganancia o hacia la optimización de la Figura de Ruido.
En nuestro caso optamos por lo primero, siendo S11 y S22 valores grandes por lo
tanto muy lejos de la adaptación a 50Ω; necesitaremos unas redes de adaptación
de comportamientos bruscos y por tanto muy selectivos en frecuencia.
Igual que para la estabilidad contaremos con unos lugares geométricos en la Carta
que corresponderán a las impedancias que produzcan la “desadaptación” necesaria
que resulte en la Ganancia deseada. Esos lugares geométricos, son los
denominados círculos de ganancia constante, que nos dan una serie de
impedancias de generador y carga que implicarán una misma cifra de ganancia final.
El radio y centro de estos círculos en el plano de carga Γ𝐿 , estarán dados por las
ecuaciones:
1⁄
(1 − 2𝐾𝑔𝐿 |𝑆12 𝑆21 | + 𝑔𝐿 2 |𝑆12 𝑆21 |2 ) 2
𝑅𝐿 =
|(|𝑆22 |2 − |∆|2 )𝑔𝐿 + 1|
(𝑆22 ∗ − ∆∗ 𝑠11 )𝑔𝐿
𝐶𝐿 =
|(|𝑆22 |2 − |∆|2 )𝑔𝐿 + 1|
Ambiguamente en el plano de entrada Γ𝑠 :
1⁄
(1 − 2𝐾𝑔𝑠 |𝑆12 𝑆21 | + 𝑔𝑠 2 |𝑆12 𝑆21 |2 ) 2
𝑅𝑠 =
|(|𝑆11 |2 − |∆|2 )𝑔𝑠 + 1|
(𝑆11 ∗ − ∆∗ 𝑠22 )𝑔𝑠
𝐶𝑠 =
|(|𝑆11 |2 − |∆|2 )𝑔𝑠 + 1|
Estos círculos se dibujan sobre la carta en función de los parámetros 𝑔𝐿 y 𝑔𝑠 ,
denominados factores de ganancia, y que representan la relación entre la ganancia
conseguida y la máxima y oscilan entre 0 y 1.
Para facilidad de análisis se utiliza el software microwave office, donde se calcularan
los círculos de ganancia constante.
Una vez conocidos los círculos podemos elegir Γ𝑠 y Γ𝐿 entre diversos valores sobre
los círculos, y tenderemos a elegir aquellos valores que estén más cerca del origen
de forma que la desadaptación que se produzca sea lo menor posible. Se debe
recordar que la ganancia deseada la estamos consiguiendo, precisamente, en base
a desadaptaciones de las redes de entrada y salida.
De esta forma extraemos los valores de Γ𝑠 y Γ𝐿 , en las líneas que unen centro de la
carta y centros de los círculos de ganancia constante. Como se muestra en el
ejemplo:

Ilustración 1: Fuente: Microwave Engineering. David M. Pozar. John Wiley & Sons, Inc.

Con estos valores podemos calcular las redes de adaptación usando la carta de
Smith de la siguiente manera:
1. Nos colocamos en el punto de magnitud y ángulo del coeficiente Γ𝑠 , y
tendremos la impedancia Zs que se ve desde la salida de la red de
adaptación de entrada hacia el generador. Podemos considerar Zs como la
impedancia a la que se ha de llegar desde la “carga” conocida de 50Ω. Por
tanto transformaremos 50Ω a Zs desde la “carga” hacia el generador.
2. Pasamos al valor de Ys, simétrico respecto al origen, es adonde tendremos
que llegar partiendo del origen. La carta es, en este momento, de
admitancias.
3. Nos movemos hacia el generador por el círculo de parte real 1, hasta
cruzarnos con el círculo de Γ𝑠 . Esa será la longitud del stub.
4. La distancia en longitud entre ese punto e Ys, será la longitud de la línea
serie.

Ilustración 2: Fuente: Microwave Engineering. David M. Pozar. John Wiley & Sons, Inc.
El mismo tipo de adaptación lo hacemos para la salida, con el valor de Γ𝐿 .
Como podemos ver este análisis es se basa en adaptar el transistor a la entrada y
la carga con un stub en serie, algo que ya hemos visto en el curso de medios de
transmisión. Al ver el diagrama del circuito final vemos que la estructura es sencilla.

Adicionalmente al escoger la ganancia a la que trabajara el transistor podremos

garantizar a la potencia de salida de 20W ajustando nada más la potencia de
entrada de la señal.
Por ultimo podemos escoger una red de polarización DC. La red de polarización
cumple con ciertas funciones y características como:
 Fija el punto de polarización del circuito.
 La señal RF no debe introducirse en el circuito DC.
 El circuito RF no debe verse afectado por el circuito DC: reduce el efecto de
las descargas transitorias y garantiza un corto en RF.
 Los circuitos RF exteriores no deben verse afectados por la polarización del
circuito en cuestión: aísla etapas de RF.
Los transistores se pueden polarizar de varias maneras. Cinco configuraciones
básicas de redes DC muestran en la siguiente figura.
Ilustración 3: 5 redes básicas de polarización DC
 Conclusiones

– Antes de empezar con un diseño de amplificadores es de gran importancia

tener en cuenta las especificaciones que nos piden, para que de esta forma
podamos escoger el dispositivo que mejor se ajuste a estas.
– El uso de un software de diseño como en nuestro caso el microwave office,
es de gran importancia ya que ayuda a obtener datos de gran relevancia
antes de la implementación.
 Referencias
1. Microwave Engineering. David M. Pozar. John Wiley & Sons, Inc
2. http://ocw.uc3m.es/teoria-de-la-senal-y-comunicaciones/microondas-y-
circuitos-de-alta-frecuencia/material-de-clase