UNIVERSIDAD TÉCNICA DEL NORTE

FICA-CIERCOM

-INTEGRANTES: Daniel Osejos, Henry Avendaño

-FECHA16/06/2014

TEMA: Transistores

OBJETIVO GENERAL

 Aprender a reconocer base emisor y colector en un transistor

OBJETIVOS ESPECIFICOS

 Utilizando el multímetro buscar la base emisor y colector de un transistor

 Buscar si un transistores tipo PNP o NPN .
 Ver cómo trabajar un transistor polarizado con un divisor de tensión

MATERIALES

 Fuente de 5v
 Resistencias
 Led
 Transistores
 Fotocelda

MARCO TEORICO
TRANSISTORES PNP Y NPN es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado
para producir una señal de salida en respuesta a otra señal de entrada. 1 Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la
contracción en inglés de transfer resistor («resistencia
de transferencia»). Actualmente se encuentran
prácticamente en todos los aparatos electrónicos de
uso diario: radios, televisores, reproductores de audio
y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas
fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, entre
otros.

FUNCIONAMIENTO
En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la unión base-
colector en inversa.1 Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor
pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico
que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo
compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la
unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando
una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores
generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada se
desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región
de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta
concentración cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector.
Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base está
dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la
base.
La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil del
portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que
se recombinan antes de alcanzar la unión base-colector. El espesor de la base debe ser
menor al ancho de difusión de los electrones.
FOTOCELDA Una fotocelda es una reisitencia, cuyo valor en
ohmios varía ante las variaciones de la luz.
Estas resistencias están construidas con un material sensible a la luz,
de tal manera que cuando la luz incide sobre su superficie, el material
sufre una reacción química, alterando su resistencia eléctrica.
Una fotocelda presenta un bajo valor de su resistencia ante la
presencia de luz, y, un alto valor de resistencia ante la ausencia de
luz.
La fotocelda se emplea para controlar el encendido automático del
alumbrado público. También se utiliza ampliamente en circuitos
contadores electrónicos de objetos y personas, en alarmas, etc.

LEDS es una lámpara de estado sólido que usa ledes 2 (Light-Emitting Diode, Diodos
Emisores de Luz) como fuente luminosa. Debido a que la luz
capaz de emitir un led no es muy intensa, para alcanzar la
intensidad luminosa similar a las otras lámparas existentes
como las incandescentes o las fluorescentes compactas las
lámparas LED están compuestas por agrupaciones de ledes, en
mayor o menor número, según la intensidad luminosa
deseada.

RESISTENCIAS es uno de los componentes imprescindibles en la

construcción de cualquier equipo electrónico, ya que permite distribuir
adecuadamente la corriente y voltaje a todos los puntos necesarios.
 DIAGRAMA DE BLOQUES

Fuente Resistencia Transistor Resistencia LED

Fuente Resistencia Resistencia Resistencia LED

Tierra Transistor

Fuente LDR Transistor Resistencia LED

Resistencia

DESARROLLO

 Se identificara la base el común y el emisor del transistor

 Se procede a armar cada uno de los circuitos planteados teniendo ya todos los elementos
electrónicos previos.
 Se conectara el multímetro en la escala correcta para sacar los diferentes valores que han
sido pedidos para cada uno de los circuitos

DIAGRAMA CIRCUITALES Y DE RESULTADOS

CIRCUITO CON DIODO

I(A) Vr (V) Vd (V)

6mA 2,04v 2,97v

USANDO TRANSISTOR

I fuente IB(A) VR1(v) VR2(v) VD (v) IC(A) IE(A) B

9,69 0,17uA 0,29V 1,04V 2,86V 4,87 4,68 28.6

CIRCUITOS

CIRCUITO #1

I fuente VR1 VR2(v) VR3(v) VD (v) IB(A) IC(A) IE(A) B

(V)
2,39 4,88 4,28 0 0,6 0,17uA 2,22mA 2,38mA 13.05
 CIRCUITO # 2

I fuente VR1 V VR2(v) VLRD VD (v) IB(A) IC(A) IE(A) B

0 0 0,09 4,33 0,005 0 0 0 0

CIRCUITO #3

Se reduce corta la energía al momento de oscurecer al circuito

CIRCUITO #4 I fuente VRC (V) VR1(v) VR2(v) VD (v) IB(A) IC(A) IE(A) B
9,15 1,3V 0,1 0,6 2,99 0,13uA 7,9mA 8,99mA 60.8

Sensor de oscuridad da luz cuando esta ya no hay

Con Luz

I fuente VR1(V) VR2(v) VR3(v) VD (v) IB(A) IC(A) IE(A) B

0 0 4,6 0 0,09 0 0 0 0
Sin Luz

I VRC1(V) VR2(v) VR3(v) VD IB(A) IC(A) IE(A) B

fuente (v)
7,3mA 1,3 4,10 0,02 0,68 25uA 7,33mA 7,69mA 0.29
CIRCUITO #5

Este circuito el led se enciendo cuando existe ausencia de luz

Con Luz

I fuente VR1 (V) VR2(v) VLDR VD (v) IB(A) IC(A) IE(A) B

0,29 3,30 0 1,29 0,6 0 0 0 0

Sin Luz

I fuente VR1 (V) VR2(v) VLRD VD (v) IB(A) IC(A) IE(A) B

2,6mA 29,1 0,68 3,99 0,69 4uA 2,98mA 2,38mA 0.74

CIRCUITO #6

En este circuito con la presencia de luz el led se enciende

Con Luz

I fuente VR1 (V) VR2(v) VLRD VD (v) IB(A) IC(A) IE(A) B

Sin Luz 6,99mA 1,6 0,68 0,68 2,66 1,03uA 5,44m 6,43mA 5.28
A

I fuente VR1 (V) VR2(v) VLRD VD (v) IB(A) IC(A) IE(A) B

0 0 0,09 4,33 0,005 0 0 0 0
 CIRCUITO #7

I fuente VR1 (V) VR2(v) VLRD VD (v) IB(A) IC(A) IE(A) B

0 0 0 0 0 0 0 0 0

CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

DANIEL OSEJOS

 Aprendimos a identificar base, común y emisor de un transistor al mismo tiempo a ver si

era PNP o NPN.
 Cuando amplificamos corrientes pequeñas, obtenemos una ganancia notable en el emisor
 Es necesario disponer las hojas de especificaciones de los transistores que utilizamos para
conocer sus características.
 Las corrientes medidas en base, colector y emisor son muy pequeña

HENRY AVENDAÑO

 La mayoría de transistores analizados eran del tipo NPN.

 Si los terminales del transistor no están correctamente identificados
y conectados no obtendremos el resultado deseado en nuestro
circuito
 En uno de nuestros proyectos anteriores fue una fuente de voltaje
de 5v que fue de gran utilidad para esta práctica, pues nos daba el
voltaje requerido en los circuitos.
 A la hora de hacer los circuitos ver correctamente como va a ir
conectado el transistor.

BIBLIOGRAFÍA:

 http://www.viasatelital.com/proyectos_electronicos/resistores.htm
 http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor

ANEXOS