Informe de laboratorios 1 y 2

Instrumentación básica – Circuitos con diodos

Vilca Huaripata, William Miguel

Nombre:

Curso: Electrónica general

Grupo: 8

Paula Granados
Jefe de laboratorio:

Horario de laboratorio: 11 am - 1 pm

18/04/18
Fecha de entrega:
 Laboratorio 3 – EL

En este laboratorio se ha introducido un nuevo dispositivo electrónico: el transistor, el cual

es un elemento semiconductor conformado por tres partes: La que se encarga de emitir
electrones se denomina emisor, la que los recibe se denomina colector, y por último, la que
opera como un modulador del paso de los electrones se llama base. Cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. En este dispositivo, se forman dos
uniones “pn”: la unión colector-base y la unión emisor-base.
El trabajo práctico ha consistido en construir un amplificador de voltaje, el cual se realizó
por partes, primero se armó una primera etapa, se observó en el osciloscopio el valor que
se obtenía hasta ese momento y luego la se continuó con la segunda etapa para finalmente
observar en cuanto se amplificaba la señal de voltaje al usar ambas. Sin embargo, tuvimos
dificultades al observar la señal senoidal en el osciloscopio, pero los datos que arrojó nos
mostraba que si estaba amplificando.
En este laboratorio se usó una fuente DC de +12 V, y en el generador de señales el voltaje
fue 100 mV, con una frecuencia de 60Hz.
Trabajo Práctico
Instrumentos y materiales a utilizar
• Un osciloscopio
• Un protoboard por grupo
• Un generador de señales.
• Un multitéster por grupo
• Una fuente regulable de tensión continúa por grupo.
• Resistencias de 10 Ω (1), 680 Ω (1), 1k (2), 2.2k (2), 3.3k (2), 3.9k (2), 10k (3) por grupo.
• Cinco condensadores cerámicos de 100 uF por grupo.
• Dos transistores NPN por grupo.
• Dos diodos por grupo
 Circuito N.º 01: Amplificador Multietapa
Se armó la primera etapa:

Para facilitar la conexión de las resistencias hacia la línea energizada, se conectaron

directamente a la línea roja, de igual forma las conexiones hacia tierra, todas se conectaron
en la línea azul.
Luego de armar el circuito se procedió a energizar las líneas y dar la señal que se deseaba
amplificar. Hecho esto se conectó la sonda a la resistencia para visualizar la señal
amplificada. En este paso, nos dimos cuenta de que un pequeño movimiento del jumper
variaba el valor amplificado, este valor variaba entre 800mV y 960mV. Nos damos cuenta
de que en esta primera etapa se amplificó 8 veces el valor, ya que la señal den entrada era
100mV.
Posteriormente se continuó con la segunda etapa, es decir, se armó todo el circuito:
Al completar todo el circuito, era de esperarse que el voltaje se incremente por lo menos el
doble, de tal forma que al conectar nuevamente la sonda se pudo apreciar que,
efectivamente el voltaje había aumentado. Las gráficas obtenidas no son muy claras por el
hecho de que no se podía ajustar a una escala más moderada.
 Cuestionario

1. ¿Qué tipo de polarizaciones existen para un transistor? Explique detalladamente

cada una de ellas.
Polarización por divisor de tensión: la corriente de base es mucho menor que la
corriente que circula por el divisor de tensión. Dado que la corriente de base tiene
un efecto despreciable sobre el divisor de tensión, podemos imaginar abierta la
conexión entre el divisor de tensión y la base para obtener el circuito equivalente
de la Figura “b”. En este circuito, la salida del divisor de tensión es:
𝑅2
𝑉𝐵𝐵 = 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝐶𝐶
Idealmente, ésta es la tensión de alimentación en la base, como se muestra en la
Figura “c”. Como se puede ver, la polarización mediante un divisor de tensión es
realmente una polarización de emisor enmascarada. En otras palabras, la Figura “c”
es el circuito equivalente del de la Figura “a”, y es por esto por lo que la polarización
mediante divisor de tensión establece un valor fijo de la corriente de emisor,
resultando en un punto Q que es independiente de la ganancia de corriente.

Las ecuaciones que se pueden utilizar para analizar la polarización mediante divisor
de tensión son:
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸

𝐼𝐸 = 𝑉𝐸 ⁄𝑅𝐸

𝐼𝐶 ≈ 𝐼𝐸

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
Polarización de emisor con dos fuentes de alimentación:
En este caso la fuente negativa polariza en directa al diodo
emisor y la positiva polariza en inversa al diodo colector.
Dicho circuito es semejante al circuito de polarización de
emisor, por lo que nos referimos a él simplemente como de
polarización de emisor con dos fuentes. Por ejemplo, la
siguiente figura muestra un circuito de transistor con dos
fuentes de alimentación: + 10 V y -2 V.
Para el análisis se utilizarán las siguientes ecuaciones:

𝑉𝐵 ≈ 0

𝑉𝐸𝐸 − 0.7𝑉
𝐼𝐸 =
𝑅𝐸

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 + 0.7𝑉

Polarización con realimentación de emisor:

La idea fundamental es la siguiente: si 𝐼𝐶 aumenta, 𝑉𝐸 aumenta, lo que hace que 𝑉𝐵
también aumente. Cuanto mayor sea 𝑉𝐵 menos tensión caerá en 𝑅𝐵 , lo que da lugar
a una menor 𝑅𝐵 , en oposición al incremento original de 𝐼𝐶 . Esto es lo que se
denomina realimentación, porque la variación en la tensión de emisor se alimenta
de nuevo al circuito de base.
Se dice que esta realimentación es negativa porque se opone a la variación original
de la corriente de colector. Las ecuaciones para analizar la polarización con
realimentación de emisor son las siguientes:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐸 =
𝑅
𝑅𝐸 + 𝐵⁄𝛽
𝐷𝐶

𝑉𝐸
𝐼𝐸 =
𝑅𝐸

𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 + 0.7𝑉

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶

La finalidad de la polarización con realimentación de emisor es anular las

variaciones de 𝛽𝐷𝐶 ; es decir, 𝑅𝐸 tiene que ser mucho mayor que 𝑅𝐵 ⁄𝛽𝐷𝐶 .
Polarización con realimentación de colector:
De nuevo, la idea fundamental consiste en realimentar una tensión a la base con el
fin de neutralizar cualquier variación de la corriente de colector.
Por ejemplo, supongamos que la corriente de colector aumenta, por lo que la
tensión de colector disminuye y, en consecuencia, también disminuye la tensión en
la resistencia de base. A su vez, esto hace que disminuya la corriente de base, lo que
se opone al incremento original en la corriente de colector.
Para el análisis se utilizarán las siguientes ecuaciones:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐸 =
𝑅
𝑅𝐶 + 𝐵⁄𝛽
𝐷𝐶

𝑉𝐵 = 0.7𝑉

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶

𝑅𝐵 = 𝛽𝐷𝐶 𝑅𝐶

La polarización con realimentación de colector es más efectiva que la polarización

con realimentación de emisor en lo que se refiere a la estabilidad del punto Q.
Aunque el circuito continúa siendo sensible a las variaciones de la ganancia de
corriente, en la práctica se utiliza por su simplicidad.

Polarización con realimentación de colector y de emisor:

Se obtienen polarizaciones más estables para los circuitos con transistores. Para
esto se utiliza una resistencia de emisor y una resistencia de colector.
Para el análisis se utilizarán las siguientes ecuaciones:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐸 =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 + 𝑅𝐵 /𝛽𝐷𝐶

𝑉𝐸
𝐼𝐸 =
𝑅𝐸

𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 + 0.7𝑉

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶

Sin embargo, más no siempre es lo mejor. Combinar ambos de tipos de

realimentación en un circuito ayuda, pero continúa no siendo suficiente para el
rendimiento que se necesita para fabricaciones en serie.
2. Investigar acerca de la Polarización de amplificadores de clase B/AB. ¿Qué
aplicaciones tiene?
Polarización mediante divisor de tensión:
La figura muestra una polarización mediante divisor de tensión
para un circuito push-pull de clase B/AB.
Los dos transistores tienen que ser complementarios; es decir,
deben tener curvas de 𝑉𝐵𝐸 , valores máximos similares, etc. Por
ejemplo, el 2N3904 y el 2N3906 son complementarios, siendo el
primero un transistor npn y el segundo pnp. Tienen curvas de
𝑉𝐵𝐸 , valores máximos similares, etc.
En la figura mostrada, para evitar la distorsión de cruce, fijamos
el punto Q ligeramente por encima del punto de corte, con la
correcta tensión 𝑉𝐵𝐸 en algún punto entre 0,6 y 0,7 V. Pero el
principal problema es el siguiente: la corriente de colector es
muy sensible a las variaciones de 𝑉𝐵𝐸 . Las hojas de características
indican que un incremento de 60 mV en 𝑉𝐵𝐸 produce 10 veces
más corriente de colector, por lo que es necesaria una resistencia
ajustable para fijar el punto Q correcto. Pero una resistencia ajustable no resuelve
el problema de la temperatura; ya que, aunque el punto Q sea perfecto a
temperatura ambiente, variará cuando lo haga la temperatura. Como se ha
explicado anteriormente, 𝑉𝐵𝐸 disminuye aproximadamente 2 mV por cada grado
que aumenta la temperatura. Cuando la temperatura aumenta en el circuito de la
figura mostrada, la tensión fijada en cada diodo de emisor fuerza a que la corriente
de colector se incremente rápidamente. Si la temperatura aumenta 30°, la corriente
de colector aumenta en un factor de 10, porque la polarización fijada de 60 mV es
demasiado alta. Por tanto, el punto Q es muy inestable con la polarización mediante
divisor de tensión.
El mayor problema en el circuito de la figura es el calentamiento descontrolado.
Cuando la temperatura aumenta, la corriente de colector aumenta, con lo que la
temperatura de la unión aumenta todavía más, reduciéndose aún más la tensión
𝑉𝐵𝐸 correcta. Esta situación termina en que la corriente de colector puede
“descontrolarse” aumentando hasta que una potencia excesiva destruye el
transistor.

Polarización mediante diodos:

Una forma de evitar el calentamiento descontrolado es empleando una polarización
mediante diodo, como se muestra en la figura. La idea consiste en utilizar diodos de
compensación para generar la tensión de polarización de los diodos de emisor. Para
que este montaje funcione, las curvas de los diodos deben estar adaptadas a
las curvas 𝑉𝐵𝐸 de los transistores. Así, cualquier aumento de la temperatura reduce
la tensión de polarización desarrollada mediante los diodos de compensación sólo
 en la cantidad necesaria. Por ejemplo, supongamos una tensión
de polarización de 0,65 V para una corriente de colector de hasta
2 mA. Si la temperatura aumenta 30°C, la tensión en cada uno de
los diodos de compensación cae 60 mV. Puesto que la tensión
VBE requerida también disminuye 60 mV, la corriente de
colector permanece fija en 2 mA. Para que la polarización
mediante diodo sea inmune a las variaciones de temperatura, las
curvas de los diodos deben estar adaptadas a las curvas VBE en
un amplio rango de temperaturas. Esto no se consigue
fácilmente con circuitos discretos a causa de la tolerancia de los
componentes. Sin embargo, la polarización mediante diodos se
implementa fácilmente con circuitos integrados, ya que los
diodos y transistores se encuentran dentro del mismo chip, lo
que significa que tienen curvas prácticamente idénticas.
En la polarización mediante diodos, la corriente de polarización que circula a través
de los diodos de compensación en el circuito de la figura es:

𝑉𝐶𝐶 − 2𝑉𝐵𝐸
𝐼𝑃𝑂𝐿𝐴𝑅𝐼𝑍𝐴𝐶𝐼Ó𝑁 =
2𝑅

Cuando los diodos de compensación están adaptados a las curvas 𝑉𝐵𝐸 de los
transistores, 𝐼𝐶𝑄 tiene el mismo valor que la polarización. Como hemos dicho
anteriormente, 𝐼𝐶𝑄 debe tener un valor comprendido entre el 1 y el 5 por ciento de
𝐼𝐶𝑄(𝑠𝑎𝑡) para evitar la distorsión de cruce.

3. ¿Qué efecto tiene la temperatura sobre la ganancia de corriente?

Cuando la temperatura disminuye, la ganancia de corriente es menor (la curva
inferior). Por el contrario, cuando la temperatura aumenta, ℎ𝐹𝐸 aumenta en casi
todo el rango de valores de corriente (curva superior).
 Para un determinado transistor, cuando la temperatura es 25°C (la curva
intermedia), la ganancia de corriente es 50 para 0,1 mA. A medida que la corriente
aumenta desde 0,1 mA hasta 10 mA, ℎ𝐹𝐸 aumenta hasta un máximo de 100.
Después, disminuye hasta menos de 20 para 200 mA.

4. Explique brevemente la disipación de potencia en el transistor.

La potencia de disipación se puede obtener aplicando la definición de potencia
absorbida por un elemento tri-terminal que, en caso del transistor, se expresa como:

𝑃𝐷 = 𝐼𝐵 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐸

Debido a que generalmente la 𝐼𝐵 <<< 𝐼𝐶 y la 𝑉𝐵𝐸 << 𝑉𝐶𝐸 , el primer término de esta
ecuación es despreciable frente al segundo, resultando que

𝑃𝐷 = 𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐸

Entonces la potencia del transistor es igual a la tensión colector-emisor por la

corriente de colector. Esta disipación de potencia hace que la temperatura de la
unión del diodo de colector aumente. Cuanto mayor es la potencia, más alta es la
temperatura de la unión.
Los transistores se quemarán cuando la temperatura de la unión se encuentre entre
150 y 200°C. Uno de los parámetros más importantes especificados en una hoja de
características es la potencia máxima 𝑃𝐷(𝑚á𝑥) . La disipación de potencia dada por la
ecuación hallada anteriormente tiene que ser menor que 𝑃𝐷(𝑚á𝑥) . En caso contrario,
el transistor se destruirá.

5. ¿Cuál es la fórmula para la disipación de potencia de un transistor? Conociendo

esta relación, ¿en qué lugar de la recta de carga se espera que la potencia disipada
sea máxima?
Conociendo que:
𝑃𝐷 = 𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐸
Esta ecuación representa a una hipérbola en el plano (𝑉𝐶𝐸 , 𝐼𝐶 ) de las curvas
características del transistor. El fabricante proporciona como dato la potencia de
disipación máxima de un transistor; como ejemplo, el BC547 tiene una 𝑃𝐷(𝑚á𝑥) =
500 𝑚𝑊. En la figura se representa la hipérbola de potencia máxima de un
transistor. Es preciso que el punto del trabajo Q esté por debajo de esa curva ya que
sino el transistor se dañaría por efecto Joule.
6. Realice un análisis completo del circuito N.º 01. Calcule el voltaje de salida del
circuito. ¿Qué conclusión puede obtener del estudio de este circuito?

Análisis en DC:
2.2𝐾
𝑉𝐵 = 12 ( ) = 2.16 𝑉
12.2𝐾

𝑉𝐸 = 2.16 − 0.7 = 1.46 𝑉

1.46𝑉
𝐼𝐸 = = 1.46 𝑚𝐴
1𝐾

25𝑚𝑉
𝑟𝑒′ = = 17.12 Ω
1.46𝑚𝐴
 Análisis en AC:
𝑅𝐺 = 680 Ω

𝑟𝑝 = 10𝐾||2.2𝐾 = 1.8𝐾Ω

𝑟𝐶 = 100𝐾||3.3𝐾 = 3.19Ω

𝑣𝑝𝑝 = 0.056𝑉

𝑍𝐸𝐵 = 𝛽𝐴𝐶 ∗ 𝑟𝑒′ = 100 ∗ 17.12 = 1712Ω

𝑍𝐸 = 𝑟𝑝 ||𝑍𝐸𝐵 = 877.45Ω

𝑍𝐸
𝑣𝐵 = 𝑣𝐺 ( ) = 0.016𝑉
𝑅𝐺 + 𝑍𝐸

𝑉𝐵
𝑖𝐵 = = 18.2 𝑢𝐴
𝑍𝐸𝐵

𝑖𝐶 = 1.82 𝑚𝐴

𝑣𝑐 = 𝑖𝐶 ∗ 𝑟𝐶 = 5.8𝑉

7. Cuando se mira un diagrama esquemático que muestra un transistor NPN y un

PNP, ¿cómo se puede identificar cada tipo? ¿Cómo se puede identificar la dirección
del flujo de electrones (o convencional)?
Se puede identificar por la dirección que tiene el diodo, en el transistor NPN el diodo
va de la base al emisor y en el PNP va del emisor a la base.

Dirección de flujo en un transistor NPN:

El flujo de los electrones es contrario al de la corriente. En la zona N existen
electrones libres que se muestran como esferas anaranjadas. El emisor es la zona
con mayor dopado, ésta inyecta los electrones a la base y éstos atraviesan la base
(la mayoría) y fluyen hasta el colector.
Dirección de flujo en un transistor PNP:
Ahora la zona mayor dopada es una zona P, las esferas blancas representan los
huecos presentes. En este tipo de transistor se toma en cuenta la dirección de la
corriente. Se puede identificar por la dirección que toma el diodo, en este caso el
diodo se dirige del emisor hacia la base.
8. Construya una tabla comparativa donde se muestren los distintos tipos de
polarizaciones de un transistor, sus características y los usos que se les da.
 Conclusiones
1. Se debe saber las características de los dos tipos de transistor y para determinar
cuál usar de acuerdo con qué región de funcionamiento se va a trabajar, pues el
tipo NPN es mejor trabajando en la región activa directa (como amplificador) y
el PNP es mejor en regiones de saturación y de corte (como conmutador,
interruptor abierto o cerrado).

2. Es importante amplificar el voltaje de las señales de entrada ya que la carga

(cliente) no podrá leer la información si es que se le transmite con valores de
voltaje muy pequeños.

3. Se debe tener en cuenta que el correcto funcionamiento del circuito dependerá

si se colocó el transistor correcto, ya que al ser similares en la forma se puede
confundir el PNP con el NPN, por ello si no se sabe que tipo de transistor es el
que se dispone, se debe buscar el código que lleva, en internet.

4. Los amplificadores multietapa son muy útiles al momento de amplificar una

señal ya que la ganancia total de tensión es igual al producto de las ganancias de
tensión individuales. Además, como su nombre lo indica, se pueden usar más de
dos etapas de tal manera que se obtendrá un mayor beneficio.