UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

Object 1

FACULTAD DE ELECTROTECNIA Y COMPUTACIÓN

Trabajo investigativo

Transistor IGFET, el Transistor MOSFET y los Circuitos de Polarización

Elaborado por: Eduarrdo Augusto Mayorga Téllez

Grupo: 2N1-EO
Profesor: Cristhian Gómez Gurdián
Transistores MOSFET
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de
campo que utilizan un campo eléctrico para crear una canal de conducción. Son dispositivos más
importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con
la tecnología MOS.
Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de canal P o
PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de acumulación (enhancement) o deplexion (deplexion);
en la actualidad los segundos están prácticamente en desuso y aquí únicamente serán descritos los
MOS de acumulación también conocidos como de enriquecimiento. La figura 1.14 indica los diferentes
símbolos utilizados para describir los transistores MOS.

En la figura 1.15 se describe la estructura física de un MOSFET de canal N con sus cuatro terminales:
puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el sustrato se encuentra conectado a la fuente.

La puerta, cuya dimensión es W·L, está separado del

substrato por un dieléctrico (Si02) formando una estructura similar a las placas de un condensador. Al
aplicar una tensión positiva en la puerta se induce cargas negativas (capa de inversión) en la superficie
del substrato y se crea un camino de conducción entre los terminales drenador y fuente.
La tensión mínima para crear ese capa de inversión se denomina tensión umbral o tensión de threshold
(VT) y es un parámetro característico del transistor. Si la VGS < VT, la corriente de drenador-fuente es
nula; valores típicos de esta tensión son 0.5 V a 3 V.
Transistor de Efecto de Campo en Conmutación
Introducción :
El transistor de efecto de campo se emplea en conmutación formando parte de los circuitos integrados,
gracias a que ocupa una minúscula superficie de silicio y a la insignificante potencia que consume en
conmutación. Estos factores combinados permiten integrar hasta miles de estos transistores en una sola
pastilla sin grandes limitaciones de disipación de calor, a lo que se suma la relativa sencillez del
proceso de fabricación de los circuitos integrados con estos dispositivos. Igualmente las resistencias de
estos circuitos se realizan mediante transistores de efecto de campo convenientemente polarizados,
ganándose así todavía mas espacio. Como se recordará, el principio de funcionamiento del transistor de
efecto de campo o "Field
Effect Transistor" (FET) se basa en el control de la resistencia que presenta un material semiconductor
al paso de la corriente por medio de un campo eléctrico perpendicular a la dirección de esta ultima. Así,
en un FET con electrodo de control aislado,(figura anterior) mediante una tensión aplicada a este
último, por efecto capacitivo se varia la conductancia de una porción del cuerpo semiconductor
("SUSTRATO"), ubicada debajo de un dieléctrico aislador. Dicha porción se denomina "CANAL", en
grisado en la figura anterior y las dos regiones semiconductoras en contacto con sus extremos, por
donde entra y sale la corriente, se designan fuente o "SOURCE" (S) y drenador o "DRAIN" (D). El
electrodo de control es denominado compuerta, graduador o "GATE" (G). En la corriente que circula
por el canal predominan absolutamente los portadores mayoritarios, siendo los minoritarios irrelevantes
para el funcionamiento del transistor. Por esta razón el FET es un TRANSISTOR UNIPOLAR, a
diferencia del transistor bipolar de juntura, donde ambos tipos de portadores importan, especialmente
en la base.
Clasificaciones:
Se ha creído necesario dar un panorama general de las distintas clases de transistores de efecto de
campo, a fin de señalar los tipos mas empleados en conmutación. Una primera clasificación contempla
la manera en que se originan y controla el campo eléctrico; pudiendo ser:
Transistor de Efecto de Campo de Juntura O "JUNCTION FET" o JFET: en el cual el campo eléctrico
de una juntura inversamente polarizada, constituida por el canal y otro material semiconductor unido al
gate, controla la conductancia del primero según el valor de la tensión inversa aplicada. Se representa
como indica la siguiente figura.

Figura 1
Transistor de efecto de campo con electrodo de control aislado o "INSULATED GATE FET"
("IGFET"), caracterizado por tener el gate aislado del canal por una capa de oxido de silicio, se dibuja:

Figura 2
Actualmente se fabrican entre otros, los siguientes dispositivos IGFET:

MOSFET o "MOS" ("Metal Oxide Semiconductor FET"), cuyo nombre deriva de los tres materiales
que aparecen al realizar un corte vertical en su estructura, según puede observarse en la figura 1 vista
anteriormente:
Hasta hace poco los términos IGFET y MOS eran sióonimos.
SILICON GATE FET, difiere de MOS en que el gate es de silicio policristalino, en lugar de ser
metálico. Se consigue así controlar la conductividad del canal a partir de tensiones de gate mas bajas.
SOS("Silicon On Saphire FET"), en el cual el canal semiconductor de silicio esta depositado sobre un
sustrato aislante de zafiro, en lugar de un sustrato semiconductor de silicio. De esta manera se alcanzan
velocidades de conmutación mas altas.
DMOS (MOS de Doble Difusión), que presenta un canal de corta longitud para permitir muy altas
velocidades de conmutación, gracias al breve tiempo de transito de los portadores por el citado canal.
Una segunda clasificación tiene en cuenta la conductancia del canal cuando al gate no se le aplica
ninguna tensión. Asi se tiene:
FET de Canal Normalmente Conductor o de "vaciamiento" ("Depletion FET"), que permite en las
condiciones mencionadas el pasaje de corriente entre los extremos drain y source del canal, cuando
entre los mismos se aplica tensión. Los JFET solo admiten este tipo de funcionamiento, que también
puede darse en los IGFET. Se representa este FET por una línea llena entre los terminales D y S (Figura
2) que simboliza la continuidad citada.
FET de Canal Normalmente Abierto, o no conductor, o de "enriquecimiento" ("enhancement FET"): en
este FET sin tensión en el gate no circula prácticamente corriente entre los terminales drain y source al
aplicárseles tensión. Se simboliza con una línea de trazos entre drain y source. La manera de
representarlos es la siguiente.

Figura 3 Figura 4
Por último, por la naturaleza del canal conductor, los transistores de efecto de campo
pueden ser de dos tipos:
FET de Canal P: Los portadores mayoritarios que circulan por el canal son lagunas.
FET de Canal N: Los portadores que circulan por el canal son electrones.

Circuitos de polarización
Circuitos de polarización: Polarización es el proceso por Circuitos de polarización
el cual en un conjunto originariamente indiferenciado se
establecen características o rasgos distintivos que
determinan la aparición en él de dos o más zonas
mutuamente excluyentes llamadas polos.

Criterios básicos
El término científico de polarización puede
hacer referencia a:
• Polarización electroquímica: modificación de las características de una celda electroquímica por
el uso de la misma. Polarización eléctrica
• Polarización social
• Polarización política
• Polarización electromagnética o de luz.
• Polarización (Psicología) Polarización química: facilidad con que se puede distorsionar la
densidad electrónica de un átomo o una molécula.
Las tensiones y corrientes continuas actúan a modo de soporte de la señal alterna. Un análisis
simplificado de la salida del amplificador con carga resistiva.

Auto polarización .jpg

Para un aprovechamiento razonable del transistor, es conveniente que la tensión de alimentación Vcc se
distribuya por partes iguales entre la carga (R) y el transistor (colector/ emisor). De esta manera, las
variaciones de corriente ic (alter-na) producirán fluctuaciones de tensión sobre el resistor en forma
simétrica alrededor de 1/2 Vcc. Esto no es muy importante cuando las señales amplificadas son
reducidas, pero puede serlo cuando se opera con señales de alto nivel. La corriente continua de colector
del transistor, en consecuencia, deberá valer aproximadamente: Ic = (1/2 * Vcc) / R Polarizar la base
del transistor significará aplicar en el circuito base-emisor una corriente continúa IB capaz de hacer
circular por colector la corriente IC especificada en el párrafo anterior. Cuando la carga no es un
resistor sino, por ejemplo, un circuito resonante (inductor y capacitor en paralelo), la resistencia de la
bobina es prácticamente nula. En estas condiciones no se emplea el mismo criterio, dado que la caída
de tensión sobre el inductor será prácticamente nula (toda la tensión Vcc queda aplicada al colector)
Para este tipo de circuito (amplificador de radiofrecuencia), se busca en general que la corriente le
corresponda a un alto valor de trans-conductancia del transistor (alta ganancia). En definitiva, tanto en
el caso de carga resistiva como en este último, la polarización de base busca fijar una determinada
corriente de colector.

Polarización fija
Muestra de la solución más elemental al problema, por ejemplo: se requiere que la corriente de colector
sea c = 10 mA; la tensión Vcc vale 10 V y la ganancia de corriente del transistor es hFE = 100. La
corriente de base necesaria será 10 mA/ 100, o sea 0,1 mA. Si se desprecia la resistencia base-emisor
(diodo en sentido de conducción), la corriente del circuito de entrada queda determinada por el resistor
Rb y la tensión de la fuente Vcc.
El valor del resistor será: RB = (10V / 0,1mA) = 100.000 ohms. La señal alterna se introduce a la base
por medio de un capacitor C: el capacitor es un circuito abierto para continua (no afecta la
polarización), es a su vez un camino franco para alterna.

Polarización fija .jpg

Auto polarización
En el circuito de polarización fija, la corriente de base depende casi totalmente de RB, o sea que tendrá
un valor constante sea cual sea el transistor conectado al circuito. Este es un inconveniente a causa de
la disparidad de ganancia entre transistores aun del mismo tipo: las diferencias pueden alcanzar
variaciones mayores que el 100 %. Al coonectar un transistor de ganancia hFE = 300, la corriente de
colector del caso anterior alcanza un valer 30 mA y se aleja mucho de lo esperado. Para reducir este
efecto, se recurre al circuito de la Figura. (auto-polarización). En lugar de alimentar la base desde Vcc,
el resistor RB se conecta al colector (que teóricamente debería encontrarse a un potencial 1/2 * Vcc, o
sea que RB también debe valer la mitad).

Circuitos de polarización .jpg

Al conectar un transistor de mayor ganancia, la corriente de colector tiende a aumentar. Este aumento
hace que la caída de tensión sobre R sea mayor o, es decir, la tensión de colector disminuye.
Al bajar la tensión de alimentación de RB (tensión de colector), disminuye lógicamente la corriente IB
y tiende a hacer disminuir la corriente de colector IC, se compensa así el incremento originado por el
transistor. Si bien esta auto-compensación no es perfecta, permite que la corriente Ic se mantenga
dentro de límites razonables, aún cuando se emplean transistores de ganancias dispares.

Polarización con resistor en emisor

El método de auto-polarización puede emplearse cuando la carga de colector es resistiva. Esto no es
válido, por ejemplo, en los amplificadores de radiofrecuencia, cuya carga es un circuito resonante.
Polarización por resistor en emisor.
Dado que la resistencia de la bobina es muy pequeña, la tensión de colector será prácticamente igual a
la de la fuente (Vcc); esto hace que el efecto compensador no exista (la tensión de colector permanece
invariable prácticamente para cualquier valor de corriente IC). Un circuito que permite prescindir del
tipo de carga de colector y de la ganancia de los transistores que se utilicen es el de la El divisor
resistivo R1, R2 fijan un determinado potencial entre base y masa.
El valor de los resistores se adopta de manera que la corriente I1, sea mucho mayor que IB. Así, la
caída de tensión producida por la corriente de base es despreciable con respecto de la caída de tensión
causada por I1: la tensión basemasa dependerá así de R1 - R2 y muy poco del transistor. La tensión Ve
es aproximadamente igual a Vb, salvo la pequeña caída de tensión sobre el diodo base-emisor (diodo
polarizado en sentido de conducción) Es evidente que esta tensión será producida por la corriente de
emisor (que es muy similar a Ic) al circular por el resistor Re. La estabilización de la corriente de
colector se obtiene de la forma siguiente: Aumento de corriente IC: Al aumentar la corriente, sube la
tensión Vb (mayor caída de tensión sobre Re) Si Ve es ligeramente mayor que Vb, el diodo base emisor
queda polarizado en sentido inverso y la corriente de base se anula.Esto sería un contrasentido ya que al
no circular Ib tampoco circulará Ic, lo que se opone a la hipótesis previa de que Ic había aumentado. Se
establece así que Ic debe tener un valor tal que Ve sea, por lo menos, ligeramente inferior a Vb.
Disminución de corriente Ic: al disminuir la corriente, disminuye también Ve. De esta manera, sobre el
diodo base-emisor queda aplicada una diferencia de potencial importante (Vb es bastante mayor que
Ve). Por tratarse de un diodo polarizado en su sentido de conducción, la corriente Ib aumentaría
apreciablemente, ocurre a su vez un gran aumento de Ic. Se presenta nuevamente una contradicción, ya
que esto se opone a la hipótesis original de la disminución de Ic. En otras palabras: la corriente Ic debe
tomar un valor tal que la tensión Ve no sea muy inferior a Vb. Para resumir, se puede afirmar que la
tensión Ve no debe apartarse mucho del valor prefijado entre base y masa (Vb), lo que implica que la
corriente Ic tendrá un valor determinado: el transistor acomoda su comportamiento para que esto
suceda, al prescindir de su ganancia o del circuito de colector (todo depende de la entrada y del resistor
Re).