Universidad Nacional Experimental Politécnica de la Fuerza Armada-UNEFA

Informe I – Amplificador Emisor Común

José Daniel Maldonado Maldonado
e-mail: jdmal.2096@gmail.com

Resumen.- Este documento presenta el diseño de un
amplificador de tensión emisor común, y comparación de
resultados al respecto del circuito físico con los cálculos previos.
Palabras Clave- Transistor BJT, Amplificación de Tensión,
Impedancia de Entrada y Salida
Se acoplan unos condensadores en la entrada y salida de la
señal AC para separar el mundo AC y el punto Q de operación
del transistor en DC.
CALCULOS

INTRODUCCIÓN Se asumió el punto de operación Q:

El amplificador a estudiar es el emisor común, denominado Icq= 3mA, Vceq= 6v.

clase A, el diseño del mismo va orientado con criterios en los
cuales la amplificación del circuito no varié con el beta β el cual
tiene la propiedad de variar mucho respecto a la temperatura de
trabajo del transistor lo que conlleva variación de corriente en el
colector del mismo, ósea este diseño es para un circuito estable
aunque estos modelos de amplificadores no son muy óptimos en
rendimiento van con fines didácticos y reconocer las
características de este circuito. Cabe destacar las
demostraciones digitales del circuito se efectuaron en el
simulador LTSPICE IV

DISEÑO AMPLIFICADOR
Nota: Esta fórmula de ganancia incluye efecto de salida
Parámetros para el diseño:
Resistencia de carga= 500Ω
Ganancia de Tensión: -5≥∆V ≥-10
Por criterio de Temperatura
Para el diseño de un amplificador Emisor Común se tomaron los
factores:

∆V= -6
Fuente AC a 10mv, Frecuencia= 1Khz, Rs=50Ω
Transistor BJT (2N3904), hfe=100
Vcc= 12v Malla de Entrada

El diseño del circuito es el siguiente:

Cálculo de R1 y R2

Efecto de Entrada
Fig.1.- Circuito Amplificador

1
Universidad Nacional Experimental Politécnica de la Fuerza Armada-UNEFA
.

Ganancia con Efecto de Entrada y Salida ANALISIS DE RESULTADOS

La ganancia del circuito se dio muy cercana a la

calculada aunque se siempre hay que tener en cuenta muchos
factores físicos como: tolerancia de las resistencias, resistencias
provocadas por protoboard desgastado, ruido y falta de
calibración a la fuente AC del laboratorio, temperatura de
trabajo que incide en el transistor en el voltaje Vbe , ya que con
el criterio de temperatura que se tomó en los cálculos se
previene cambio del punto operación por variaciones de beta .

CONCLUSIONES

Tomando una retroalimentación del diseño se toman

muchos factores los cuales se aproxime más a la realidad dando
Fig.2.- Simulación del Diseño previo
margen de errores muy pequeños, efectos de carga y entrada
son variables que cambian la ganancia del circuito, se necesita
una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida
para no incidir en la ganancia del amplificador, temperatura y
tolerancia de componentes, el objetivo de la práctica era
comprobar como un diseño de amplificador con un transistor es
capaz de aumentar varias veces señales pequeñas, la máxima
señal que puede amplificar un transistor BJT viene ligado a su
voltaje térmico Vt= 27mv.

Fig.3.- Salida vs Entrada Circuito Fig.2

LABORATORIO

En la Fig.2, se puede observar la simulación en LTSPICE,

donde se tiene la representación del circuito con los valores
obtenidos teóricamente. Cabe destacar que para el montaje, se
cambiaron los valores a valores comerciales más cercanos

Rc= 1,8kΩ + 100Ω= 1,9K Ω

Re= 56 Ω
R1= 6,8KΩ+ 1k Ω= 7,8K Ω
R2 = 680 Ω
C= 470uF

En la práctica se tomaron los siguientes valores:

Voltios Pico (Vp)

Vi= 13,3mv
Vo= 77,14mv
La grafica de salida se tornó inversa al respecto a la entrada por
la caracterización del circuito