Propiedades eléctricas de sólidos

MF Suárez

1
(Left) Kamerlingh Onnes.
(Right) Plot of resistivity
vs. Temperature for a
liquid helium cooled
mercury wire.
 Material ρ (Ω·m) a 20 °C Coeficientetérmico
(K−1)
Carbono (amorfo) 5.00×10−4 a 8.00×10−4
Carbono (diamante) 1.00×1012
Carbono (grafeno) 1.00×10−8 -2x10-4
Carbono grafito 2.50×10−6 a 5.00×10−6 || pb
3.00×10−3 ⊥pb
Ag 1.59x10-8 3.8x10-3
Cu 1.68x10-8 4.04x10-3
Au 2.44x10-8 3.4x10-3
Ge 4,6x10-1 -4.8x10-2
Si 6,4x102 -7,5x10-2
S 1x1015
PET 1x1021
Teflon 1x1023
 Termodinámica estadistica

• Clasica:
ØDistribución de Maxwell-Boltzmann

• Cuántica:
● Distribución Fermi-Dirac

● Distribución Bose-Einstein

4
 1
f ( E i )MB = E i / kT
ze

1 1
f ( E i )BE = (E i −µ)/kT
f ( E i )FD= ( E i −E F )/ kT
e −1 e +1
 T=0K T>0

T = TF = EF/k T >> TF

6
Teoría de bandas
Teoría de bandas para sólidos
cristalinos

9
 Teorema de Bloch

jk ab
  xab=  x e
jkx
  x =u x  e

u x=u xab
 Región I

2 2
ℏ d
  x  E −V 1   x =0
2m dx 2

jx −jx
  x = Ae Be

=
 2m  E −V 1 
ℏ 2
 Región II

2 2
ℏ d
2
  x  E −V 0   x =0
2m dx
x − x
  x =Ce  De

=
 2m V 0 −E 
ℏ 2
 Teorema de Bloch aplicado a la
Aproximación de Krönig y Penney

jkn ab
 I  xnab= I  xe

jknab
 II  xnab= II  x e
 Condiciones de frontera

1  I 0= II 0  AB=C  D

d d
2  I 0=  II 0  j   A−B=C− D
dx dx
3  I a= II a
jk ab
 I a= I −be = II a
jk ab − jb jb a − a
e [ Ae Be ]=Ce De

4
d d
 I a=  II a
dx dx

jk ab −j b j b a − a
e j  [ Ae − Be ]= [Ce − De ]
 Resolución del sistema lineal de ecuaciones

[ ][ ] [ ]
1 1 −1 −1 A 0
j − j −  B =0
jk  ab − j  b jk  ab  j  b a − a
e e e e −e −e C 0
e
jk  ab
je
− jb
−e
jk  ab
j e
jb
− e
a
e
− a
D 0

2 2
 −
senh a sen bcosh  acos b=cos k ab
2
2 2
 −
P  E = senh a sen bcosh  acos  b
2
Movimiento de electrones bajo la acción de un campo eléctrico

t−t 0
dn nt  −
=− nt =nt 0  e 
dt 
 F =m e a=−q e 
*

qe
v t =v t 0 −  t−t 0 
me *

0
1 qe
v t = ∫ −
nt 0  nt  me
 t−t 0 −dn
*
0

∞ t−t 0
q e  t −t 0 − qe  
v t =− ∫
me 0 
*
e 
dt=−
me *
=− e 
*
Movilidad vs concentración de impurezas
Efecto Hall

T 1
=−
JnB qn
Recombinación
Semiconductores

23
 Semiconductor intrínseco

Si

No hay transportadores de carga a 0 K

24
Recombinación
Dopado
Semiconductor extrinseco

P B
Semiconductores compuestos
Semiconductores directos (B) e indirectos (A)
 Semiconductor Devices

• p-n—junction diodes
• Tunnel diodes
• Bridge rectifiers
• Zener diodes
• Light emitting diodes (LED)
• Photovoltaic cells
• Transistors

31
Diodos (Unión p-n)

32
Light Emitting Diodes
(LED)

33
Led Azul
Celda Fotovoltaica
Transistores

38
Voltage amplifier Current amplifier

40
 MOSFET

• Metal-Oxide-Semiconductor FET.
• In a MOSFET the gate is made of metal, and it is
separated from the channel by a thin oxide layer
(an insulator), usually silicon dioxide.
• The oxide layer makes the input impedance much
higher than a standard FET.
• Thus the MOSFETs can be made using thin-film
deposition methods, aiding in miniaturization.

41
 References
● C. N. R. Rao, J. Gopalakrishnan, (2004), New Directions in
Solid State Chemistry, Cambridge University Press,
Cambridge, United Kingdom.
● J. P. Colinge, C. A. Colinge, Physics of Semiconductor
Devices, Kluwer Academic Publishers, Nueva York, USA.
● S.R. Elliott, The Physics and Chemistry of Solids, Jhon
Wiley & Sons, 1998, New York USA.