Apuntes v4 42 2008 PDF

1
Apuntes de Física del Estado Sólido
Dra. Dora Altbir Drullinsky

Contenidos
1 ESTRUCTURA CRISTALINA Y DIFRACCIÓN 3

1.1 Celdas Primitivas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.1.1 Red Hexagonal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.1.2 Redes Tridimensional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.1.3 Red Hexagonal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.1.4 Red Hexagonal Compacta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.1.5 Posición y Orientación de los planos en un cristal . . . . . . . . . . . . . 7
1.2 Red Recíproca . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.2.1 Ejemplos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.2.2 Red Recíproca de una cúbica simple (sc) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.2.3 Red recíproca de una red cúbica centrada en el cuerpo (bcc) . . . . 13
1.3 Determinación experimental de estructuras cristalinas . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.3.1 Factor de estructura de la base . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.3.2 Red bcc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2 DINÁMICA DE REDES 19
2.1 Cuanti caciones de las vibraciones de la red . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

2.2 Difusión inelástica de fotones de gran longitud de onda. . . . . . . . . . . . . . 20
2.3 Vibraciones de cristales con una base monoatómica. . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.4 Velocidad de Grupo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.5 Límites de onda larga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.6 Derivación de la constante de fuerza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.7 Dos átomos por celda primitiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
3 PROPIEDADES TÉRMICAS DE LOS SÓLIDOS 29
3.1 Expansión Térmica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

3.2 Capacidad Calórica, un acercamiento clásico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
3.3 Capacidad Calórica, modelo de Einstein . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
3.4 Modelo de Debye . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
3.5 Capacidad Calórica de los electrones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
3.6 Conductividad Térmica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
4 ELECTRONES LIBRES EN METALES 37
iii
iv Contenidos
4.1 Modelo de un electrón libre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

4.2 Modelo de Drude . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
4.3 Gas de Fermi de electrones libres . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
4.4 Capacidad Calorí ca Experimental en Metales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
4.5 Conductividad Electríca y Ley de Ohm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

4.6 Resistividad experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
4.7 Conductividad térmica de los metales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
4.8 Ley de Wiedermann-Franz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
4.9 Movimiento en campos magnéticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
4.10 Efecto Hall . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4.11 Bandas de Energía . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
4.12 Modelo de electrones casi libres . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

4.13 Magnitud del Gap de Energía . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
4.14 Funciones de Bloch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
4.14.1 Demostración . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
4.15 Modelo de Krönig-Penney . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
4.16 Ecuación de onda para un electrón en un potencial periódico . . . . . . . . . . 56
4.17 Segunda demostración del teorema de Bloch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
4.17.1 Problemas: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
4.17.2 Problema . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
4.18 Número de orbitales en una banda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
4.19 Construcción de super cies de Fermi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
4.20 Electrones fuertemente ligados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
5 Semiconductores 75
5.1 Diferencia entre aisladores y semiconductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
5.2 Agujeros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
5.3 Propiedades ópticas de los semiconductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
5.4 Masa eféctiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
5.5 Semiconductores tipo n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
5.5.1 Ejercicio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
5.5.2 Ejercicio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
5.5.3 Ejemplo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
5.5.4 Ejemplo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
5.6 Semiconductores tipo p . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85

5.6.1 Portadores mayoritarios y minoritarios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
5.7 Modelo de electrónes libres aplicado a Semiconductores . . . . . . . . . . . . . 86
5.8 Juntura de dos metales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
5.9 Análisis Cuántitativo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
6 Propiedades Magnéticas 95
1
6.1 Variables Magnéticas Macroscópicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95

6.2 Imanes Atómicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
6.3 Paramagnétismo de Pauli . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
6.4 Paramagnetismo de Curie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
6.5 Problema . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
6.6 Teoría de Bandas del Ferromagnetismo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
6.7 Imanes Soft y Hard . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
6.8 Portadores mayoritarios y minoritarios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
6.9 Efecto Hall . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
6.10 Modelo de electrones libres . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
6.11 Modelo de electrones libres aplicado a semiconductores . . . . . . . . . . . . . 111
Chapter 1
ESTRUCTURA CRISTALINA
Y DIFRACCIÓN
1.1 Celdas Primitivas

Contienen la información completa del cristal y pueden elegirse de diferentes formas,
pero todas con igual área, por ejemplo:
Una manera de preservar la simetría de la red, es construyendo una red de Wigner-

Seitz. Ésta se construye asociando a cada punto del espacio que está más cerca de él
que de cualquier otro punto.
Su volumen (área) es 1= ,
N
=
V (A)
3
4 Chapter 1. ESTRUCTURA CRISTALINA Y DIFRACCIÓN
1.1.1 Red Hexagonal
p
1 3
a1 = a(1; 0) = a( ; )
2 2
p ! p !
1 3 1 3
a2 = a ; =a ;
2 2 2 2
Red panal de abejas:

r
a 2 3
l2 = a2 )l=
2 2
A cada punto de la red le asociamos la base dada por:

1
~v1 = a p 0
2 3
1
~v2 = a p 0
2 3
1.1 Celdas Primitivas 5
En función de ~a1 y ~a2
1 1
~v1 =
6 6
1 1
~v2 =
6 6
1.1.2 Redes Tridimensional

En la naturaleza existen
1.1.3 Red Hexagonal

En dos dimensiones tenemos la red triángular de nida por:
~a1 = a (1 0)
p !
1 3
~a2 = a
2 2
Pero tambien podemos elegir:
p !
1 3
~a01 = a
2 2
p !
1 3
~a02 = a
2 2
luego, en tres dimensiones,
~a1 = a^
x
p !
1 3
~a2 = a x
^ y^ 0
2 2
~a3 = (0 0 c^
z)
1.1.4 Red Hexagonal Compacta

Es, en realidad, una red con una base. Se forma cuando una red triangular de con-
stante de red a en dos dimensiones. Luego, se apila una copia de ella de forma que las
partículas quedan justo sobre los centros de los triangulos de la primera red, a un altura
c=2.
Luego, se copia la primera red y así sucesivamente. p

No existe necesariamente una relación entre a y c, pero si c = 8=3a, el empaque-
tamiento es óptimo.
Se utilizan los vectores primitivos de la red y se agrega una base:
~v1 = (0 0 0)
a a c
~v2 = p
2 2 3 2
en coordenadas cartesianas o
~v1 = (0 0 0)
1 1 1
~v2 =
3 3 2
coordenadas de vectores primitivos.
1.1.5 Posición y Orientación de los planos en un cristal

Habiendo descrito ya qué entendemos por una red, ¿Cómo podemos usar este concepto
para indicar un plano cristalino?
Una descripción general sugerida por William Miller en 1839 es la siguiente:
1. Determine las intersecciones del plano con los ejes en unidades de los vectores
primitivos ~a, ~b, ~c
2. Escriba el recíproco de cada uno de estos números
3. Reduzca estos números a los tres enteros h; k; l que sean más pequeños y mantenga
la misma razón
4. Los valores h k l se llaman índices de Miller y se encierran entre paréntesis para
denotar un plano cristalino
Ejemplo
1. 3 1 2
2. 1
3 1 1
2
3. 2 6 3
4. (2 6 3)
Algunos aspectos importantes a considerar son los siguientes:
a) Si el plano es paralelo a un eje particular, el índice de Miller correspondiente es cero
(la intersección con el eje es en el in nito)
b) Si el plano intersecta el eje en un valor negativo, el índice de Miller correspondiente
lleva un barra, e. g., (1 1 1)
c) El conjunto de planos equivalentes, es decir, con igual simetría, se denota fh k lg.
Por ejemplo, en una red cúbica, las caras del cristal se denotan f1 0 0g
d) El conjunto (h k l) no sólo denota un plano, sino un conjunto de planos equivalentes
paralelos. Por ejemplo, (1 1 1) denota a los planos que cortan los ejes en 1 1 1; 2
2 2; etc.
e) Una dirección en la red se especi ca usando paréntesis cuadrados [h k l]. Esta di-
rección se de ne como la perpendicular al plano (h k l)
En un cristal dado, existen muchas formas de de nir planos paralelos

Tomemos dos planos paralelos que cortan los ejes en m n y o respectivamente

El conjunto 1 tiene índices (1 1 1) y dibujando los paralelos (múltiplos enteros) se
cubre todo el cristal
Veamos el siguiente ejemplo:

1
1 3 1 ! 1 3 0 ! 1 3 0
1 p p p
1 1
m n o ! m n o ! m n o
! h k l
p=3
Si deseamos cubrir toda la red debemos trazar otros planos: ¿cuántos? p 1. En
total hay p planos por cada intersección en el eje
d0 = pd
cos2 ( 1 ) + cos2 ( 2 ) + cos2 ( 3 ) = 1
d0 hd0
cos ( 1 ) = =
ma pa
d0 kd0
cos ( 2 ) = =
na pa
d0 ld0
cos ( 3 ) = =
oa pa
1.2 Red Recíproca 11
Luego:
h2 d02 k 2 d02 l2 d02
+ + =1
p2 a2 p2 a2 p2 a2
pero d0 =p = d
d2 2
h + k 2 + l2 = 1)
p2
a2
d2 (h k l) =
h2 + k 2 + l2
1.2 Red Recíproca

Consideremos el conjunto de tres vectores:
~1 2 (~a2 ~a3 )
A =
~a1 (~a2 ~a3 )
~2 2 (~a3 ~a1 )
A =
~a1 (~a2 ~a3 )
~3 2 (~a1 ~a2 )
A =
~a1 (~a2 ~a3 )
Estos vectores de nen la llamada red recíproca y satisfacen
A~ i ~aj = 2 ij
n o
~ i son ortogonales sólo si lo son f~ai g
A
Consideremos un punto del espacio recíproco dado por:
~ m0 n0 p0 = m0 A
G ~ 1 + n0 A
~ 2 + p0 A
~3
con m0 , n0 , p0 enteros
Sea mnp un punto de la red cristalina dado por mnp = m~a1 + n~a2 + p~a3 ;
n; p; m;enteros.
~ ~
G = 2 (mm0 + nn0 + pp0 ) = 2 N
N entero
Luego
~
eiG ~ = 1
1.2.1 Ejemplos
1. Dados
~a1 = 2^
x
~a2 = x
^ + 2^
y
encuentre la red recíproca.
Solución
Suponemos ~a3 = z^ (así la red recíproca está en el plano que forman ~a1 y ~a2 )
~1 2 2
A = (~a2 ~a3 ) = [^
x z^ + 2 (^
y z^)]
V V
2
= f y^ + 2^
xg
V
~2 2 2 4
A = (~a3 ~a1 ) = (2^
y) = y^
V V V
V = ~a1 (~a2 ~a3 ) = 4 )
~1
A = f2^
x y^g
2V
~2
A = y^
Cualquier vector que une dos puntos de la red recíproca es perpedicular a algún
conjunto de plano de la red cristalina.
2. Cadena lineal
Sólo hay un vector, ~a1 = a^
x
~1 = 2 ~a2 ~a3 2
A =
~a1 (~a2 ~a3 ) ~a1
1.2 Red Recíproca 13
Si queremos dibujar la bisectriz a los primeros vecinos ellas cortan la cadena en

k= =a. Estos son los límites de la celda de Wigner-Seitz de la red recíproca,
que se conoce como Primera Zona de Brillouin (P ZB).
1.2.2 Red Recíproca de una cúbica simple (sc)
~1 = 2 2 2
~a1 = a^
x)A a (^
y z^) = x^
a3 a
~a1 = a^ ~ 2 = 2 a2 (^
y)A z x
^) =
2
y^
a3 a
~a1 = a^ ~ 3 = 2 a2 (^
z)A x y^) =
2
z^
a3 a
Luego, la red recíproca es también una red cúbica simple de constante 2 =a:
Los límites de la PZB son planos normales a sus vectores:
1~
A1 = x
^
2 a
1~
A2 = y^
2 a
1~
A3 = z^
2 a
1.2.3 Red recíproca de una red cúbica centrada en el cuerpo (bcc)

Los vectores primitivos de traslación de una red bcc son:
1
a1 = a (^
x + y^ z^)
2
1
a2 = a( x ^ + y^ + z^)
2
1
a3 = a (^
x y^ + z^)
2
a3 a3
V = ~a1 (~a2 ~a3 ) = f4g =
8 2
con esto
~1 2
A = (^
x + y^)
a
A~ 2 = 2 (^ y + z^)
a
A~ 3 = 2 (^ x + z^)
a
Estos vectores son los primitivos de la fcc, luego, una red fcc es la primitiva de la
bcc, pero su constante es 2 =a en lugar de a=2
Un vector general de la red recíproca estará dado por:
~
G = m0 A ~ 1 + n0 A
~ 2 + p0 A
~3
2
= f(m0 + p0 ) x^ + (m0 + n0 ) y^ + (n0 + p0 ) z^g
a
Los doce vectores más cortos distintos de cero son:
2
( x^ y^)
a
2
(^y z^)
a
2
( x^ z^)
a
Si trazamos los planos normales a estos doce vectores en sus puntos medios obten-
emos la PZB, que es la celda de Wigner-Seitz de una fcc. Esta zona es un dodecaedro
rómbico.
1.3 Determinación experimental de estructuras cristali-

nas
El scattering de rayos X entrega información de la localización de los átomos en un
sólido.
En 1912, M. von Laue tenía la intuición de que los rayos X se dispersan en un cristal
de la misma forma en que lo hace la luz al incidir sobre un centro dispersor
La explicación de este patrón fue desarrollada por Braggs, basándose en la idea de

que los rayos X son re ejados por los planos de la red de forma que la imagen resultante
es debida a una combinación de haces re ejados de muchos planos paralelos.
La diferencia de fase entre las ondas re ejadas está dada por la distancia uv + v w:Si
en esta distancia entra un número entero de longitudes de onda, las ondas re ejadas
estarán en fase
n = 2d sin
1.3 Determinación experimental de estructuras cristalinas 15
Pero en un cristal existen muchas formas de de nir planos paralelos. ¿Cómo se

produce una "selección de planos"?
Si suponemos que la respuesta del cristal es lineal:
! = !0
k = k0
La onda incidente tiene un campo eléctrico asociado
~
E (x) = E0 ei(k ~x !t)
Al incidir sobre un centro difusor se genera una onda difundida cuya forma es:
eikr
E 0 = CE ( )
r
ikr
~ !t) e
E 0 = CE0 ei(k ~
r
2 2 2 2
r = (R ) =R 2 R cos ( ; R) +
2 1=2
2 ~ +
r = R 1 cos ~ ; R
R R2
r R 1 ~
cos ~ ; R
R
pues suponemos que estamos lejos del centro difusor. Luego:

~ ~
ei(k ~ +kr) = eikR ei(k ~ k cos( ;R))
pero lejos, la dirección de k 0 puede de nirse como la dirección de R. Luego:
k cos ( ; R) = k 0 cos ( ; k 0 ) = ~k 0 ~
y nalmente:
~ ~ ~
k0
ei(k ~ +kr) = eikR ei(k ~ )
= eikR ei k
Finalmente:
E 0 = CE0 eikR e i!t
exp i mnp k (1.3.1)
donde r R:
La difusión total se obtiene sumando 1.3.1 sobre todos los puntos de la red. Resulta,
entonces, importante calcular:
X ~
a e i~ mnp k
m;n;p
Consideremos un cristal nito con centros difusores en cada punto de la red
mnp = m~a1 + n~a2 + p~a3

X ~
i(m~
a1 n+n~
a2 +p~
a3 ) k
a= e
mnp
amax ) ~k = G
1.3 Determinación experimental de estructuras cristalinas 17
N 3 es el número de puntos de la red.

Luego Z
i~ ~
k
E0 / dV n ( ) e
donde n ( ) es la concentración de electrones.
1.3.1 Factor de estructura de la base

Sean s átomos dentro de una celda y jemos la posición del núcleo del átomo j por el
vector
j = xj~a1 + yj~a2 + zj~a3

= m~a1 + n~a2 + p~a3
con respecto al punto mnp de la red (que está en el origen de j)
Pero respecto al origen de la celda, la posición del átomo j es j : En relación al

origen de la red
0
j = j + mnp
Los electrones no están concentrados en el átomo, sino repartidos en su derredor.
cj j mnp
de ne la concentración de electrones en la posición cerca del átomo y en la celda

mnp. Luego, la concentración de electrones en el cristal está dada por:
3
M X
X s
n( ) = cj j mnp
mnp j=1
Luego
Z
i k
a k = dV n ( ) e
N XZ
X
i~ ~
k
= dV cj j mnp e
mnp j
La contribución de cj j mnp es:

Z Z h i
i k i~ 0 ~ ~k
dV cj j mnp e = dV cj ( 0 ) e k
exp i ~ j + ~ mnp
con h i
~ 0 = ~ ~ j ~ mnp = fj exp i ~ j + ~ mnp ~k
fj se conoce como factor de forma atómico. Con esto:
XX
a k = fj exp i j + mnp k
mnp j
X X
= e i( mnp k)
fj e i j k
mnp j
X
M3 = e i( mnp k)
mnp
X
i k
sg = fj e j
j
X
i G
fj e j = factor de estructura de la base
Hablamos de una re exión (hkl) cuando
~ 1 + kA
G = hA ~ 2 + lA
~3
j G
= 2 (xj h + yj k + zj l)
= 2 (mh + nk + pl)
X
s (h k l) = fj exp f 2 i (xj h + yj k + zj l)g
X
= fj exp f 2 i (mh + nk + pl)g
Este factor de ne algunas líneas que desaparecen y no necesita ser real pues la in-
tensidad considera ss . Nuestro interés reside en los ceros de s porque entonces no hay
intensidad en ciertas re exiones. La falta de re exiones ayuda a determinar que tipo de
estructura tiene el cristal difusor.
1.3.2 Red bcc

La base contiene dos átomos idénticos en las posiciones 0 0 0; 12 1 1
2 2: Luego:
s (h k l) = f (1 + exp [ i (h + k + l)])
Luego, si:
h+k+l = impar ) s = 0
h+k+l = par ) s = 0
El sodio metálico no tiene en su espectro las líneas (100) ; (111) ; (221), pero sí
aparecen las líneas (200) ; (110) y (222). Los índices h k l se re eren a la celda cúbica.
Chapter 2
DINÁMICA DE REDES
2.1 Cuanti caciones de las vibraciones de la red

La energía de una vibración de red u onda elástica está cuanti cada. El cuanto de
energía en una onda elástica se conoce como fonón
! electrón
fotón onda electromagnética
fonón onda elástica
plasmón onda electrónica colectiva
La teoría de vibraciones se inicia en 1900, cuando Planck demostró que la cuan-
ti cación de la energía podía explicar la distribución de frecuencias emitidas por un
cuerpo negro. La energía del fotón es = h . La energía de n fotones es = nh .
Omitiremos la energía del punto cero, la cual no tendrá efecto en nuestros cálculos.
Lo mismo ocurre con los fonones. Un fonón da un vector de onda K ~ tiene,
en lo referente a sus interacciones con otras partículas y campos, una cantidad de
movimiento (momentum) hK. ~
Vimos que la difusión elástica de un fotón por un cristal (Braggs) está gobernada
por:
~k 0 = ~k + G
~ (2.1.1)
~
G 2 Red Reciproca
En términos de momentum es como si el cristal completo retrocediera con un mo-

mentum ~G.~ Si la difusión del fotón es inelástica, con la creación(absorción) de un
~ la regla de selección nos da:
fonón de vector de onda K,
~k 0 + K
~ = ~k + G
~ (2.1.2)
2.2 Difusión inelástica de fotones de gran longitud de

19
20 Chapter 2. DINÁMICA DE REDES
onda.
Consideremos un fotón de frecuencia = !=2 propagándose en un cristal. Si se
considera el cristal como un contínuo de índice de refracción n, el vector de onda del
fotón queda determinado por:
ck
! = (2.2.1a)
n
c
= (2.2.1b)
n
con c la velocidad de la luz
La cantidad de movimiento del fotón es:
p~ = ~~k (2.2.3)
Supongamos que un fotón de este haz interactúa con un haz de fonón u onda sonora
del cristal. El fotón puede ser difundido por la onda sonora. La interacción puede ocurrir
porque el campo de deformación elástica de la onda sonora cambia la concentración
local de átomos y, por consiguiente, el índice de refracción del cristal. De esta manera,
la onda sonora modula las propiedades ópticas del medio. Recíprocamente, el campo
eléctrico de la onda luminosa modula las propiedades elásticas del medio.
Un fotón puede, en un cristal, crear o absorber un fonón. En este proceso el fotón
será difundido su vector de onda cambiará de ~k y ~k 0 y su frecuencia de ! a ! 0 . Supong-
amos que se crea un fonón de vector de onda K ~ y su frecuencia . La cinemática de la
colisión está dada por:
~! = ~! 0 + ~ (2.2.4)
donde, para simpli car no hemos incluído la posibilidad de que la difusión esté
asociada a una difracción de Bragg, haciendo intervenir un vector de la red recíproca.
Si la velocidad vs del sonido.
Ahora, un fonón puede transportar sólo una pequeña parte de la energía del fotón
incidente, esto pues vs ~ se forma a partir de un fotón ~k; se tiene que
c. Si un fonón K
para conservar energía y momentum, ! ' ! y k 0 ' k.
0
2.3 Vibraciones de cristales con una base monoatómica. 21
Como = vs K, los fonones producidos cuando se difunden inelásticamente fo-

tones a una dirección ' de la dirección incidente tendrán la frecuencia
!n 1
' 2vs sin ' (2.2.5)
c 2
Ejemplo La frecuencia máxima de los fonones creados por difusión de la luz visible
en el vacío de longitud de onda = 4000A; para vs ~5 105 cm=s y n~1:5 es
2 5 105 (2 ) (1:5)
=
4 10 5
11
= 2 10 rad=s
K =vs = 4 105 =cm
La difusión de luz visible ha sido utilizada para generar fonones de corta longitud
de onda en el cuarzo y el za ro.
2.3 Vibraciones de cristales con una base monoatómica.

Consideremos las vibraciones elásticas de un cristal con un átomo por celda primitiva.
Deseamos encontrar la frecuencia de una onda elástica en términos del vector de onda
que describe la onda y en términos de las constantes elásticas.
La solución es simple si consideramos las direcciones [100] ; [110] ; [111] en un
cristal cúbico. Cuando una onda se propaga a lo largo de una de esas direcciones, planos
enteros de átomos se mueven en fase con desplazamientos paralelos o perpendiculares a
la dirección del vector de onda. Podemos, entonces, describir con una sola coordenada
us ; el desplazamiento del plano de su posición de equilibrio. El problema se hace
entonces, unidimensional. Para cada vector de onda existen tres modos de polarización,
uno de polarización longitudinal y dos de polarización transversal.
Supondremos que la respuesta del cristal es elástica, y es una función lineal de las
fuerzas. Esto es equivalente a la suposición de que la energía elástica es una función
cuadrática del desplazamiento relativo de dos puntos cualesquiera en el cristal. Los
términos de orden mayor los despreciamos, pero juegan un rol a altas temperaturas
F = kx; v = kx2 =2 :
Por simplicidad, consideraremos sólo interacciones a primeros vecinos, de forma
que:
Fs = c (us+1 us ) + c (us 1 us ) (2.3.1)
Esta expresión es lineal en los desplazamientos y de la forma de la ley de Hooke. Es
importante mirar c como la constante de fuerza entre dos átomos, de forma que Fs sea
la fuerza en un átomo del plano s: c también será diferente para ondas longitudinales o
transversales.
La ecuación de movimiento del plano es:
d2 us
M = c (us+1 us 1 2us ) (2.3.2)
dt2
con M la masa de un átomo. Buscamos soluciones con todos los desplazamientos que
tengan una dependencia temporal e i!t : Luego:
d2 us
= !us (2.3.3)
dt2
con lo cual:
M ! 2 us = c (us+1 us 1 2us ) (2.3.4)
Esta ecuación tiene solución del tipo:
us+1 = u exp (isKa) exp ( iKa) (2.3.5a)
= us exp ( iKa) (2.3.5b)
donde us = u exp (isKa) ; a el espaciamiento entre los planos y K el vector de onda.
El valor de a dependerá de la dirección de K.
Con esta solución nuestra ecuación diferencial se transforma en:
! 2 M exp (isKa) = c fexp [i (s + 1) Ka] + exp [i (s 1) Ka] 2 exp (iKsa)g
(2.3.6)
de donde:
! 2 M = c (exp (iKa) + exp ( iKa) 2) (2.3.7)
usando:
2 cos (Ka) = exp (iKa) + exp ( iKa)
2c
!2 = [1 cos (Ka)] (2.3.8a)
M
4c 1
= sin2 Ka (2.3.8b)
M 2
luego: r
4c 1
!= sin Ka (2.3.9)
M 2
2.3 Vibraciones de cristales con una base monoatómica. 23
d! 2 2ca
= sin (Ka) = 0 (2.3.10)
dK M
en K = =a:
Primera zona de Brillouin:
¿Cuál es el rango de vectores de onda K físicamente signi cativos?
veamos:
us+1 u exp [i (s + 1) Ka]
= = exp (iKa) (2.3.11)
us u exp (isKa)
El rango + $ para la fase Ka barre todos los valores independientes de la expo-
nencial. No tiene sentido hablar de que dos átomos estás desfasados en más de .
Luego, el rango de valores independientes de K está dado por:
<K (2.3.12)
a a
y reside en la primera zona de Brillouin.
Podemos tratar un valor de K fuera de estos límites sustrayendo un número entero
de múltiplos de 2 =a, de forma que K 0 quede en estos límites. Supongamos que K car
fuera de la primera zona de Brillouin, de nimos:
2n
K0 = K , n entero (2.3.13)
a
que está en la primera zona de Brillouin.
us+1
= exp (iKa) = exp [i (K 0 + 2n =a) a] = exp (iK 0 a) 1 (2.3.14)
us
Notemos que 2n =a es un vector de la red recíproca. Luego, restando un vector apropi-
ado de la red recíproca a K, siempre podemos obtener un vector K 0 equivalente en la
primera zona de Brillouin.
En los bordes de la primera zona de Brillouin, Kmax = =a
s
us = u exp ( isKa) = u exp ( i a) = ( 1) (2.3.15)
Esta es una onda estacionaria, átomos alternados oscilan en fases opuestas y las ondas
no se mueven ni a la izquierda ni a la derecha.
2.4 Velocidad de Grupo

La velocidad de transmisión de un paquete de ondas es la velocidad de grupo dada por:
d!
vg = (2.4.1)
dK
= rk ! (K) (2.4.2)
Esta es la velocidad con que se propaga la energía en el medio. Con la relación de
dispersión:
r
4c 1
! = sin Ka (2.4.3)
M 2
r 1=2
1 4c 1 ca2 1
vg = a cos Ka = cos Ka (2.4.4)
2 M 2 M 2
Esta es cero en los límites de la zona, donde K = =a. Aquí la onda es estacionaria
y, por consiguiente, tiene velocidad de transmisión de energía cero.
2.5 Límites de onda larga

Si Ka 1, podemos expandir cos
2c 2c 1 2
!2 = [1 cos (Ka)] ! 1 1 + (Ka) (2.5.1a)
M M 2
c
' K 2 a2 (2.5.1b)
M
El que en este límite m / K, entonces, vg independiente de K y de !, luego
r
! c
vs = = a (2.5.2)
K M
Esto recuerda al sonido que se propaga con velocidad constante, por lo que estas ondas
se llaman acústicas.
2.6 Derivación de la constante de fuerza

En metales, las fuerzas efectivas pueden ser de largo alcance, llevadas de ión a ión a
través de los electrones de conducción. Si deseamos generalizar la relación de disper-
sión tenemos:
2c 2 X
!2 = [1 cos (Ka)] ! ! 2 = cp [1 cos (pKa)] (2.6.1)
M M p>0
2.7 Dos átomos por celda primitiva 25
Resolvemos para la constante cp multiplicando por cos (pKa), con p0 un estado entero,
e integrando sobre el rango de valores independientes de K:
Z =2 X Z =2
M dK! 2K cos (p0 Ka) = 2 cp dK [1 cos (pKa)] cos (p 0
(2.6.2a)
Ka)
=2 p>0 =2
2
= cp0 (2.6.2b)
a
luego:
Z =2
Ma
cp0 = dK! 2K cos (p0 Ka) (2.6.3)
2 =2
2.7 Dos átomos por celda primitiva

Si la celda primitiva tiene más de un átomo, la relación de dispersión se modi ca. Con-
sideremos, por ejemplo, las estructuras de diamante o del N aCl, con dos átomos por
celda primitiva. Por cada modo de polarización, la relación ! vs K se separa en dos
ramas, conocidas como óptica y acústica. Tenemos ondas longitudinales acústicas y
transversales acústicas y longitudes y transversales ópticas.
Si hay p átomos en la celda primitiva habrán 3p ramas en la relación de dispersión,
3 acústicas y 3p 3 ópticas.
La numerología de las ramas se desprende del número de grados de libertad de los
átomos con p átomos en la celda primitiva y N celdas primitivas hay P N átomos que
hacen un total de 3pN grados de libertas del cristal completo. El número de valores K
permitidos en una rama son N en cada zona de Brillouin, luego, hay 3p ramas.
Consideremos un cristal cúbico con átomos M1 y M2 en planos alternados.
Luego:
d2 us
M1 = c (vs 1 + vs 2us ) (2.7.1a)
dt2
d2 vs
M2 2 = c (us + us+1 2vs ) (2.7.1b)
dt
Buscamos una solución de una onda viajera de tipo
us = u exp (isKa) exp ( i!t) (2.7.2a)

vs = v exp (isKa) exp ( i!t) (2.7.2b)
Sustituyendo estas formas en 2.7.1a y 2.7.1b
! 2 M1 u = cv [1 + exp ( iKa)] 2cu (2.7.3a)

! 2 M2 v = cu [1 + exp (iKa)] 2cv (2.7.3b)
luego
2c M1 ! 2 c [1 + exp ( iKa)]
=0 (2.7.4)
c [1 + exp (iKa)] 2c M2 ! 2
de donde:
M1 M2 ! 4 2c (M1 + M2 ) ! 2 + 2c2 [1 cos (Ka)] = 0 (2.7.5)
Esta ecuación puede resolverse exactamente, pero es más simple examinar los casos
límites Ka 1 y Ka = . Para valores pequeños de Ka tenemos cos (Ka)
1 21 K 2 a2 + :::Luego:
1 1
!2 ' 2c + rama óptica (2.7.6a)
M1 M2
cK 2 a2
!2 = rama acústica (2.7.6b)
2 (M1 + M2 )
Los desplazamientos de las partículas también pueden estimarse. En la rama óptica,

en K = 0 se tiene que:
1 1
! 2 ' 2c +
M1 M2
2.7 Dos átomos por celda primitiva 27
Al usar esto en las ecuaciones para M1 y M2 con las que se escribe el determinante, se
tiene que:
u M2
=
v M1
Es decir, los átomos vibran uno opuesto al otro.
Si los átomos llevaran cargas opuestas podríamos excitar un modo de este tipo con
el campo eléctrico de la luz. Por esto se llama rama óptica.
Otra solución en K dará u=v complejo.
En el caso óptico, u = v se obtiene en el límite K = 0. Los átomos se mueven
como en una larga onda acústica, de allí el término rama acústica.
Ejercicio Considere una red bidimensional cuya constante de red es a. Los átomos
interactúan de forma que cuando un átomo en (xn ; yn ) se desplaza a (xn + x; yn )
está sujeto a una fuerza restauradora c1 x; debida a sus vecinos en (xn a; yn ) y
una fuerza restauradora c2 x, debida a sus dos vecinos en (xn ; yn a) : Suponga
c2 < c1 .
Encuentre la relación de dispersión en el eje x
Encuentre la velocidad del sonido
Solución
un;m =desplazamiento del átomo en xn ; yn

El desplazamiento del átomo un;m relativo a sus vecinos en el eje x es:
(un;m un+1;m ) y (un;m un 1;m )

Respecto de y
(un;m un;m+1 ) y (un;m un;m 1)
Con esto:
d2 un;m
m = c1 (2un;m un+1;m un 1;m ) c2 (2un;m un;m+1 un;m 1)
dt2
Si suponemos una solución del tipo:
un;m = Aei(kx na+ky na) e i!t
obtendremos:
m! 2 = c1 2 eikx a e ikx a + c2 2 e iky a eiky a

= 2c1 [1 cos (kx a)] + 2c2 [1 cos (ky a)]
Por lo tanto:
1=2
4c1 kx a 4c2 ky a
!= sin2 + sin2
m 2 m 2
Para ondas de sonido propagándose en la dirección x, ky = 0 y
1=2
4c1 kx a
!= sin2
m 2
@! @!
~v = rk ! = e^x + e^y
@kx @ky
a
= [c1 sin (kx a)] e^x + c2 sin (ky a) e^y
m!
a 1=2
~v = c2 sin2 (kx a) + c22 sin2 (ky a)
m! 1
Chapter 3
PROPIEDADES TÉRMICAS
DE LOS SÓLIDOS
3.1 Expansión Térmica

Es común que la mayoría de los sólidos se expanden cuando se calienten. Si trabajamos
con una barra o alambre, la magnitud de este efecto con una por el coe ciente de
expansión térmica lineal . Éste de ne el cambio fraccional en la longitud por cambio
unitario de temperatura.
L 1
=
L0 T
A pesar de que los valores de son muy pequeños, si los extremos de una barra
se mantienen jos, puede producirse una deformación apreciable del material. Este
efecto debe considerarse en la construcción de puentes, líneas de tren y caminos para
evitar colapsos de las estructuras en días cálidos, pero también puede usarse en la
construcción de switchs sensibles a la temperatura.
5
acero = 1:1 10 K 1
plomo = 2:9 10 5K 1
¿Cómo podemos entender a escala atómica el fenómeno de la expansión?

Es claro que un cambio microscópico de dimensión debe estar asociado a un cam-
bio en la distancia interatómica.
Examinemos que ocurre con la energía potencial
29
30 Chapter 3. PROPIEDADES TÉRMICAS DE LOS SÓLIDOS
A T = 0 todos los átomos tienen la menor energía posible, Emin , correspondiente

a la separación de equilibrio a0 : A temperatura T o , la energía promedio de los átomos
aumenta en kB T , luego la separación varía entre a0 y a1 . Como la curva de energía
potencial es asimétrica (es más difícil juntar los átomos que separarlos), encontramos
que el centro de oscilación está ahora en un valor mayor que a0 . Si el potencial fuese el
de un oscilador armónico no podríamos obtener expansión térmica.
3.2 Capacidad Calórica, un acercamiento clásico

Calcularemos ahora el calor especí co, es decir, la cantidad de energía necesaria para
subir la temperatura de un material en 1K. Estará referido a una sustancia que contiene
6:02 10 23 átomos. Esto no necesariamente es un mol. Por ejemplo, en un cristal de
N aCl tendremos NA =2 iones de Sodio y NA =2 iones de Cloro.
@U
C= (3.2.1)
@T
Con U la energía interna.

¿Cómo determinamos la energía de vibración de los iones? De acuerdo al teorema
de equipartición de energía y asumiendo un oscilador con seis grados de libertad por
ión,
U = NA 3kB T = 3RT (3.2.2a)

@T
= 3R (3.2.2b)
@T
R= constante molar de los gases.

Nuestro modelo clásico sugiere que todos los sólidos tienen una capacidad calórica
constante, lo cual se conoce como ley de Dulong-Petit.
¿Cómo se compara este resultado con los experimentos? A T o ambiente esto es
aproximado. Sin embargo, a 77K existe una mayor discrepancia
3.2 Capacidad Calórica, un acercamiento clásico 31
MATERIAL 77 K JK 1
273 K JK 1
Cobre Cu 12:5 24:3

Aluminio Al 9:1 23:8
Oro Au 19:1 25:2
Plomo P b 23:6 26:7
Hierro F e 8:1 24:8
Sodio N a 20:4 27:6
Silicio Si 5:8 21:8
Vidrio 4:0 15:0
Cloruro de Sodio N aCl 14:0 24:6
Diamante C 0:1 5:0
Luego, a bajas temperaturas el modelo no sirve.

Veamos un acercamiento diferente. Calculemos la energía media de un oscilador
armónico simple:
X X k!
hEi = En pn = A n~ Boltzmann (3.2.3)
n n
kB T
P
Para obtener A usamos pn = 1, luego
X n~!
A exp =1 (3.2.4)
n
kB T
Con esto,
P n~!
nn~! exp kB T
hEi = P (3.2.5)
n~!
n exp kB T
Usando: P " " ##
n exp ( nx) d X
Pn = log exp ( nx) (3.2.6)
n exp ( nx) dx n
tenemos que " " ##
d X
hEi = ~! log exp ( nx) (3.2.7)
dx n
con x = ~!
kB T
X 1 exp ( nx) 1
exp ( nx) = ~ (3.2.8)
n
1 exp ( x) 1 exp ( x)
con n grande
Ahora
d 1 exp ( x) 1
log = = (3.2.9)
dx 1 exp ( x) 1 exp ( x) exp (x) 1
de donde
~! ~!
hEi = = (3.2.10)
exp (x) 1 exp ~!
1
kB T
hEi =
6 3RT
3.3 Capacidad Calórica, modelo de Einstein

La primera persona en aplicar teoría cuántica para determinar el calor especí co de un
sólido fue Albert Einstein. A pesar de que esta no es su mayor contribución, fue citada
en la asignación de su premio Nobel en 1921.
Como en el acercamiento clásico, Einstein considera los átomos como osciladores
armónicos simples. Para simpli car, los trataremos como unidimensionales. De acuerdo
a la teoría cuántica, la energía de un oscilador armónico simple puede tener sólo cierto
valores discretos:
1
En = n + ~!; n = 0; 1; 2; :::
2
Ahora, debemos saber cuántos osciladores tienen una energía particular En : A T =
0, esperamos que todos los átomos estén en el nivel más bajo. Sin embargo, sabemos
que su energía no es cero, sino ~! 2 . La mecánica cuántica nos muestra que los átomos
no están completamente estacionarios aún en cero absoluto. Sin embargo, en orden a
simpli car nuestros cálculos, mediremos la energía respecto de ese valor y así, En =
n~!:
A temperaturas mayores que 0K, algunos de los átomos ocuparán niveles de energía
más altos (con n = 1; 2; 3; :::) De acuerdo a la distribución de Boltzmann, la probabil-
idad de que una partícula esté en un estado con energía E a temperatura T es propor-
cional a exp ( E=kB T ), luego, la probabilidad de ocupar un estado de energía En a
temperatura T está dada por:
n~!
pn = A exp
kB T
con
1
A= P
n~!
n exp kB T
y
~!
hEi = = hni ~!
~!
exp kB T 1
luego
~!
U = 3NA hEi = 3NA
~!
exp kB T 1
3.3 Capacidad Calórica, modelo de Einstein 33
~!
~!
2 exp kB T
C = 3R h i2
kB T ~!
exp kB T 1
Si gra camos esta función vemos que hay un buen acuerdo con los experimentos.
A alta temperatura converge al valor clásido 3R. Esto ocurre pues si kB T es mucho
mayor que la distancia entre niveles, ~!, entonces, la expresión para U ! 3NA kB T:
Se de ne
~!
E =
kB T
A T = 0, la naturaleza discreta es muy evidente. A T 0, la naturaleza de los

estados no es tan evidente y parece a la distribución clásica
En general:
r
k
!=
m
con k Y a0 , e Y , el módulo de Young.
Con esto:
madera : 5N=m < k < 140N=m : diamante

4 1012 < ! < 8 1013 rad=s
Átomos pesados y con enlaces débiles tienen ! bajas, como oro y madera.
3.4 Modelo de Debye

El modelo de Einstein mantiene discrepancias con los experimentos a bajas temperat-
uras. Si consideramos T < E =10; C / es proporcional a T 3 experimentalmente. Pero
el modelo de Debye predice valores que cambian exponencialmente con la temperatura
¿Cómo mejorar el modelo de Einstein?
Si asumimos que los átomos al vibrar interactúan unos con otros, podemos mejorar
nuestro modelo.
Consideremos ondas estacionarias en un cristal unidimensional de longitud L . La
amplitud de cada una de estas ondas está descrita por = sin (kx) y por condiciones
de contorno kx = nx =L y nx un entero. Si extendemos esto a tres dimensiones
encontramos ky y kz :
Para conocer la frecuencia y amplitud de vibración de cualquier átomo particular,
necesitamos conocer el efecto combinado de estos distintos modos de vibración, lo
cual es una tarea formidable. Pero afortunadamente, sólo necesitamos conocer cuántos
átomos vibran a una frecuencia particular. Esto se obtiene a partir de g (!), lo cual nos
da el número de átomos con frecuencias entre ! y ! + d!: Siguiendo un argumento
usual tenemos que:
n
kx = ky = kz =
L
luego
3
k=
L
2
2 n2 2
k = n2x
+ + n2zn2y
2
=
L L2
número de osciladores distintos cuyo n < nmax
1 4 3 3
8 3 kmax kmax
N = 3 = 3
V
L3
6
3
kmax V
= 2
6
!3 V
=
6 v3
con V el volumen del cristal y k = !v ; (aproximación de Debye, ! = vk)
dN !2 V
g (!) = =
d! 2 2 v3
3.6 Conductividad Térmica 35
Para tres modos de vibración, queda como sigue:

Z ! max
U = 3 g (!) E (!) d!
0
Z ! max
g (!) ~!d!
= 3
~!
0 exp kB T 1
Z ! max
= 3 hni ~!g (!)
0
! max corresponde al min que tiene sentido en el cristal
Z
U = 3 hni ~!g (!)
Esta integral no se puede resolver analíticamente, pero podemos obtener una expre-
sión aproximada a bajas temperaturas. Esto es:
4 3
12R T
/ =
C
5 D
Entonces, a bajas temperaturas se desprende una dependencia con T 3 ,

~! max
D =
kB
Vemos una gran similitud entre esta de nición y E :
Si hay N celdas primitivas en la muestra, el número total de modos de fonones
acústicos es N y la frecuencia de corte ! D se obtiene de
V !D
N =
6 2 v3
2 3
6 v N
) ! 3D =
V
3.5 Capacidad Calórica de los electrones

2
Se encontrará que C / e = 2 N kB TTF ; con N = NA V ol. A T ambiente, C/ e ~0:2Jmol 1 K 1
frente a la contribución de los iones. Igualando ambas contribuciones podemos estimar

las temperaturas a la cual la contribución electrónica es importante.
3.6 Conductividad Térmica

¿Qué materiales son buenos conductores térmicos? Es sabido que los metales son
buenos conductores de calor. Esto sugiere que existen alguna similaridad entre con-
ducción eléctrica y térmica. De hecho, una relación empírica escrita en 1853 establece
que:
K
L= = 2:45 10 8
T
en que K es la conductividad térmica y L es conocido como el número de London.
Sin embargo, existen algunas diferencias fundamentales:
1.
buen conductor = mal conductor = 1024

Kbuen conductor =Kmal conductor = 105
2. Algunos materiales, como el diamante, son aisladores eléctricos y excelentes con-

ductores térmicos.
Esto sugiere que, adicionalmente, al transporte de electrones, existen otros procesos
que contribuyen a la conductividad térmica. Una probabilidad obvia es que también
los iones participen de ella. Veamos lo que ocurre en una cadena lineal de átomos.
Si se calienta un extremo vibrarán más que los del otro extremo. Como los enlaces
entre los átomos son como resortes, un incremento en las vibraciones de un átomo
necesariamente afecta las vibraciones de los vecinos. De esta forma, la perturbación
viaja a través de la cadena.
A diferencia de la conductividad eléctrica, que se debe sólo a los electrones, la
conductividad térmica involucra dos tipos de contribuciones:
K = Kel + Kph
1
Kph = nC ph vph
3
con:
n = número de moles por volumen unitario

C = calor especí co molar de los iones
= camino libre medio de los fonones
v = velocidad media de los fonones
Para tener algunas ideas respecto de la velocidad de los fonones, debemos recordar
que el sonido se transmite a través de vibraciones de los átomos. Luego, podemos
pensar que la velocidad...
Chapter 4
ELECTRONES LIBRES EN
METALES
4.1 Modelo de un electrón libre
"En una teoría en la que se han obtenido tales resultados, tiene que haber gran
parte de verdad" H. A. Lorentz
El modelo de electrones libres se aplica esencialmente a los metales y aparece
como un intento de explicar principalmente las propiedades eléctricas de los metales.
De acuerdo con este modelo, los electrones mas débilmente ligados a los átomos re-
spectivos, los de valencia, se mueven libremente por todo el metal y reciben el nombre
de electrones de conducción.
El primer intento por explicar las propiedades eléctricas de un metal se realizó en
1900, tres años después del descubrimiento del electrón. La teoría es incorrecta, pero
permite introducir algunos conceptos básicos de gran utilidad.
4.2 Modelo de Drude

Drude asume que un metal está formado por iones estacionarios y electrones de valen-
cia que son libres para moverse. Estos electrones son pequeñas esferas que chocan con
los iones.
37
38 Chapter 4. ELECTRONES LIBRES EN METALES
Diagrama esquemático de la trayectoria de un

electrón a través de la red de iones
El movimiento total es aleatorio y no puede existir ningún movimiento neto en al-

gunas direcciones, si no introducimos una diferencia de potencial.
Podemos estimar la velocidad de los electrones a partir de:
1 3
mv 2 = kB T
2 2
v 105 m=s (a temperatura ambiente)
A mayor temperatura, mayor velocidad tendrá el electrón luego de una colisión.
Podemos de nir el camino libre medio que es la distancia promedio que viaja el
electrón entre colisiones, y el tiempo de colisión , que es el tiempo promedio entre
colisiones
v =
Dado que
1nm; 10 14 s
¿Qué ocurre si aplicamos un campo eléctrico? Esperamos un ujo de electrones en
la dirección opuesta al campo. Si el campo tiene magnitud ";la fuerza sobre un electrón
será e". Luego, cada electrón experimentará una aceleración a = e"=m:
Esta aceleración produce un cambio en la velocidad del electrón, v ; dada por:
e"
v = at = t
m
Si el tiempo entre colisiones es , entonces, la velocidad promedio será, en la direc-
ción del campo:
e"
v=
m
Esta velocidad de arrastre representa la velocidad promedio de los electrones de
valencia en la dirección del campo. Si utilizamos un campo de 10V =m; v = 0:02m=s
v 1
v 107
Aún al aplicar un campo razonable, la velocidad ganada es muy pequeña, debido a
la frecuencia de los choques, lo que hace que la trayectoria sea casi aleatoria, con una
tendencia muy suave a moverse en la dirección opuesta al campo.
¿Qué hay de correcto en la teoría de Drude?
4.2 Modelo de Drude 39
En realidad, sólo nos entrega una descripción cualitativa de la resistencia eléctrica.

Podemos suponer que cuando el electrón choca con el ión, el exceso de energía que el
electrón gana por el campo eléctrico es transferido al ión. Esto aumenta las vibraciones
del ión y, por consiguiente, aumenta la temperatura del sistema
EKe ! Etermica
Como sabemos, si hacemos pasar una corriente por un metal, este se calienta.
Entonces, la resistencia puede entenderse como una medida de la cantidad de energía
que puede convertirse en calor.
Por otro lado, el modelo de Drude es consistente con la ley de Ohm. De namos la
movilidad , que es una medida de cuán fácil se mueve un electrón en la red
e
v= ") =
m
Si asumimos que es independiente de " y de la temperatura, entonces, es con-

stante también. Esto no es totalmente cierto, pues a mayor temperatura, menor , pero
es válido en una primera aproximación.
Consideremos un alambre al cual se le aplica un campo eléctrico en la dirección de
su eje. Si eliminamos de nuestro análisis la velocidad aleatoria de los electrones, que en
promedio es cero, podemos deducir la ley de Ohm.
La carga debida a los electrones que atraviesan el área A por unidad de tiempo es
I
J= = ne v
A
con n el número de electrones de valencia por unidad de volumen
J = ne "
Si de nimos = n e;la conductividad, podemos escribir
J = "
"
=
Ahora
"A
I = JA =
"A L
=
L
V
=
R
) V = IR
= n e
ne2
=
m
4.3 Gas de Fermi de electrones libres
" #
2
~2 1
E
2m 2L
~2 d 2 n
= n n
2m dx2
4.4 Capacidad Calorí ca Experimental en Metales 41
con n (0) = n (L) = 0

n
n = A sin x ;
L
~2 n 2
n =
2m L
Supongamos que queremos ubicar N electrones. De acuerdo al principio de ex-
clusión de Pauli, dos electrones no pueden ocupar los mismos orbitales. De esta forma:
N n ms
1 1 "
2 1 #
3 1 "
4 2 #
5 3 "
6 3 #
7 4 "
8 4 #
nF es el nivel más alto, entonces:
N
nF =
2
~2 nF 2
F =
2m L
2
~2 N
=
2m 2L
4.4 Capacidad Calorí ca Experimental en Metales
AT TD ( D ) y de TF , la capacidad calorifíca de los metales a volumen constante,

puede escribirse como la suma de las contribuciones electrónicas y de la red:
C = T + AT 3
donde y A son constantes características del material, con
1 2 kB
A= N
2 TF
12 4 kB
= N 3
5 D
N kB
= 234 3
D
T = +AT ; que es una recta con pendiente A e intersección

En general, se gra ca C 2
con el eje C=T = .

A veces estos valores para = libre = 2 N kB = (2 F ) y en la literatura se de ne:
mt observado
=
m libre
con mt =masa térmica efectiva F = 12 mvF2
La razón porque estos cuocientes di eren de la unidad se debe a:
1. Interacción de los electrones de conducción con el potencial periódico de una red
cristalina rígida
2. Interacción de los electrones de conducción con los fonones. El electrón tiende a
distorsionar o polarizar la red que lo rodea. El electrón intenta penetrar entre las
las de iones, aumentando su masa efectiva. En los cristales iónicos esto se conoce
como efecto polarónico.
3. Interacción de los electrones de conducción con ellos mismos. Un electrón móvil
produce una reacción de inercia en el gas electrónico que lo envuelve, lo cual au-
menta la masa efectiva del electrón. Los efectos de la interacción electrón-electrón
se describen generalmente dentro del marco de lo que se llama teoría de Landau
del líquido de Fermi.
4.5 Conductividad Electríca y Ley de Ohm

El momento de un electrón libre está relacionado con su vector de onda por:
m~v = ~~k (4.5.1)
~ ~
En un campo eléctrico E y magnético B, la fuerza sobre un electrón está dada por
d~v d~k ~ + 1 ~v
F~ = m =~ = e E ~
B (4.5.2)
dt dt c
En ausencia de colisiones, la esfera de Fermi en el espacio ~k se desplaza uniforme-
mente cuando se aplica un campo constante. Usando B ~ = 0 e integrando 4.5.2
~k (t) Et
~k (0) = e (4.5.3)
~
Si aplicamos un campo E en t = 0; al cabo de el centro de la esfera se desplaza
en
E
k= e (4.5.4)
~
Debido a las colisiones, la esfera puede mantenerse en estado estacionario.
Si el tiempo que dura una colisión es , el desplazamiento de la esfera en estad
estacionario es
E
k= e (4.5.5)
~
4.6 Resistividad experimental 43
y el aumento de la velocidad es
E
~v = e (4.5.6)
m
Si en un campo eléctrico constante E~ hay n electrones por unidad de volumen con
carga q = e, la intensidad de corriente es
J~ = nq ~v (4.5.7a)
E
= ne2 (4.5.7b)
m
Esta es la ley de Ohm
J = E (4.5.8)
e2
) =n (4.5.9)
m
= 1= (4.5.10)
La expresión para es evidente pues la carga transportada debe ser proporcional a
la densidad de carga ne, e=m viene de la aceleración que produce un campo E y es el
tiempo en el cual actúa E
= vF
en cobre, vF = 1:58 108 cm=s2 , = 2 10 9 s; entonces
6
(300K) = 3 10 cm
(4K) = 0:3cm
En metales muy puros a temperatura del helio líquido
10cm
4.6 Resistividad experimental
= L+ i
L: lattice
i : impurezas
Si la concentración de impurezas es pequeña, i es independiente de la temperatura
(Regla de Mathiessen)
La resistividad residual es el valor que se obtiene extrapolando a 0K y es equivalente
a i y varía de una muestra a otra.
(T = 300K)
= relación de resistividad
(T = Hel{quido )
' 106
2
En metales normales, contribución de fonones a L / T . Excepto a bajas temperat-

uras, en las cuales L / T 5
4.7 Conductividad térmica de los metales
1
Kel = /
Cv
3
1
= / ev
C
3
2 2
nkB T
= vF
3 mvF2
2 2
nkB T
=
3m
pues = vF
4.8 Ley de Wiedermann-Franz

A temperaturas no muy bajas, la relación entre la conductividad térmica y eléctrica de
los metales es directamente proporcional a T , e independiente del metal
2 2
K kB T n =3m
=
ne2 =m
2 2
kB
= T
3 e
L: número de Lorentz
K
L =
T
2 2
kB
=
3 e
8
= 2:45 10 W =K 2
Esto falla si e 6= ph , lo que ocurre a muy bajas temperaturas.
4.9 Movimiento en campos magnéticos

Vimos que
F
k= dt (4.9.1)
~
4.9 Movimiento en campos magnéticos 45
Et t
k (t) k (0) = k = e =F (4.9.2)
~ ~
d
k =F
~ (4.9.3)
dt
pero si deseamos incluir colisiones debemos agregar un término de "roce" dado por
d 1
~ + k=K (4.9.4)
dt
en que dt
d
es la aceleración de la partícula libre y 1 es el efecto de las colisiones, "roce".
La fuerza se gasta en acelerar la partícula y en el roce. Consideremos ahora la
partícula en un campo magnético uniforme B. La fuerza de Lorentz sobre un electrón
es:
1 ~
F = e E + ~v B (4.9.5)
c
Si m v = ~ k, la ecuación de movimiento es:
d 1 1
m + v= e E+ v B (4.9.6)
dt c
v en el término de fuerza corresponde al valor medio de v sobre la esfera de Fermi.

Consideremos primero el movimiento libre de un sistema, siendo B paralelo al eje
z. Vamos a hacer E = 0 y ! 1; entonces
d B
m vz = e vy (4.9.7)
dt c
d B
m vy = e vz (4.9.8)
dt c
que tienen solución:
vz = v0 cos (! c t) (4.9.9)
vy = v0 sin (! c t) (4.9.10)
donde ! c = mceB
2:8 10 4 B (T esla) 2
Para un electrón libre en un campo de 100KGauss tenemos que ! c = 1:76
1011 rad=s.
Si los tiempos de relajación del cobre son 2 10 14 s y 2 10 9 a 300K y 4K,
respectivamente, entonces, ! c = 3:5 10 5 y 3:5 102 . Esta distancia es muy pe-
queña a temperatura ambiente, pero a temperaturas del helio líquido se recorren muchos
ciclos.
Un caso importante es cuando existe un campo magnético estático B en la dirección

del eje z y E 6= 0: En este caso:
d 1 B
m + vx = e Ex + vy (4.9.11)
dt c
d 1 B
m + vy = e Ex + vx (4.9.12)
dt c
d 1
m + vz = eEz (4.9.13)
dt
En estado estacionario y en un campo eléctrico estático las derivadas respecto al
tiempo son cero, por lo que las ecuaciones se reducen a:
vx = e Ex !c vy (4.9.14)
m
vy = e Ey + ! c vx (4.9.15)
m
vz = e Ez (4.9.16)
m
Resolviendo para vx y vy tenemos:
e =m
vx = 2 (Ex ! c Ey ) (4.9.17)
1 + (! c )
e =m
vy = 2 (Ey + ! c Ex ) (4.9.18)
1 + (! c )
La densidad de corriente de electrones viene dada por
J~ = n ( e) ~v (4.9.19)
Luego, podemos escribir:
Jx = xx Ex + xy Ey (4.9.20a)
0
= 2 (Ex ! c Ey ) (4.9.20b)
1 + (! c )
Jy = yz Ex + yy Ey (4.9.21a)
0
= 2 (Ey + ! c Ex ) (4.9.21b)
1 + (! c )
Jz = zz Ez (4.9.22a)
= 0 Ez (4.9.22b)
2
en que 0 = nem
0 1 2 30 1
Jx 1 !c 0 Ex
@ Jy A = 0 4 !c 5 @ Ey A
2
1 0 (4.9.23)
Jz 1 + (! c ) 0 0 1 + (! c )
2
Ez
4.10 Efecto Hall 47
4.10 Efecto Hall

Consideremos una lámina
En estado estacionario: Jy = 0, entonces
Ey = ! c Ex (4.10.1a)
eB
= Ex (4.10.1b)
mc
Esta última expresión se conoce como el campo de Hall
Ey
RH = : constante de Hall (4.10.2a)
Jx B
eB Ex
= =Jx B (4.10.2b)
mc
e Ex
= (4.10.2c)
mJx
Para evaluar, usamos 4.10.1a en 4.9.20b
0
Jx = 2 (Ex !c ( ! c Ex ))
1 + (! c )
h i
0 2
= 2 Ex + (! c ) Ex
1 + (! c )
h i
0 Ex 2
= 2 1 + (! c )
1 + (! c )
= 0 Ex
de 4.5.9 tenemos el valor de 0; entonces
ne2
Jx =Ex
m
e Ex
= ne
m
e Ex
1 = ne
mJx
1 = ne RH
1
) RH =
ne
Ejemplo Considere un metal en un campo eléctrico uniforme E. Un electrón ex-

perimenta una colisión y luego de un tiempo t una segunda colisión. Encuentre la
energía perdida en la segunda colisión. Si la probabilidad de una colisión en t es
P (t) = exp ( t= ) = ; donde es el tiempo de relajación, encuentre la energía
Solución
F = ma = eE ) a = eE=m
eEt
) v=
m
1
) Ec = mv 2
2
2
(eEt)
=
2m
La energía media está dada por:
Z 1
hEc i = Ec P (t) dt
0
2 Z 1
(eE) t
= t2 exp dt
2m 0
2
(eE )
=
m
La energía media total perdida por centimetro cúbico por segundo está dado por:
hPc i N
= hEc i
V V
ne2
= E2
m
2
= 0E
4.11 Bandas de Energía 49
Ejercicio Potencial Químico La función de distribución P (E) para un gas

de fermiones está dada por:
1
P (E) = h i = f (E)
(E (T ))
exp kB T +1
Para bajar T se puede mostrar que (T ) di ere muy poco de EF

R1
a) Muestre que n = 1 dED (E) f (E)
2
2
n = n0 + ( EF ) D (EF ) + (kB T ) D0 (EF )
R EF 6
con n0 = 1 D (E) dE
b) Suponga n constante e igual a n0 . Calcule el potencial químico
2 2 RE
c) Muestre que = 0 + 6 (kB T ) D (EF ) ; con 0 = 0 F D (E) dE la energía
Utilizando
Z 1 Z 2
2
H (E) f (E) dE = H (E) dE + (kB T ) H 0 ( ) +
1 1 6
7 4 4
(kB T ) H 000 ( ) + :::
360
Z 2
2
n = D (E) dE + (kB T ) D0 ( )
1 6
7 4 4
+ (kB T ) D000 ( ) + :::
360
Z EF Z
= D (E) dE + D (E) dE
1 EF
4.11 Bandas de Energía
El modelo de electrones libres nos da claridad respecto de ciertas propiedades como

calor especí co, conductividad térmica, eléctrica y algunas propiedades magnéticas.
Sin embargo, falla en dar respuesta a preguntas como:
Diferencias entre metales, semiconductores y aisladores
Propiedades de transporte
Debemos entonces ir más allá y salir de la aproximación de electrones libres
Recordemos algunos puntos que gobiernan los niveles de energá de un átomo aíslado
1. Las propiedades de un electrón en un átomo están gobernadas por cuatro parámet-
ros o números cuánticos: n; l; ml y ms : n es el número principal, l toma valores
entre 0 y n 1, ml toma valores entre l y l, ms puede ser 1=2
2. El electrón ocupa niveles discretos de energía indicados por n y l, pues la energía
no depende de ml o ms
l=0! s
1 p
2 d
3 f
Si consideramos el sodio, con 11 electrones, entonces, tenemos 2 electrones en el
nivel 1s y 2 en el 2s, 6 en el nivel 2p y uno en el nivel 3s.
Pero en un sólido el átomo no está aíslado ¿qué ocurre entonces? Si lo átomos
están muy lejanos se comportan como átomos aíslados. Si los acercamos comienzan a
interactuar los electrones más externos y esto afecta su energía. Si gra camos la energía
en función de la separación entre los átomos obtenemos lo siguiente:
En la posición de equilibrio hay dos estados posibles, uno con energía mayor y otro
con energía menor que la del nivel 3s. Estos estados ya no pertenecen a un átomo
especí co, sino al par de átomos considerado. No signi ca que el electrón 3s asociado
a un átomo tiene mayor energía que el asociado a otro, pues los nuevos niveles aparecen
sólo por la interacción. Ambos electrones, si tuviesen diferente spin podrían ocupar el
mismo estado de menor energía. Si ahora acercamos N átomos de sodio, tendremos N
niveles.
4.12 Modelo de electrones casi libres 51
En un cristal macroscópico, N 1024 y los niveles barren un rango de unos pocos

eV . Luego, efectivamente, tenemos una banda contínua. Lo mismo ocurre en los niveles
1s, 2s, 2p, pero como las interacciones son más débiles, las bandas asociadas son más.
A pesar de que los estados están tan juntos, que podemos tratarlos como una banda
debemos pensar en niveles discretos al estudiar la ocupación. Debemos intentar ahora
una descripción más rigurosa.
4.12 Modelo de electrones casi libres

En el modelo de electrones libres, Ek = ~2 k 2 = (2m) ; kx = 0; 2 =L; :::
Las funciones de onda son ondas del tipo k = exp i~k ~r y llevan un momentum
p~ = ~~k; pero ¿qué ocurre realmente en un cristal? Sabemos que la re exión de Braggs
es característica de la propagación de una onda en un cristal. Esto introduce un gap, es
decir, valores de ~k para los cuales una onda no puede propagarse y se re eja. Estos gaps
son los que determinan si un sólido es aislador o conductor.
Veamos que ocurre en una dimensión. Sabemos que una onda se re eja si G ~ ~ =2 ,
~ ~
con G el vector k y un vector de la red directa
~k = ~
G
~k 0 = ~k + G~
k 02 = k 2 + G2 + 2~k G
~
~ 2 red recíproca, pero k 02 = k 2 )
con G
2~k G
~ + G2 = 0
~k 1~
= G
2
Para valores de ~k iguales a 1=2 vectores de la red recíproca, se produce re exión.
En una dimensión G ~ = 2 =a, luego, en k = =2 no hay soluciones de ondas viajeras.

La solución será la suma de una onda propagándose en cada dirección
Lo mismo ocurre para otros vectores de la red recíproca k = n =a, con n un

entero. En el primer caso, tenemos los bordes de la Primera Zona de Brillouin.
Las funciones de onda serán entonces, ondas estacionarias, es decir, son independi-
entes del tiempo y no transportan carga
Las ondas estacionarias se pueden formar como:
(+) = exp (i x=a) + exp ( i x=a) = 2 cos ( x=a)

( ) = exp (i x=a) exp ( i x=a) = 2 sin ( x=a)
Estas dos acumulan electrones en distintas regiones del espacio x, luego tienen dis-
tintos valores de energía potencial asociados. Este es el motivo del gap, una solución
tiene más energía que la otra.
2
Como P = j j , para una onda viajera la partícula libre una probabilidad constante
de estar en cualquier parte, pero para
2
(+) = j (+)j cos2 ( x=a)
2
( ) = j ( )j sin2 ( x=a)
La función (+) acumula electrones en x = 0; a; 2a; etc, es decir, sobre los iones
positivos, donde el potencial es muy fuerte. ( ) acumula electrones entre dos iones.
4.13 Magnitud del Gap de Energía 53
Luego (+) tiene una energía menor que ( )

La energía del gap está dada por
Eg = E ( (+)) E ( ( ))
4.13 Magnitud del Gap de Energía

Normalizemos las funciones de onda en un intervalo de largo L = 1
p x
(+) = 2 cos
a
p x
( ) = 2 sin
a
Supongamos U (x) = U0 cos 2 ax ; pues U (x) = U0 en las porciones de la red,

vale decir, sobre los iones y cero entre medio.
La diferencia de energía entre las dos ondas estacionarias está dada por:
Z 1 h i
2 2
Eg = dxU0 + (x) (x)
0
Z h
1
2 x x x i
= 2 dxU0 cos cos2 sin2
0 a a a
= U0
Vemos que la energía del gap es igual a la componente de Fourier del potencial
cristalino.
4.14 Funciones de Bloch

Bloch postuló que las funciones de onda solución de la ecuación de Schrödinger en un
potencial períodico son de la forma
k (~r) = k (~r) exp i~k ~r (4.14.1)
donde k (~r) tiene la periodicidad de la red, es decir, k (~r) = k ~r + T~

Esto se conoce como teorema de Bloch y una función de este tipo se llama función
de Bloch y es válida en todo el cristal
4.14.1 Demostración
Esta demostración es válida sólo si k es no degenerada, es decir, no existe otra función
de onda con el mismo ~k y energía, excepto k . Consideremos N puntos idénticos en
un anillo de largo N a. Su energía potencial es periódica en a, con U (x) = U (x + sa)
y s = 0; 1; :::; N 1:
Debido a la simetría del anillo buscamos soluciones que deben satisfacer:
(x + a) = c (x) (4.14.1.1)
con c una constante o fase.
Dando una vuelta al círculo
(x + N a) = (x) = cN (x) (4.14.1.2)

de donde
cN = 1 ) (4.14.1.3a)
c = exp (i2 s=N ) ; s = 0; 1; :::; N 1 (4.14.1.3b)
si escribimos
(x) = k (x) exp [i (2 sx=N a)] (4.14.1.4)
4.15 Modelo de Krönig-Penney 55
(x) satisface 4.14.1.1 si k (x) es períodica en a; es decir:
k (x + a) = k (x) (4.14.1.5)
con k = Na ,
2 s
se obtiene el resultado de Bloch.
4.15 Modelo de Krönig-Penney
Consideremos un potencial del tipo de la gura
En la región 0 < x < a; U = 0 y

= A exp (iKx) + B exp ( iKx) (4.15.1a)
~2 K 2
= (4.15.1b)
2m
En la región b < x < 0, dentro de la barrera, la solución es de la forma
= C exp (Qx) + D exp ( Qx) ; con (4.15.2a)
~2 Q2
U0 = (4.15.2b)
2m
Deseamos que la solución completa sea del tipo de Bloch, luego
(a < x < a + b) = ( b < x < 0) exp [ik (a + b)] (4.15.3)
ver 4.14.1.5
Las constantes A; B; C; D se eligen para satisfacer ecuaciones de continuidad usual
de la función de onda y su derivada en las interfases.
En x = 0,
A+B = C +D
iK (A B) = Q (C D)
En x = a; usando 4.15.3
AeiKa + Be iKa
= Ce Qa
+ DeQa = Ce Qb
+ DeQb eik(a+b)
iK AeiKa Be iKa
= Q Ce Qb
DeQb eik(a+b)
Estas cuatro ecuaciones sólo tienen una solución si el determinante de los coe -
cientes de A; B; C; D se anula, es decir, si:
Q2 K 2
sinh (Qb) sin (Ka) + cosh (Qa) cos (Ka) = cos [k (a + b)]
2KQ
El resultado se simpli ca si representamos el potencial por una función delta per-
iódica obtenida al pasar al límite b = 0 y U0 = 1; de forma que Q2 ba=2 = P , se
mantiene nito.
En el límite Q KyQ 1, nuestra ecuación se reduce considerando que:
cosh (Qb) 1
sinh (Qb) Qb
Q2
Qb sin (Ka) + cos (Ka) = cos (ka)
2KQ
Q2
sin (Ka) + cos (Ka) = cos (ka)
2Ka
P
Ka
Esta relación nos permite obtener K (E) vs k
Sea a = 1; P = 0:5; se pueden dibujar las bandas
si
Q2 ba
= P
2
2P 2P
Qb = = q
Qa a 2m
~2 (U0 )
2P
q
a 2m
~2 U0
4.16 Ecuación de onda para un electrón en un potencial

periódico
Sea U (x) la energía de un electrón en una red lineal de constante a. Sabemos que
U (x) = U (x + a) una función invariante ante traslaciones del cristal puede expandirse
como una serie de Fourier en el espacio recíproco de vectores G:
X
U (x) = UG exp (iGx) (4.16.1)
G
4.16 Ecuación de onda para un electrón en un potencial periódico 57
Como U (x) debe ser real:

X
U (x) = UG eiGx + e iGx
G
X
= 2 UG cos (Gx)
G>0
Hemos asumido que el cristal es simétrico en x = 0 y que U0 = 0:

La ecuación de Schrödinger puede escribirse como:
" #
1 2 1 2 X iGx
p + U (x) (x) = p + UG e (x) (4.16.2a)
2m 2m
G
= (x) (4.16.2b)
Esta ecuación está escrita en la aproximación de un electrón, en la cual el orbital
(x) describe el movimiento de un electrón en el potencial de los iones y el promedio
de los otros electrones de conducción.
(x) puede expresarse como una serie de Fourier sobre los vectores de onda permi-
tidos por las condiciones de borde
X
(x) = ck eikx ; con k 2 R (4.16.3)
k
El set de k 0 s son de la forma 2 n=L, pues satisfacen condiciones de borde periódicas

en L. No todos los vectores del set k entran en la expansión de Fourier de cualquier
función de Bloch. Si un k está contenido en la expansión, todos los otros que entran en
la expansión son del tipo k + G, con G un vector de la red recíproca.
~ es 2 = 20 (2 =L) ; con L = 20a

El menor G a
Podemos indicar una función de onda que contiene una componente k como k ó
k+G .
Ahora:
2
1 2 1 d
p (x) = i~ (x) (4.16.4a)
2m 2m dx
~2 d 2
= (4.16.4b)
2m dx2
2 X
~
= k 2 ck eikx (4.16.4c)
2m
k
La energía potencial está dada por:

!
X XX
iGx
UG e (x) = UG eiGx ck eikx (4.16.5)
G G k
La ecuación de onda queda entonces como:

X ~2 XX X
k 2 ck eikx + UG ck ei(k+G)x = ck eikx (4.16.6)
2m
k G k k
Cada componente de Fourier debe tener el mismo coe ciente en cada lado, luego
X
( k ) ck + UG ck G = 0 (4.16.7)
G
con
~2 k 2
= k (4.16.8)
2m
La ecuación 4.16.7 se conoce como ecuación central y representa un conjunto de
ecuaciones lineales simúltaneas que conectan los coe cientes ck G
(Recordar que los k son de la forma 2n =L y los G son de la forma 2n =a)
Exercise 1 Modelo de Krönig-Penney
X
U (x) = 2 UG cos (Gx)
G>0
X
= Aa (x sa)
s
con A una constante y a el espaciamiento de la red. Si pensamos en un anillo con

1=a átomos, de largo unitario, la suma corre para s entre 0 y 1=a.
Los coe cientes de Fourier del potencial son:
Z 1
UG = dxU (x) cos (Gx)
0
XZ 1
= Aa dx (x sa) cos (Gx)
s 0
X
= Aa cos (Gsa)
s
= A
Con esto, la ecuación central se transforma en:
X
( k ) ck + A ck 2n
a
=0 (4.16.9)
G
4.16 Ecuación de onda para un electrón en un potencial periódico 59
De nimos X
fk = ck 2n
a
G
luego, 4.16.9 queda:
( k ) ck + Afk = 0
Afk
ck =
( k )
Afk
ck = ~2 k2
2m
2mAfk
=
2m ~2 k 2
2mAfk =~2
=
k 2 2m =~2
Como 4.16.9 es sobre todos los coe cientes c, se tiene que para cualquier n
fk = fk 2n =a
con esto
2mA=~2 fk
ck 2n =a = h i
2
(k 2n =a) (2m =~2 )
Sumando sobre n a ambos lados se tiene:
" # 1
X 2n
2
(2m )
2
fk = 2mA=~ fk k (4.16.10a)
n
a ~2
" # 1
~2 X 2n
2
(2m )
= k (4.16.10b)
2mA n
a ~2
de namos:
2n
k0 = k
a
reemplazamos en 4.16.10b, nos deja:
~2 X (2m )
1
= k 02
2mA n
~2
P
usando cot (x) = 1
n n +x
~2 a2 sin (Ka)
=
2mA 4Ka (Ka)
con K 2 = 2m =~2
mAa2
2~2 Ka
que coincide con el resultado previo con
mAa2
P =
2~2
4.17 Segunda demostración del teorema de Bloch

Volvamos a la ecuación central:
X
( k ) ck + UG ck G =0
G
Una vez determinados los ck , la función de onda estará dada por:

X
k (x) = ck G exp [i (k G) x]
G
la cual puede ser arreglada como:

!
X
k (x) = ck G exp ( iGx) exp (ikx)
G
= exp (ikx) k (x)
P
con k (x) = G ck G exp ( iGx)
como (x) es una serie de Fourier sobre los vectores de la red recíproca, es invari-
ante ante traslaciones T de la red, de forma que
k (x) = k (x + T )
X
k (x + T ) = ck
exp [ iG (x + T )]
G
X
= exp ( iGT ) ck G exp ( iGx)
= exp ( iGT ) k (x)
como exp ( iGT ) = 1, entonces
k (x + T ) = k (x)
Esta es una demostración exacta del teorema de Bloch y es válida independiente de
la región de k :
¿Cuál es el signi cado del vector de onda ~k usado para distinguir las funciones de
Bloch?
Tiene varios signi cados:
4.17 Segunda demostración del teorema de Bloch 61
1. Bajo una traslación en la red cristalina tenemos que:
k (r + T ) = exp i~k T~ exp i~k ~r k ~r + T~
= exp i~k ~r k (~r)
Luego exp i~k ~r es el factor de fase por el cual se multiplica la función de Bloch
cuando realizamos una traslación en la red en T~
También podemos decir que exp i~k T~ es el autovalor de una operación de
traslación cristalina y k es el autovector. Es decir,
T k (x) = k (x + T )
= exp i~k T~ k (x)
Luego k es un índice adecuado para los autovalores

2. Si el potencial de la red se anula, la ecuación central se transforma en:
( k ) ck = 0
~2 k 2
k =
2m
k = exp i~k ~r
y tenemos el caso de un electrón libre.
Escribamos la ecuación central como

P
UG ck G
ck = G ~2 k2
G 2m
Esto nos muestra que los ck son grandes sólo si la energía de la componente plana
es parecida a la energía perturbada. Si ck es grande y existe otro ck G cuya onda plana
tiene casi la misma energía, es decir:
2
~2 (k G0 ) ~2 k 2
ck G0 !
2m 2m
Entonces ck G0 también será grande pues
P
G UG ck G G0
ck G0 = ~2 0 2
2m (k G)
La condición para entremezclar las dos componentes es:
2
(k G0 ) = k 2
(Esto es para un k particular)

Solución aproximada cerca de un límite de zona.
Consideremos primero k = 12 G1 = a . Allí:
2
1
k2 = G1
2
2
1 2
(k G1 ) G1 =
2
Luego, en la frontera de la zona, las energías cinéticas de las dos ondas componentes:
eikx y ei(k G1 )x
son iguales
2 2 2
~ 2 ~ 1 ~2 2
k ) G1 = (k G1 )
2m 2m 2 2m
en k = =a
Luego, si c 21 G1 es un coe ciente importante de la función de onda, también lo es
1
c 2 G1 :
En ese punto, si usamos U = 2U1 cos (G1 x) = U1 eiG1 x + e iG1 x
X ( ) c(G=2) + U1 c G1 =2 = 0
( k ) ck + UG ck G =0)
( ) c( G=2) + U1 cG1 =2 = 0
G
1 U1
= 0
U1 1
2
2 ~2 G1
( 1 ) = U12 ) = U1
2m 2
Luego el potencial ha creado en la frontera una banda prohibida de ancho de 2U1
También, como ( 1 ) cG1=2 + U1 c G1=2 = 0
c G1=2 1
= = 1
cG1=2 U1
Luego:
1 (x) = eiG1=2 x + e iG1=2 x
iG1=2 x iG1=2 x
2 (x) = e e
¿Qué ocurre cerca de la frontera?
Partiendo de la ecuación central y asumiendo que sólo se mezclan estas componentes
( k ) ck + U1 ck G1 = 0
)
( k G1 ) ck G + U1 ck = 0
k U1
= 0
U1 k G1
4.17 Segunda demostración del teorema de Bloch 63
1=2
1 1 2 2
= ( k G + k) [ k G1 k ] + U1
2 4
Cada solución da origen a una banda
Sea = 12 G1 k ) k = G1 =2
k (+) = 1 (+) + :::
4.17.1 Problemas:
Considere un electrón en un cristal unidimensional. Encuentre el determinante de com-
patibilidad si V (x) = 3 2 cos (2x) y la periodicidad es a =
Solución
El problema no perturbado es no degenerado y no tengo un k particular. Con esto,
veamos la ecuación central:
X
( k ) ck + UG ck G = 0
G
2 2
G1 = = =2
a
U = 3 eiG1 x + e iG1 x
( k ) ck + 1ck 2 1ck+2 3ck = 0

k ( 3) ck + ck 2 ck+2 = 0
( k 2 3) ck 2 + ck 4 ck = 0
( k+2 3) ck+2 + ck ck+4 = 0
( k+4 3) ck+4 + ck+2 ck+6 = 0
( k 4 3) ck 4 + ck 6 ck 2 = 0
k 4 3 1 0 0 0
1 k 2 3 1 0 0
0 1 k 3 1 0 =0
0 0 1 k+2 3 1
0 0 0 1 k+4 3
Mediante aproximaciones sucesivas uno puede obtener cada vez mejores valores
para la energía
4.17.2 Problema
Considere una red cuadrada en dos dimensiones
2 2
U (x; y) = 4U cos x cos y
a a
Aplique la ecuación central para encontrar aproximadamente el gap de energía en
un punto de la esquina de la zona de Brillouin ( =a; =a)
Solución
Apliquemos la ecuación central:
X
( k ) ck + UG ck G = 0
G
con UG dado como en el enunciado, entonces, veremos que los G están dados como:
2n 2n
G= x
^; y^
a a
Sea
~1 2
G = (1; 1)
a
~2 2
G = (1; 1)
a
~3
G = ~1
G
~4
G = ~2
G
e2 ix=a + e 2 ix=a e2 iy=a + e 2 iy=a

U (x; y) = 4U
2 2
h i
2 i(x+y)=a 2 i(x+y)=a 2 i(x y)=a 2 i(x y)=a
= U e +e +e +e
h i
~ ~ ~ ~
= U eiG1 ~r + e iG1 ~r + eiG2 ~r + e iG2 ~r
Luego, hay cuatro coe cientes distintos de cero y la ecuación central se transforma
en:
( k ) ck U fck G1 + ck+G1 + ck G2 + ck+G2 g = 0
2 2
(k G1 ) = ; ; = ;
a a a a a a
2 2 3 3
(k + G1 ) = ; + ; = ;
a a a a a a
2 2 3
(k + G2 ) = ; + ; = ;
a a a a a a
2 2 3
(k G2 ) = ; ; = ;
a a a a a a
4.18 Número de orbitales en una banda 65
Luego, si ck es grande, también lo será ck G
( k ) ck U ck G = 0
( k G1 ) ck G1 U ck = 0
si k = k G1 , tendremos:
k U
=0
U k
2
( k ) U2 = 0
= k U
Entonces:
k = ck k + ck G k G
~ ~ ~
= ck eik ~r + ck G ei(k G1 ) ~r
Puntos:
(000)
K
L
W (2 =a)
X
4.18 Número de orbitales en una banda

Consideremos un cristal formado por celdas primitivas de constante a. Para contar
estados, aplicamos condiciones periódicas a las funciones de onda sobre toda la longitud
del cristal. Los k permitidos en la primera zona de Brillouin:
2 4 N
k = ; 0;
; :::;
L L L
N N
k = = =
L NL L
En que el término N =L corresponde a la frontera de la zona. El punto N =L no
lo consideramos pues está relacionado con =a con un vector de la red recíproca igual
a 2 =a. El número de puntos es exactamente N , el número de celdas primitivas, es
decir, cada celda contribuye con un valor independiente de k a la banda de energía, con-
siderando 2N orbitales por banda (debido al spin). Si en cada celda primitiva hay un
sólo átomo con valencia uno, la miad de la banda puede ocuparse con electrones. Si
cada átomo contribuye con dos electrones de valencia, la banda puede ocuparse total-
mente. También puede ocuparse la banda si en cada celda primitiva hay dos átomos con
valencia uno.
Si los electrones de valencia ocupan una o más bandas, dejando otras vacias, el
cristal será un aíslados. Como existe un gap, no hay forma continua de hacer variar el
momento total de los electrones.
Un cristal puede ser un aislador sólo si el número de electrones de valencia en su

celda primitiva es par. Si un cristal tiene un número impar.
4.19 Construcción de super cies de Fermi

En los metales es muy importante conocer la super cie de Fermi, que es la super cie
de energía constante EF : La super cie separa los orbitales llenos de los que no lo están
4.19 Construcción de super cies de Fermi 67
2 ^ 2 ^
G1 = kx ; ky
a a
2 ^ 2 ^
G2 = kx ; ky
a a
2 ^ 4 ^ 2
G3 = kx ; kx ; (kx + ky )
a a a
El área total de la super cie de Fermi de electrones libres depende sólo de la con-
centración de electrones, por ejemplo, cuál es la concentración de electrones en una red
2D cuya super cie de Fermi está dentro de la primera zona de Brilliouin.
2 3
2 2
L = )D= ) Area = = 2
a a a a
3
A L2 L2
N = =2 2 2 2 = = N2
k a 2 2a2 2
2
k =
L
2
N =
En 3D:
2 4 2
L = = D ) V ol =
a 3 a
V ol 4 4 3 3
2
N = = 3 : =
k 3a L3 6
L2 2
Ne = = Nc
2a2 2
4.19 Construcción de super cies de Fermi 69
¿Cómo se pasa de una super cie para electrones libres a las de electrones casi libres?
a La aparición del electrón con el potencial periódico del cristal genera la aparición de
bandas prohibidas en los límites de zona.
b La mayor parte de las super cies de Fermi cortan perpendicularmente a los límites
de la zona.
c El potencial del cristal redondea las esquinas a ladas de las super cies de Fermi.
d El volumen total encerrado por la super cie de Fermi sólo depende de la concen-
tración electrónica.
Supongamos que la red tiene dos electrones de conducción por sitio de la red. El
número de estados ~k en la zona de Brillouin es igual al número de puntos de la red.
Como ~k acomoda dos electrones
2
4
V ol = kF2 =
a
2
kF = p = 1:128
a a
número de electrones por celda si celda es cúbica simple y kF queda dentro
2
Aesf era =
a
esfera acomoda 2 (A= k) electrones
3 2
2 L2
2 =
a2 L 2a2
N = N
2
= 1:57
4.20 Electrones fuertemente ligados 71
4.20 Electrones fuertemente ligados

El gas de electrones libres es un modelo conceptual para el estudio de los sólidos. Pero
podemos pensar que los átomos están hechos de átomos, luego su comportamiento de-
biera ser similar a un átomo. Entonces su descripción debiera vincularse con las fun-
ciones atómicas. Esto se conoce como método de...
Estos dos puntos de vista no son contradictorios y se funden utilizando las funciones
de Wanmer que son un conjunto ortonormal de funciones de onda que se pueden con-
struir a partir de funciones de Bloch y que están localizadas en sitios atómicos.
Al desarrollar la aproximación de tight binding, suponemos que en la vecendidad de

cada punto de la red Htotal puede aprozimarse por Hat , de un átomo solo. Pensamos
también que los niveles de este Hat están bien localizados, i. e., si n es un nivel ligado
de Hat de un átomo en el origen
Hat n = En n (4.20.1)
Entonces, n (r) será pequeña si r excede una constante de red, la cual llamaremos
el rango de n .
Para calcular correcciones al caso extremo (Hconst = Hat si r rango).
H = Hat + U (r) (4.20.2)

Si (r) satisface Hat n = En n ; también satisface 4.20.2, si U (r) = 0 cuando
n (r) no.
Si este es el caso, n (r) dará N niveles en el potencial periódico con funciones
n (r R) para cada uno de los N sitios R de la red.
Como debemos preservar una descripción de Bloch:
n (r + R) = exp [ik R (r)]

P
Sea nk (r) = R exp i~k R ~ n (r R), k recorre los N valores en la primera
zona de Brillouin. Satisface Bloch:
X h i
(r + R) = exp i~k R
~ 0
(r + R R0 )
nk n
R0
" #
X
= exp (ik R) exp [ik (R0 R)] n (r (R0 R))
R0
2 3
X
= exp (ik R) 4 exp ikR n r R 5
R
= exp (ik R) (r)
Luego, se satisface el teorema de Bloch.
De esta forma n (k) = En , independiente del valor de k. Para resolver esto,

supongamos queP n (r) es pequeña, pero no nula cuando U (r) es apreciable. Para
esto (r) = R exp (ik R) (r R) ; pero con (r) no necesariamente una fun-
ción atómica sino una fnción por determinar.
Si U (r) n (r) es pequeño, (r) n (r)
X
(r) = bn n (r)
n
H (r) = [Hat + U (r)] (r) = (k) (r) / m (r) (4.20.3)

usando
Z Z
m Hat (r) dr = (Hat m (r)) (r) dr (4.20.4a)
Z
= m m (r) (r) dr (4.20.4b)
Z Z
( (k) m) m (r) (r) dr = m (r) U (r) dr (4.20.5)
usando
X
(r) = exp (ik R) (r R) (4.20.6a)
R
X
= exp (ik R) bn n (r) (4.20.6b)
R;n
reemplazando 4.20.6b en 4.20.5 y la ortonormalidad de n
0 1
X XZ
( (k) m ) bm = ( (k) Em ) @ m (r) n (r R) eik R drA bn
n R6=0
X Z
+ m (r) U (r) n (r) dr bn (4.20.7)
n
0 1
X XZ
+ @ m (r) U (r) n (r R) eik R drA bn
n R6=0
R
El primer término de la derecha contiene términos de tipo dr m (r) n (r R).
Como asumimos que las funciones atómicas están bien localizadas, esta integral es
menor que 1. Lo mismo el tercer término y el segundo porque U es grande si n es
chico.
Luego, el lado derecho es chico y ( (k) Em ) bm es chico, entonces, E (k) Em ;
por ejemplo, E0 ) m = 0, excepto b0 , los otros bm = 0
4.20 Electrones fuertemente ligados 73
Consideremos un nivel s no degenerado

0 1
XZ
(k) (s) @bs + s (r) s (r R) eik R drA bs +
R6=0
Z
2
U (r) j (r)j drbs (4.20.8)
P
pues (r) = n bn n (r) = bs s (r)
P
+ (R) eik R
(k) = Es P (4.20.9)
1+ (R) eik R
Es =electrón
R en nivel atómico s
2
= R dr U (r) j (r)j
= Rdr (r) U (r) (r R)
(r) = dr (r) (r R)
como es un nivel s; (~r) = (r)
Chapter 5
Semiconductores
Algo destacable en la naturaleza es que
Cu
1024
S
Esta razón es similar a el diámetro de una órbita planetaria con el de una órbita
atómica. Podemos entender esto pensando en los enlaces. Los enlaces metálicos pro-
ducen electrones deslocalizados que se mueven "libremente" en respuesta a un campo
eléctrico (conductores). Otros enlaces consideran electrones fuertemente ligados a un
átomo o par de átomos (iónico, covalente). Estos materiales son aisladores. Entre
ambos están los semiconductores, con conductividades eléctricas intermedias.
Veamos un átomo de carbón, con sus electrones, 2 en 1s; 2s y 2p:
75
76 Chapter 5. Semiconductores
El gap es crucial para entender las propiedades eléctricas de semiconductores y ais-

ladores
77
5.1 Diferencia entre aisladores y semiconductores
1
f (E) = h i
E EF
exp kB T +1
que es la probabilidad de tener...
Pero si deseamos aplicar esta ecuación a un semiconductor, debemos determinar el
nivel de Fermi
Si usamos E = 0 en el borde de la banda de conducción, E EF = Eg =2 y

1
f (E) = [exp (Eg =2kB T ) + 1] será la probabilidad de encontrar un electrón en el
borde de la banda de conducción.
Como Eg 1eV , kB T 0:025eV a T = 300K;
Eg
1
2kB T
Eg
f (E) exp
2kB T
Como la concentración de electrones en la banda de conducción n debe ser propor-
cional a esa probabilidad, entonces:
Eg
n = C exp
2kB T
con C = const 1025 m 3

Si queremos estimar el número de electrones de conducción por metro cúbico en
una muestra de silicio a 300K, con C = 2 1025 m 3 , tenemos que:
Eg
n = C exp
2kB T
1:78 10 19
= 2 1025 exp
2 1:38 10 23 300K
19 19
1:11eV = 1:11 1:602 10 = 1:78 10 J
n = 9:22 1015 m 3
5.2 Agujeros 79
Es decir, tenemos del orden de 1016 electrones por metro cúbico. Luego, no nos sor-
prende que el silicio se comporte como conductor, aunque nCu 1029 . Esta diferencia
explica porqué no es un conductor.
Si hacemos el mismo cálculo para diamante, n 6:97 10 22 m 3 , a pesar de
que su gap es sólo 5 veces mayor, prácticamente su banda de conducción está vacía, es
decir, el diamante es un aislador perfecto.
El que un material se comporte como un aislador o un semiconductor es sólo de-
pendiente de la temperatura. La concentración de electrones en la banda de conducción
depende exponencialmente de la temperatura, luego, su dependencia con T es muy
fuerte. El Silicio a baja temperatura es un buen aislador, pero a temperaturas uy altas su
conductividad es cercana a un metal
Una demostración interesante se puede hacer con una barra de vidrio en serie con
una ampolleta.
5.2 Agujeros
Cristal covalente como silicio o diamante. Allí hay tantos estados en la banda de
valencia como electrones que forman el enlace covalente con su vecino. Si hay un
estado vacante en la banda de valencia, signi ca que un enlace está incompleto. Si
aplicamos un campo eléctrico el estado vacante se mueve hacia el potencial negativo.
En realidad, el electrón se mueve al estado de potencial positivo (+), pero se puede
entender como si el estado vacante, llamado agujero, se mueve hacia el lado positivo.
Luego, podemos suponer que el agujero tiene carga positiva, igual en magnitud a la del
electrón.
Si aplicamos un campo eléctrico al semiconductor, los electrones de conducción se
moverán en una dirección y los agujeros de la banda de valencia en la otra, luego:
= jej (n e +p h)
en que e y h son las respectivas movilidades.

Cada vez que creamos un electrón de conducción, dejamos un agujero, luego, ni =
pi , donde i entonces, es intrinseco (puro).
5.3 Propiedades ópticas de los semiconductores
hc
E=h =
Pero la energía ganada debe ser mayor que el gap
Eg c
min = =
h max
Esto se conoce como fotoconductividad, pues un haz de luz de la frecuencia ade-

cuada puede producir un gran número de electrones de conducción y agujeros, luego,
induce un gran aumento de la conductividad.
El proceso inverso también puede ocurrir, un electrón en la banda de conducción
puede decaer y recombinarse con un agujero liberando un fotón. Esta es la base del
láser semiconductor y del light-emitting-diode (LED).
Se debe notar que no todos los semiconductores pueden producir luz. Esto se debe
a que en el proceso se debe conservar E y ~k (vector de onda). La emisión de un fotón
de la frecuencia correcta da cuenta de la conservación de energía, pero los ~k deben ser
iguales. Esto ocurre sólo en semiconductores directos como arsénico, galio, antimonio
5.4 Masa eféctiva 81
de indio, arsenuro de indio. Pero el silicio y el germanio no satisfacen este criterio, pues
su gap es indirecto, y no sirven para fabricar LED o láser.
5.4 Masa eféctiva

¿Cuál es la masa de un electrón en un semiconductor? En algunos experimentos, el
electrón se comporta como si su masa fuese diferente.
Veamos un electrón en un campo B:
Be
c =
2 me
con c la frecuencia de ciclotrón.
Como es distinta,
Be
c =
2 me
Esto viene de
mv 2
F = Bev =
R
BeR
) v=
me
! v Be
c = = =
2 2 r 2 me
Elemento mc =me mn =me
Antimonio de Indio 0:014 0:4
Arsenuro de Indio 0:022 0:4
Germanio 0:60 0:28
Silicio 0:43 0:54
Arsenuro de Galio 0:065 0:54
Sodio 1:2
Cobre 0:99
Zinc 0:85
por ejemplo, en "; a = e"=me
5.5 Semiconductores tipo n

Las propiedades más importantes de los semiconductores provienen de introducir im-
purezas. En porcentajes menores que 0:0001% puede provocar cambios dramáticos
semiconductores dopados = extrínseco
Una impureza donora tiene un electrón de valencia extra, por ejemplo, fósforo en
silicio. El fósforo tiene 5 electrones de valencia y el silicio 4. Esto se conoce como
dopaje n.
Así queda libre un electrón.

Consideremos el diagrama
Luego tenemos un equivalente al átomo de Hidrógeno.

En el modelo de Bohr
me e4 me e4
E= !
8 20 h2 8 2 20 h2
donde es la constante dieléctrica.

5.5 Semiconductores tipo n 83
5.5.1 Ejercicio
1
Dado f (E) = fexp [(E ) =kB T ] + 1g : Encuentre n:
Solución Dado
Z 1 Z 1 2
H (E) P (E) dE = H (E) dE + H0 ( )
1 1 6
7 4 4
+ (kB T ) H 000 ( ) + :::
360
usando lo anterior,
Z 2
7 4 2 4
n= D (E) dE + (kB T ) D0 ( ) +
(kB T ) D000 ( )
1 6 360
R R EF R
Descomponiendo 1
D (E) dE = 1
D (E) dE + EF D (E) dE y despre-
ciando el término con T 4
Z EF Z 2
2
n= D (E) dE + D (E) dE + (kB T ) D0 ( )
1 EF 6
Suponiendo D (E) suave en torno a E = EF
Z EF Z 2
2
n = D (E) dE + D (E) dE + (kB T ) D0 (EF )
1 EF 6
2
2
= n0 + D (E) ( EF ) + (kB T ) D0 (EF )
6
5.5.2 Ejercicio
Calcule la magnitud de hF para 4:2 1021 electrones en una caja con volumen 1cm3 :
Calcule EF :
Solución Si los electrones fueran substituidos por neutrones, ¿cuál es el valor de hF
y EF ?
2 1=3
3 N
hF =
V
V = 10 m3 6
hF = 5 109 m 1
= 0:5A
Con ~ = 1:05 10 34
Js; m = 9:11 10 31
Kg
~2 h2F
EF =
2m
19
= 1:51 10 J
= 0:94eV
Si los electrones son substituidos por neutrones, hF es igual y EF cambia con m =

1:67 10 27 Kg.
EF e
EF n =
1833
= 0; 5meV
5.5.3 Ejemplo
Calcule la concentración de electrones de conducción en un semiconductor dopado:
1
f (Eg ) = f1 + exp [(Eg EF ) =kB T ]g
pero en general, Eg EF kB T; entonces
Eg EF
f exp )
kB T
Eg EF
n C exp
kB T
A bajar las temperatura el número de portadores intrínsecos es menor que el dopaje.

A alta temperaturas el número de portadores es mayor que el dopaje
n = N a + ni
5.5.4 Ejemplo
En silicio dopado con fósforo con Ea = 45meV:Suponga EF = 200meV , abajo la

banda de conducción a 300K. Determine la proporción de estados donores ocupados.
5.6 Semiconductores tipo p 85
Solución Esta proporción, Ndo , es la probabilidad de que un electrón tenga E igual a

la energía del estado donor.
1
(Eg Ed EF )
Ndo = 1 + exp
kB T
EF = E g 200
Eg Ed EF = Eg 45 (Eg 200)
= 155meV
= 2:48 10 20 J
Por lo tanto, Ndo = 2:5 10 3
5.6 Semiconductores tipo p

Impureza aceptora, con 1 electrón menos, por ejemplo, aluminio en silicio.
A T = 0, E > 0 es en el tope de la banda de valencia y el de energía.

Si existe enlace incompleto, entonces, existe un agujero, pero esto no es cierto, ya
que el agujero está ligado al aceptor. Para excitar un agujero de conducción debemos
excitar un electrón de valencia a ese agujero y así ionizar la impureza. El estado aceptor
está sobre la banda de valencia.
5.6.1 Portadores mayoritarios y minoritarios
Semiconductor tipo n, pocos agujeros por

excitación térmica. Los electrones de
conducción son los portadores mayoritarios.
En un material p los agujeros son mayoritarios.
A temperatura ja independiente del nivel de dopping, en un material dado np =

ni pi = const
Esto signi ca que si hay más sitios disponibles, hay más recombinación.
5.7 Modelo de electrónes libres aplicado a Semiconduc-

tores
1
d2 E
me = ~ 2
dk 2
~2 k2
si E = 2me ; me = me
5.7 Modelo de electrónes libres aplicado a Semiconductores 87
En semiconductores, sólo nos preocupa la región marcada, el resta está todo lleno o
todo vacío.
¿Cómo usar lo que sabemos?, entonces me ! me . Ésto nos da la curvatura correcta.
Arbitrariamente corremos el cero de la energía al borde de la banda de valencia, y vemos
que no hay estados de conducción con < EF . Luego, proponemos la siguiente forma
para la energía:
~2 k 2
E = Eg +
2m
3=2
V 2me 1=2
D (E) = (E Eg )
2 2 ~2
entonces, D (E) en banda de conducción y signi ca que no hay estados con E < Eg :
n = concentración electrones en banda de conducción
Z
1 1
n= D (E) f (E) dE
V Eg
1
pero no se resuelve y se reemplaza f (E) = fexp [(E EF ) =kB T ]g :
Esto es válido si E EF > kB T; con esto
3=2
me kB T
n=2 exp [(EF Eg ) =kB T ]
2 ~2
ésto es válido para semiconductores dopados o no y esto nos da
3=2
me kB T
C=2
2 ~2
En silicio, con EF en el centro de la banda:
ni = 3:5 1015 m 3
a 300K
valor experimental = 1016 m 3
Hacer el mismo análisis para la concentración de agujeros, pero jarse que d2 E=dk 2 <
0 en el tope de la banda de valencia (entonces, masa positiva de agujero)
Z 0
1
p = g (E) (1 f (E)) dE
V 1
3=2
V 2mh 1=2
g (E) = ( E)
2 ~2
3=2
mh kB T EF
p = 2 exp
2 ~2 kB T
donde el último término es la concentración de agujeros.
np = n i pi )
Eg 3 mh
EF = + kB T ln
2 4 me
El uso de semiconductores en electrónica y optoelectrónica es una de las dos aplica-

ciones comerciales más importantes de la física de sólidos.
Los circuitos integrados o chips de silicio, mueven un mercado cercano a las 100
billones de dolares anuales.
5.8 Juntura de dos metales

Si ponemos en contacto dos metales distintos, cada uno con su función trabajo, A y
B:
5.8 Juntura de dos metales 89
Los electrones en los estados de mayor energía de A se mueven a los estados va-
cantes de B, hasta EF iguales en ambos. Pero si los metales eran inicialmente neutros,
ahora A está cargado positivo (+) y B cargado negativamente ( ), luego, hau una
diferencia de potencial, potencial de contacto, que
= B A
A + = B
A + B
=
2
V =2 =( B A) e
Consideremos una unión de un semiconductor n y uno p. Sabemos que las EF son

diferentes en ambos, en el n EF está cerca de la banda de conducción, y en el p, EF
está cerca de la banda de valencia.
Pongámoslos en contacto. En verdad esto se hace con un único cristal dopado dis-
tinto en ambos extremos. Una vez en contacto algunos electrones difundirán al lado p, y
unos agujeros al lado n. Este proceso se complica porque electrones y agujeros pueden
recombinarse de forma que en el centro habrá una región con pocos portadores de carga
debido a la recombinación.
Consideremos un electrón de conducción. Al cruzar la juntura desde n a p ve mu-

chos agujeros y se puede recombinar. Luego, esto hace que el número de portadores
disminuya. Luego, terminamos con una región con muy pocos portadores.
Como los electrones de conducción les resulta difícil moverse del lado n al p, podemos
pensar que el lado p está más arriba en energía.
La diferencia de potencial es e , con el potencial de contacto
5.9 Análisis Cuántitativo 91
5.9 Análisis Cuántitativo

Consideremos la variación del potencial en la unión. Resolvemos la ecuación de Pois-
son, que describe como el voltaje a lo largo de la unión U , varía con la carga
d2 U
=
dx2 0
Supongamos que en la región depletada no hay portadores y que va de lp x ln .

En el lado n, la densidad de carga n está determinada por la concentración de impurezas
donoras.
n = +eNd
Suponiendo que todas están ionizadas, > 0:

En el lado p de la capa depletada (hay aceptores)
p = eNa
p < 0
Fuera de la región depletada, x < lp y x > ln , = 0, como en un semiconductor

dopado bulk. Allí E = 0, dU
dx = 0 en x = l p y x = ln
5.9 Análisis Cuántitativo 93
dU nx
= + C1
dx 0
como dU
dx = 0 en x = ln ; entonces
n ln
C1 =
0
dU n
= (ln x)
dx 0
En el lado p:
dU n
= (ln + x)
dx 0
en x = 0, entonces:
p lp n ln
=
0 0
Lado p:
dU px
= + C2 )
dx 0
p lp
C2 =
0
dU
) = n
( lp + x)
dx 0
Entonces:
p lp n ln
=
0 0
Nd ln = Na lp
Llamemos U0 ; U1 y U2 el potencial en x = 0; ln y lp
Z +U1 Z ln
n
dU = (ln x) dx
U0 0 0
ln
U n x2
U jU10 = ln x
0 2 0
2
n ln
(U1 U0 ) =
0 2
eNd ln2
=
2 0
Igual para el otro lado
eNa lp2
U2 U0 =
2 0
= U2 U1 = U2 U0 + U0 U1
e
= Nd ln2 + Na lp2
2 0
Recordemos que Nd ln = Na lp
1=2
2 0 Nd
lp =
eNa Na + Nd
2 0 Na
ln =
eNd Na + Nd
con la notación:
nn = concentración de electrones de conducción en la región n

np = concentración de electrones de conducción en la región p
pn = concentración de agujeros de conducción en la región n
pp = concentración de agujeros de conducción en la región p
EF Eg e
np = Nc exp
kB T
Chapter 6
Propiedades Magnéticas
Los imanes son muco más que los que usamos para jugar.
¿Por qué la mayoría de los materiales no son magnéticos?
Todos los materiales son magnéticos en algún grado, es decir, responden al campo
magnético. Pero los que sirven desde el punto de vista tecnológico son los magnetos
permanentes, es decir, en ausencia de campo magnético.
6.1 Variables Magnéticas Macroscópicas

Todos los imanes existen como dipolos magnéticos, tienen un polo norte y uno sur.
Si el momento de dipolo magnético es m ~ m , el momento magnético por unidad de
volumen es M~ , y la energía de un dipolo en un campo magnético B
~ 0 es m~m B ~0
~
M
m = susceptibilidad magnética = 0
~0
B
~
B ~0 +
= B ~
0M
~
B : campo total
0 : permeabilidad del vacío
B y B0 se miden en Tesla (T ), que es una unidad grande, el campo de la Tierra es

menos que 10 4 T . Los electroimanes mayores producen sólo unos pocos Tesla. M ~ se
mide en JT m1 3
Am 1 2 3
: 0 T m J 1
6.2 Imanes Atómicos

Un átomo con un electrón tiene un momento magnético s en
ems ~ e~
s = =
me 2me
1
ms = número cuántico de spin =
2
95
96 Chapter 6. Propiedades Magnéticas
e~ 24 1
= B = magnitud de Bohr = 9:27 10 JT
2me
La componente de momento orbital, l
eml ~
l = = ml B
2me
Si el átomo tiene más de un electrón, la situación es más compleja
X
s= ms
para un capa (n; l) X
l= ml
si la capa está llena, S = L = 0
Una vez determinado J, el máximo mJ = g BJ
g = factor de Landé
3J (J + 1) + S (S + 1) L (L + 1)
=
2J (J + 1)
¿Qué materiales tienen momento magnético?
Si tenemos capas llenas, S = L = 0; J = 0, entonces no hay momento magnético.
Los gases inertes no son magnéticos.
Los átomos covalentes tienen capas incompletas, pero al hacer el enlace, J = 0: Por
ejemplo, un átomo de hidrógeno tiene momento nito, pero la molécula de hidrógeno
no.
Parece entonces que en la mayoría de los sólidos el efecto cancela y la magnetización
resultante es cero. Luego, en la mayoría de los sólidos el efecto se cancela.
En realidad, esto no es estrictamente cierto, pues la presencia de un campo mag-
nético afecta el movimiento orbital de los electrones de forma que el propio átomo
genera un campo magnético opuesto al campo externo. Ésto se conoce como diamag-
netismo y ocurre en todos los átomos. El efecto es muy débil < 0:
Veamos que pasa en los materiales metálicos. Allí los electrones de valencia están
delocalizados (en los simples como N a y Al). Ya no están ligados a ningún átomo es
particular. Los iones están formados por capas completas, J = 0, pero no los elec-
trones de conducción. Esto se conoce como paramagnetismo de Pauli. Acá el efecto es
contrario y los dipolos magnéticos se alínean con el campo.
6.3 Paramagnétismo de Pauli 97
El efecto es sutil, un material paramagnético es atractivo por cualquier polo de un

imán y un diamagnetismo es repelido.
Existen metales, los de transición tienen raras y actinidos que presentan característi-
cas más interesante. Están en las columnas centrales de la tabla periódica. S estructura
electrónica es más compleja.
Elemento 3d 4s
Sc 1 2
Ti 2 2
V 3 2
Cr 5 1
Mn 5 2
Fe 6 2
Co 7 2
Ni 8 2
Capa 3d incompleta. En el enlace metálico participan 4s, que se hacen deslocal-
izados y los 3d permanecen más o menos localizados y forman una capa con L; S; J
distintos de cero.
6.3 Paramagnétismo de Pauli

Se debe a los momentos magnéticos asociados con el momento angular de spin de los
electrones deslocalizados en un metal.
Consideremos la orientaciós de los spines de los electrones de conducción. Sin
~ = 0. Si hay campo se alinean o paralelo
campo externo, ellos estarán desordenados y M
o antiparalelo a B0 :
La energía de los paralelos
Ek = mS B0
E = mS B 0
Luego es favorable alinearse paralelo a B a M proporcional (N" N# )

Si fueran electrones libres, ...
Si se pone B0 la energía de los paralelos a B baja.

Algunas bajan del lado # a " : La densidad de estados es la misma, sólo se desplaza
en energía.
1
Número de electrones que se mueven es aproximadamente D (EF ) mS B0
2
N 1
N" = + D (EF ) mS B0
2 2
N 1
N# = D (EF ) mS B0
2 2
N" N# = D (EF ) mS B0
M = mS (N" N# )
= m2S D (EF ) B0
M
= 0
B
@M 2
0 = 0 mS D (EF )
@M
6.4 Paramagnetismo de Curie 99
e~
ms = B =
2me
3N
D (EF ) =
2EF
3N 2
= 0
2EF B
3N 0 2B
=
2EF
6.4 Paramagnetismo de Curie

Considere átomos de tipo metales de transición, con capasa incompletas. En ausencia
de B,
El ángulo no es arbitrario y el
mJ = g B J; g B (J 1) :::g BJ
Luego, la energía de los dipolos es

mJ B 0 = g B JB0 ; g B (J 1) B0 ; :::; g B JB0
Los átomos, a diferencia de los electrones, no están gobernados por el principio de

exclusión de Pauli, luego, a temperatura, la estadística clásica dice que la probabilidad
de encontrar un dipolo atómico con energía es proporcional a exp ( E=kB T )
E= mJ B0
6.5 Problema
A bajas temperaturas, la mayoría estarán en el estado de eE, con mJ = g B J. Es
decir, la mayoría de los dipolos tendrán su componente de momento magnetico alineada
lo más posible con el campo, entonces, g rand e = 0 M B
A mayores temperaturas, mayor probabilidad de ocupar otros estados, menos ya

temperatura igual 0, 0.
Probabilidad de que un dipolo atómico tenga
mJ B 0
mJ = A exp
kB T
mJ B0
= A exp
kB T
A = const
Si hay N iones magnéticos por unidad de volumen, el número total es:
mJ B0
N A exp
kB T
y su momento magnético es
mJ B 0
mJ N A exp
kB T
6.5 Problema 101
J
X mJ B0
M= mJ N A exp
kB T
J
Se puede mostrar que mJ B0 kB T
mJ B0 mJ B0
exp 1+
kB T kB T
mJ B 0 9:27 10 24 JT 1
= 9:27 10 24
= 5:8 10 5 eV
kB T = 2:5 10 2 eV
J
X mJ B 0
M = N AmJ 1+
kB T
J
J
X m2J B0
= NA
kB T
J
J
N AB0 X 2
= mJ
kB T
J
J
X
N AB0 2 2
= Bg J2
kB T
J
CB0
M=
T
0M
=
B0
0C
=
T
C
=
T
en que C es la constante de Curie.

Ahora
J
X mJ B0
A exp = 1
kB T
J
J
X mJ B0
A 1+ = 1
kB T
J
J
X
A 1 = 1 = (2J + 1) A
J
1
A =
2J + 1
N B0 X
2 2
M= Bg
2J + 1 kB T
P
pero = 13 J (J + 1) (2J + 1) ; entonces
N B0 2 2 1
M = g J (J + 1) (2J + 1)
2J + 1 kB T B 3
N B0 g 2 J (J + 1) 2B
=
3kB T
2 2
N 0g BJ (J + 1)
C =
3kB
2 2
0 N Bp
=
3kB
p2 = g 2 (J + 1)
Comparación teórica-experimental
La ley de Curie es válida en muchos materiales como ..., pero no para los metales de
transición
6.5 Problema 103
5p y 5s completas, no hay interacción con vecinos

La capa 3d es la externa, luego, hay interacción.
En los casos vistos hasta ahora requerimos B0 para orientar electrones de conduc-
ción (Pauli) o de capas incompletas J. Pero hay materiales que retienen su magne-
tización en ausencia de campo. Lo fundamental es la interacción entre electrones de
átomos vecinos.
En estos materiales (metales de transición), la interacción hace que el promedio de
L en iones vecinos se cancela y sólo nos queda S. La interacción correlaciona los elec-
trones de átomos vecinos. Esto se conoce como Exchange (intercambio) y fue propuesta
por Heissenberg en 1928.
Esto se propaga y se obtiene
Magnetita es un tipo de ferrita

F errita = M F e2 O4
M es un ión + +
A 300K tenemos lo siguiente:
Elemento mS 105 JT 1 m 3 c
Hierro 17:1 1043
Cob 14 1388
Ni 4:85 627
Gadolinio 20:6 292
CrO2 5:18 386
F e3 O4 4:8 858
M nF e2 O4 4:10 573
N iF e2 O4 2:7 858
Dependencia de la temperatura: William Gilbert descubrió que la temperatura ele-
varía el magnetismo. La Tc se conoce como temperatura de Curie o...
C
=
T c
Esta última expresión se conoce como ley de Curie.
6.6 Teoría de Bandas del Ferromagnetismo 105
A mayor temperatura, mayor vibración térmica y se destruye.
6.6 Teoría de Bandas del Ferromagnetismo

Ejemplo: Calcule el momento magnético por ión en una muestra de hierro considerando
que la magnetización del hierro es 17:1 105 JT 1 m 3 ; la densidad es 7:87 103 Kgm 3
y la masa molar es 0:056Kg=mol. Suponga que el hierro consiste de iones F e2+ , cada
uno con seis electrones 3d:
Solución: El volumen de 1 mol de hierro es:
masa molar
Vm =
densidad
0:056Kg=mol
=
7:87 103 Kgm 3
= 7:12 106 m3 mol 1
Luego, el volumen por ion es:
Vm
Vi =
NA
7:12 10 6
=
6:02 1023
= 1:18 10 29 m3
P
M =
V ol
= M Vion
= 17:1 105 1:18 10 29
= 2:02 10 23 JT 1
nef f = número de electrones alineados

23
2:02 10
=
B
23
2:02 10
= 24
9:27 10
= 2:18
Lo que ocurre es que es mejor pensar en términos de bandas

6.7 Imanes Soft y Hard

¿Características ideales? Alta remanencia (sin campo) y alta coercitividad, así no se
demagnetiza fácilmente. Pero debe tener un BB0 = 0 igual a la energía almacenada por
unidad de volumen. Su máximo se conoce como producto de energía
En motores y transformadores uno debe cambiar la de M muchas revoluciones por

minutos, entonces, imanes soft, acelararán, importa la baja coercitividad.
Podemos pensar en el movimiento de paredes.
Soft ) mover rápido

Hard ) mover lento
Generalmente grande
6.7 Imanes Soft y Hard 107
Ed = 0:043eV
EF = Eg Ed =2; a T = 0
A temperaturas muy altas, el número de portadores intrínseco es muy grande, luego,
se comporta como un semiconductor intrínseco, con EF = Eg =2
Calcule la probabilidad de que un electrón ocupe un estado en el borde de la banda

de conducción en un semiconductor dopado
1
(Eg EF )
f (Eg ) = exp +1
kB T
(EF Eg )
exp
kB T
(Eg EF )
n ' C exp
kB T
En un semiconductor tipo n, el nivel de Fermi está más cercano a la banda de con-
ducción, (Eg EF ) Eg =2, luego, la exponencil es mayor y habrá un aumento en el
número de electrones.
Veamos por ejemplo, un cristal de silicio dopado con fósforo, el cuál tiene una en-
ergía de enlace de 45meV . Si la EF está 200meV bajo el borde de la banda de con-
ducción, a T = 300K, determine la proporción de estados donores ocupados
La proporción de estados donores ocupado Ndo es la probabilidad de que un electrón

tenga esa energía
Ndo = f (Ed )
Ed = x 45
EF = x 200
1
E EF
f (E) = exp +1
kB T
1
Ed E F
f (Ed ) = exp +1
kB T
1
155
f (E) = exp +1
kB T
20
155meV = 2:48 10 J
20 1
2:48 10 J
Ndo = exp +1
(1:38 10 23 JK 1 ) (300K)
3
= 2:5 10
Sólo 0:25% de los estados donores están ocupados, luego, el resto de los donores
están en la banda de conducción.
n = N d + ni
Por ejemplo, en silicio, ni = 10 m 3 . Si reemplazamos 1 átomo por millón por
16
una impureza donora y todas ellas están ionizadas:
Nd = 5 1022 m 3
Nos queda un enlace incompleto y un agujero en la banda de valencia, pero en verdad

este agujero está ligado a la impureza. Para crear un agujero en la banda debemos exitar
un electrón a ese estado nuevo. Por ejemplo, una impureza de aluminio en silicio tiene
un nivel aceptor de 57meV . Luego, a temperatura ambiente todos los aceptores estarán
ionizados.
6.9 Efecto Hall 109
Número de electrones en el borde de la banda de valencia:

1
f (0) = E =k T
e F B +1
Número de agujeros:
e EF =kB T
1 f (0) = EF =kB T +
e 1
como exp [ EF =kB T ] 1; EF kB T , p = Ce EF =kB T
6.8 Portadores mayoritarios y minoritarios

En un semiconductor igual hay huecos debidos a las excitaciones térmicas.
np = ni pi = const
A mayor dopaje, mayor recombinación, Ley de Acción de Masas
h i2
ni pi = Ce Eg =2kB T
n = Ce (Eg EF )=kB T Ce EF =kB T
= C 2 e Eg =kB T
6.9 Efecto Hall

Se aplica x y Bz . Los electrones se de ectan en la dirección y^ y se acumula carga

negativa en ese lado. Esto hace que se produzca un campo, H
H = RH J x B z
El signo de RH da el signo de los portadores mayoritarios
6.10 Modelo de electrones libres
1
f (E) = = probabilidad de ocupación
e(E EF )=kB T
+1
Pero no sabemos cuántos estados existen a E
Para calcular D (E), debemos determinar los niveles. Electrones libres, equivale a
un pozo in nito de largo L.
~2 d 2
= E
2m dx2
= A sin (kx x)
~2 kx2
E =
2m
~2 n2x 2
=
2mL2
En 3D (cristal)
~2 k 2
E =
2m
~2 2
= n2x + n2y + n2z
2m L
6.11 Modelo de electrones libres aplicado a semiconductores 111
E1 ) nx = ny = nz = 1
E2 ) nx = 2; ny = 1; nz = 1
) nx = 1; ny = 2; nz = 1
..
.
Area
número de puntos =
area
kF2
= 2
L
2
kF
= L2
3D:
4
3 kF3 4 kF3 L3
3 =
3 2
L
4 n 3 L3
= 2
3 L
4 3
= r
3 m
3=2
4 2mL2
= E 3=2
3 ~2 2
3=2
4 2m
= V E 1=2
3 ~2
6.11 Modelo de electrones libres aplicado a semiconduc-

tores
Introdujimos el concepto de masa efectiva, consideremos un electrón con velocidad de
grupo, vg , en un cristal.
d!
vg =
dk
De la teoría cuántica sabemos que:
E = ~! )
1 dE
vg =
~ dk
dvg
a =
dz
1 d dE
=
~ dt dk
1 d2 E dk
=
~ dk 2 dt
Supongamos que el electrón se mueve con velocidad vg en un campo ". En dt se
mueve vg dt. Como F = e", el trabajo es:
dE = e"vg dt
en que ! = dE, F = e" y x = vg dt; luego
dE dE dk
) e"vg = =
dt dk dt
dk dk dk 2
) = e"vg = ~a 2
dt dE d E
1 d2 E dk
a = e"vg
~ dk 2 dE
2
e" d E
=
~2 dk 2
como
e"
a = )
me
1
d2 E
me = ~2
dk 2
Si E = ~2 k 2 =2m, y me = me
6.11 Modelo de electrones libres aplicado a semiconductores 113
Veamos la banda de conducción

~2 k 2
E = Eg +
2m
3=2
V 2me 1=2
D (E) = (E Eg )
2 2 ~2
Z
1 1
n = D (E) f (E) dE
V Eg
en que n es la concentración de electrones en la banda de conducción.
Esta expresión no es soluble, sin embargo:
f (E) e(EF E)=kB T
Z 1
1=2 (EF E)=kB T
n = Ce (E Eg ) e de
Eg
3=2
1 2me
Ce = 2
2 ~2
x = (E Eg ) =kB T
dx 1
=
dE kB T
y x = 0 a E = Eg
Z 1
3=2 (EF Eg )=kB T
n = Ce (kB T ) e x1=2 e x
dx
0
3=2 (EF Eg )=kB T 1p
= Ce (kB T ) e
2
así:
3=2
me kB T
n=2 e(EF Eg )=kB T
2 ~2
Si pensamos en silicio, EF equivalentemente centro del gap
= 3:5 1015 m 3 , a 300K

ni
ni exp = 1016 m 3 ) modelo bueno
Z
1 0
p= D (E) [1 f (E)] dE
V 1
este es el número de agujeros.
3=2
V 2mh 1=2
D (E) = ( E)
2 2 ~2
3=2
mh kB T EF =kB T
p=2 e
2 ~2
n i pi )
Eg 3 mh
EF = + kB T ln
2 4 me
En que 34 kB T ln [mh =me ] es pequeña.

Apuntes v4 42 2008 PDF

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Apuntes v4 42 2008 PDF

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

1

Apuntes de Física del Estado Sólido

Dra. Dora Altbir Drullinsky

1 ESTRUCTURA CRISTALINA Y DIFRACCIÓN 3

2.1 Cuanti caciones de las vibraciones de la red . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

3 PROPIEDADES TÉRMICAS DE LOS SÓLIDOS 29

3.1 Expansión Térmica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

4 ELECTRONES LIBRES EN METALES 37

4.1 Modelo de un electrón libre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

4.5 Conductividad Electríca y Ley de Ohm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

4.12 Modelo de electrones casi libres . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

5.6 Semiconductores tipo p . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85

6.1 Variables Magnéticas Macroscópicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95

1.1 Celdas Primitivas

Una manera de preservar la simetría de la red, es construyendo una red de Wigner-

1.1.1 Red Hexagonal

Red panal de abejas:

A cada punto de la red le asociamos la base dada por:

En función de ~a1 y ~a2

1.1.2 Redes Tridimensional

1.1.3 Red Hexagonal

luego, en tres dimensiones,

1.1.4 Red Hexagonal Compacta

Luego, se copia la primera red y así sucesivamente. p

1.1.5 Posición y Orientación de los planos en un cristal

En un cristal dado, existen muchas formas de de nir planos paralelos

Tomemos dos planos paralelos que cortan los ejes en m n y o respectivamente

Veamos el siguiente ejemplo:

cos2 ( 1 ) + cos2 ( 2 ) + cos2 ( 3 ) = 1

1.2 Red Recíproca

Si queremos dibujar la bisectriz a los primeros vecinos ellas cortan la cadena en

1.2.2 Red Recíproca de una cúbica simple (sc)

1.2.3 Red recíproca de una red cúbica centrada en el cuerpo (bcc)

1.3 Determinación experimental de estructuras cristali-

La explicación de este patrón fue desarrollada por Braggs, basándose en la idea de

Pero en un cristal existen muchas formas de de nir planos paralelos. ¿Cómo se

pues suponemos que estamos lejos del centro difusor. Luego:

pero lejos, la dirección de k 0 puede de nirse como la dirección de R. Luego:

Consideremos un cristal nito con centros difusores en cada punto de la red

mnp = m~a1 + n~a2 + p~a3

N 3 es el número de puntos de la red.

1.3.1 Factor de estructura de la base

j = xj~a1 + yj~a2 + zj~a3

Pero respecto al origen de la celda, la posición del átomo j es j : En relación al

de ne la concentración de electrones en la posición cerca del átomo y en la celda

La contribución de cj j mnp es:

1.3.2 Red bcc

2.1 Cuanti caciones de las vibraciones de la red

En términos de momentum es como si el cristal completo retrocediera con un mo-

2.2 Difusión inelástica de fotones de gran longitud de

Como = vs K, los fonones producidos cuando se difunden inelásticamente fo-

2.3 Vibraciones de cristales con una base monoatómica.

2.4 Velocidad de Grupo

2.5 Límites de onda larga

2.6 Derivación de la constante de fuerza

2.7 Dos átomos por celda primitiva

Buscamos una solución de una onda viajera de tipo

us = u exp (isKa) exp ( i!t) (2.7.2a)

! 2 M1 u = cv [1 + exp ( iKa)] 2cu (2.7.3a)

Los desplazamientos de las partículas también pueden estimarse. En la rama óptica,

un;m =desplazamiento del átomo en xn ; yn

(un;m un+1;m ) y (un;m un 1;m )

Si suponemos una solución del tipo: