En teoria de circuitos electricos, es un elemento de circuito pasivo, descrito como el cuarto elemento llamado

tambien resistor-memoria. Este mantiene una relacion funcional entre las integrales de tiempo de corriente y vol-
taje, resultando una resistencia que varia dependiendo de la funcion de resistor memoria necesaria. Una aplica-
cion es proveer una resistencia capaz de hacer un suicheo de corriente. Este es un caso especial en los llamados
sistemas memristivos, una clase de modelo matematico util para la observacion de fenomenos empiricos como el
disparo de las dendritas de las neuronas. A diferencia de los otros tres tipos de elementos que conocemos (resist-
encia, capacitor e impedancia) este no perntenece a los circuitos lineales independientes del tiempo, un memristor
invariante en el tiempo es una simple resistencia.

Se formulo la teoria del memristor en 1971 por Leon Chua, pero fue 37 años despues (30 de Abril del 2008)
cuando el equipo de los laboratorios de HP dirigido por R. Stanley Williams anunciaron el descubrimiento del
primer memristor de switcheo, Basado en un film muy delgado de dioxido de titanio que fue presentado como
un medio casi ideal. Se cree que podran construir bits no volatiles de memoria permitiendo la creacion de com-
putadoras en escala nanometrica, y como es pasivo (no puede amplificar), Chua especulaba que era posible la
construccion de redes neuronales artificiales.

Es un elemento en el que el flujo magnetico ΦB es una funcion de la carga electrica q que fluye a traves del dis-
positivo. es decir ΦB = ΦB(q).

Comparado con

resistencia

capacitancia

inductancia

El voltaje V a traves de un memristor esta relacionado con la corriente / po el valor instantaneo de la memristen-
cia

Asi en cualqueir instante dado, un memristor se comporta como un resistro ordinario, sin embargo, su resistencia
M(q) depende de la historia de la corriente. Un memristor lineal (para el cual M es constante) es indistinguible
de un resistor lineal, M=R

El consumo de poder, es igual al del resistor I2R

El flujo magnetico dentro de un dispositivo pasivo.

En teoria de circuitos el flujo magnetico Φm relata a la ley de induccion de Faraday, que establece que el voltaje
en terminos de energia ganada en un anillo es igual al negativo de la derivad del flujo por el anillo.

Esta nocion nos determina que el voltaje en un dispositivo pasivo se evalua como perdida de energia
V = dΦm / dt

Restricciones del M(q)

Un voltaje constante potencialmente resulta en un incremento uniforme de Φm. Numericamente, infinito recur-
sos de memoria, o un campo indefinidamente fuerte, serian requeridos para guardar este numero que creceria en
forma arbitraria. Hay tres alternativas, uno que M(q) se acerque a cero Φm = ∫M(q)dq = ∫M(q(t))I dt se queda
encerrado pero continua cambiando de forma decreciene, y eventualmene se encuentre con una quantizacion o
conducta no ideal.
segundo, que M(q) se haga ciclico para que M(q) = M(q − Δq) para todo q y algunos Δq como el sen2(q/Q).
entre en hysteresis una vez una carga de cierta proporcion haya entrado y deje de funcionar como memristor.

Operacion como switch

Para algunos memristores, la corriente o voltaje aplicados pueden causar un cambio en la resistencia, esto es un
switch, y estos deben de estudiarse para saber el tiempo y energia que debe de emplearse para obtener el resul-
tado deseado, asumiendo que el voltaje es constante, resolvemos para la disipacion de energia durante un simple
switch. Para un memristor apra cambair de R encendido a R apagado, en el tiempo T encendido y T apagado, el
cambio debe de ser dado por un ΔQ=Q encendido-Q apagado

Futuras aplicaciones que buscan es combinarlos en latches cruzados, que podrian reemplazar a los transistores
en las computadoras del futuro, usando menos espacio, y pueden ser formados en memoras de estado solido no
volatil, que podria dar como producto discos duros de mayor densidad pero con accesos potencialmetne simi-
lares a los de un DRAM, reemplazando asi ambos componentes. HP trabaja en un prototipo con latches cruza-
dos de memoria usando un articulo que puede tener 100 gigabits en un centimetro cuadrado, las memorias flash
actuales de mayor densidad tienen 32 gigabits, y HP definio que su version de memristor tiene un dcimo de la
velocidad de un DRAM, los equipos serian leidos por corrientes alternantes para no afectar el valor guardado.