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(1902-1987) Walter Houser Brattain, físico y premio Nobel estadounidense, nacido en Amoy,
China. Después trabajó como físico en la división de radio del Instituto Nacional de Modelos y
Tecnología. En la época en que trabajaba allí, él y los físicos estadounidenses William
Shockley y John Bardeen inventaron un pequeño dispositivo electrónico llamado transistor. Se
anunció por primera vez en 1948 y se terminó en 1952. Por su trabajo con los
semiconductores y por el descubrimiento del transistor, Brattain compartió con Shockley y
Bardeen en 1956 el Premio Nobel de Física.
(1921) John Louis Moll, se doctoró en Ingeniería Eléctrica en la Universidad estatal de Ohio en
1952, trabajando en multitud de empresas como RCA, BTL, Fairchild, Hewlett-Packard, etc. Su
trabajo más conocido es el modelado del transistor bipolar realizado junto a Jewell J. Ebers.
(1921) Jewell James Ebers, contribuyó de forma decisiva al modelo del transistor bipolar junto con
John L. Moll. El IEEE estableció en 1971 un premio en su honor. El primer ganador de este
galardón fue su compañero de desarrollo del modelo del transistor bipolar John L. Moll.
dispositivo semiconductor, encargado de entregar o otorgar una señal de salida, en
respuesta o como consecuencia de alguna señal de entrada. El termino o la
palabra ”Transistor” es la retracción en ingles de transfer resistor, es decir ”Resistor
de transferencia”. Estos aparatos son de uso cotidiano, es decir, los utilizamos
habitualmente, y en el hogar podemos conseguirlos en radios, automóviles,
computadoras, alarmas, entre otros.
Los transistores vinieron para quedarse, ya que sustituyeron a las válvulas
termoiónicas antiguas de hace algunas décadas. Gracias a esto fue posible la
elaboración de los receptores de radios trasladables o portátiles conocidos
normalmente como dichos “transistores“, es decir, televisores con color, y los
televisores que se encendían en algunos segundos, entre otros. Antes de que
aparecieran los transistores, las herramientas o válvulas debían trabajar con las
tensiones muy altas, por ello, se tardaban más de 30 segundos para poder comenzar
a funcionar, y en ninguno de los casos conseguían actuar a pilas, esto debido al
grande consumo que poseían.
Estos aparatos tecnológicos llamados transistores son los elementos que han podido
facilitar, de gran forma, los diseños de los circuitos electrónicos de pequeño tamaño,
mucha diversidad y comodidad del control o manejo.
Cada una de estas familias están, a su vez, subdivididas en los dos tipos de
impurezas que se les añade a los materiales semiconductores, tipo P o tipo N.
Figura 4.1: Clasificación constructiva de los
transistores
SILICIO
El silicio es un elemento químico de aspecto gris oscuro azulado de número atómico 14 y con
posición 14 en la tabla periódica. Su símbolo es Si y pertenece al grupo de los metaloides y su
estado habitual en la naturaleza es sólido.
En esta página podrás descubrir las propiedades químicas del silicio e información sobre el
silicio y otros elementos de la tabla periódica como carbono, germanio, aluminio o fósforo.
También aprenderás para qué sirve el silicio y conocerás cuales sus usos a través de sus
propiedades asociadas al silicio como su número atómico o el estado habitual en el que se
puede encontrar el silicio.
Podrás ver cualidades del silicio como su punto de fusión y de ebullición, sus propiedades
magnéticas o cual es su símbolo químico. Además, aquí encontrarás información sobre sus
propiedades atómicas como la distribución de electrones en los átomos de silicio y otras
propiedades.
Para algunos elementos parte de esta información es desconocida. En estos casos
mostramos las propiedades que se les atribuyen.
Haz click en el siguiente enlace si quieres comparar las propiedades del silicio con otros
elementos de la tabla periódica.
ransistores de efecto de campo basados en nanotubos de
carbono (CNTFET)
4 de febrero de 2018
por Alberto L.
(Última actualización: 9 de febrero de 2018)
Lo último
Los nanotubos de carbono (también conocidos como CNT) son un alótropo de carbono,
tienen la forma de moléculas de carbono cilíndricas y tienen propiedades físicas
singulares que lo hacen atractivo para el investigador, como la resistencia mecánica, la
alta conductividad eléctrica y otras propiedades.
La estructura de CNT puede estar formada por una pared única o múltiple de nanotubos
de carbono. El nanotubo de pared simple (SWNT) se forma enrollando una capa de grafito
envuelto para formar un tubo sin costura con un grosor de 1 átomo de carbono individual y
tiene típicamente un diámetro de 1 - 2 nm y una longitud de varios micrómetros. La
relación de aspecto de estos nanotubos se considera idealmente material casi
unidimensional, y como tal, se espera que los SWCNT tengan todas las propiedades
únicas predichas para estas estructuras de baja dimensión. [2]
El segundo método se llama " Deposición química de vapor""(CVD) [7], que fue
presentado por Morinubo Endo, de la Universidad de Shinshu en Nagano (Japón). En este
método, se coloca un sustrato en un horno y se calienta hasta 600 ° C. Luego, el metano
y otros gases se agregan lentamente, liberando átomos de carbono, que pueden
recombinarse en forma de nanotubos. Permite la síntesis controlada, es decir, el número
de paredes, la longitud y la estructura microscópica de los SWNT, DWNT y MWNT con
una pureza de hasta el 98%. Este método requiere un sustrato adecuado a menudo
impregnado con el catalizador sobre el que se produce el crecimiento de los CNT. Los
sustratos más comunes son generalmente Si, SiO2 (Cuarzo), Al2O3 o MgO. Además de
esto, las impurezas involucradas en el proceso son usualmente: metales y óxidos
inorgánicos que provienen del catalizador y carbono amorfo.
El tercer método se conoce como " ablación con láser " [8]. En esta técnica, una mezcla
de carbono y metales de transición se vaporiza mediante la introducción de un láser en
una barra de blanco compuesta de metal y grafito. Los pulsos intensos de rayo láser se
enfocan en una mancha de 6-7 mm de diámetro de la barra de metal y grafito. En el
reactor, las temperaturas son elevadas y están rodeadas por la presencia de un gas
inerte. El hollín producido por la vaporización con láser fue barrido por el gas Ar que fluía
desde la zona de alta temperatura, y se depositó en un colector de cobre refrigerado por
agua. Los nanotubos obtenidos son de paredes simples con un rango de diámetros que
se pueden controlar variando la temperatura de reacción. Es un método con un buen
rendimiento, pero es muy caro, ya que requiere láser de alta potencia.
El cuarto y último método presentado se conoce como " antorcha de plasma ""Y está
desarrollado especialmente para sintetizar nanotubos de carbono de una sola pared
[9]. Fue patentado por Olivier Smiljanic en el 2009 [10]. Este método se basa en la
atomización de una mezcla gaseosa mediante un soplete de plasma de microondas a
presión atmosférica. Las microondas son generadas por un magnetrón de un horno de
microondas doméstico suministrado por una corriente continua. La radiación de
microondas viaja dentro de una guía de onda de cobre, que está cortocircuitada en un
extremo por una placa metálica. Un tubo de nitruro de boro o de cuarzo sirve como "tubo
de plasma" y atraviesa la guía de ondas en una posición de un cuarto de longitud de onda
aguas arriba del cortocircuito. La llama de plasma es sostenida por la radiación de
microondas y confinada dentro del tubo de plasma. Se evita que se adhiera a las paredes
mediante un remolino de argón. El gas etileno que contiene carbono y el catalizador en
forma de ferroceno se introducen mediante un flujo axial. El vapor de ferroceno obtenido
por una sublimación controlada por temperatura es arrastrado por un gas inerte
(argón). [9]
Transistores
La miniaturización siempre ha desempeñado un papel clave en la evolución
electrónica con una disminución continua en el tamaño de los transistores de
silicio en las últimas décadas, lo que reduce el costo de la electrónica y conduce a una
mayor potencia de procesamiento con un menor consumo de energía. Desde hace
décadas, nanofísicos e ingenieros están trabajando en el desarrollo de transistores más
rápidos, más pequeños o con menos consumo de energía.
Pero un problema ya conocido ocurre reduciendo la tecnología CMOS convencional. Esta
hasta ahora incesante reducción del tamaño de un solo transistor se detendrá a
7nm . Si bien técnicamente es posible producir nodos de 7nm con silicio, después de ese
tamaño aparecen algunos problemas, donde los electrones de silicio se unen tan
físicamente que experimentan el efecto de efecto túnel cuántico . El problema ya
conocido del límite de escala de CMOS convencional , debe ser resuelto en un futuro
próximo por las tecnologías de nanotubos de carbono [13].
A medida que los transistores se hacen más pequeños, es más difícil controlar la forma en
que los electrones se mueven a través del canal de silicio para encender y apagar el
transistor. Una solución a este problema ha resuelto a Intel, por ejemplo, al desarrollar el
primer transistor 3D Tri-Gate de 22 nm para producción masiva en 2012 [14]. A pesar de
esto, el futuro de las tecnologías de conmutación de pequeñas tecnologías de nanotubos
de carbono será un reemplazo para la tecnología de silicio.
Figura 4: curvas I-V_G para V_SD = 10-100 mV en pasos de 10 mV. El recuadro muestra
que la compuerta modula la conductancia en 5 órdenes de magnitud (V_SD = 10 mV)
En 2016, los investigadores de la Universidad de Wisconsin-Madison crearon los primeros
transistores de nanotubos de carbono que superan el rendimiento de los últimos
transistores de silicio[17] [18]. Creo importante señalar que el documento mencionado fue
publicado como de código abierto. Este enfoque transistor adopta una serie de nanotubos
de carbono densamente empaquetados para el canal en lugar de uno solo como era. Los
CNT se depositan en obleas de silicio con 15 nm de SiO2, que produce densas matrices
de CNT que permanecen aisladas.
Figura 5: Esquema de la matriz CNT que se encuentra en una puerta posterior SiO2 / Si
(G) con electrodos superiores de fuente P (S) y de drenaje (D). [18]La curva característica
de las matrices CNT se puede ver en la Figura 6. Este enfoque de transistor en el formato
de una matriz en la que el transporte cuasibalístico se impulsa simultáneamente a través
de muchos CNT ajustadamente empaquetados en paralelo, mejorando notablemente el
impulso de corriente absoluto de la FET de silicio. Este rendimiento se logra debido a la
excelente alineación y espaciamiento combinados de los CNT, algún tratamiento de
posdeposición en los CNT y la alta pureza de tipo electrónico de los CNT
semiconductores.
Figura 7: Evaluación comparativa del rendimiento del FET del conjunto de CNT contra los
MOSFET de Si [18]
Conclusión
La industria actual de investigación y semiconductores se está moviendo hacia
tecnologías más nuevas para superar los límites fundamentales que restringen su
aplicabilidad para futuras aplicaciones electrónicas principalmente en términos de tamaño,
consumo de energía y velocidad. La alta conductividad y la estabilidad excepcional de los
nanotubos metálicos los hace excelentes candidatos para su uso futuro en
electrónica. Desde la primera demostración de funcionalidad realizada por la universidad
de Delf en 1993, los CNTFET se han desarrollado ampliamente en muchas direcciones,
pero aún quedan muchos problemas por resolver: arquitectura, métodos de construcción,
impurezas de CNT, síntesis SWCNT, alineación o dispositivo de CNT. reproducibilidad del
dispositivo, entre otros. El camino hacia el desarrollo de la electrónica CNT todavía no
está establecido y tomará décadas establecer una nueva era de semiconductores.