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(1910-1989) William Bradford Shockley, físico estadounidense, premiado con el Nobel y

coinventor del transistor. Nació en Londres de padres estadounidenses. Trabajó en los


laboratorios de la Compañía Telefónica Bell desde 1936 hasta 1956, año en que fue nombrado
director de la Shockley Transistor Corporation en Palo Alto, California (su propia empresa).
Dio conferencias en la Universidad Stanford desde 1958 y fue profesor de ingeniería en 1963.
Sus investigaciones sobre los semiconductores le llevaron al desarrollo del transistor en 1948.
Por esta investigación compartió en 1956 el Premio Nobel de Física con sus asociados John
Bardeen y Walter H. Brattain.

(1902-1987) Walter Houser Brattain, físico y premio Nobel estadounidense, nacido en Amoy,
China. Después trabajó como físico en la división de radio del Instituto Nacional de Modelos y
Tecnología. En la época en que trabajaba allí, él y los físicos estadounidenses William
Shockley y John Bardeen inventaron un pequeño dispositivo electrónico llamado transistor. Se
anunció por primera vez en 1948 y se terminó en 1952. Por su trabajo con los
semiconductores y por el descubrimiento del transistor, Brattain compartió con Shockley y
Bardeen en 1956 el Premio Nobel de Física.

(1908-1991) John Bardeen, físico y premio Nobel estadounidense, nació en Madison


(Wisconsin) y estudió en las universidades de Wisconsin y Princeton. Como físico investigador
(1945-1951) en los Laboratorios Telefónicos Bell, fue miembro del equipo que desarrolló el
transistor. Por este trabajo, compartió en 1956 el Premio Nobel de Física con dos
compatriotas, los físicos William Shockley y Walter H. Brattain. En 1972 compartió nuevamente
el Premio Nobel de Física con los físicos estadounidenses Leon N. Cooper y John R. Schrieffer
por el desarrollo de una teoría que explicaba la superconductividad. Bardeen fue el primer
científico que ganó dos premios Nobel en la misma disciplina.

(1922-2004) James M. Early, ingeniero estadounidense. Se doctoró en Ingeniería eléctrica en


la Universidad de Ohio en 1951, a partir de entonces, estuvo 18 años trabajando en los
Laboratorios de la compañía Bell. Posteriormente trabajó para Fairchild, donde inventó
diferentes dispositivos que concluyeron con la cámara CCD. Early desarrolló los transistores
para el primer satélite de comunicaciones Americano, el Telstar I.

A mediados de los 50, Raytheon Manufacturing Company distribuía comercialmente el primer


transistor de Germanio, al precio de 99 centavos de dólar. El modelo fue el CK722. La foto
muestra uno de ellos, que se fabricó la semana 17 del año 1956 (617). Aún hoy, se sigue esta
nomenclatura en la fabricación de los circuitos integrados, indicando la semana y el año de
fabricación de los mismos.

(1921) John Louis Moll, se doctoró en Ingeniería Eléctrica en la Universidad estatal de Ohio en
1952, trabajando en multitud de empresas como RCA, BTL, Fairchild, Hewlett-Packard, etc. Su
trabajo más conocido es el modelado del transistor bipolar realizado junto a Jewell J. Ebers.

(1921) Jewell James Ebers, contribuyó de forma decisiva al modelo del transistor bipolar junto con
John L. Moll. El IEEE estableció en 1971 un premio en su honor. El primer ganador de este
galardón fue su compañero de desarrollo del modelo del transistor bipolar John L. Moll.
dispositivo semiconductor, encargado de entregar o otorgar una señal de salida, en
respuesta o como consecuencia de alguna señal de entrada. El termino o la
palabra ”Transistor” es la retracción en ingles de transfer resistor, es decir ”Resistor
de transferencia”. Estos aparatos son de uso cotidiano, es decir, los utilizamos
habitualmente, y en el hogar podemos conseguirlos en radios, automóviles,
computadoras, alarmas, entre otros.
Los transistores vinieron para quedarse, ya que sustituyeron a las válvulas
termoiónicas antiguas de hace algunas décadas. Gracias a esto fue posible la
elaboración de los receptores de radios trasladables o portátiles conocidos
normalmente como dichos “transistores“, es decir, televisores con color, y los
televisores que se encendían en algunos segundos, entre otros. Antes de que
aparecieran los transistores, las herramientas o válvulas debían trabajar con las
tensiones muy altas, por ello, se tardaban más de 30 segundos para poder comenzar
a funcionar, y en ninguno de los casos conseguían actuar a pilas, esto debido al
grande consumo que poseían.
Estos aparatos tecnológicos llamados transistores son los elementos que han podido
facilitar, de gran forma, los diseños de los circuitos electrónicos de pequeño tamaño,
mucha diversidad y comodidad del control o manejo.

Historia del transistor


Los transistores fueron el mayor o el gran invento del siglo XX. Este dispositivo dio
lugar a todos los integrados circuitos y a elementos del siglo XIX, los transmisores se
basaron en la máquina de vapor creada por el señor James Watt, esto se debe a la
utilidad o funcionamiento de dichos transistores. Se puede decir, que la época o
etapa de las comunicaciones, se han basado en los transistores.
Estos aparatos fueron diseñados por la necesidad o para poder realizar llamadas
telefónicas a largas distancias, por tal motivo los investigadores y diseñadores de
esta nueva y gran tecnología eran parte de la compañía American Telephone and
Telegraph Corporation (AT&T). Esta compañía o empresa fue creada por Alexander
Graham Bell, y conocida generalmente como la ”Bell Telephone Company”.
En el año 1906 el creador Lee De Forest incremento un ”tríodo” en un tubo de vacío,
es decir, colocando esta creación a lo largo de alguna línea telefónica era posible
amplificar suficientemente la señal como para poder realizar las llamadas a una larga
distancia. Además se podía utilizar para transformar una corriente alterna en una
continua, y también como una ventana que se encargaba de permitir o no, el paso de
alguna corriente (on-off). También los tamaños de los transistores dependen de la
potencia que es apta para conducir.

Tipos y para qué sirve un transistor


Los transistores se pueden dividir en 3 tipos; transistor de unión bipolar o BJT,
transistor de efecto campo o FET, y los fototransistores. A continuación los
detallaremos:
Transistor de unión bipolar o BJT:
Para asociar este tipo de transistor puedes imaginar el BJT como si fuera un grifo en
el cual se concede que circule una gran corriente entre el emisor y el colector, en
función de alguna corriente pequeña que recorre por la base. Otra manera de
observarlo es imaginar que cuando circule una corriente por dicha base, la
resistencia entre el colector y el emisor se disminuye, con la consecuencia del
aumento de dicha corriente si imaginas que el voltaje sea constante.
En función a todas las corrientes que estén recorriendo por la base, los transistores
se comportarán de alguna de las siguientes maneras:
 Corte: Circuito abierto es decir interruptor abierto entre el colector y el emisor,
si las corrientes que circulan por la base son nulas.
 Saturación: Es como un circuito cerrado entre el colector y el emisor que
posee cualquier grande aumento de corriente.
 Activa: En una definida condición o rango de corrientes de base, el aumento
de corriente, la amplificación que se observa entre el colector y el emisor se puede o
es apto de regular.
Transistor de Efecto Campo o FET
Este transistor de efecto campo o FET es muy parecido al transistor BJT con modos
de función incluido, pero, con la desigualdad de que éste transistor se modera por
medio de una tensión en vez de una corriente gracias a que posee una impedancia
de alta entrada. Una manera de entender este concepto es que al poseer alguna
resistencia a la entrada de la gran base, la corriente de dicha base será pequeña
siempre y el voltaje es lo que define la diferencia.

Una de las muchas clasificaciones que pueden realizarse de los transistores, es la


debida a las dos grandes familias que los componen, es decir, Bipolares y “no
bipolares”.

Cada una de estas familias están, a su vez, subdivididas en los dos tipos de
impurezas que se les añade a los materiales semiconductores, tipo P o tipo N.
Figura 4.1: Clasificación constructiva de los
transistores

BJT: Transistores Bipolares de Unión.


FET: Transistores de Efecto de Campo.
JFET: Transistores de Efecto de Campo de Unión.
MESFET: Transistores de Efecto de Campo de MEtal
Semiconductor.
MOSFET: Transistores de Efecto de Campo de Metal-Oxido-
Semiconductor.

SILICIO

El silicio es un elemento químico de aspecto gris oscuro azulado de número atómico 14 y con
posición 14 en la tabla periódica. Su símbolo es Si y pertenece al grupo de los metaloides y su
estado habitual en la naturaleza es sólido.
En esta página podrás descubrir las propiedades químicas del silicio e información sobre el
silicio y otros elementos de la tabla periódica como carbono, germanio, aluminio o fósforo.
También aprenderás para qué sirve el silicio y conocerás cuales sus usos a través de sus
propiedades asociadas al silicio como su número atómico o el estado habitual en el que se
puede encontrar el silicio.
Podrás ver cualidades del silicio como su punto de fusión y de ebullición, sus propiedades
magnéticas o cual es su símbolo químico. Además, aquí encontrarás información sobre sus
propiedades atómicas como la distribución de electrones en los átomos de silicio y otras
propiedades.
Para algunos elementos parte de esta información es desconocida. En estos casos
mostramos las propiedades que se les atribuyen.

Propiedades del silicio


El silicio forma parte de los elementos denominados metaloides o semimetales. Este tipo de
elementos tienen propiedades intermedias entre metales y no metales. En cuanto a su
conductividad eléctrica, este tipo de materiales al que pertenece el silicio, son
semiconductores.
El estado del silicio en su forma natural es sólido (no magnético). El silicio es un elmento
químico de aspecto gris oscuro azulado y pertenece al grupo de los metaloides. El número
atómico del silicio es 14. El símbolo químico del silicio es Si. El punto de fusión del silicio es de
1687 grados Kelvin o de 1414,85 grados celsius o grados centígrados. El punto de ebullición
del silicio es de 3173 grados Kelvin o de 2900,85 grados celsius o grados centígrados.

Usos del silicio


El silicio es el segundo elemento más abundante en la corteza terrestre y es vital para la
industria de la construcción. Si alguna vez te has preguntado para qué sirve el silicio, a
continuación tienes una lista de sus posibles usos:
 El dióxido de silicio y sílice (en forma de arcilla o arena) son componentes importantes de
ladrillos, hormigón y cemento.
 El silicio es un semiconductor. Esto significa que el flujo eléctrico puede ser controlada
mediante el uso de partes de silicio. Por lo tanto, el silicio es muy importante en la
industria eléctrica. Componentes de silicio se utilizan en las computadoras, los
transistores, células solares, pantallas LCD y otros dispositivos semiconductores.
 La mayoría del silicio se utiliza para la fabricación de aleaciones de aluminio y silicio con
el fin de producir piezas fundidas. Las piezas se producen mediante el vertido del material
fundido de aluminio y silicio en un molde. Estas piezas de material fundido se utilizan
generalmente en la industria del automóvil para fabricar piezas para coches.
 La masilla "Silly Putty" antes se hacía mediante la adición de ácido bórico al aceite de
silicona.
 El carburo de silicio es un abrasivo muy importante.
 Los silicatos se puede utilizar para hacer tanto cerámica y como esmalte.
 La arena, que contiene silicio, es un componente muy importante del vidrio.
 La silicona, un polímero derivado del silicio, se utiliza en aceites y ceras, implantes
mamarios, lentes de contacto, explosivos y pirotecnia (fuegos artificiales).
 En el futuro, el silicio puede sustituir al carbón como la principal fuente de electricidad.

Propiedades atómicas del silicio


La masa atómica de un elemento está determinado por la masa total de neutrones y protones
que se puede encontrar en un solo átomo perteneciente a este elemento. En cuanto a la
posición donde encontrar el silicio dentro de la tabla periódica de los elementos, el silicio se
encuentra en el grupo 14 y periodo 3. El silicio tiene una masa atómica de 28,0855 u.
La configuración electrónica del silicio es [Ne]3s2 3p2. La configuración electrónica de los
elementos, determina la forma el la cual los electrones están estructurados en los átomos de
un elemento. El radio medio del silicio es de 110 pm, su radio atómico o radio de Bohr es de
111 pm, su radio covalente es de 111 pm y su radio de Van der Waals es de 210 pm. El silicio
tiene un total de 14 electrones cuya distribución es la siguiente: En la primera capa tiene 2
electrones, en la segunda tiene 8 electrones y en su tercera capa tiene 4 electrones.

Características del silicio


A continuación puedes ver una tabla donde se muestra las principales características que
tiene el silicio.
Silicio
Símbolo químico Si
Número atómico 14
Grupo 14
Periodo 3
Aspecto gris oscuro azulado
Bloque p
Densidad 2330 kg/m3
Masa atómica 28.0855 u
Radio medio 110 pm
Radio atómico 111
Radio covalente 111 pm
Radio de van der Waals 210 pm
Configuración electrónica [Ne]3s2 3p2
Electrones por capa 2, 8, 4
Estados de oxidación 4
Óxido anfótero
Estructura cristalina cúbica centrada en las caras
Estado sólido
Punto de fusión 1687 K
Punto de ebullición 3173 K
Calor de fusión 50.55 kJ/mol
Presión de vapor 4,77 Pa a 1683 K
Electronegatividad 1,9
Calor específico 700 J/(K·kg)
Conductividad eléctrica 2,52·10-4S/m
Conductividad térmica 148 W/(K·m)
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Haz click en el siguiente enlace si quieres comparar las propiedades del silicio con otros
elementos de la tabla periódica.
ransistores de efecto de campo basados en nanotubos de
carbono (CNTFET)
 4 de febrero de 2018
 por Alberto L.
(Última actualización: 9 de febrero de 2018)

Resumen - Las aplicaciones de la electrónica requieren cada día una mayor


eficiencia de los dispositivos electrónicos que se utilizan en la actualidad. Entre los
aspectos más importantes en la producción de un chip se encuentra el área
ocupada por el circuito: se desea que los dispositivos electrónicos ocupen el
menor espacio posible. La tecnología que se usa hoy en día para fabricar
dispositivos semiconductores está llegando al límite, donde es cada vez más difícil
obtener una reducción en el tamaño sin afectar otras características del
dispositivo. Este documento muestra una revisión bibliográfica sobre
nanotecnología, con el fin de presentar una propuesta de investigación para
implementar transistores basados en nanotubos de carbono.

El presente artículo se puede descargar en formato PDF : Carbon-nantobues-Field-


Effect-Transistores-Alberto-Lopez.pdf

En el presente artículo se muestra una revisión bibliográfica del nanotubo de


carbono , en el marco de sus propiedades, quién y cómo los descubrieron, sus
aplicaciones actuales y las posibles aplicaciones futuras, especialmente en
electrónica. Además, se enuncia una propuesta de trabajo para implementar transistores
basados en esta tecnología: se prevé que en 2025 el grafeno sustituya al silicio, lo que
permitirá la rápida miniaturización de los componentes electrónicos y la producción de
nuevos chips [1].

Lo último
Los nanotubos de carbono (también conocidos como CNT) son un alótropo de carbono,
tienen la forma de moléculas de carbono cilíndricas y tienen propiedades físicas
singulares que lo hacen atractivo para el investigador, como la resistencia mecánica, la
alta conductividad eléctrica y otras propiedades.

La estructura de CNT puede estar formada por una pared única o múltiple de nanotubos
de carbono. El nanotubo de pared simple (SWNT) se forma enrollando una capa de grafito
envuelto para formar un tubo sin costura con un grosor de 1 átomo de carbono individual y
tiene típicamente un diámetro de 1 - 2 nm y una longitud de varios micrómetros. La
relación de aspecto de estos nanotubos se considera idealmente material casi
unidimensional, y como tal, se espera que los SWCNT tengan todas las propiedades
únicas predichas para estas estructuras de baja dimensión. [2]

Figura 1: nanotubo de carbono de paredes

simples Figura 2: nanotubo de carbono con


paredes múltiples
El nanotubo de doble pared (DWNT) [3] tiene dos átomos de espesor y el nanotubo de
pared múltiple de grafito (MWNT) contiene varias hojas (enrolladas en sí mismas, también
conocidas con los nombres "Buckyball o Fullereno", gracias al ingeniero y arquitecto
Buckminster Fuller , que trabajó en la creación de cúpulas geodésicas que es
precisamente la forma geométrica de un icosaedro. Estas MWNT son las fibras de
carbono más fuertes que se conocen, y tienen propiedades muy interesantes: resistencia
a la tracción de 45 mil millones de pascales, una capacidad de transporte actual estimada
en mil millones de amperios por centímetro cuadrado a temperatura ambiente y una
estabilidad térmica de 2.800 grados centígrados en vacío, y 750 grados centígrados en el
aire. Por otro lado, las propiedades eléctricas de los nanotubos de pared múltiple
(MWCNT) han recibido menos consideración porque de su estructura compleja:cada
caparazón de carbono puede tener diferentes caracteres electrónicos y quiralidad y la
presencia de interacciones caparazón-shell modifican el comportamiento global.

Los primeros nanotubos de carbono fueron sintetizados a partir de moléculas de carbono


huecas por Sumio Iijima en 1991 . Más tarde, en 1993, dos grupos descubren el carbón
de pared simple y algunos métodos para producirlos utilizando catalizadores de metales
de transición: Sumio Iijima con su grupo en NEC y DS Bethune en IBM. [4] [5].

Métodos de síntesis de CNT


Se obtienen y caracterizan por cuatro métodos: el primero es el llamado método
de "descarga de arco eléctrico" , que permite la fabricación de cantidades
macroscópicas de nanotubos. Consiste en conectar dos varillas de grafito a una fuente de
alimentación, estas están separadas por unos pocos milímetros y luego se fuerza una
corriente a través de las barras. Al generar una chispa de alrededor de cientos de
amperios de intensidad, el carbono se evapora en un plasma caliente. Parte de este
condensado de plasma en forma de nanotubos de carbono de paredes simples y
múltiples. Este método fue desarrollado y publicado en 1992 por Thomas Ebbeser y
Pullickel M. Ajayan, del Laboratorio de Investigación Fundamental de NEC. [6]

El segundo método se llama " Deposición química de vapor""(CVD) [7], que fue
presentado por Morinubo Endo, de la Universidad de Shinshu en Nagano (Japón). En este
método, se coloca un sustrato en un horno y se calienta hasta 600 ° C. Luego, el metano
y otros gases se agregan lentamente, liberando átomos de carbono, que pueden
recombinarse en forma de nanotubos. Permite la síntesis controlada, es decir, el número
de paredes, la longitud y la estructura microscópica de los SWNT, DWNT y MWNT con
una pureza de hasta el 98%. Este método requiere un sustrato adecuado a menudo
impregnado con el catalizador sobre el que se produce el crecimiento de los CNT. Los
sustratos más comunes son generalmente Si, SiO2 (Cuarzo), Al2O3 o MgO. Además de
esto, las impurezas involucradas en el proceso son usualmente: metales y óxidos
inorgánicos que provienen del catalizador y carbono amorfo.

El tercer método se conoce como " ablación con láser " [8]. En esta técnica, una mezcla
de carbono y metales de transición se vaporiza mediante la introducción de un láser en
una barra de blanco compuesta de metal y grafito. Los pulsos intensos de rayo láser se
enfocan en una mancha de 6-7 mm de diámetro de la barra de metal y grafito. En el
reactor, las temperaturas son elevadas y están rodeadas por la presencia de un gas
inerte. El hollín producido por la vaporización con láser fue barrido por el gas Ar que fluía
desde la zona de alta temperatura, y se depositó en un colector de cobre refrigerado por
agua. Los nanotubos obtenidos son de paredes simples con un rango de diámetros que
se pueden controlar variando la temperatura de reacción. Es un método con un buen
rendimiento, pero es muy caro, ya que requiere láser de alta potencia.

El cuarto y último método presentado se conoce como " antorcha de plasma ""Y está
desarrollado especialmente para sintetizar nanotubos de carbono de una sola pared
[9]. Fue patentado por Olivier Smiljanic en el 2009 [10]. Este método se basa en la
atomización de una mezcla gaseosa mediante un soplete de plasma de microondas a
presión atmosférica. Las microondas son generadas por un magnetrón de un horno de
microondas doméstico suministrado por una corriente continua. La radiación de
microondas viaja dentro de una guía de onda de cobre, que está cortocircuitada en un
extremo por una placa metálica. Un tubo de nitruro de boro o de cuarzo sirve como "tubo
de plasma" y atraviesa la guía de ondas en una posición de un cuarto de longitud de onda
aguas arriba del cortocircuito. La llama de plasma es sostenida por la radiación de
microondas y confinada dentro del tubo de plasma. Se evita que se adhiera a las paredes
mediante un remolino de argón. El gas etileno que contiene carbono y el catalizador en
forma de ferroceno se introducen mediante un flujo axial. El vapor de ferroceno obtenido
por una sublimación controlada por temperatura es arrastrado por un gas inerte
(argón). [9]

Estos métodos mencionados anteriormente tienen ventajas y limitaciones: En el


método de descarga de arco eléctrico, las altas temperaturas y los catalizadores metálicos
añadidos a las barras pueden producir nanotubos de pared única y múltiple, pero con
pocos defectos estructurales. Además, los nanotubos tienden a ser cortos (50
micrómetros o menos) y se depositan en formas y tamaños aleatorios, lo que no se desea
en la nanoelectrónica. El método de deposición de vapor químico (CVD) es el más simple
para fabricar nanotubos largos, útil en las nano fibras empleadas en materiales
compuestos. La restricción para el uso en electrónica es que los nanotubos producidos
son generalmente de pared múltiple y con frecuencia plagados de defectos. El método de
ablación con láser produce nanotubos de paredes simples con un rango de diámetros que
se puede controlar variando la temperatura de reacción, pero necesita dispositivos láser
muy costosos y precisos. En comparación con las técnicas presentadas anteriormente, el
método de soplete de plasma es continuo y fácilmente escalable, y por lo tanto adecuado
para la producción comercial a gran escala de SWNT. Esto aparentemente resuelve los
problemas de costo y disponibilidad de cantidades suficientemente grandes de SWNT que
fueron los problemas principales de las técnicas presentadas anteriormente: ablación con
láser y técnicas de descarga de arco.

Transistores
La miniaturización siempre ha desempeñado un papel clave en la evolución
electrónica con una disminución continua en el tamaño de los transistores de
silicio en las últimas décadas, lo que reduce el costo de la electrónica y conduce a una
mayor potencia de procesamiento con un menor consumo de energía. Desde hace
décadas, nanofísicos e ingenieros están trabajando en el desarrollo de transistores más
rápidos, más pequeños o con menos consumo de energía.
Pero un problema ya conocido ocurre reduciendo la tecnología CMOS convencional. Esta
hasta ahora incesante reducción del tamaño de un solo transistor se detendrá a
7nm . Si bien técnicamente es posible producir nodos de 7nm con silicio, después de ese
tamaño aparecen algunos problemas, donde los electrones de silicio se unen tan
físicamente que experimentan el efecto de efecto túnel cuántico . El problema ya
conocido del límite de escala de CMOS convencional , debe ser resuelto en un futuro
próximo por las tecnologías de nanotubos de carbono [13].

A medida que los transistores se hacen más pequeños, es más difícil controlar la forma en
que los electrones se mueven a través del canal de silicio para encender y apagar el
transistor. Una solución a este problema ha resuelto a Intel, por ejemplo, al desarrollar el
primer transistor 3D Tri-Gate de 22 nm para producción masiva en 2012 [14]. A pesar de
esto, el futuro de las tecnologías de conmutación de pequeñas tecnologías de nanotubos
de carbono será un reemplazo para la tecnología de silicio.

Los transistores de nanotubos de carbono son la tecnología prometedora para


obtenertransistores de longitudes de canal inferiores a 7 nm y continuar con el
cumplimiento de la ley de Moore. A partir de los diversos tipos de transistores, los FET,
especialmente en forma CMOS, han demostrado ser las estructuras de dispositivos
tecnológicamente más útiles en electrónica. Analogy, los transistores de nanotubos de
carbono se han desarrollado utilizando esta tecnología CMOS y se denominan de hecho
CNTFET en similitud con el transistor de efecto de campo de silicio. Los CNTFET
representan una tecnología emergente para ampliar y / o complementar el tradicional
MOSFET de silicio.

Los transistores de efecto de campo de nanotubos de carbono fueron demostrados en la


universidad de Delf por el grupo de Dekker y el grupo de Avouris en IBM en 1998. [15]

La Figura 3 muestra un prototipo inicial de un CNTFET fabricado con un nanotubo de


pared única (SWCNT). Dos electrodos de metal noble prefabricados por litografía se
usaron como fuente y drenaje, el nanotubo de carbono se usó como un canal y la oblea
pesadamente dopada como una puerta. El transistor se construyó sobre una oblea de
silicio oxidado y se realizó mediante la inserción de un semiconductor SWCNT entre la
fuente y el drenaje en transistores de efecto de campo (FET), para crear una "carretera"
para la circulación de electrones. Los tubos semiconductores de una sola pared (SWCNT)
son los más adecuados para los CNTFET porque su sistema de electrones no se
sobrepasa por los caparazones internos.
Figura 3: primer transistor de nanotubos de
carbono. Abajo: sección esquemática del CNTFET [16]La corriente entre la fuente y el
desagüe se puede activar, o desactivar, aplicando un pequeño voltaje a la compuerta, lo
que hace que la conductividad del nanotubo cambie en un factor mayor que 10 6 ,
comparable con el FET de silicio. Como resultado, los CNTFET cambiarían sin error y
consumirían menos energía que un dispositivo de silicio. Además, las velocidades de
conmutación pueden alcanzar terahertz, lo que significa de conmutación 10 4 veces más
rápido que los procesadores actuales.

Figura 4: curvas I-V_G para V_SD = 10-100 mV en pasos de 10 mV. El recuadro muestra
que la compuerta modula la conductancia en 5 órdenes de magnitud (V_SD = 10 mV)
En 2016, los investigadores de la Universidad de Wisconsin-Madison crearon los primeros
transistores de nanotubos de carbono que superan el rendimiento de los últimos
transistores de silicio[17] [18]. Creo importante señalar que el documento mencionado fue
publicado como de código abierto. Este enfoque transistor adopta una serie de nanotubos
de carbono densamente empaquetados para el canal en lugar de uno solo como era. Los
CNT se depositan en obleas de silicio con 15 nm de SiO2, que produce densas matrices
de CNT que permanecen aisladas.

El SiO2 se emplea como un dieléctrico de compuerta trasera FET y el sustrato de Si se


utiliza como electrodo de compuerta. Los electrodos de origen y drenaje consisten en
capas de paladio de 30 nm de espesor. El ancho del canal es 4μm y la longitud varía de
95 a 340 nm.

Figura 5: Esquema de la matriz CNT que se encuentra en una puerta posterior SiO2 / Si
(G) con electrodos superiores de fuente P (S) y de drenaje (D). [18]La curva característica
de las matrices CNT se puede ver en la Figura 6. Este enfoque de transistor en el formato
de una matriz en la que el transporte cuasibalístico se impulsa simultáneamente a través
de muchos CNT ajustadamente empaquetados en paralelo, mejorando notablemente el
impulso de corriente absoluto de la FET de silicio. Este rendimiento se logra debido a la
excelente alineación y espaciamiento combinados de los CNT, algún tratamiento de
posdeposición en los CNT y la alta pureza de tipo electrónico de los CNT
semiconductores.

Con este transistor, el rendimiento de los MOSFET de silicio de última generación se


compara por primera vez con un espesor de óxido de puerta equivalente y con la misma
densidad de corriente de estado de apagado, como se muestra en la Figura 7.
Figura 6: barrido hacia delante de curvas IDS-VGS para un FET con Lch = 100 nm donde
los símbolos abiertos y rellenos se trazan en escalas lineal y logarítmica,
respectivamente. [18]

Figura 7: Evaluación comparativa del rendimiento del FET del conjunto de CNT contra los
MOSFET de Si [18]

Conclusión
La industria actual de investigación y semiconductores se está moviendo hacia
tecnologías más nuevas para superar los límites fundamentales que restringen su
aplicabilidad para futuras aplicaciones electrónicas principalmente en términos de tamaño,
consumo de energía y velocidad. La alta conductividad y la estabilidad excepcional de los
nanotubos metálicos los hace excelentes candidatos para su uso futuro en
electrónica. Desde la primera demostración de funcionalidad realizada por la universidad
de Delf en 1993, los CNTFET se han desarrollado ampliamente en muchas direcciones,
pero aún quedan muchos problemas por resolver: arquitectura, métodos de construcción,
impurezas de CNT, síntesis SWCNT, alineación o dispositivo de CNT. reproducibilidad del
dispositivo, entre otros. El camino hacia el desarrollo de la electrónica CNT todavía no
está establecido y tomará décadas establecer una nueva era de semiconductores.

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