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Informe de Circuito amplificador mediante transistor BJT en configuración emisor común y colector común
(Universal). – UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA

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I. MATERIALES

Informe de Circuito Instrumentos

amplificador mediante • Generador de señales Wavetek

• Osciloscopio Rigol.
transistor BJT en Multímetro.
• Fuente DC. Componentes
• Resistencias (2K , 8.2K, 10K , 51K)
configuración emisor • Transistor 2N2222
• Protoboard
común y colector • Cable para conexiones.
• 3 Condesandores (10uF)
común (Universal).
II. CALCULOS
.Yesid Antonio Romero Mora, Grupo 1, Subgrupo 3, Se eligio una configuracion comun en DC para los dos
96053103747 circuitos

Abstract—En este Informe se expone el análisis de la practica

que se realizo en el laboratorio referente a transistores bjt en
configuración emisor y colector común , para esto se midieron
las propiedades principales del circuito in situ , teniendo
previamente establecidos los materiales empleados como
resistencias y capacidad de los condensadores , calculados en el
anterior preinforme.

IndexTerms—Emisor Comun, Colector Comun.

I. INTRODUCCION

L OS transistores son dispositivos electrónicos

Semiconductores que son utilizados para generar una señal de
salida deseada a partir de una señal de entrada, tiene funciones Figura ) Onda de entrada
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.

A) Diseño
Su uso se encuentra en la mayor parte de los dispositivos
electrónicos usados en la actualidad que van desde radios, Se propuso un voltaje de 10V y una resistencia de 2K para
televisores, computadores, teléfonos, etc…. Su uso dio inicio Resistencia Emisor , apartir de aca determinamos la resistencia
a los circuitos integrados que ayudaron a dar una revolución en colector
electrónica permitiendo cada vez aparatos más eficientes y
Veloces respecto a los anteriores Para un modelo en uso RC ≥ 4R𝐸
inverso se tiene 𝑅𝐶 = 8𝐾
Comercialmente 8.2K

Se aplica la condicion

(β + 1)RE ≥ 10 ∗ RB2

Se obtiene Beta apartir del datasheet del transistor en este caso

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se empleo un 2N2222 , Para interpretar el Beta del transistor lograr determinar

se calcula la corriente en la resistencia de colector dandonos la
corriente de colector siendo asi 𝑅𝐵1 ≈ 50606 𝑂ℎ𝑚𝑠

𝑅𝐶 = 8𝐾 Por lo cual se elige una resistencia de 51K comercial.

𝑉 = 𝐼𝑅 Para los condensadores se tuvo en cuenta de la formula para el

condensador de entrada
4𝑉𝐶𝐶
𝑉𝑅𝐶 = = 4𝑉 1
10 < 2𝜋𝑓𝑙𝑜𝑤
𝑅 ⋮⋮ 𝐶1
4𝑉
𝐼𝐶 = = 0.0005𝐴 = 0.5𝑚𝐴 1
8𝐾 = 𝑅𝐵 ⋮⋮= 8360.66
1 1
+
51𝐾 10𝐾
La siguiente figura muestra la tabla de datos para la ganancia
de beta de acuerdo a su corriente en colector y su polarizacion 𝐶1 > 312𝑛𝐹

Para el condensador de entrada C1

Para el condensador de salida en colector para emisor comun

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< 2𝜋𝑓𝑙𝑜𝑤
𝑅𝐶 ⋮⋮ 𝐶2
En este caso se estima que es de 40B para obtener la siguiente 𝑅𝐶 = 8.1𝐾
resistencia R2 Se aplico finalmente entonces la condicion
𝐶1 > 2.65𝑛𝐹
(β + 1)RE ≥ 10 ∗ RB2
Para el condensador en emisor
Dando como resultado 10K debido a que se encuentra
comercialmente esta resistencia 1
≪ 2𝜋𝑓𝑙𝑜𝑤
2𝜋𝑓𝑚𝑖𝑛 ∗ 𝑅𝑒
Teniendo ya en cuenta esta resistencia de RB2=10K
𝑅𝐸 = 2𝐾
Se aplica divisor de voltaje

10(10𝑘) 𝐶𝐸 ≫ 1.32𝜇𝐹
= 𝑉𝐵
10𝐾 + 𝑅𝐵1 Siguiendo los parametros anteriores se escogieron tres
condesadores que no saturaran la salida asi que se implemento
Para determinar el voltaje en la base se toma en cuenta la
maya del circuito de abajo
C1=C2=C3=10 uF
𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸
RB1=51K
RB2=10K
𝑉𝐵 = 0.7 + 1𝑉 = 1.7
RC=8K
RE2K
Se determino el voltaje Emisor base apartir del datasheet
Analisis AC

Emisor Comun

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐵1 ∷ 𝑅𝐵2 ∶: ℎ𝑖𝑒 = ℎ𝑖𝑒 ≈ 100

Teniendo encuenta la siguiente tabla y para la corriente IC
dada se determina un voltaje en base emisor de
𝑍𝑜𝑢 = 𝑅𝐶 ∷ ℎ𝑜𝑒 = 𝑅𝐶 ≈ 8.2𝐾
aproximadamente de 0.7 ya teniendo presente esto se puede
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𝐴𝑖 = 𝐵 ≈ 200
700
𝐴𝑣 = 200( ) ≈ 17.28
8200

𝐴𝑝 = 200 ∗ 17.28 = 3456

Colector Comun

Analisis AC Emisor Común 𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐵1 ⋮⋮ 𝑅𝐵2 ⋮⋮ 𝐻𝑖𝑒 = ℎ𝑖𝑒 =

800 𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝐶 ⋮⋮ ℎ𝑜𝑒 = 2𝐾 𝐴𝑖 = 𝐵 = 50 𝐴𝑣 = 𝐵 ( 𝑟𝑐 ℎ𝑖𝑒 ) =
125 Colector Comun 𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐵 ⋮⋮ 𝑅𝐸(𝐵 + 1) = 𝑅𝐵 = 8500
𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝐸 = 8𝐾 𝐴𝑖 = 𝐵 = 50 𝐴𝑣 = 𝐵 ( 𝑅𝐸 𝑅𝐵) = 1

III SIMULACION

Se montaron los datos en el simulador obteniendo unos datos

muy similares a los teóricos dando una polaricacion de punto
de carga de 4.97 muy parecido al 5 esperado teoricamente

La figura anterior muestra las corrientes principales

IC,IB,IE

Comprobando que comple los datos teoricos

DATOS Teórico Simulación

B 24.3902 21.0084
IB 2,05 uA 2,38 uA
IC 0.5 mA 0.50 mA
IE 0.5 mA 0,51 mA
VB 1,7 V 1,65 V
VE 1V 1,01 V
VC 4V 4,02 V
La figura anterior muestra los voltajes en circuito DC VBE 0,7 V 0,64 V
VCE 5V 4,97 V
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Finalmente para el circuito de emisor comun

Se simulo de la siguiente manera

II. CONCLUSION
Se puede concluir que se logro definir el origen del
funcionamiento de los semiconductores en donde se muestran
conceptos de electron de conduccion, hueco, y el por que de el
comportamiento de la corriente en un semiconductor.
Tambien su construcion su regiones de dopado en dos regiones

El panel anterior muestra el control de las señales de salida

mostradas atraves del osciloscopio

Para el circuito en Colector Comun

El siguiente es el grafico de la amplitud de salida amarilla

respecto a la amplitud de entrada azul aunque se encuentran a
diferente excala para la azul 2mV y para la Amarilla de 50mV
Teniendo presente ese se logra ver que el beta es de
aproximadamente 25
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III PRACTICA LABORATORIO

Para la practica lo primero que se realizo fueron las medicion

en DC de las corrientes y voltajes del circuito atra ves de los
10V

Para el grafico anterior se ajustaron las dos señalas a la misma

medicion de escala 2mV demostrando asi que la señal de
entrada tiene la misma amplitud que la señal de salida

A) Midiendo VCE

Comprobando el punto de carga si se encuentra bien ubicado

para esto se tomo el multimetro en medicion de voltaje

El grafico anterior muestra la consola de ajuste de onda para la

señal de entrada y salida de la configuracion de colector comun
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Siendo asi nos arrojo el voltaje de

Para esta region del circuito el valor teorico es 1V , Valor

simulado 1.01 y el valor practico arrojado fue el siguiente

Un poco aproximado al punto de polarizacion estimado para la

Teoria de 5V y Simulacion de 4.97

A) Midiendo VE

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Se obtuvo 1.03 V casi el mismo que el valor teorico estimado y
simulado.
B) Medicion para VC
En este caso el valor que se obtuvo Teorico 4V y para el valor
en la simulacion 4.02 teniendo en cuenta que se utilizo una
resistencia de 8.2k
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Muy relacionado a lo que se esperaba para la resistencia
comercial
C) Medicion de Voltaje Base-Emisor
En este caso se estimo para el dato teorico según lo propuesto
en el preinforme anexo el valor de VBE propuesto por el
fabricante en el datasheet según el punto de carga IC de salida
en este caso se involucro en el TEORICO 0.7 para la simulacion
haciendo medicion se obtuvo SIMULACION 0.65 y para la
practica el voltaje arrojado fue el siguiente
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D) Para el Voltaje de Base

En este caso se propuso un divisor de voltaje en el teorico que

demostro el voltaje en base daba un resultado de 1.7 , para el
caso de la SIMULACION arrojo un resultado 1.65 y para la
practica demostro un resultado de 1.647 V

Imagen de la toma de datos

Imagen de toma de medicion VB

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E) Para la corriente IB La onda de entrada y de salida respecto a la señal que se mostro

en el osciloscopio
En este caso se utilizo los multimetros puestos en serie para los
circuitos se puso el multimetro entre la resistencia R2 Y la Base Señal de salida amarilla
en modo amperaje diendo una corriente de 19.7 uAmp,
respecto a la simulada 23.8 uAmp y Teorica de 20.3 uAmp GRAFICA COMPARATIVA

Teniendo presente esto se permite sacar el beta del transistor

con los datos de la practica

0.5𝑚𝐴
𝛽= ≈ 25
0.0197𝑚𝐴

F) Para la corriente IC

Se utilizo el multimetro en modo amperaje para corriente

directa y se posiciono respecto a la pata del transistor y la
resistencia de colector logrando medir 0.518 Amp muy cercano
al valor que se tenia TEORICO 0.5 y SIMULADO 0.5 Amp

G) Para la corriente IE

Se posiciono el multimetro entre la pata del emisor y la

resistencia de emisor puesto en modo amperaje en corriente
continua arrojando 0.5 mA para la practica respecto al
TEORICO 0.5 mA y el simulado 0,51 mA

Para el circuito en AC

Se comparo en EMISOR COMUN

Con una frecuencia de 2403 Hz

Imagen del circuito montado en la protoboard

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Para colector comun

En este caso el voltaje de salida respecto al de entrada que arrojo

el circuito fue el siguiente

Como se esperaba no hubo un aumento por parte de el voltaje

entre la salida y la entrada

GRAFICA COMPARATIVA
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COMPARACION ENTRE GANANCIAS DE VOLTAJES

TEORICAS VS PRACTICAS

Ganancias VOLTAJE
TEORICA SIMULADA PRACTICA
B 24.3902 21.0084 24.7925

DETERMINANDO EL ANCHO DE BANDA

Para la frecuencia alta se toma

Para la frecuencia normal se tiene 3.8 V

En este caso la frecuencia se redujo a 3.60 hallando f1=2148.4

Hz
Para la frecuencia alta
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En este caso la frecuencia se aumento hasta conseguir la

variacion f2= 111460 hz

ANCHO DE BANDA = 111460-2148.4= 109311.6 Hz

IV CONCLUSIONES

REFERENCES
[1] Dispositivos Electronicos , 2nd ed. , Thomas L. Floyd, Ed. New York:
McGraw-Hill, 1964, pp. 15–120.
[2] Electronica : Teoria de Circuitos y Dispositivos Electronicos , Decima
[3] edicion , Robert L.Boylestad ,2009, pp. 15–135.
[4] Proteus 8 Simulador de circuitos.