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Crescimento e Caracterização de Cristais de GaSb por

Czochralski com Líquido Encapsulante
V Mostra de
Pesquisa da Pós-
Graduação

Morgana Streicher1, Berenice Anina Dedavid1 (orientador)

Programa de Pós-graduação em Engenharia e Tecnologia de Materiais1, PUCRS1

Introdução
Desde o início da década de 70, os compostos semicondutores III-V passaram a ser
objeto de interesse para a microeletrônica em dispositivos de baixo consumo de energia e alto
desempenho. O antimoneto de gálio (GaSb) é um destes compostos III-V para aplicações em
laser infravermelho, fotodiodos, conversores termofotovoltaico. Equipamentos portáteis como
handheld e satélites onde a principal exigência é uma autonomia de energia também são
aplicações indicados ao GaSb devido ao seu parâmetro de rede. O GaSb eleito como o melhor
substrato para a formação de heterojunções, por compatibilidade de sua rede com todos os
compostos III-V, entre eles compostos ternários (adição de In) e quaternários (adição de In e
As). (Lioutas, 2009) A tendência em direção ao baixo consumo de energia e alta velocidade
de processamento cresce diretamente com o parâmetro de rede dos semicondutores utilizados.
O método Czochralski conhecido também como método de puxamento de cristais é
um dos métodos mais utilizado para o crescimento de cristais de compostos semicondutores
III-V. Neste método uma semente monocristalina com plano cristalográfico conhecido toca o
banho e após a formação de um menisco positivo, a semente em rotação, é lentamente puxada
formando o cristal.

Metodologia
Para a obtenção do cristal de GaSb utilizou-se o método Czochralski com Líquido
Encapsulante. Como encapsulante utilizou-se o B2O3 (óxido de boro) e Na3AlF6 (fluorita). O
GaSb foi tratado com uma solução de HCl 50%, para retirar óxidos superficiais, lavado com
água destilada e secado com N2 seco. Após foi colocado em um cadinho de quartzo (tratado
com solução de 20%HF por 24horas). Sobre o GaSb no cadinho colocou-se o encapsulante,
em quantidade suficiente para cobertura total e a visibilidade do banho. A temperatura de

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fusão do GaSb é de 720°C. A semente toca o banho em uma temperatura próxima a

temperatura de fusão para garantir uma interface S-L plana e assim garantir a
monocristalinidade do cristal. O índio adicionado no banho na forma de InSb foi utilizado
como dopante. Todo o processo foi realizado em atmosfera de argônio.
A semente de GaSb utilizada com direção cristalográfica <111>, foi presa no porta-
semente com um fio de cobre e mantida em movimento constante de rotação a fim de
favorecer a simetria térmica do banho. O controle da temperatura foi feito com um termopar
dentro da câmara de crescimento. Parâmetros como a velocidade de puxamento, a rotação da
semente e o controle da temperatura foram realizados manualmente.

Resultados e Discussão
O cristal obtido mediu quatro centímetros, recebeu tratamento para a remoção do
líquido encapsulante de sua superfície e foi analisado por Microscopia Eletrônica de
Varredura (MEV). Onde foram observadas estrias rotacionais ao longo do cristal, como
demonstra a Figura 1.

(a) (b) (c)

Figura 1. Imagem do MEV da superfície do cristal do cristal. (a) início, média das estrias de 107,25µm. (b)
meio, média das estrias 46,5µm. (c) fim, média das estrias 113,7µm

A distância entre as estrias permite obter informações sobre a velocidade real de

crescimento ou cristalização (v), sendo que, a distância entre duas estrias consecutivas
corresponde a uma volta completa do cristal (2π). Conhecendo a velocidade de rotação
utilizada (w) e a distância (d) média entre as estrias é possível obter a velocidade de
cristalização com a equação v = d . w . As estrias ao longo do cristal não apresentaram valores
aproximados, o que demonstra uma variação na velocidade de puxamento. (Melchior, 2009)
Para análise no Microscópio óptico (MO) o cristal foi polido e com um ataque químico
(solução de H2O2+H2SO4 [1:1]) seletivo para discordâncias, estrias e maclas foram obtidas as
imagens na Figura 2.

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Cristais obtidos pelo método Czochralski frequentemente apresentam heterogeneidade

na distribuição de impurezas tanto em escala macro e microscópica. A heterogeneidade
macroscópica é devida à presença de uma região facetada na qual a concentração de
impurezas difere do restante do cristal como mostra a Figura 2c. Por outro lado a
heterogeneidade microscópica aparece na forma de estrias segregacionais devido à presença
de gradientes térmicos no banho e discordâncias (Figura a e c). (Costa, 1996)

(a) (b) (c)

Figura 2. Microscopia óptica. (a) Estrias. (b) Maclas. (c) Facetas e pits de discordâncias.

Foram observados baixos EPD (densidade de discordâncias) ao longo do cristal. Na

região próxima a semente o números de “pits” foi bem mais acentuada do que no restante do
cristal. Isso pode ter sido conseqüência das várias tentativas de puxamento, quando a semente
fria toca o banho, e provoca tensão no cristal que esta se formando.

Conclusão
As micrografias mostram que durante o processo ocorreram variações na velocidade
de puxamento e na temperatura do banho influenciando na qualidade estrutural do cristal
obtido, sendo observados diferentes tamanhos de estrias rotacionais ao longo do cristal e
defeitos como maclas e discordâncias.

Referências
COSTA, E. M Dedavid, B. A. Estudo de facetas e estrias segregacionais em monocristais de GaSb dopados com
Te e crescidos por LEC. Revista de Física Aplicada e Instrumentação, v. 11, p. 114-118, 1997.

LIOUTAS, Ch. B., Zoulis, G., Konidaris, S., Polychroniadis, E. K., Stróz, D. On the structures imperfections of
bulk GaSb using high resolution transmission electron microscopy. Micron, v.40, p 6-10, 2009.

MELCHIOR, J. G. Desenvolvimento e implementação de um sistema automatizado para o crescimento de

monocristais semicondutores através do método Czochralski. Porto Alegre. 2009. 121p. Dissertação (Mestrado
Engenharia e Tecnologia dos Materiais) Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul. Brasil.

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