Laboratorio de Sistemas de Potencia

Modelamiento del equivalente del transformador de potencia empleando

ensayos de cortocircuito y vacío.
Modelamiento del equivalente del transformador de potencia
empleando ensayos de cortocircuito y vacío.

1. Introducción:
En este laboratorio se mostrará como realizar el proceso de cálculo mediante
el Mathcad, del circuito equivalente en estrella de un transformador trifáico
empleado en una subestación de transformación.
Esto se realiza a partir de valores nominales y de los datos de los ensayos
proporcionados por el fabricante.

2. Acondicionamiento de los datos.

En primer lugar se inicia el proceso de calculo asignando los valores
mostrados en la tabla 2.1 a un conjunto de variables con las que el programa
va a operar posteriormente.

Introducción y acondicionamiento de los datos

frecuencia:
M.  50 Hz
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S UATn
Sntrif Sbase
U U
Con estos valores nominales
ntrif
Tn
se definen los valores
V base, para el posterior cálculo de
BTn
ATn
Sbase  nominal de AT: IUBTn
tension Aa
TnV 30000V  Ibase
VBTnATn
valores
tension
Potencia
relación
Intensidad p.u.:
nominal
de
aparente:
3nominal
tensiones:
de BT:
AT:Vbase 
Sntrif
UA BTn 
12MVA
U3BTn
BTn ATn
13800V
VBTn IaBTn Sbasetrif
 2.174
ATn V
230.94011
502.044baseA
Sntrif
3A3 ATn  7967.434
VBTn 17320.508
VV
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ensayos de cortocircuito y vacío.

3. Ensayo de vacío:
Los datos proporcionados del ensayo de vacío nominal están referidos al lado
de baja tensión, siendo su valor:
Primer ensayo: UBT0  13800V
 IBT0  0.7028A
 W 0trif  11629W

Con objeto de obtener el circuito equivalente monofásico por el lado de alta
tensión se refieren estos datos del ensayo de vacio al lado de alta tensión,
definiéndose las siguientes variables:
referido al lado AT: UAT0  UBT0  a UAT0  30000V

IBT0 W 0trif
IAT0  IAT0  0.323A W 0 
a 3
UBT0
para el monofasico equivalente: VBT0  UAT0 W 0trif
3 VAT0  W 0 
3 3

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Ademas, con el objeto de poder obtener la curva de vacío del transformador, se
disponen de un ensayo de vacío adicional, con los siguientes datos:
Segundo ensayo:
U0BTb  15180V
 I0BTb  1.6065A
 W 0btrif  16139W


U0BTb W 0btrif
V0BTb  W 0b 
3 3

4. Ensayo de medida de resistencias:

Con los datos del ensayo de medida de resistencia se pueden definir las siguientes
variables:
1
RATbornestR  0.3425
 RBTbornestR  0.053643
 tR  18  
234.5
Para obtener el circuito equivalente en estrella se emplean las resistencias:

RATbornestR
equivalente estrella: RATtR  RATtR  0.17125
2

RBTbornestR
RBTtR  RBTtR  0.026822
2

5. Ensayo de cortocircuito
Como los datos del ensayo de cortocircuito están referidos al lado de alta
tensión, se definen las variables:

IATcc  230.94011A
 UATcc  2548V
 W cctcctrif  57742W
 tcc  18
Para obtener el circuito equivalente monofásico referido al lado de alta tensión, se
definen las variables:
UATcc W cctcctrif
VATcc  W cctcc 
3 3

UBTcc
VBTcc 
3

Por facilidad de calculo tambien mostramos los equivalentes en BT con las formulas:

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si se referiere al lado BT: IBTcc  IATcc  a IBTcc  502.044A

UATcc
UBTcc  UBTcc  1172.08V
a

Una vez tratados los datos de los ensayos de cortocircuito y de medida de

resistencias se van obtener las pérdidas de cortocircuito a 75°C. Para ello se realiza
un cálculo que permite separar las pérdidas por Joule de las pérdidas adicionales en
los bobinados, empleando el circuito monofásico equivalente.
Si se refiere el ensayo de medida de resistencias a la temperatura del ensayo de
cortocircuito, se obtiene:
1
 tcc

RATtcc  RATtR  RATtcc  0.17125
1
 tR


1
 tcc

RBTtcc  RBTtR  RBTtcc  0.026822
1
 tR


Las pérdidas de joule a la temperatura del ensayo de cortocircuito, tcc, son:

2 2
PJtcc  RATtcc  IATcc  RBTtcc  IBTcc PJtcc  15893.636W

Además, las pérdidas adicionales a la temperatura del ensyao de cortocircuito, tcc,

son:

Padtcc  W cctcc  PJtcc Padtcc  3353.697W

Con lo que a 75°C se obtienen los siguientes valores:

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1
 75

PJt75  PJtcc PJt75  19481.506W
1
 tcc


1
 tcc

Padt75  Padtcc Padt75  2736.053W
1
 75


W cct75  PJt75  Padt75 W cct75  22217.56W

Que para el caso del transformador trifásico toman un valor de:

W cct75trif  W cct75 3 W cct75trif  66652.68W

6. Calculo del circuito equivalente:

Una vez acondicionados los datos de los ensayos, se procede al cálculo del
circuito monofásico equivalente en estrella, para lo cual se calculan los parámetros
de la rama de vacío y de la impedancia equivalente.
6.1. Cálculo de la rama de vacío:
La resistencia de la rama de vacío, referida al lado de alta tensión, se
puede obtener mediante la siguiente expresión:
2
VAT0
referido al lado AT: R0AT  R0AT  77392.725
W0

Si se desea referirla al lado de baja tensión:

2
VBT0
referido al lado BT: R0BT  R0BT  16376.301
W0

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La reactancia de la rama de vacío, Xoat , se va a indicar mediante su curva de
saturación, expresada en valores por unidad, ya que es la forma en que
habitualmente se debe proporcionar este valor a las herramientas de modelización.
Para obtener las curva VI de esta reactancia es necesario disponer de datos de
ensayos de vacío, realizados a diferentes tensiones. Con estos datos se obtienen el
valor de la intensidad magnetizante del transformador en ambas situaciones:
2
2  W0 
Imaga  IBT0   Imaga  0.507A
 VBT0 

2
2  W 0b 
Imagb  I0BTb    Imagb  1.485A
 V0BTb 
Sntrif Sbase
los debemos referir al valor p.u. Sbase  Vbase  VBTn Ibase 
3 Vbase
Imaga
VBT0 Imagapu 
V0apu  Ibase
Vbase
Imagb
V0BTb Imagbpu 
V0bpu  Ibase
Vbase

V0apu  1 Imagapu  0.00101

V0bpu  1.1 Imagbpu  0.002957

6.2. Cálculo de la impedancia equivalente:

Partiendo de los datos de ensayo de cortocircuito original se tiene que,
referido al lado de alta tensión:

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W cctcc
ReATtcc  ReATtcc  0.361
2
IATcc

VATcc
ZeAT  ZeAT  6.37
IATcc

2 2 XeAT
XeAT  ZeAT  ReATtcc XeAT  6.36 LAT 
2   f

Refiriendo la resistencia a 75º:

W cct75
ReAT 
2
IATcc

ReAT  0.417 LAT  20.244mH XeAT  6.36

El circuito equivalente por tanto se puede apreciar en la siguiente figura:

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Para la reactancia magnetizante:

V0apu  1 Imagapu  0.00101

V0bpu  1.1 Imagbpu  0.002957

7. Ejercicios propuestos:
Por tanto con la finalidad de complementar el trabajo:
Compare los resultados de un transformador con los siguientes ensayos:

Prueba transformador 1:

Prueba transformador 2:

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Definir:
a. Muestre los dos circuitos equivalentes.
b. Indicar cual transformador presentará la menor corriente magnetizante.
c. Cuales de los 2 transformadores presentan las menores perdidas Fe.
d. Cual transformador presenta la menor impedancia equivalente.
e. Grafique las curvas VI con las corrientes y tensiones.

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