En el transporte en nanoestructuras sobre todo a los estados de las bandas de conducción del sistema de GaAs/AlGaAs, consideramos la forma de los estados electrónicos en un sistema de heterouniones en capa. Los estados electrónicos en los sistemas de GaAs/AlGaAs son los descritos más fácilmente dentro de la aproximación de masa efectiva (EMA). Siempre y cuando los asociamos con estados de la misma simetría a través de la heterounion tal como r electrones del valle en GaAs y AlxGa1-xAs (x menos de 0.44 por el comportamiento de Gap directo) el movimiento de partículas en relación con el borde de la banda se encuentra resolviendo la ecuación de sobre función;
Dónde: m(z) es la masa efectiva perpendicular a la heterointerfase, mII es la masa paralela a la
interfaz donde r es el vector de posición paralela a la interfaz y z es la dirección perpendicular a la interfaz. La validez de la EMA requiere la función ¥(𝑟, 𝑧) varíe lentamente bajo dimensiones comparables a la celda de la unidad del cristal.
Dónde: EC(z) es la discontinuidad de la banda de conducción de heterounion
Veff es la energía potencial eficaz normal a la interfaz VD(z) es el potencial electrostático debido a los donantes y aceptes ionizados Vee(z) is the one electron self-consistent Hartree and exchange -correlation potentials due to free carriers within the local density approximation.
Puesto que para el sistema de heterounion la variación potencial está solamente en la dirección z, la solucion es separable como:
Correspondiente al movimiento del electrón libre en el plano paralelo a la interfaz donde k es el
vector onda en el plano paralelo a la interfaz, A el factor de normalización, es el área lateral del sistema y n los estados propios en la dirección normal.
La energía total relativa a la banda mínima (máxima) es pues:
Asumiendo bandas parabólicas para la simplicidad. La continuidad requiere que la ecuación en función de (z) sea continuo. Para variaciones abruptas en el material, la conservación de la corriente de la probabilidad requiere que sea continuo.
2.2.1. Los pozos cuánticos y los sistemas de cuasi-bidimensionales.
La diferencia de bandgap se distribuye entre
las bandas de Valencia y de conducción de tal manera que tanto los electrones como los agujeros se confinan a la capa GaAs con bandgap más pequeña. Tal heterounión es referido como un sistema de tipo I.
Las mediciones basadas en estudios
fotoluminicencia de sistemas de huecos cuanticos encuentran que aproximadamente el 65% de la diferencia bandgap aparece como la discontinuidad de la banda de conducción.