UNIDADES TECNOLOGICAS DE SANTANDER

Laboratorio de Electrónica I
Ing. LEANDRO IGNACIO PATIÑO CASTILLO

PRACTICA No. 1
CARACTERISTICAS DEL DIODO

DURANCIÓN: 1 SEMANA

OBJETIVOS:

 Medir los efectos de la polarización directa e inversa en la corriente de un

diodo.
 Determinar de manera experimental las características de un diodo y
graficarlas.

MATERIALES:

CANT. ELEMENTOS
2 Diodos de Silicio (1N4004), o su reemplazo.
2 Diodos de Germanio (1N34A – 1N4454), o su reemplazo.
2 Resistencias 250 Ω, 500 Ω a 1/2 Watt.
2 Puntas DC o de Fuente.
1 Multímetro
1 Protoboard
1 Pinza
1 Conector tipo festo
Especificaciones técnicas u hojas de datos de cada diodo.

NORMA DE SEGURIDAD:
Cuando se realicen mediciones asegúrese que está usando la modalidad correcta
en el instrumento de medición. No medir corriente cuando el instrumento esté en
la escala de voltaje.

1. POLARIZACIÓN DEL DIODO.

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1.1 Identifique los extremos del ánodo y cátodo de un diodo de silicio 1N4004 y
arme el circuito mostrado en la figura 1.

1.2 Ajuste la salida de la fuente de DC de modo que el voltaje medido en el diodo

sea 0,7v. Mida y registre en la tabla 1 la corriente que circula a través del
diodo.

1.3 Invierta el diodo y mida ID, registre los resultados en la tabla 1.

1.4 Mida el voltaje en el diodo (VD) en polarización inversa, registre en la tabla 1,

calcule el valor de la resistencia del diodo (VD/ID).

1.5 Retire el diodo del circuito y mida con el multímetro su resistencia al estar
conectado en directo. Repita el procedimiento con el diodo conectado en
inversa. Registre los resultados en la tabla 1. Explique los resultados.

1.6 Realice los pasos 1.1, 1.2, 1.3, 1.4 y 1.5 para el diodo de Germanio. Registre
los resultados en la tabla 2.

Id Vd
-

Figura 1. Circuito para prueba

Paso VD ID Resistencia del diodo

1.2 0,7v
1.3; 1.4
1.5 x x Directa : Inversa:
Tabla 1
Paso VD ID Resistencia del diodo
1.2 0,3v
1.3; 1.4
1.5 xx Directa : Inversa:
Tabla 2
2. CARACTERÍSTICA VOLTAJE CORRIENTE.

2.1 Con el diodo en polarización directa, Ajuste la fuente de DC variable de

acuerdo con los valores de VD que se muestran en la tabla 3. Mida y anote el
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valor de ID para cada valor de VD, tanto para el diodo de silicio como para el de
germanio.

2.2 Invierta la posición del diodo de manera que quede con polarización inversa,
de nuevo ajuste la fuente de DC con los valores indicados en la tabla 2, mida y
anote el valor de ID.

2.3 Grafique la curva característica del diodo de silicio con los valores registrados
en la tabla 3, recuerde que sobre el eje “x” varía VD y sobre el eje “y” ID.

Polarización inversa
Polarización directa ID (mA)
VD (v) VD (v) ID (µA)
Silicio Germanio Silicio Germanio
0 0
0.1 -5
0.2 -10
0.3 -15
0.4 -20
0.5 -25
0.6 -30
0.7 x -40
0.8 x -50
0.9 x -60
1 x -65
Tabla 3

2.4 Calcule la resistencia interna del diodo con dos puntos localizados en la parte
lineal de la porción de polarización directa de la curva obtenida con respecto a la
Tabla 3.

2.5 En la gráfica obtenida en el punto anterior, dibuje las curvas de la primera,

segunda y tercera aproximación del diodo para cada diodo.