INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA

DE BIOTECNOLOGÍA

Práctica #8

Dispositivos semiconductores
de potencia: SCR, TRIAC y DIAC
Laboratorio de Electrónica I
Prof. José Ernesto Pliego Sánchez
Prof. Ma. Guadalupe Flores

Grupo 4MM1
Equipo 5
Corona Dávalos Edson
Méndez Molina Chrystian Daniel
Ricart Ramírez Diana Laura

Ciudad de México, 16 de junio de 2017.

 PRACTICA No 8 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE
POTENCIA SCR, TRIAC, DIAC

OBJETIVO GENERAL

Conocer el funcionamiento y aplicación de los elementos electrónicos más comunes para

el manejo y control de potencia eléctrica.

OBJETIVOS PARTICULARES

• Identificar los parámetros fundamentales de los elementos de potencia Diodos,SCR,

DIAC, TRIAC, en las hojas de especificaciones del fabricante.
• Llevar a cabo la prueba de los dispositivos mencionados.
• Comprobar la operación de los tiristores en corriente directa y alterna.
• Implementar y experimentar aplicaciones.

INTRODUCCIÓN

Diodos de Potencia
Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad (o de
recuperación rápida) y Schottky, los diodos de uso general están disponibles hasta 3000V,
a 3500ª, y la especificación de los diodos de recuperación rápida puede llegar hasta 3000
V, 1000 A, el tiempo de recuperación inversa varía entre 0.1 y 5 μS, los diodos de
recuperación rápida son esenciales para la interrupción de los convertidores de potencia a
altas frecuencias, un diodo tiene dos terminales: un cátodo y un ánodo, los diodos Schottky
tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de recuperación muy pequeño,
típicamente en nanosegundos. La corriente de fuga aumenta con el voltaje y sus
especificaciones se limitan a 100 V, 300 A, un diodo conduce cuando el voltaje de su ánodo
es más alto que el de su cátodo; siendo la caída de voltaje en directa de un diodo de
potencia muy baja, típicamente 0.5 y 1.2 V, si el voltaje de cátodo es más alto que el voltaje
de ánodo, se dice que el diodo está en modo de bloqueo.

Figura 1. Diodo de Potencia

Tiristor (SCR)
Es un dispositivo electrónico que tiene dos estados de funcionamiento: conducción y
bloqueo, posee tres terminales: ánodo (A), cátodo (K) y compuerta (G), la conducción entre
ánodo y cátodo es controlada por la terminal de compuerta, se dice que es un dispositivo
unidireccional, debido a que el sentido de la corriente es único. Como su nombre lo indica,
el SCR es un rectificador construido con material de silicio con una tercera terminal para
efecto de control, se escogió el silicio debido a sus propiedades de alta temperatura y
potencia, la operación básica del SCR es diferente a la del diodo semiconductor de dos
capas, cuenta con cuatro capas y una tercera terminal denominada compuerta, determina
cuando el rectificador conmuta del estado de circuito abierto al de circuito cerrado, se debe
tener en cuenta que no basta con la polarización directa del ánodo al cátodo del dispositivo,
en la región de conducción la resistencia dinámica del SCR es típicamente de 0.01 a 0.1
ohms, la resistencia inversa es típicamente de 100 K ohms o más.
 Figura 2. SCR

La interpretación directa de la curva del tiristor nos dice lo siguiente: cuando la tensión entre
ánodo y cátodo es cero, la intensidad de ánodo también lo es, hasta que no se alcance la
tensión de bloqueo (VBo), el tiristor no se dispara, cuando se alcanza dicha tensión, se
percibe un aumento de la intensidad en ánodo (IA), disminuye la tensión entre ánodo y
cátodo, comportándose así como un diodo polarizado directamente.

Figura 3. Curva característica del SCR.

Si se quiere dispara el tiristor antes de llegar a la tensión de bloqueo, será necesario

aumentar la corriente de compuerta, la tensión de cebado ocurre cuando se polariza
inversamente, se produce una débil corriente inversa (corriente de fuga) hasta que alcanza
el punto de tensión inversa máxima que provoca la destrucción del componente.

DIAC
Es un componente electrónico que está preparado para conducir en los dos sentidos de sus
terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su tensión de
cebado o de disparo, hasta que la tensión aplicada entre sus terminales supere la tensión
de disparo, la intensidad que circula por el componente es muy pequeña, al superar dicha
tensión la corriente aumenta bruscamente.

Figura 4. DIAC

La aplicación más conocida de este componente es el de control de regular la potencia de

una carga.
 Figura 5. Curva característica del DIAC
TRIAC
El TRIAC es fundamentalmente un DIAC, con una terminal de compuerta para controlar las
condiciones de encendido bilateral del dispositivo en cualquier dirección, en otras palabras,
para cualquier dirección, la corriente de compuerta puede controlar la acción del dispositivo
en una forma muy similar a la mostrada para un SCR, sin embargo, las características del
TRIAC en el primer y tercer cuadrante son algo diferentes de las del DIAC, la corriente de
sostenimiento en cada dirección, no está presente en las características del DIAC.

Figura 6. TRIAC

Para cada dirección de conducción posible hay una combinación de capas de

semiconductor cuyo estado será controlado por la señal aplicada a la terminal de
compuerta.

Figura 7. Curva característica del TRIAC

DESARROLLO EXPERIMENTAL

Experimento 1
-Construir el circuito
correspondiente.
-Calcular valores entre A-B,
C-D Y A-E.
-Comparar valores Experimento 6
obtenidos -Construir el circuito.
-Conectar el circuito a la linea
de alimentacion.
-Cubrir la fotorresistencia hasta
que la lampara se apague.
-Realicr variaciones de luz y
sobra y observe el efecto en la
Experimento 2 lampara.
-Construir el circuito
-Calcular el voltaje de salida
-Comparar valores
experimentales.

Experimento 5
Experimento 3 -Construir el circuito
-Construir el circuito. -Conectar la carga en las terminales.
-Alimentar el circuito con 12v -Conectar el circuito a la linea de
-Medir el voltaje entre anodo alimentacion y cerrar S1.
y catodo del SCR. -Variar el pot R2.
-Cierre los interruptores S1 Y
S2.
-Con la perilla del pot ajustar
R2 hasta que el led encienda.
-Realice las mediciones de Ig,
Vak e Ik.

Experimento 4 a
-Construir el circuito
correspondiente
-Ajustar el voltaje a 12 v.
-Ciierre el interruptor S2 a partir de
cero, varie poco a poco y observe
en el osciloscopio.
Experimento 4 b
-Armar el circuito
-Con S1 abierto ajustar la fuente
de voltaje a 12 v.
-Verificar que el triac no se
encuentre en conduccion.
-Apague la fuente vdd y
enciendala de nuevo.
-Determinar el valor del voltaje
en el que el TRIAC encuentra la
conduccion.
RESULTADOS Y ANÁLISIS DE RESULTADOS

EXPERIMENTO 1 MULTIPLICADOR DE VOLTAJE

Figura 8. Diagrama de multiplicador de voltaje.

Los circuitos multiplicadores de voltaje se emplean para mantener un valor pico del voltaje
de transformador relativamente bajo al mismo tiempo que eleva el valor pico del voltaje de
salida a dos, tres, cuatro o más veces el voltaje pico rectificado.

La configuración del circuito duplicador de voltaje se muestra en la figura, al hacer la

suma de voltajes, obtenemos:
−𝑉𝑚 − 𝑉𝐶1 + 𝑉𝐶2 = 0
−𝑉𝑚 − 𝑉𝑚 + 𝑉𝐶2 = 0
𝑉𝐶2 = 2𝑉𝑚

Es obvio por el patrón de conexión del circuito que, cómo se pueden conectar diodos y
capacitores adicionales de modo que el voltaje de salida también pueda ser cinco, seis,
siete, etc., veces el valor del voltaje pico básico (VCA). En operación, el capacitor C1 se
carga por conducto del diodo D1 a un voltaje pico VCA durante el semiciclo positivo del
voltaje del secundario del transformador. El capacitor C2 se carga a dos veces el voltaje
pico 2 VCA desarrollado por la suma de los voltajes a través del capacitor C1 y el
transformador durante el semiciclo negativo del voltaje secundario del transformador.
Durante el semiciclo positivo, el diodo D3 conduce y el voltaje a través del capacitor C2
carga al capacitor C3 al mismo voltaje pico 2 VCA. En el semiciclo negativo, los diodos D2 y
D4 conducen con el capacitor C3, cargando al capacitor C4 a 2 VCA.
El voltaje a través del capacitor C2 es 2Vm a través de C1 y C3 es 3 VCA y a través de C2
y C4 es 4 VCA. Si se utilizan secciones adicionales de diodo y capacitor, cada uno se cargará
a 2Vm. Si se mide desde la parte superior del devanado del transformador se obtienen
múltiplos impares de VCA a la salida, en tanto que si se mide el voltaje de salida desde la
parte inferior del transformador se obtienen múltiplos pares del voltaje pico VCA.
El valor nominal de voltaje del transformador es de sólo VCA, máximo, y cada diodo en el
circuito debe tener un PIV nominal de 2 VCA. Si la carga es pequeña y los capacitores sufren
fugas pequeñas, este tipo de circuito es capaz de desarrollar voltajes de cd
extremadamente altos, utilizando muchas secciones para elevar el voltaje de cd.
EXPERIMENTO 2 MULTIPLICADOR DE VOLTAJE

Figura 9. Diagrama de multiplicador de voltaje.

En la configuración de este circuito encontramos dos multiplicadores de media onda, uno

positivo y uno negativo.
Durante el semiciclo de voltaje positivo a través del transformador, el diodo D1 en el
secundario conduce (y el diodo D2 se interrumpe) y así el capacitor C1 se carga hasta el
valor pico del voltaje rectificado (VCA). El diodo D1 es idealmente un cortocircuito durante
este semiciclo y el voltaje de entrada carga el capacitor C1 a VCA con la polaridad mostrada
en la figura 2.119a. Durante el semiciclo negativo del voltaje secundario, el diodo D1 se
interrumpe y el diodo D2 conduce y de ese modo se carga el capacitor C1. Como el diodo
D2 actúa como un cortocircuito durante el semiciclo negativo (y el diodo D1 está abierto).
Esto se duplica al pasar y polarizar D3 con el semiciclo positivo y D4 con el semiciclo
negativo.
La malla señalada sería un equivalente del siguiente circuito:

Entonces, al hacer la suma de voltajes, obtenemos:

−𝑉𝑚 − 𝑉𝐶1 + 𝑉𝐶2 = 0
−𝑉𝑚 − 𝑉𝑚 + 𝑉𝐶2 = 0
𝑉𝐶2 = 2𝑉𝑚

Es decir, que al medir entre 3 y 5 obtendríamos dos veces el voltaje del transformador.
Como la estructura del circuito se repite para D3 y D4, el voltaje de salida sería 4 veces el
voltaje del transformador:
𝑉𝑜 = 4𝑉𝑚 = 4(12 𝑉) = 48 𝑉
48−40.8
Obteniéndose un error de %𝐸 = ∗ 100 = 15%
48
Este error puede ser causado por que el voltaje del transformador no sea netamente 12 V,
y por eso las pérdidas finales.
EXPRIMENTO 3 SCR

Figura 10. Diagrama de circuito utilizando SCR.

El SCR en términos prácticos funciona como un diodo controlado por corriente. Al cerrar el
interruptor 1 se cierra la primera malla, sin embargo, para que el SCR pueda conducir a
través de esta malla, necesita una corriente de activación de la compuerta, la cual será
otorgada por la malla externa al cerrar el interruptor 2. Esta corriente de activación
experimentalmente se obtendrá al variar el valor del potenciómetro y, cuando se tenga el
valor necesario, la malla uno comenzará a conducir. Un indicador de esto, es que cuando
se activa el SCR el LED se encenderá.

Se utilizó un SCR C106.

La corriente de activación y el voltaje A-K de activación son valores que se obtienen del
datasheet. En el cual se encontró en las características de encendido que la corriente de
activación es menor a 200 µA y un voltaje típico A-K de 0.60 V. Experimentalmente
obtuvimos 1.59 mA y 0.703 V. Sin embargo, debemos tomar en cuenta que la activación es
instantánea y al hacerse manual con la variación del potenciómetro y al tener un valor tan
pequeño (200 µA) es muy complicado obtener el valor preciso, por lo cual los valores
obtenidos podrían considerarse aceptables.

EXPERIMENTO 4 TRIAC

Figura 11. Diagrama de circuito para el experimento 4.

Una vez que se disminuyó la resistencia en el potenciómetro R2 se tomaron las corrientes

en la compuerta y la tensión con respecto a tierra.
 IG(mA) VG(v)
0 0
1 88mv
2 180.9mv
3 264.9mv
4 351.1mv
5 442.5mv
8.1 0.697
8.4 0.797

Como observamos a medida que la corriente aumenta también lo hace el voltaje, solo
podemos decir de esto que existe correlación entre la corriente y el voltaje.

El valor de voltaje en el que el TRIAC entra en conducción es: 8.5 v

Y el voltaje medido en las terminales MT1 Y MT2 son:

MT1: 0.789V
MT2: 11.5mV

Lo que podemos observar es que con un voltaje de 8.5 el triac entra en conducción y
realiza la función de un interruptor electrónico.

Figura 12. Diagrama de circuito utilizando TRIAC

EXPERIMENTO 5 CONTROL EN CA.

Figura 13. Diagrama de circuito para el experimento 5.

Lo que observamos es muy similar a lo que observamos en el experimento pasado, solo

que en esta ocasión se utilizan elementos de CA, observamos que el SCR no deja que
pase el voltaje hacia el foco, pero llega un momento en el que la resistencia alimenta al
SCR con una corriente tal que permite el paso de la electricidad y nos permite controlar al
en encendido y apagado de la lámpara, semejándose a un proceso semiautomático, fue
muy interesante este circuito ya que al principio nos generó problemas, pero con un ligero
ajuste de resistencias logramos que nuestro circuito funcionara adecuadamente.
EXPERIMENTO 6 CONTROL EN CA.

Figura 14. Diagrama de circuito para el experimento 6.

Este circuito es similar al pasado, salvo una pequeña diferencia y es que en lugar de un
potenciómetro se utiliza una fotorresistencia que nos permite variar la resistencia en función a la
luz recibida.

Se obtuvieron la corriente de activación y el voltaje de activación:

Vac Iac
38.5 V 0.20mA

Que es el momento cuando el SCR permite el paso de del voltaje y la corriente hacia el foco.

Este circuito es muy interesante porque en base al nivel de luz se puede controlar un dispositivo
de potencia, este circuito es similar a la operación de una fotocelda que en base al nivel de luz nos
permite encender o apagar luminarias.

CUESTIONARIO

1. Describa por lo menos 10 componentes de potencia adicionales a los vistos

en los experimentos.

Diodos de recuperación rápida: Son adecuados en circuitos de frecuencia elevada

en combinación con interruptores controlables, donde se necesitan tiempos de
recuperación pequeños. Para unos niveles de potencia de varios cientos de voltios
y varios cientos de amperios, estos diodos poseen un tiempo de recuperación
inversas (trr) de pocos nanosegundos.

Diodos rectificadores o de frecuencia de línea: La tensión en el estado de

conducción (ON) de estos diodos es la más pequeña posible, y como consecuencia
tienen un trr grande, el cual es únicamente aceptable en aplicaciones de la
frecuencia de línea. Estos diodos son capaces de bloquear varios kilovoltios y
conducir varios kiloamperios. Se pueden conectar en serie y/o paralelo para
satisfacer cualquier rango de tensión o de corriente.

GTO (Gate Turn-Off Thyristor): El GTO es un tiristor con capacidad externa de

bloqueo. La puerta permite controlar las dos transiciones: paso de bloqueo a
conducción y viceversa. Su característica principal es su capacidad de entrar en
conducción y bloquearse a través de señales adecuadas en el terminal de puerta G.
Transistor Bipolar de Potencia (TBP): Más conocidos como BJTs (Bipolar
Junction Transistors), básicamente se trata de interruptores de potencia controlados
por corriente. Como el lector recordará existen dos tipos fundamentales, los “npn” y
los “pnp”, si bien en Electrónica de Potencia los más usuales y utilizados son los
primeros. En el caso de un transistor npn, los electrones son atraídos del emisor por
el potencial positivo de la base. Esta capa central es suficientemente fina para que
la mayor parte de los portadores tenga energía cinética suficiente para atravesarla,
llegando a la región de transición de J2, siendo entonces atraídos por el potencial
positivo del colector.

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors): Así como

podemos decir que el transistor bipolar se controla por corriente, los MOSFET son
transistores controlados por tensión. Ello se debe al aislamiento (óxido de Silicio) de
la puerta respecto al resto del dispositivo. Existen dos tipos básicos de MOSFET,
los de canal n y los de canal p, si bien en Electrónica de Potencia los más comunes
son los primeros, por presentar menores pérdidas y mayor velocidad de
conmutación, debido a la mayor movilidad de los electrones con relación a los
agujeros.

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor): Es un dispositivo híbrido, que

aprovecha las ventajas de los transistores descritos en los apartados anteriores, o
sea, el IGBT reúne la facilidad de disparo de los MOSFET con las pequeñas
pérdidas en conducción de los BJT de potencia. La puerta está aislada del
dispositivo, con lo que se tiene un control por tensión relativamente sencillo. Entre
el colector y el emisor se tiene un comportamiento tipo bipolar, con lo que el
interruptor es muy cercano a lo ideal.

Tiristor controlado por MOS (MCT): El MCT es otro dispositivo semiconductor de

potencia híbrido que combina los atributos del MOSFET y el tiristor. Está integrado
por 2 MOSFET, uno de ellos enciende al tiristor y el otro lo apaga. Existen diversos
tipos de estructuras, pero todas ellas coinciden existe un tiristor pnpn que determina
las propiedades de conducción (y de bloqueo).

Tiristor IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor): es un dispositivo

semiconductor empleado en electrónica de potencia para conmutar corriente
eléctrica en equipos industriales. Es la evolución del Tiristor GTO (del inglés Gate
Turn-Off). Al igual que el GTO, el IGCT es un interruptor controlable, permitiendo
además de activarlo, también desactivarlo desde el terminal de control Puerta o G
(del inglés Gate). La electrónica de control de la puerta está integrada en el propio
tiristor.

Diodo Shocley: El diodo Shockley es un tiristor con dos terminales: ánodo y cátodo.
Está constituido por cuatro capas semiconductoras que forman una estructura pnpn.
Actúa como un interruptor: está abierto hasta que la tensión directa aplicada alcanza
un cierto valor, entonces se cierra y permite la conducción. La conducción continúa
hasta que la corriente se reduce por debajo de un valor específico (IH).

GCS (Gate Controlled Switch): Este dispositivo es similar al SCR, con la diferencia
de que el GCS puede interrumpir el paso de corriente con una señal en el terminal
de gate. Igual que el SCR, no permitirá el paso de corriente hasta que un pulso
 positivo se reciba en el terminal de puerta. La diferencia se encuentra en que el GCS
puede pasar al estado de corte mediante un pulso negativo 10 ó 20 veces mayor
que el pulso positivo aplicado para entrar en conducción.

SCS (Silicon Controlled Switch): Es similar en cuanto a construcción al SCR. La

diferencia está en que posee dos terminales de puerta, uno para entrar en
conducción y otro para corte. El SCS se suele utilizar en rangos de potencia
menores que el SCR.

2. Explique las características de un circuito electrónico para ser considerado

componente de potencia.

El componente básico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos:

 Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo)

y otro de baja impedancia (conducción).
 Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequeña potencia.
 Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando está
en estado de bloqueo, con pequeñas caídas de tensión entre sus electrodos,
cuando está en estado de conducción. Ambas condiciones lo capacitan para
controlar grandes potencias.
 Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.
 El último requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento
habrá una mayor disipación de potencia. Por tanto, la potencia disipada
depende de la frecuencia.

3. Investigue el término Sistema de Control Electrónico de Potencia.

Conjunto de dispositivos electrónicos encargados de convertir y controlar la energía
de la forma suministrada por una fuente a la forma requerida por la carga.
Habitualmente la fuente primera de energía es la corriente alterna (monofásica o
trifásica a 50 ó 60 Hz) suministrada por la red de energía eléctrica. La siguiente
figura muestra el diagrama de bloques de un sistema de Electrónica de Potencia:

Los elementos que componen un circuito de Electrónica de Potencia son los

siguientes:

Figura 15. Elementos de un circuito de potencia.

4. Explique la diferencia entre un circuito electrónico de alta potencia y un

circuito electrónico de baja potencia.
  Baja potencia: maneja potencias menores a 10 kW y tiene aplicaciones
domésticas, equipos de oficina, industriales y comerciales.
 Media potencia: maneja potencias de entre 10 y 1000 kW y bajo voltaje. Tiene
aplicaciones industriales, en telecomunicaciones, y accionadores.
 Alta potencia: maneja potencias mayores a 1000 kW y alto voltaje. Tiene
aplicaciones en transmisión eléctrica y tracción de trenes.

5. Describa las principales características de un DIAC, TRIAC y SCR.

DIAC
Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de
dos terminales que funciona básicamente como dos diodos Shockley que conducen
en sentidos opuestos.

Figura 16. Construcción básica y símbolo del DIAC.

La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que

funciona como un diodo Shockley tanto en polarización directa como en inversa.
Cualquiera que sea la polarización del dispositivo, para que cese la conducción hay
que hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las
partes izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener una forma análoga, no
tienen por qué ser simétricas.

Figura 17. Característica V-I del DIAC.

TRIAC
Este dispositivo es similar al DIAC pero con un único terminal de puerta (gate). Se
puede disparar mediante un pulso de corriente de gate y no requiere alcanzar el
voltaje VBO como el DIAC.

Figura 18. Construcción básica y símbolo del TRIAC.

En la curva característica se indica que, para diferentes disparos, es decir, para

distintas corrientes aplicadas en gate, el valor de VBO es distinto. En la parte de
polarización positiva, la curva de más a la izquierda es la que presenta un valor
de VBO más bajo, y es la que mayor corriente de gate precisa en el disparo. Para
que este dispositivo deje de conducir, como en el resto de los casos, hay que hacer
bajar la corriente por debajo del valor IH.

Figura 19. Característica V-I del TRIAC.

Al igual que el SCR, se emplean para controlar la potencia suministrada a una carga.
El TRIAC puede dispararse de tal modo que la potencia en alterna sea suministrada
a la carga durante un tiempo determinado de cada ciclo. La diferencia con el SCR
es que se puede disparar tanto en la parte positiva que en la negativa del ciclo, de
tal manera que la corriente en la carga puede circular en los dos sentidos.
 Figura 20. Control básico de potencia con un TRIAC.

SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)

El SCR es un dispositivo de cuatro capas muy similar al diodo Shockley, con la

diferencia de poseer tres terminales: ánodo, cátodo y puerta (gate). Al igual que el
diodo Shockley, presenta dos estados de operación: abierto y cerrado, como si se
tratase de un interruptor.

Figura 21. Construcción básica y símbolo del SCR.

Tal y como se aprecia en la Figura 22, la parte de polarización inversa de la curva

es análoga a la del diodo Shockley.

Figura 22. Característica del SCR.

 En cuanto a la parte de polarización positiva, el diodo no conduce hasta que se
recibe un pulso de tensión en el terminal de puerta (gate). Una vez recibido, la
tensión entre ánodo y cátodo cae hasta ser menor que un voltio y la corriente
aumenta rápidamente, quedando limitada en la práctica por componentes externos.

Podemos ver en la curva cuatro valores importantes. Dos de ellos provocarán la

destrucción del SCR si se superan: VRB e IMAX. VRB (Reverse Breakdown
Voltage) es, al igual que en el diodo Shockley, la tensión a partir de la cual se
produce el fenómeno de avalancha. IMAX es la corriente máxima que puede
soportar el SCR sin sufrir daño. Los otros dos valores importantes son la tensión de
cebado VBO (Forward Breakover Voltage) y la corriente de mantenimiento IH,
magnitudes análogas a las explicadas para el diodo Shockley.

. Describa en que otras aplicaciones electrónicas se utilizan los SCR.

 Controles de relevador.
 Circuitos de retardo de tiempo.
 Fuentes de alimentación reguladas.
 Interruptores estáticos.
 Controles de motores.
 Recortadores.
 Inversores.
 Ciclo conversores.
 Cargadores de baterías.
 Circuitos de protección.
 Controles de calefacción.
 Controles de fase.

7. Explique cómo afecta la temperatura a los elementos electrónicos de potencia.

El buen funcionamiento de los equipos eléctricos y electrónicos se ven afectados

temporalmente por algún problema climatológico que se puede resolver
rápidamente y a un bajo coste. En los cambios de temperatura se forma
condensación en armarios de distribución cerrados. La condensación en
combinación con polvo, heladas y gases en el interior del armario eléctrico o
electrónico, son causas que producen corrosión, corriente de fuga y el salto del arco.
Una temperatura interior demasiado alta puede inducir igualmente a una caída total
del equipo

8. Dibuje un diagrama de bloques de una fuente de CD a CA y explique el

funcionamiento en cada etapa.

Para poder llevar a cabo la conversión de DC a AC es necesario contar con los

siguientes bloques que nos ayuden a conjuntar la red eléctrica doméstica.
DIAGRAMA A BLOQUES DE UN INVERSOR.

Fuente de DC.
La fuente de DC se conforma principalmente con un banco de baterías, el cual
requiere la rectificación de la corriente alterna para poder recargarse en el
momento en que su voltaje de salida se encuentre bajo. Esto se realiza por medio
de un cargador de baterías el cual entra al momento de que el sistema se
encienda. El banco de baterías se conforma por baterías conectadas en serie
hasta alcanzar el voltaje deseado, teniendo en cuenta que estas pilas deben tener
el mismo rendimiento, es decir el mismo valor en voltaje y en amperes/hora.
Dependiendo del tipo y del tamaño de la carga, es posible determinar el tipo de
baterías a utilizar.

Bloque de potencia.
En el bloque de potencia el sistema debe ser capaz de generar una onda alterna a
partir de un voltaje continuo suministrado por la fuente de DC. Esto lo podemos
lograr gracias a la implementación de cuatro transistores con su respectiva
protección con diodos conectados en paralelo con cada transistor.
Para este bloque es necesario contar con dispositivos de rápida conmutación que
nos permitan generar una señal de corriente alterna a partir de una de corriente
directa con las menores pérdidas posibles, los inversores de potencia son los que
se recomiendan para esta aplicación, los cuales cuentan con una fuente de
alimentación de corriente directa y a su vez estarán controlados por medio de un
sistema de control que permitirá la conmutación de los mismos para logar la
conversión de directa a alterna. Este circuito conmuta por parejas, Q1 y Q4
permiten generar el semiciclo positivo de la señal alterna de salida mientras que
Q2 y Q3 activarán el semiciclo negativo de la señal alterna de salida. Para una
correcta operación será necesario que el bloque de control generedos señales
desfasadas 180º entre sí, señal 1 y señal 2 en la figura 5.3, las cuales harán
conmutar los transistores de potencia a la velocidad requerida .En el caso de
cargas con componente inductiva es posible que se presenten problemas de
conmutación de los transistores debido a la corriente reactiva que fluye por ellas.
Además, si la inductancia es muy elevada, se presentarán transitorios que pueden
deteriorar el funcionamiento de los semiconductores de potencia. Para minimizar
estos inconvenientes se opta por conectar diodos en antiparalelo con los
transistores, D1 a D4 en la figura 5.2, los cuales redireccionan la corriente reactiva
hacia la batería, Q4 o fuente CC, permitiendo mantener una corriente constante
sobre ella, y previniendo a la vez el calentamiento de los transistores.

Control
Es el encargado de generar las dos señales que gobiernan la activación y
desactivación de los transistores de potencia, función que puede ser cumplida por
un circuito oscilador de onda cuadrada. Buscando proporcionar voltajes de salida
que disminuyan el contenido armónico, se han desarrollado diferentes estrategias
de conmutación en inversores monofásicos: modulación uniforme de ancho de
pulso (UPWM), modulación trapezoidal, modulación senoidal de ancho de pulso
(SPWM). Sin embargo, la técnica más utilizada es SPWM.

Transformador
Finalmente, el transformador de salida permite regenerar la señal para la carga,es
decir mandar una señal senoidal con mínimo de armónicos y mantener elvoltaje lo
más posible estable para evitar variaciones a la salida y posibles daños a
las cargas conectadas. También nos sirve para proteger el sistema, puesto que en
caso de cortocircuito en la carga, éste no repercute ya que se encuentra aislad

9. Explique el funcionamiento de una fuente conmutada.

Básicamente, aumentan la frecuencia de la corriente, que pasa de oscilar

50/60Hz a más de 100kHz, dependiendo del sistema utilizado.

Para entender el funcionamiento de una fuente conmutada, debemos separarla en

bloques, y analizarlos paso a paso.
De momento vamos a resumirlos, para ir profundizando en los siguientes artículos.

Existen muchos tipos distintos de fuentes, y sería imposible explicar los detalles de
cada uno.

Por eso, he creído que lo más conveniente es centrarnos en los sistemas más
comunes.

 Filtro EMC. Su función es absorber los problemas eléctricos de la red, como

ruidos, armónicos, transitorios, etc. También evita que la propia fuente envíe
interferencias a la red.
 Puente rectificador. Solo deja pasar la corriente en un sentido, de modo que
convierte la corriente alterna en corriente pulsante, es decir que oscila igual
que la corriente alterna, aunque únicamente en un sentido.
 Corrector del factor de potencia. En determinadas circunstancias, la corriente
se desfasa respecto a la tensión, lo que provoca que no se aproveche toda
la potencia de la red. Puedes ver una explicación completa en este artículo
de Xavi Ventura. El corrector se encarga de solventar este problema.
  Condensador. Amortigua la corriente pulsante para convertirla en corriente
continua con un valor estable.
 Transistor. Se encarga de cortar y activar el paso de la corriente. De este
modo se convierte a la corriente continua en corriente pulsante.
 Controlador. Activa y desactiva el transistor. Esta parte del circuito suele
tener varias funciones, como protección contra cortocircuitos, sobrecargas,
sobretensiones… También controla al circuito de corrección del factor de
potencia. Además, mide la tensión de salida de la fuente, y modifica la señal
entregada al transistor, para regular la tensión y mantener estable la salida.
 Transformador. Reduce la tensión, y además aísla físicamente la entrada de
la salida.
 Diodo. Convierte la corriente alterna del transformador a corriente pulsante.
 Filtro. Convierte la corriente pulsante en continua.
 Optoacoplador. Enlaza la salida de la fuente con el circuito de control, pero
manteniéndolos físicamente separados.

10. Comente la importancia de la electrónica de potencia en la ingeniería

biomédica.

La electrónica es muy importante porque es la base de la biomédica, se supone

que un ingeniero biomédico crea soluciones para la salud en base a los
funcionamientos metabólicos y fisiológicos de la anatomía humana, entonces para
desarrollar estas aplicaciones es necesario utilizar la electrónica para la
construcción de dispositivos capaces de interactuar con el paciente y detecta
problemas.

CONCLUSIONES

Corona Dávalos Edson Alfonso

Se cumplieron los objetivos según la practica ya que se identificaron las partes de

los dispositivos, de igual manera observamos la operación de cada una de ellos y
su operación puede llegar a ser muy útil, ya que en base a su funcionamiento nos
es posible controlar dispositivos de CA como motores y luminaria, su funcionamiento
es muy parecido al de un interruptor ya que en base a una corriente la cantidad de
corriente que pasaba al SCR, sirviendo como un sensor de luz en la compuerta nos
es posible controlar la corriente que pasa de la fuente al drenaje, de igual forma
observamos en operación a una LDR que sirvió para controlar.

Méndez Molina Chrystian Daniel

El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es muy parecido al de
los transistores normales, teniendo como características especiales las altas
tensiones e intensidades con las que operan. la diferencia entre un transistor bipolar
y un transistor unipolar o FET es el modo de actuación sobre el terminal de control
ya que en el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular
la corriente de colector, mientras que en el FET el control se hace mediante la
aplicación de una tensión entre puerta y fuente

Ricart Ramírez Diana Laura

Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrónica de Potencia se pueden clasificar

en tres grandes grupos, de acuerdo con su grado de controlabilidad:
Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los diodos. Los estados de
conducción o cierre (ON) y bloqueo o apertura (OFF) dependen del circuito de potencia, no
disponen de una terminal de control externo.
Dispositivos semicontrolados: en este grupo de encuentran los tiristores, que son una
familia de dispositivos semiconductores de cuatro capas (pnpn), que se utilizan para
controlar grandes cantidades de corriente mediante circuitos electrónicos de bajo consumo
de potencia. Funcionan como una compuerta que permite o impide el paso de corriente. Así
como los transistores pueden operar en cualquier punto entre corte y saturación, los
tiristores en cambio sólo conmutan entre dos estados: corte y conducción. En este caso su
puesta en conducción (paso de OFF a ON) se debe a una señal de control externa que se
aplica en uno de los terminales del dispositivo (compuerta). Por otro lado, su bloqueo (paso
de ON a OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene control externo
de la puesta en conducción, pero no así del bloqueo del dispositivo.
Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores BJT y los
MOSFET, los cuales fueron abordados en prácticas anteriores.

BIBLIOGRAFÍA
Albella, J. M., & María, M.-D. J. (1996). Fundamentos de física electrónica y
microelectrónica. Madrid, España: Addison-Wesley/Universidad Autónoma de
Madrid. Obtenido de Departamento de Física e Ingeniería de Superficies. Instituto
de Ciencia de Materiales de Madrid.
Boylestad, R., & Nashelsky, L. (2009). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos. México: Pearson Education.
León, Á., Martínez, P., & Varo, M. (2005). Grupo de Investigación Laboratorios Virtuales
en Ciencia y Tecnología. . Obtenido de Página Web del Departamento de Física
Aplicada de la Universidad de Córdoba:
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/curvascaracteristicas.html